JPH0258401A - フェリ磁性体薄膜フィルタ - Google Patents
フェリ磁性体薄膜フィルタInfo
- Publication number
- JPH0258401A JPH0258401A JP20999288A JP20999288A JPH0258401A JP H0258401 A JPH0258401 A JP H0258401A JP 20999288 A JP20999288 A JP 20999288A JP 20999288 A JP20999288 A JP 20999288A JP H0258401 A JPH0258401 A JP H0258401A
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- JP
- Japan
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- thin film
- resonators
- rectangular
- resonator
- ferrimagnetic
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波、ミリ波帯のフィルタに関し、特
にフェリ磁性体薄膜を用いたものに関するものである。
にフェリ磁性体薄膜を用いたものに関するものである。
第4図は例えば1985年発行の文献「アイイーイーイ
ー マイクロウェーブ セオリー アンドテクニックス
シンポジウム ダイジェスト」(rEEE旧crow
ave Theory and Techniques
Symposiu+w Digest、 1985.
pp、285−288″)に示された従来のフェリ磁
性体薄膜フィルタを示す斜視図である。
ー マイクロウェーブ セオリー アンドテクニックス
シンポジウム ダイジェスト」(rEEE旧crow
ave Theory and Techniques
Symposiu+w Digest、 1985.
pp、285−288″)に示された従来のフェリ磁
性体薄膜フィルタを示す斜視図である。
図において、1.2は同一の共振周波数をもつ円形フェ
リ磁性体薄膜共振器、3はフェリ磁性体薄膜1.2を保
持するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基板であり
、液相成長法などにより作成される。4は円形フェリ磁
性体薄膜共振器を相互に結合させるためのストリップ導
体、5,6は円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2と外部
回路とを結合させるための人、出力用ストリップ導体、
7は地導体、8は人、出力用ストリップ導体5゜6と地
導体7とを保持し、マイクロストリップ線路を形成する
ための誘電体基板である。なお、直流磁界を印加するた
めの磁気回路はこの図では省略している。
リ磁性体薄膜共振器、3はフェリ磁性体薄膜1.2を保
持するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基板であり
、液相成長法などにより作成される。4は円形フェリ磁
性体薄膜共振器を相互に結合させるためのストリップ導
体、5,6は円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2と外部
回路とを結合させるための人、出力用ストリップ導体、
7は地導体、8は人、出力用ストリップ導体5゜6と地
導体7とを保持し、マイクロストリップ線路を形成する
ための誘電体基板である。なお、直流磁界を印加するた
めの磁気回路はこの図では省略している。
次に動作について説明する。入力用ストリップ導体5に
沿って入射した電磁波の高周波磁束はその周波数が円形
フェリ磁性薄膜共振器1の共振周波数に一致する場合に
円形フェリ磁性体薄膜共振器1に結合する。第1の円形
フェリ磁性体薄膜共振器1が共振した状態ではフェリ磁
性体内の電子スピンの軸が直流磁界の方向を軸として歳
差運動する。この歳差運動により、フェリ磁性体薄膜外
には入射した高周波磁束ベクトルと直交するベクトル成
分が現れ、ストリップ導体4に高周波電流を誘起する。
沿って入射した電磁波の高周波磁束はその周波数が円形
フェリ磁性薄膜共振器1の共振周波数に一致する場合に
円形フェリ磁性体薄膜共振器1に結合する。第1の円形
フェリ磁性体薄膜共振器1が共振した状態ではフェリ磁
性体内の電子スピンの軸が直流磁界の方向を軸として歳
差運動する。この歳差運動により、フェリ磁性体薄膜外
には入射した高周波磁束ベクトルと直交するベクトル成
分が現れ、ストリップ導体4に高周波電流を誘起する。
この高周波電流により誘起された高周波磁束は円形フェ
リ磁性体薄膜共振器2に結合する。ストリップ導体4は
このように円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2を結合さ
せる働きをもつ。
リ磁性体薄膜共振器2に結合する。ストリップ導体4は
このように円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2を結合さ
せる働きをもつ。
円形フェリ磁性体薄膜共振器2の高周波磁束は出力用ス
トリップ導体6に結合し、これに接続される外部回路へ
電磁波が伝搬する。
トリップ導体6に結合し、これに接続される外部回路へ
電磁波が伝搬する。
以上の現象は円形フェリ磁性体薄膜共振器1゜2の共振
周波数近傍でのみ起きるため、帯域通過フィルタが実現
できる。また共振周波数は直流磁界で制御できるため通
過周波数を可変にすることができる。
周波数近傍でのみ起きるため、帯域通過フィルタが実現
できる。また共振周波数は直流磁界で制御できるため通
過周波数を可変にすることができる。
従来のフェリ磁性体薄膜フィルタは以上のように構成さ
れているので、円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2間の
結合に用いているストリップ導体4に高周波電流が流れ
、この導体損により挿入損失が増大するという問題点が
あった。
れているので、円形フェリ磁性体薄膜共振器1.2間の
結合に用いているストリップ導体4に高周波電流が流れ
、この導体損により挿入損失が増大するという問題点が
あった。
また、微細加工の必要なストリップ導体4,5゜6が複
数の基板3.8上に形成されているため、コストが高く
なるという問題点があった。
数の基板3.8上に形成されているため、コストが高く
なるという問題点があった。
さらにストリップ導体4.5.6が別々の基板3.8上
に形成されているため、該導体4,5゜6を精度良く配
置することが難しく、電気特性及びill性の点で劣る
という2問題点があった。
に形成されているため、該導体4,5゜6を精度良く配
置することが難しく、電気特性及びill性の点で劣る
という2問題点があった。
この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、低損失で安定して良好な性能
が得られるとともに、高い信頼性を有しかつ低コストに
製造できるフェリ磁性体薄膜フィルタを得ることを目的
とする。
るためになされたもので、低損失で安定して良好な性能
が得られるとともに、高い信頼性を有しかつ低コストに
製造できるフェリ磁性体薄膜フィルタを得ることを目的
とする。
この発明に係るフェリ磁性体薄膜フィルタは、フェリ磁
性体薄膜共振器に矩形のものを用い、かつ各共振器の辺
を相互に平行になるように配置したものである。
性体薄膜共振器に矩形のものを用い、かつ各共振器の辺
を相互に平行になるように配置したものである。
この発明においては、フェリ磁性体mHフィルタは、共
振器を相互に直接結合することから、共振器間のストリ
ップ導体が不要となり、低損失とられ、信頼性が向上し
、コストが低減される。
振器を相互に直接結合することから、共振器間のストリ
ップ導体が不要となり、低損失とられ、信頼性が向上し
、コストが低減される。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるフェリ磁性体薄膜フィ
ルタを示し、図において、3.5〜8は従来と同一のも
のである。9は矩形フェリ磁性体薄膜共振器、10は矩
形フェリ磁性体薄膜共振器9の1辺と、辺が平行になる
ように配置された矩形フェリ磁性体薄膜共振器である。
ルタを示し、図において、3.5〜8は従来と同一のも
のである。9は矩形フェリ磁性体薄膜共振器、10は矩
形フェリ磁性体薄膜共振器9の1辺と、辺が平行になる
ように配置された矩形フェリ磁性体薄膜共振器である。
なお、直流磁界を印加するための磁気回路についてはこ
の図では省略している。
の図では省略している。
次に動作について説明する。共振器9.10が同一周波
数で共振するものとすれば、共振周波数では入力用スト
リップ導体5に沿って入射した電磁波の高周波磁束は第
1の矩形フェリ磁性体薄膜共振器9に強く結合する。矩
形フェリ磁性体薄膜共振器9が共振した状態では、フェ
リ磁性体内の電子スピンの軸が直流磁界の方向を軸とし
て歳差運動する。この歳差運動に伴い、フェリ磁性体薄
膜外には高周波磁束ベクトルが現れ、矩形フェリ磁性体
薄膜共振器10に結合する0次に、矩形フェリ磁性体薄
膜共振器lOによる高周波磁束は出力用ストリップ導体
6に結合し、これに接続される外部回路へ電磁波が伝搬
する。共振周波数以外では、ストリップ導体5,6と共
振器9.10との結合、共振器9.10相互の結合とも
弱く、電磁波はほとんどの電力が反射される。従って、
本実施例は帯域通過フィルタとして機能する。
数で共振するものとすれば、共振周波数では入力用スト
リップ導体5に沿って入射した電磁波の高周波磁束は第
1の矩形フェリ磁性体薄膜共振器9に強く結合する。矩
形フェリ磁性体薄膜共振器9が共振した状態では、フェ
リ磁性体内の電子スピンの軸が直流磁界の方向を軸とし
て歳差運動する。この歳差運動に伴い、フェリ磁性体薄
膜外には高周波磁束ベクトルが現れ、矩形フェリ磁性体
薄膜共振器10に結合する0次に、矩形フェリ磁性体薄
膜共振器lOによる高周波磁束は出力用ストリップ導体
6に結合し、これに接続される外部回路へ電磁波が伝搬
する。共振周波数以外では、ストリップ導体5,6と共
振器9.10との結合、共振器9.10相互の結合とも
弱く、電磁波はほとんどの電力が反射される。従って、
本実施例は帯域通過フィルタとして機能する。
またこの実施例では共振器の形状を矩形としているため
、2つの共振器の対向する辺を平行に配置することによ
り近接して対向する区間を長くとることができ、十分大
きな共振器間結合量が得られる。
、2つの共振器の対向する辺を平行に配置することによ
り近接して対向する区間を長くとることができ、十分大
きな共振器間結合量が得られる。
第2図は本発明の他の実施例を示す概略構成図である。
この実施例ではフェリ磁性体薄膜用誘電体基板3に直接
地導体7を設け、また反対側の面及び矩形フェリ磁性体
薄膜9.10の表面及び側面に人、出力用ストリップ導
体5.6を設けているので、部品点数が低減できる。
地導体7を設け、また反対側の面及び矩形フェリ磁性体
薄膜9.10の表面及び側面に人、出力用ストリップ導
体5.6を設けているので、部品点数が低減できる。
第3図は本発明のさらに他の実施例を示す概略構成図で
、通過帯域外の減衰特性改善のため4個の矩形フェリ磁
性体薄膜共振器9,10,11゜12を設けたものであ
る。この場合には矩形フェリ磁性体薄膜共振器11.1
2の共振周波数を調整するため共振周波数調整用ストリ
ップ導体13を用いることにより、矩形フェリ磁性体薄
膜共振器9.10の寸法と同一寸法で共振周波数を合わ
せることができる。同一寸法であることから、量産時に
フィルタ毎のフェリ磁性体薄膜の厚みがばらついたとし
ても同一のフィルタ内では、フィルタ磁性体薄膜の厚み
は一定であるため共振器の共振周波数は常に一致させる
ことができ、これにより信転性の向上が図れる効果があ
る。
、通過帯域外の減衰特性改善のため4個の矩形フェリ磁
性体薄膜共振器9,10,11゜12を設けたものであ
る。この場合には矩形フェリ磁性体薄膜共振器11.1
2の共振周波数を調整するため共振周波数調整用ストリ
ップ導体13を用いることにより、矩形フェリ磁性体薄
膜共振器9.10の寸法と同一寸法で共振周波数を合わ
せることができる。同一寸法であることから、量産時に
フィルタ毎のフェリ磁性体薄膜の厚みがばらついたとし
ても同一のフィルタ内では、フィルタ磁性体薄膜の厚み
は一定であるため共振器の共振周波数は常に一致させる
ことができ、これにより信転性の向上が図れる効果があ
る。
なお、上記実施例では共振器の数が2個及び4個の場合
について示したが、3個及び5個以上の場合も同様の効
果がある。また、矩形フェリ磁性体薄膜共振器の形状は
正方形、長方形いずれであっても良い。
について示したが、3個及び5個以上の場合も同様の効
果がある。また、矩形フェリ磁性体薄膜共振器の形状は
正方形、長方形いずれであっても良い。
さらに、第3図において、共振器11.12の共振周波
数は、共振器の寸法によって調整しても良い、ただし、
フェリ磁性体薄膜の厚さに応じて共振器の寸法を決定す
る必要がある。
数は、共振器の寸法によって調整しても良い、ただし、
フェリ磁性体薄膜の厚さに応じて共振器の寸法を決定す
る必要がある。
以上のように、この発明に係るフェリ磁性体薄膜フィル
タによれば、フェリ磁性体薄膜フィルタに用いるフェリ
磁性体薄膜共振器を矩形とし、各共振器の対向する辺を
平行になるように配置して共振器間の直接結合が得られ
るように構成したので、共振器間のストリップ導体が不
要となり、低損失となる。さらにストリップ導体が単一
基板上に形成され、集積化されるため安定に良好な性能
が得られ、信軌性が向上し、コストが低減される効果が
ある。
タによれば、フェリ磁性体薄膜フィルタに用いるフェリ
磁性体薄膜共振器を矩形とし、各共振器の対向する辺を
平行になるように配置して共振器間の直接結合が得られ
るように構成したので、共振器間のストリップ導体が不
要となり、低損失となる。さらにストリップ導体が単一
基板上に形成され、集積化されるため安定に良好な性能
が得られ、信軌性が向上し、コストが低減される効果が
ある。
第1図はこの発明の一実施例によるフェリ磁性体薄膜フ
ィルタを示す斜視図、第2図はこの発明の他の実施例に
よるフェリ磁性体薄膜フィルタを示す斜視図、第3図は
この発明のさらに他の実施例によるフェリ磁性体NWL
フィルタを示す斜視図、第4図は従来のフェリ磁性体薄
膜フィルタを示す斜視図である。 図において、1.2は円形フェリ磁性体薄膜共振器、3
はフェリ磁性体薄膜用誘電体基板、4はストリップ導体
、5.6は人、出力用ストリップ導体、7は地導体、8
は誘電体基板、9,10は矩形フェリ磁性体薄膜共振器
、11.12は矩形フェリ磁性体薄膜共振器、13は共
振周波数調整用ストリップ導体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ィルタを示す斜視図、第2図はこの発明の他の実施例に
よるフェリ磁性体薄膜フィルタを示す斜視図、第3図は
この発明のさらに他の実施例によるフェリ磁性体NWL
フィルタを示す斜視図、第4図は従来のフェリ磁性体薄
膜フィルタを示す斜視図である。 図において、1.2は円形フェリ磁性体薄膜共振器、3
はフェリ磁性体薄膜用誘電体基板、4はストリップ導体
、5.6は人、出力用ストリップ導体、7は地導体、8
は誘電体基板、9,10は矩形フェリ磁性体薄膜共振器
、11.12は矩形フェリ磁性体薄膜共振器、13は共
振周波数調整用ストリップ導体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)直流磁界が印加される複数の矩形フェリ磁性体薄
膜共振器と、 該複数の矩形フェリ磁性体薄膜共振器のうちの所要のも
のに高周波を入出力するための入出力結合手段とを備え
、 上記共振器の辺が互いに平行になるように上記共振器を
配置したことを特徴とするフェリ磁性体薄膜フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20999288A JPH0258401A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20999288A JPH0258401A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258401A true JPH0258401A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16582065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20999288A Pending JPH0258401A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258401A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736772B2 (en) | 2000-08-28 | 2004-05-18 | Olympus Corporation | Endoscope suitable for autoclaving |
| US6816038B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-11-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetostatic wave device and disturbance wave eliminator |
| JP2010273000A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Candox Systems Inc | 電子同調バンドパスフィルター |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP20999288A patent/JPH0258401A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736772B2 (en) | 2000-08-28 | 2004-05-18 | Olympus Corporation | Endoscope suitable for autoclaving |
| US7097614B2 (en) | 2000-08-28 | 2006-08-29 | Olympus Corporation | Endoscope suitable for autoclaving |
| US6816038B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-11-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetostatic wave device and disturbance wave eliminator |
| JP2010273000A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Candox Systems Inc | 電子同調バンドパスフィルター |
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