JPH0258763B2 - - Google Patents

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JPH0258763B2
JPH0258763B2 JP57145586A JP14558682A JPH0258763B2 JP H0258763 B2 JPH0258763 B2 JP H0258763B2 JP 57145586 A JP57145586 A JP 57145586A JP 14558682 A JP14558682 A JP 14558682A JP H0258763 B2 JPH0258763 B2 JP H0258763B2
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strip
capacitor
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metal
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Iarijisu Angero
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BORUMETSUTO Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials

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  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、交流(AC)用金属化コンデンサ、
特に誘電ストリツプ上に異なる金属の多重金属薄
層を設けた電極を有する高応力金属化コンデンサ
に関する。 金属化コンデンサは、電極の一方または両方を
固体誘電ストリツプ上の極めて薄い金属層、例え
ばポリプロピレン樹脂ストリツプ上の蒸着アルミ
ニウム層によつて形成したものである。これらの
ストリツプを一緒にロール形状に巻いて、金属化
電極およびポリプロピレン誘電体を有するコンデ
ンサを形成することができる。ロールを容器内に
収容し、絶縁油で適当に含浸する。ロールを適当
にカプセル封入し乾燥状態で使用することも、あ
るいは容器内に入れロール端のみを絶縁油に露出
することもできる。この後者のコンデンサは半含
浸または不完全含浸コンデンサと称すことがで
き、本発明が主たる対象としているのは半含浸ま
たは乾燥型コンデンサである。少量の絶縁油を用
いるかゝるコンデンサの1例が、本出願人に譲渡
されたFlanaganらの米国特許第3987348号に開示
されている。 金属化コンデンサ、特に定格約250ボルト(交
流)以上の金属化コンデンサの平常作動において
は、aクリアリングおよびb腐食と称される2つ
の重大な有害な動作上の欠陥があり、これらがコ
ンデンサの動作および寿命に影響する。クリアリ
ング作用はコンデンサの寿命が続く間繰返えさ
れ、コロナ放電のようなある種の放電を電極間に
発生させる原因となり得る誘電体中の欠陥に関与
する。自己支持性アルミニウムホイル電極を有す
る従来のコンデンサでは、これらの放電が最終的
に固体誘電体を侵食、横断または浸透し、かくし
て電極間に電気的短絡が生起しコンデンサがひど
い破損をうける。しかし、金属化コンデンサで
は、前述したような誘電体を横切る放電の熱が次
第に拡大する区域にわたつて薄い金属層を蒸発さ
せ、かくしてアークが自己消滅するまでアーク長
を増す。言い換えると、金属化コンデンサの誘電
体に誘電欠陥や穴が生起するようなことがある
と、極めて薄い金属化フイルムが欠損位置から遠
ざかつて焼尽し、欠陥を弧立させる。金属化コン
デンサがこの固有のクリアリング効果をもつとい
う事実がなかつたら、コロナ放電またはアークが
コンデンサの早期破損を招くであろう。しかし、
この自己固復の欠点は、蒸発による電極面積の減
少によりコンデンサのキヤパシタンスが全体とし
て失なわれることである。 腐食は金属化コンデンサの平常動作中に生じる
第2要因である。この現象は、薄い金属化層の幾
つかの区域が良好な導電体でない酸化物、例えば
酸化アルミニウムに転化され、従つてある程度の
有効電極面積が失なわれた場合に、注目される。
この腐食現象の理由は明らかではないが、高い電
気的応力および薄いアルミニウム電極があると
き、腐食は迅速に拡がる消耗作用である。この腐
食は、交流用コンデンサにおいて、ポリプロピレ
ン誘電フイルムに加わる電圧応力がフイルムの厚
さ(8μ)の1ミル当り約1000ボルト以上程度で
あるとき特に見られる作用である。 金属化コンデンサはこれらの要因により比較的
短い期間でその容量の10%のように多くを失なう
ので、金属化コンデンサはある種の用途では使用
できず、補償の目的で著しく不経済な設計を必要
とする。また、コンデンサのキヤパシタンスが失
なわれることは、キヤパシタンス損失によるコン
デンサの組込装置の破損の原因となる可能性があ
る。 クリアリングと腐食の2つの欠陥に基づくキヤ
パシタンス損失は現在、高応力AC金属化コンデ
ンサのもつとも重大な欠点であり、その有効寿命
の制約因子である。上記2つの欠陥のうちより重
大なのは、クリアリングはさておき、腐食を抑制
することである。その理由は、腐食がキヤパシタ
ンス損失の最大因子であり、クリアリングとはま
つたく独立した現象であるからである。しかし、
同時に、腐食を抑制するために如何に為そうと
も、それがクリアリングに悪影響をなしてはなら
ない、即ちクリアリングを一層大きなエネルギー
放出でひどくすることがあつてはならない。例え
ば、腐食問題はより肉厚の金属電極を用いるだけ
では克服できない。肉厚の金属電極はもつとも不
利な遅延した激しいクリアリング作用を、即ち金
属化コンデンサの主たる目的に相反する結果を呈
する電極である。肉薄の電極はその経済性が好ま
しいので一層望ましい。しかし、腐食問題はより
薄い電極によつては解決されない。薄い電極は多
数の不必要なクリアリングを支持することによつ
て腐食問題を単に悪化するからである。金属が異
なれば腐食速度も異なるが、アルミニウムおよび
亜鉛のような実証された金属を層電極用に今まで
通り使用することが断然望ましく、しかもこれら
の金属はもつとも腐食を受けやすい。 クリアリングおよび腐食双方とも電気的応力お
よび電界強度に関係しており、アルミニウムの導
電率またはアルミニウムの厚さは効果的なクリア
リングに適当な狭い範囲内に固定されているの
で、腐食作用を単に変更するだけでは、はつきり
した改良はあつても、所定の高応力コンデンサが
いくらか長く、即ち少ないキヤパシタンス損失で
動作するようになるだけである。過剰なクリアリ
ングはキヤパシタンス損失の原因となり続ける。
重要なことは、クリアリング作用も腐食作用も優
れた性能の高応力コンデンサを得るために変更を
要するということである。誘電体への電圧応力を
低下することにより両目的を達成できるが、こう
するのは非常に不経済である。 本発明者らは、単一電極設計の代りに他の例の
ない極めて薄い複合電極金属二重層を使用するこ
とにより、望ましいクリアリング作用をそこなう
ことなく、金属化コンデンサの腐食問題を著しく
軽減できることを見出した。外層が内層より高い
抵抗率を有し、二重層の全体厚さが従来の単一層
より薄い構成の、異なる金属の二重金属層電極を
用いることにより本発明を実現することができ
る。 第1図に本発明の利点が最高に発揮される種類
のコンデンサを示す。このコンデンサは前掲の
Flanaganの米国特許に記載された構造と同様の、
約370ボルト以上、特に約440ボルト以上の電圧用
の構造を使用したものである。第1図に本発明の
好適実施例をコンデンサロール部10として示
す。ロール部10は1対のポリプロピレン製誘電
材料ストリツプ11および12を具え、これらス
トリツプは金属化表面または被覆13および14
で示す通り金属化されている。慣例通りにストリ
ツプ11および12の金属化を、ロール10の対
向側端縁に沿つて金属なしの余白15および16
を残すように行う。巻回過程において、ロール1
0をコア部材17のまわりに巻くとともに、スト
リツプ11および12を互に横方向にずらして、
各端縁またはロール端にずれが現われ、金属化被
覆がストリツプの端縁で露出されるようにする。
この後、周知のスクーピング(schooping)技術
を用いて金属層20を設けることにより適当な電
気的リード18および19を露出金属被覆に被着
することができ、しかる後ロールを第2図に示す
ような缶またはケーシングに収容する。 第2図において、コンデンサ21は、1つのロ
ール10を缶またはケーシング22に収容し、ロ
ールからのリード18および19を端子23およ
び24に接続してなる。ケーシング22は、絶縁
油25を充満させ次いでシールする密封缶型とす
るか、または含浸液を用いない保護型のケーシン
グとすることができる。いずれの場合にも、本発
明が主として対象としているのは第1図の金属化
被覆(コーテイング)13および14であり、こ
の被覆を第3図にさらに詳細に示す。 第3図に誘電ストリツプ11を誘電合成樹脂フ
イルム、例えばポリプロピレンフイルムとして断
面図にて示す。ストリツプ11には複合金属層ま
たは被覆13が真空堆積または他の手段で設置さ
れるかまたは被着されている。図示のように、複
合金属層13は金属26および27の二層または
二重層よりなる。これらの金属は誘電ストリツプ
をほゞ覆い、さらに具体的にはこれらの金属は連
続かつコンデンサの有効コンデンサ電極区域と同
延である。 第1金属層26はコンデンサの第1電極層であ
る。この層用の代表的金属は99.99%アルミニウ
ムのような高純度アルミニウムである。通常この
層は175〜250Åの範囲の厚さを有し、これに対応
して5〜8Ω/□の抵抗率を有する。Ω/□は極
端に薄い蒸着金属層に使用できる測定単位であ
る。この層は余白を形成する区域を除くストリツ
プ11の全域を覆う。こうした完全被覆型とする
理由は、金属化コンデンサの研究と検査によりコ
ンデンサロールの全体にわたつて腐食が見出され
ることがわかつているのと、コンデンサ実効電極
区域表面の全体に満たない部分に腐食保護を設け
たのは不十分もしくは不経済となるからである。 第2金属層27は、第1金属とは異なる特定の
金属または合金であり、aクリアリング向上のた
めに第1金属層26を普通にはない程度に極端に
薄くするのを可能にする機能と、b第2金属層の
相対的に低い酸化特性およびコンデンサの動作中
にほゞ連続な金属状態のままある能力により腐食
を抑制するという機能とを示すよう明確に定めら
れた電気化学的特性を持たなければならない。適
正な金属が形成する層27は、その厚さをベース
層26の厚さと合わせても、従来の単一アルミニ
ウム層の設計厚さより薄い合計厚さを有する。 第2金属層27用の好適な金属には、鉄、クロ
ム、ニツケルのような金属およびその合金、例え
ばNiCrが包含される。これらの金属の抵抗率は
約104〜1010Ω/□の範囲に入る。これらの金属
は、第1層の金属より高い融点を有しかつ同一動
作環境下で第1層の金属より著しく低い高電界電
気化学的腐食速度を有する金属として定義された
非常に広い1群の金属の中に含まれる。これらの
金属はその薄いを考慮に入れると第1層の金属よ
り高い抵抗率を呈し、第1層上に連続金属状態に
て極めて薄い層として堆積することができる。 第2金属層がコンデンサ内でその金属形態に大
部分留まつている傾向があること、即ち第2金属
層が空気露出などから容易に酸化物に転化しない
ことが重要である。ある程度の酸化物の半導電性
は有害ではないが、金属導電性が好ましい。腐食
の可能性のある場所には、金属導電性または半導
電性を有するオーバーラツプまたはおおい金属を
設ける必要がある。亜鉛、銅などの金属は、極め
て薄い層のとき急速な高い腐食性を示すので望ま
しくない。キヤパシタンスの変化または損失は、
導電電極構造及び概念全体を保全する金属導電性
被覆により著しく小さくなる。 アルミニウムおよび銅を含む合金を単一電極と
して使用することにより腐食をある程度軽減でき
るが、多量の銅が必要とされ、これにより電極の
抵抗率が望ましくない値になつてしまう。本発明
の層27の金属は純アルミニウムより高い抵抗率
および高い融点を有する。これらの金属の導電率
は通常約104〜1010Ω/□の範囲内にある。クリ
アリング過程では第2層は溶融する必要がない。
第2層の金属は融点が高くかつ薄いのでクリアリ
ング過程でこれらの金属は迅速に蒸発し、クリア
リングに対して何の悪影響もなさない。従来のア
ルミニウム層より薄い第1層を選択することによ
り有利なクリアリングが得られる。 両層の厚さの比は、第1層の厚さが約250Å以
下であるとして第2層が第1層の厚さの1/6〜1/1
2、特に好ましくは1/8〜1/12となるようにするの
が好ましい。本発明においては、第2層が2つの
形態で実質的に連続的であることが重要である。
第一に、第2層は有効電極区域全体にわたつて実
質的に連続でなければならず、第二に第2層は、
極めて薄い、例えば約50Å以下の層として堆積さ
れたとき、ある種の金属が物理的にも電気的にも
接続されていない個々独立の島を形成するという
意味で、非分断層として堆積しなければならな
い。上述した厚さ関係とする理由は、電流のほゞ
すべてを第1層により搬送し、かつ第2層が相対
的に高い抵抗および高い融点を有するのが望まし
いからである。 アルミニウムとニツケルおよび/または鉄との
二重層を有する金属化ポリプロピレンフイルム
は、従来のコンデンサと比較して優れた性能を示
した。例えば、キヤパシタンスの損失をコンデン
サの寿命全体にわたつて90%以上のように大幅に
減少させることができ、またこの理由によりこれ
らのコンデンサのフイルムへの電気的応力レベル
を約1200ボルト/ミル(46ボルト/μ)以上、例
えば1500〜2000ボルト/ミル(82ボルト/μ)の
範囲またはそれ以上に増加することができる。同
時に、合計厚さが従来の単一層の厚さより小さい
二重層を設けることにより材料経済が改善され
る。 本発明の代表的な実施例を以下に示す。すべて
の実施例で金属層は周知の真空堆積法によつて堆
積した。 実施例 本例では第1,2および3図の構造に従つて、
容量15〜65μFの幾つかのコンデンサを組立てた。
この製作例の重要な特徴は、ポリプロピレンフイ
ルムの厚さ、即ち8μmおよび二重層被覆の厚さで
ある。本例で使用した二重層はアルミニウムのベ
ース層と、このアルミニウム層上のニツケル−ク
ロム合金、例えば80%Niおよび20%Crの合金の
第2層とよりなる。すべての例において、アルミ
ニウム層は厚さ約175〜250Åで、NiCr層は厚さ
約20〜30Åであつた。対照例は、実施例の他のコ
ンデンサの全体的構成と同じに製作されたが、厚
さ約500Åの単一アルミニウム層のみを有する従
来のコンデンサである。
【表】 第表から明らかなように、時間経過に伴なう
キヤパシタンス損失が従来のコンデンサ(対照
例)では約5〜8%であるのに対して、アルミニ
ウムベース層とニツケル・クロム層を有するコン
デンサでは0.3%のように低い。このことは、コ
ンデンサを470〜660ボルト、80℃、即ちかゝる薄
膜誘電系の場合にもつとも苛酷な1組の試験条件
下で試験したという事実を考慮すると、驚くべき
ことである。二重金属層の合計厚さは従来の単一
層の厚さより著しく小さい。対照コンデンサを含
めてこの種のコンデンサの通常の寿命は普通
20000時間以上である。 実施例 SMPPコンデンサにおける高電界電気化学的腐
食過程を消去した他の二重層電極はAI−Feまた
はFe−Al二重層である。鉄はもつとも望ましい
二重層材料の一つである。その理由は、鉄が20Å
以下の厚さで物理的および電気的に連続状態に留
まる上、比較的安価であるからである。Al−Fe
二重層電極コンデンサは、対照コンデンサ(実施
例参照)より著しく高い応力レベルで試験して
も合格であつた。この実施例においてアルミニ
ウム層は厚さ200〜250Å、鉄層は厚さ20〜30Åで
あつた。誘電体は厚さ8μのポリプロピレンフイ
ルムであつた。
【表】 第表から明らかなように、実施例の優れた
低キヤパシタンス損失結果が確認される。極端な
応力および温度下で1200時間以上の寿命として示
されるキヤパシタンス損失の向上は他に例がな
い。 本発明を実施するなかで、コンデンサ故障の相
当数が誘電体またはキヤパシタンス損失による故
障ではなく、実際上スクーピング材料20を介し
てのリードまたはタツプ17と金属層13との電
気接続(第1図参照)に基因することが見出され
た。組立て作業では、ストリツプ11および12
の各端部に被覆されていない余白15および16
を残し、又各端部で互にずらせて一方の電極をな
す金属層13を端部のスクーピング材料20から
確実に分離する。本発明の被覆(コーテイング)
27のいくつかが、ある時間の遅れをもつて、使
用した共通スクーピングはんだへの接合部に干渉
することを確かめた。従つて本発明の好適実施例
においては、第3図に示すように、ストリツプ1
1の金属層のふちに第2余白28を設ける。余白
28を設けることで、下側のアルミニウム金属層
を通常のスクーピング過程に対して露出して優れ
た結果が得られ、またかかる余白のない場合に
種々の被覆金属を有するこれらのコンデンサにお
ける潜在的問題が除かれる。その上、余白28に
露出されたアルミニウム層は一層良好な接合特性
を得るためにもつと厚くすることができる。本発
明の実施例では、アルミニウム余白部を他のアル
ミニウム層の厚さの約2倍にする。 金属蒸着過程のマスク工程においてシリコーン
油を使用すると有利な結果が得られる。その理由
は、フイルム余白部が相当量のこの油を吸収し、
完成コンデンサのロール端部でのコロナ抵抗を増
すからである。 段付電極という特徴を具体化した代表的なコン
デンサを次の実施例に示す。 実施例 本例では、アルミニウムが厚さ200〜250Åであ
る段付電極を設ける以外は実施例に記載した通
りにコンデンサを製造した。鉄は厚さ20〜30Å
で、鉄層をストリツプの端縁から約2〜3mmで終
端した。この端縁で段付きの、即ち肉厚にされた
アルミニウムは厚さ400〜500Åであつた。ポリプ
ロピレンフイルムは厚さ8μであつた。
【表】 本発明に従つて製造した、厚さ8μのフイルム
を有する電圧定格550〜660VACの多数のコンデ
ンサを分解して調べたところ、クリアリング作用
が著しく軽減し腐食が無視できる程であることが
わかつた。クリアランスの発生を第4図の顕微鏡
写真に示す。クリアランスは中央の穴および環状
の無金属区域で定められる。無金属区域はそこか
らアルミニウムが蒸発してなくなつたポリプロピ
レンフイルムである。本発明の二重層を使用して
もクリアリングの発生回数は増えも減りもしな
い。二重層が果す役割はクリアリングの影響を最
小にすること、例えばクリアリングの激しさまた
はその波及区域を小さくすることである。二重層
はこれらの目的を一つにはその薄い内層によつて
達成する。即ち、薄い内層なら、比較的低いエネ
ルギーでクリアランスを許容し大エネルギーの激
しいクリアランスを回避できる。同時に、一層高
い抵抗率の外側金属層は外側金属層に必要な一体
性を実現するのに役立つ。 第5図の顕微鏡写真はアルミニウム電極表面で
の腐食の作用を示す。この写真において、明るい
区域は酸化アルミニウムのスポツトである。暗い
区域はアルミニウム金属である。この酸化物スポ
ツトはアルミニウム金属層とポリプロピレンフイ
ルムの界面から始まり、金属層を完全に貫通す
る。この結果、転化後の金属は有効電極表面から
除外された金属電極となる。クリアリングとは反
対に、腐食は成長現象を示し、高温、電圧および
高周波数により成長条件が促進される。 本発明に係わる二重層は、周知のメツキ、堆積
および被覆方法によつて設けることができる。真
空中での蒸着が好ましい方法である。真空蒸着法
では、ニツケル−クロムのような合金を堆積し、
同じ室内で別の金属を同時または連続堆積するこ
とができる。これにより表面を汚染する機会を少
なくし、堆積過程での金属層の酸化を制限する。
第2金属の一部が第1金属層中に拡散しているの
が見出されるかもしれない。本発明の二重層は外
側金属層としてアルミニウムを用いてもよく、二
重層は、例えばフイルムストリツプの片側にアル
ミニウムの1層を他の側にもつと薄い、例えば鉄
の層とをもつて構成することができる。 本発明の重要な点は2つの金属層の厚さの比に
ある。本発明に従つて実施すれば、全厚さを格段
に小さくでき、優れた利益が得られることを確か
めた。この理由で多くの金属が排除され、又著し
く高い応力が使用でき、本発明は、単に腐食を抑
制することによりコンデンサを一層効果的に動作
させるだけでなく、実際上特異な高応力の腐食も
最小なコンデンサを提供する。 極めて薄い第2層を使用するので、コンデンサ
動作の寿命試験後に第2層の金属状態のみならず
第2層の連続金属状態を確認することが重要であ
る。このような試験には電子透過、およびオージ
エ(auger)−エスカ(esca)分光分析がある。
本発明に使用した他の試験は相対溶解試験で、こ
の試験ではある種の流体が酸化物またはベース金
属を選択的に溶解し、計算により一方または他方
の存在または不存在を求めることができる。 本発明をその特定の実施例についてのみ開示し
たが、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で当業
者は種々の変形例を想起できるであろう。従つ
て、本発明は本発明の要旨の範囲内に入るそのよ
うな変形例および改変例すべて包含する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電極構造を適用した乾式金属
化コンデンサロールの斜視図、第2図は第1図の
ロールを用いた完成コンデンサ組立体の斜視図、
第3図は本発明の二重層金属化電極構造の1例を
示す拡大図、第4図はクリアリング作用を示す従
来の単層金属化フイルムの拡大写真、および第5
図は特定時間動作後の腐食作用を示す従来の単層
金属化コンデンサ電極の拡大写真である。 10……ロール、11,12……ポリプロピレ
ン誘電ストリツプ、13,14……金属化被覆、
15,16……余白又は縁部、18,19……リ
ード、20……金属層、21……コンデンサ、2
2……缶、26……第1金属層、27……第2金
属層、28……余白又は縁部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一対の間隔をもつて配置された電極と、該電
    極間に誘電材料ストリツプを備え、前記電極の少
    なくとも1つが、前記誘電材料ストリツプ上の異
    なつた金属からなる第1の金属層と第2の金属層
    を有する複合金属被覆からなる金属化コンデンサ
    において、該コンデンサの定格電圧が、前記誘電
    材料ストリツプに、厚さ1ミル当たり、約100ボ
    ルト以上の応力を加えることが可能で、前記第1
    の金属層が、その抵抗が、5ないし8オーム/□
    の範囲に対応する厚さを有し、前記第2の金属層
    が、その抵抗が、約1010オーム/□以下に対応す
    る厚さを有するとともに、約20ないし40オングス
    トローム以下の均一の厚さを有するように蒸着さ
    れ、前記第2の金属層を形成する金属が、前記第
    1の金属層を形成する金属よりも高い融点を有す
    ることを特徴とする金属化コンデンサ。 2 前記第1の金属層および前記第2の金属層が
    互いに隣接していることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載の金属化コンデンサ。 3 前記第2の金属層が、前記第1の金属層を覆
    つていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の金属化コンデンサ。 4 前記誘電材料ストリツプが合成樹脂からなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    金属化コンデンサ。 5 前記誘電材料ストリツプがボリプロピレンか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第2項に
    記載の金属化コンデンサ。 6 前記第1の金属層および前記第2の金属層の
    一方が、アルミニウムからなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項に記載の金属化コンデン
    サ。 7 前記第1の金属層が、アルミニウムからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    金属化コンデンサ。 8 前記第2の金属層を形成する金属が、鉄、ニ
    ツケルおよびクロムからなる群から選ばれること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の金属
    化コンデンサ。 9 前記第1の金属層を形成する金属が、ポリプ
    ロピレンストリツプ上に蒸着された高純度アルミ
    ニウムからなり、前記第2の金属層を形成する金
    属が、蒸着された鉄よりなることを特徴とする特
    許請求の範囲第8項に記載の金属化コンデンサ。 10 前記第2の金属層を形成する金属が、鉄を
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第8項に記
    載の金属化コンデンサ。 11 前記第2の金属層を形成する金属が、ニツ
    ケルを含むことを特徴とする特許請求の範囲第8
    項に記載の金属化コンデンサ。 12 前記第2の金属層を形成する金属が、クロ
    ムを含むことを特徴とする特許請求の範囲第8項
    に記載の金属化コンデンサ。 13 前記第2の金属層が、合金であることを特
    徴とする特許請求の範囲第8項に記載の金属化コ
    ンデンサ。 14 前記合金が、ニツケル−クロム合金である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第13項に記載
    の金属化コンデンサ。 15 合成樹脂のベースストリツプを備えたコン
    デンサ用金属化電極ストリツプにおいて、前記合
    成樹脂のベースストリツプを覆い、その長手方向
    一端縁にまで延びる第1金属層と、該第1金属層
    上に、前記長手方向一端縁と間隔をもつて、それ
    に沿つて、前記第1金属層の露出した縁部を残す
    ように、電気的に連続した第2金属層を備え、前
    記合成樹脂のベースストリツプの厚さが約8μ以
    下で、前記第1金属層が、前記第2金属層に対し
    て、電極内の実質的にすべての電流が、前記第1
    金属層を流れるようなし得る厚さを有し、前記第
    2金属層を形成する金属が、前記第1金属層を形
    成する金属より、高い融点を有することを特徴と
    するコンデンサ用金属化電極ストリツプ。 16 前記第1金属層がアルミニウムからなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第15項に記載の
    コンデンサ用金属化電極ストリツプ。 17 前記第2金属層が、合金であることを特徴
    とする特許請求の範囲第16項に記載のコンデン
    サ用金属化電極ストリツプ。 18 前記合金が、ニツケルを含むことを特徴と
    する特許請求の範囲第17項に記載のコンデンサ
    用金属化電極ストリツプ。 19 前記合金が、ニツケルとクロムを含むこと
    を特徴とする特許請求の範囲第18項に記載のコ
    ンデンサ用金属化電極ストリツプ。 20 (a) 一対の間隔をおいて配置された電極
    と、該電極間に配置された誘電材料ストリツプ
    と、 (b) 前記電極の少なくとも一方が、ベースポリプ
    ロピレン誘電ストリツプと、その上に、金属二
    重層とを備え、 (c) 前記金属二重層が、前記誘電ストリツプ上の
    第1金属層と、該第1金属層上の異種の金属か
    らなる第2金属層よりなり、 (d) 前記誘電ストリツプに加えられる電気的応力
    厚さ1ミル当たり、約1200ボルト以上であり、 (e) 前記第1金属層が、アルミニウムを含むとと
    もに、5ないし8オーム/□の厚さ範囲にあ
    り、前記第2金属層が、鉄、ニツケルおよびク
    ロムからなる群より選ばれる少なくとも1種の
    金属を含み、約1010オーム/□以下の厚さ範囲
    にあり、 (f) 前記第2金属層が、金属状態において、前記
    誘電ストリツプの長手方向一端縁部と同一平面
    内に延在するとともに、これとは、間隔をおい
    て、前記第1金属層を、前記誘電ストリツプに
    沿つて、縁部として露出させるように配置され
    た ことを特徴とする金属化コンデンサ。 21 前記第2金属層が、鉄を含むことを特徴と
    する特許請求の範囲第20項に記載の金属化コン
    デンサ。 22 前記コンデンサが、絶縁油に浸漬されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第20項に記
    載の金属化コンデンサ。 23 定格電圧が、交流約370ないし660ボルトの
    範囲内にある金属化コンデンサであつて、 (a) 一対の間隔をおいて配置された電極と、該電
    極間に配置された誘電材料ストリツプと、 (b) 前記電極の少なくとも一方が、前記誘電材料
    ストリツプ上に蒸着された二重金属層よりな
    り、 (c) 前記誘電材料ストリツプが、電圧応力が、厚
    さ1ミル当たり、約1200ないし1500ボルトの範
    囲内になるように、その厚さが約8μ以下で、 (d) 前記二重金属層の総厚が、195乃至280オング
    ストロームの範囲内にあり、第2層の厚さが、
    約30オングストローム以下であることを特徴と
    する金属化コンデンサ。 24 前記コンデンサが、絶縁油に浸漬されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第23項に記
    載の金属化コンデンサ。
JP14558682A 1981-08-24 1982-08-24 金属化コンデンサおよびコンデンサ用金属化電極ストリップ Granted JPS5866319A (ja)

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