JPH0258776B2

JPH0258776B2 -

Info

Publication number: JPH0258776B2
Application number: JP56178091A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Imamura; Shoichi Tanimoto; Nobutoshi Abe
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1981-11-06
Filing date: 1981-11-06
Publication date: 1990-12-10
Also published as: JPS5879240A; US4568835A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、レーザ光等の散乱現象を利用して被
検査物上に付着した微小なゴミ等の異物を検出す
る装置に関し、特に、LSI用フオトマスクやレチ
クル上の異物検出において、レーザ光等を入射き
たときに生じる不必要な光、いわゆる迷光を防止
する機構を備えた異物検出装置に関するものであ
る。

LSI用フオトマスクやレチクル等の異物検出装
置において、レーザ光等を走査して、異物から生
じる散乱光を、フオトダイオード光電子増倍管等
の光電手段により電気信号にかえて検出を行なう
装置が考えられる。

一般に、フオトマスクやレチクルの如き被検査
物上にレーザ光を照射したときには、被検査物上
に付着した異物からは無指向に散乱光が生じ、被
検査物上に密着したパターン、いわゆる回路パタ
ーンのエツジ（クロム等の遮光部のエツジ）から
は指向性をもつた散乱光が生じる。そこで、パタ
ーンのエツジによつて生じる散乱光を考慮して、
レーザ光の被照射部を異なる方向から見込むよう
に複数の光電手段を配置し、各光電手段が全て何
らかの散乱光を受光したときのみ、その光電信号
に基づいて、異物が存在するものとして検査する
ことが考えられる。

ところが、このように異物の検出を行なう装置
では、フオトマスクやレチクルにレーザ光が入射
したとき、その入射面でレーザ光が反射したり、
又回路パターン以外の光透過部ではレーザ光が透
過したりする。この反射、又は透過したレーザ光
は、装置内部でさらに反射又は散乱して前述の光
電手段に達し、異物が存在しないにもかかわら
ず、あたかも異物から散乱光を受光したような光
電信号を発生してしまう。この現象をいわゆる迷
光というが、その強さは異物からの散乱光とほぼ
同等かそれ以上に達することがあり、異物の検出
能力の低下や誤検出という欠点を招いていた。

そこで、本発明は、光電手段に達する迷光を簡
単に防止した異物検出装置を提供することを目的
とする。

上記目的を達成するために、本発明において
は、光透過性の被検査物を光ビームで走査し、被
検査物から生じる光情報を光電検出することによ
り、被検査物に付着した異物を検出する装置にお
いて、前記光ビームの被照射部を所定の受光角で
見込むと共に前記光情報のうち散乱光を受光する
ように配置した光電変換手段と；前記光情報の正
反射光及び透過光のうち少なくとも一方を入射す
る位置に、前記光ビームの走査方向に沿つて設け
られた光吸収手段とを含むようにしたのである。

次に本発明の実施例を説明するが、その前に、
公知ではないが本発明の基礎となる技術を第１
図，第２図により説明する。

第１図はレチクルやフオトマスク上に付着した
異物の有無を検出する検出装置の斜視図である。
第１図において、レーザ光１は走査のためのスキ
ヤナ２によつて光路を曲げられつつ振動される。
振動されたレーザ光１は、光路を切替えるための
可動ミラー３によつて反射された後固定ミラー４
によつて再び反射され、被検査物としてのフオト
マスクやレチクル（以後、両者を単に「マスク
６」として代表する）の上面に斜めに入射する。

今、マスク６は第１図中の座標系xyzのｘ―ｙ
平面上に広がつているものと定め、スキヤナ２に
よつてレーザ光１がマスク６上を走査した軌跡Ｌ
は、座標系xyzのｘ軸方向にマスク６のパターン
描画領域に亘つて延びているものとする。またマ
スク６は不図示の送り機構によつて、ｘ―ｙ平面
上をｙ軸方向に矢印７の如く移動可能である。

前述の可動ミラー３は、スキヤナ２によるレー
ザ光１の振動光路からｘ―ｙ平面と平行に第１図
中点線の位置まで退避するように可動である。こ
の可動ミラー３が退避した状態では、スキヤナ２
からのレーザ光１は、固定ミラー５によつて反射
されて、マスク６の下面に斜めに入射して走査す
る。

レーザ光１はマスク６の上面及び下面に対して
斜め方向に入射するが、これは、レーザ光１を垂
直に入射させるよりもマスク６上のレーザ光１の
照射面積を大きくできるからである。これにより
レーザ光１を走査する時間が短かくなり、検査時
間を短縮することができる。また、レーザ光１が
斜めに入射することによつて、パターンのエツジ
部からの散乱光が進む方向と、異物からの散乱光
が進む方向とをよりはつきり分離させることがで
きる。さらに、レーザ光１の軌跡Ｌ上に空間がで
きるので、ここに観察用光学系（顕微鏡等）を配
置して、異物検出の様子を目視で観察することも
できる。このような点を考慮して、レーザ光１
は、マスク６の上面及び下面に対して10゜〜30゜
（入射角にして80゜〜60゜）前後で入射するように
定めるとよい。

レーザ光１がマスク６上を軌跡Ｌの如く走査し
たとき、軌跡Ｌ上に回路パターンのエツジや異物
が存在すると、そこから散乱光が生じる。この散
乱光の生じる方向は、前述のようにパターンのエ
ツジと異物とでは異なるため、マスク６上の軌跡
Ｌの中心部Ｃを異なる方向から見込むように２つ
の光電手段A₁，B₁を設ける。この光電手段A₁，
B₁は、軌跡Ｌ上から生じる散乱光を集光するた
めのレンズと、集光された散乱光の強さを電気信
号に変えるためのフオトダイオードと、光電子増
倍管等とから構成されている。

ここで各光電手段A₁，B₁の位置関係を明確に
すると、光電手段B₁のレンズの光軸は中心部Ｃ
を通ると共に、マスク６の上面（すなわちｘ―ｙ
平面）と小さな角度、例えば10゜〜30゜前後で交わ
る。さらにこのレンズの光軸は、レーザ光の走査
の軌跡Ｌを真横から見込むように、すなわち、ｘ
―ｚ平面と平行になるように定められている。一
方、光電手段A₁のレンズの光軸は軌跡Ｌの中心
部Ｃを通ると共に、マスク６の上面と小さな角
度、例えば10゜〜30゜前後で交わる。さらに、この
レンズの光軸は、光電手段B₁の光軸又は軌跡Ｌ
と30゜〜60゜前後の角度を成すように定められてい
る。なお、中心部Ｃから光電手段A₁，B₁までの
各距離は等しいものとする。

光電手段A₁，B₁をこのように配置すると、マ
スク６の上面すなわちレーザ光１の入射側の面に
回路パターンが存在する場合、軌跡Ｌ上に異物が
付着していれば、光電手段A₁，B₁は共にほぼ等
しい大きさの光電信号を同時に発生する。また、
レーザ光１が軌跡Ｌ上のエツジを照射したとき
は、そのエツジからの散乱光の指向性によつて、
光電手段A₁，B₁の各光電信号の大きさは異なる
ものとなる。そこで、光電手段A₁，B₁の各光電
信号の大きさを比較すれば、軌跡Ｌ上から生じる
散乱光が異物によるものか、パターンのエツジに
よるものかを判別することができる。

しかしながらこのようにして異物を検出する場
合、その異物がマスク６の表側と裏側のどちらか
に付着しているのかを区別して検査することがで
きない。すなわち、レーザ光１がマスク６の光透
過部を照射したとき、その裏側に異物が存在すれ
ば、異物で生じる散乱光は再び光透過部を通つて
光電手段A₁，B₁に達してしまう。このため、マ
スク６のレーザ光入射側の面上と、この面の裏面
でマスク６の光透過部とに付着した異物を共に検
出してしまい、はなはだ不都合である。

また、回路パターンのクロム等の遮光部上の異
物は、マスク６を用いて、ウエハ上にパターンを
焼き付ける際、焼き付けられたパターンには何ら
影響をおよぼさない。そこで、マスク６の回路パ
ターン上の異物と、光透過部上の異物とを判別し
て、光透過部上に付着した異物のみを検出すれ
ば、検査の効率は極めて良くなる。このため第１
図に示すように、光電手段A₁，B₁の他に、さら
に光電手段A₂，B₂を設ける。光電手段A₂，B₂
は、マスク６の上面又は下面を含むｘ―ｙ平面に
対して、それぞれ光電手段A₁，B₁と面対称の関
係に配置されている。もちろん光電手段A₂，B₂
は光電手段A₁，B₁と同様にレンズを含むフオト
ダイオードや光電子増倍管等によつて構成されて
いる。そして各光電手段A₂，B₂の各光軸は、マ
スク６の下面側から軌跡Ｌの中心部Ｃに向けら
れ、軌跡Ｌ上でマスク６の下面へ生じる散乱光を
受光するように受光角が定められている。

この光電手段A₂，B₂によりマスク６の下面側
に生じる散乱光を検出して、光電手段A₁，B₁の
検出結果と比較することにより、異物の付着状態
に応じた検査が可能となる。

次に、各光電手段A₁，A₂；B₁，B₂の光電信号
を処理するための回路ブロツクを第２図により説
明する。ここで、光電手段A₁，A₂；B₁，B₂は共
に同じ強さの光を受光したとき、同一の大きさの
光電信号を発生するものとし、固定ミラー３はレ
ーザ光１の振動光路中にはいつているものとす
る。

第２図において、マスク６のレーザ光入射側の
面を見込む光電手段A₁，B₁の各光電信号はアン
プ１００、アンプ１０１によつてそれぞれAV倍
に増幅される。また光電手段A₂，B₂の各光電信
号はアンプ１０２、アンプ１０３によつてそれぞ
れｋ・AV倍に増幅される。アンプ１００，１０
１の各出力信号e₁，e₂は比較器１０４に入力す
る。比較器１０４は所定の基準電圧E_rと信号e₁，
e₂を比較して、信号e₁，e₂が共に基準電圧E_rより
も大きいときのみ、例えば論理値「１」を出力す
る。一方、アンプ１０２の出力信号e₃と信号e₁は
比較器１０５に入力する。比較器１０５はe₁＞e₃
のときのみ、例えば論理値「１」を出力する。同
様に、アンプ１０３の出力信号e₄と信号e₂は比較
器１０６に入力する。比較器１０６はe₂＞e₄のと
きのみ、例えば論理値「１」を出力する。そし
て、各比較器１０４，１０５，１０６の出力はア
ンド回路１０７（以下単に「AND１０７」とす
る）に入力し、このAND１０７はその入力が共
に「１」になつたとき、異物を検出したものとし
て「１」を出力する。

尚、上述の基準電圧E_rは、光電手段A₁，B₁か
ら中心部Ｃまでの距離や、フオトダイオード、光
電子増倍管等の変換効率、アンプ１００，１０１
の増幅率AV等の条件の他に、異物の大きさも考
慮して決定される。特に異物の大きさにより散乱
光の強度も変化するので、検出しようとする最小
の異物の大きさに応じて基準電圧E_rを定めればよ
い。換言するなら、基電圧E_rの大きさによつて異
物の検出感度が決まつてくる。

この回路構成において、アンプ１０２，１０３
の増幅率がｋ・AVであることについて述べると
共に、動作を説明する。今、異物が軌跡Ｌの中心
部Ｃで、かつ光透過部上に付着しているものとす
ると、この異物にレーザ光１が照射されたとき、
光電手段A₁，B₁に受光される散乱光の強度に対
して、光電手段A₂，B₂に受光される散乱光（マ
スク６の光透過部を通つて下面側へ進む散乱光）
の強度は1/3〜1/8程度になる。また、異物がレー
ザ光入射側と反対側の面すなわち下面で中心部Ｃ
に付着しているものとすると、レーザ光１は中心
部Ｃを照射したとき、光透過部を通過して下面の
異物を照射する。この場合、異物から生じる散乱
光のうち、光電手段A₂，B₂に達する散乱光の強
度の方が光電手段A₁，B₁に達する散乱光の強度
よりも大きくなる。さらに、レーザ光１が軌跡Ｌ
上のパターンのエツジを照射したとき、エツジか
ら生じる散乱光は、レーザ光入射側の面とその反
対側の面とにほぼ同程度の強さで生じ、光電手段
A₁とA₂の光電信号又は光電手段B₁とB₂の光電信
号はほぼ同じ大きさになる。

以上の状態を考慮して、レーザ光入射側の上面
で、光透過部上に付着した異物のみを検出するの
に、ｋの大きさを1.5〜３程度にする。

ところで、レーザ光１がパターンのエツジを照
射したとき、エツジからの散乱光の指向性によつ
ては信号e₁，e₂が共に基準電圧E_rよりも大きくな
ることがある。この場合、比較器１０４は論理値
「１」を出力する。ところが、このときには光電
手段A₁又はB₁と光電手段A₂又はB₂の光電信号は
ほぼ同じになる。従つて、前述のようにｋを1.5
〜３に定めると、e₁＜e₃かつe₂＜e₄となり、比較
器１０５，１０６は共に「０」を出力するから、
AND１０７は「０」を出力する。つまり、エツ
ジからの散乱光は、ｋを1.5〜３に定めることに
よつて、異物からの散乱光として検出されること
はない。

また、異物がレーザ光入射側の上面に付着して
いたときは、e₁＞e₃かつe₂＞e₄となり、しかも信
号e₁，e₂も基準電圧E_rより大きくなるから、
AND１０７は異物を検出したものとして「１」
を出力する。

また、第２図の回路構成で、光電手段A₁又は
B₁の光電信号が光電手段A₂又はB₂の光電信号よ
りも極めて大きい場合、例えば８倍以上のとき
は、異物がマスク６の遮光部上に付着したものと
して、AND１０７が「０」を出力するような比
較器を付加することもできる。

このように、マスク６の表側と裏側とで生じる
散乱光の強度を比較することによつて、異物の付
着状態を応じた検査、すなわちマスク６の上面、
下面のどちらに付着しているのか、又遮光部上、
光透過部上のどちらかに付着しているのかを判別
した検査が、極めて正確に行なわれる。

また、この第１図及び第２図に示した異物検出
装置では、前述の可動ミラー３を退避させるだけ
で、マスク６の下面にのみ付着した異物を検出で
きる。このために、例えば可動ミラー３の退避動
作に応答して第２図に示した光電手段A₁又はB₁
と光電手段A₂又はB₂との各アンプへの接続を切
替えたり、基準電圧E_rを変化させたりすればよ
い。このようにすれば可動ミラー３の移動のみ
で、マスク６を裏返すという操作を必要とせず、
マスク６の両面に付着した異物が極めて短時間に
検査できる。

以上、本発明の基礎となる技術を説明したが、
このようにレーザ光１の如く、エネルギー密度の
高い光ビームを、マスク６のように透明板材（平
行平面ガラス等）をベースとする被検査物に照射
して異物の検出を行なう場合、光電手段に受光さ
れる迷光の発生原因として２つのことが考えられ
る。これについて第３図により説明する。

第３図は、レーザ光１がマスク６に斜入射する
様子を横から見たものである。レーザ光１がマス
ク６の上面に角度βで入射したとき、入射した部
分で一部は正反射光１ａとなつて進み、入射した
部分に回路パターンがなければ、一部はマスク６
を透過した透過光１ｂとして進む。正反射光１
ａ、透過光１ｂの強さは、レーザ光１のマスク６
に対する角度βによつて変化するが、いずれにせ
よ正反射光１ａもしくは透過光１ｂの一方又はそ
の両方が生じることには変わりない。この正反射
光１ａ及び透過光１ｂが迷光発生の第１の原因で
ある。

つまり、正反射光１ａ、透過光１ｂはそのまま
進むと、かならず装置内部で反射又は散乱して、
迷光となつて光電手段に受光されてしまうのであ
る。また、第２の原因はレーザ光１をマスク６に
斜入射していることである。このようにレーザ光
１をマスク６の光透過部に角度β（10゜〜30゜前後）
で照射すると、第３図の如くレーザ光１の一部は
マスク６の透明板材の内部を反射をくり返して進
み、端面６ａまで達する。そして、この端面６ａ
で反射して再びマスク６の上面及び下面から出射
する光１ｄとなる。この光１ｄは、端面６ａに近
い部分の上面、下面で最も強く出射する。またこ
の光１ｄは、レーザ光１の入射側へ戻つてくるた
め、マスク６上の軌跡Ｌをレーザ光１の入射側か
ら見込む光電手段A₁には迷光として受光される
ことになる。

これについて、さらに第４図を用いて説明す
る。第４図は、第１図に示した装置を上方より見
たときのレーザ光１、マスク６、光電手段A₁の
配置を示す平面図である。レーザ光１がマスク６
上を斜入射で走査するとき、その軌跡Ｌの中心部
Ｃに、光電手段A₁のレンズの光軸ｌが向いてい
る。前述のように、この軌跡Ｌとその光軸ｌとが
成す角度は30゜〜60゜に定められている。光電手
段A₁は、中心部Ｃで生じた散乱光のみを受光す
るのではなく、軌跡Ｌ上のいかなる位置で生じた
散乱光も受光しなければならない。そこで第１図
で定めた座標系xyzのｘ―ｙ平面上で、軌跡Ｌを
全て見込むように受光角θを設定すれば、端面６
ａも見込むことになる。

この状態でレーザ光１がマスク６を走査する
と、マスク６の内部を進み端面６ａで反射して出
射してきた光１ｄは、レーザ光１の走査に応じて
光電手段A₁に達する。特に、軌跡Ｌが端面６ａ
に近づけば近づく程、光電手段A₁は光１ｄを強
く受光することになる。

次に、本発明の実施例を第５図及び第６図によ
り説明する。第５図は本発明の実施例による迷光
防止機構を設けた検出装置の斜視図であり、第６
図はこれを横から見た側面図である。もちろん、
検査装置全体は、外部から光を遮光するようなケ
ース内に収納されている。

第５図及び第６図において、レーザ光１、スキ
ヤナ２、マスク６、光電手段A₁，A₂；B₁，B₂等
の配置は第１図に示したのと同様であるが、可動
ミラー３、固定ミラー４，５については以後の説
明と直接関係がないので省略してある。また、第
６図では、説明上、光電手段B₁，B₂も省略して
ある。

まず初めに、第３図で示した正反射光１ａ、透
過光１ｂを装置内部で散乱又は反射させないよう
に吸収する機構について説明する。マスク６の上
面に入射したレーザ光１のうち、軌跡Ｌからの正
反射光１ａは光学部材１０により減衰されるとと
もに、反射により光路を曲げられる。この光学部
材１０の反射面は、ここではマスク６の上下面
（ｘ―ｙ平面）と垂直になつており、かつ、マス
ク６の板幅程度の長さで軌跡Ｌと平行に延びてい
る。尚、光学部材１０の材質としては、レーザ光
は透過せずに大部分吸収し、わずかに正反射する
ものがよい。また、マスク６を透過した透過光１
ｂは、光学部材１０と同一の材質及び形状の光学
部材１１によつてわずかに正反射される。

このようにして光学部材１０，１１によつて反
射されたレーザ光の強度は十分小さくなり、さら
に光の吸収するための吸収体１４，１５に各々入
射する。各吸収体１４，１５は光学部材１０，１
１と平行に位置した円筒形状であり、光学部材１
０，１１からの反射光を内部に取り込むように、
円筒の母線方向に開口スリツト１４ａ，１５ａが
設けられている。また、吸収体１４，１５の内部
には、各開口スリツト１４ａ，１５ａから入射し
た光をわずかに正反射し、大部分を吸収する板材
１２，１３が開口スリツト１４ａ，１５ａに沿つ
て設けられている。この板材１２，１３は、開口
スリツト１４ａ，１５ａから入つてきた光を吸収
体１４，１５の円壁に向けて反射するように設定
されている。

尚、吸収体１４，１５の内周壁はほぼ完全な散
乱面となるように加工されており、また開口スリ
ツト１４ａ，１５ａの幅は、光学部材１０，１１
で反射したレーザ光がそのスリツト１４ａ，１５
ａの端面やエツジ部を照射しない程度にできるだ
け小さな寸法に加工されている。また吸収体１
４，１５の外壁は光を散乱せずにほとんど吸収す
るような低反射率面になるように処理されてい
る。

次に、前記マスク６の端面６ａで反射した光１
ｄを遮光する機構について説明する。第４図に示
したように、光１ｄは光電手段A₁，A₂に受光さ
れ、レーザ光のマスク６上の軌跡Ｌを横から見込
む光電手段B₁，B₂には受光されない。すなわち、
光１ｄが迷光として作用するのは光電手段A₁，
A₂だけである。そこで第５図及び第６図に示す
ように、マスク６の上面側と下面側に遮光板２
０，２１を設ける。

この遮光板２０，２１はマスク６に対して互い
に面対称に、かつマスク６の上下面に対して斜め
に配置されている。その傾きは、レーザ光１の進
行を防げることのない範囲で、できるだけレーザ
光１の光路に近づけるように定めている。すなわ
ち前述の如く、レーザ光１はマスク６上下面が広
がるｘ―ｙ平面に対して10゜〜30゜前後で入射する
から、遮光板２０はｘ―ｙ平面からｚ軸の正方向
に10゜〜30゜、遮光板２１はｘ―ｙ平面からｚ軸の
負方向に10゜〜30゜の傾きで配置される。ただし、
その傾きはレーザ光１とマスク６とが成す角度よ
りもわずかに大きく定められる。また、遮光板２
０，２１の端部２０ａ，２１ａは、マスク６上の
軌跡Ｌの近傍に、平行になるように定められてお
り、かつその幅（ｘ軸方向の長さ）は、第４図で
示した光電手段A₁，A₂の受光光路を覆うような
寸法に決められている。

具体的に遮光板２０について第４図を用いて説
明すれば、その端部２０ａは軌跡Ｌと平行になる
ように、かつ少なくとも光電手段A₁の受光角θ
による受光路第（４図中点線の領域内）を覆うよ
うな大きさに定められている。

尚、各遮光板２０，２１の端部２０ａ，２１ａ
は、それぞれ鋭角になるように加工されており、
レーザ光１の光路に極めて近づくように配置され
ている。

尚、第６図に示すように、各遮光板２０，２１
の端部２０ａ，２１ａは軌跡Ｌ上まで延ばすこと
はできない。それは、第６図では不図示である
が、光電手段B₁，B₂も軌跡Ｌ上からの散乱光を
受光するために設けられているからである。但し
もし、光電手段B₁，B₂が第５図に示した位置以
外の所、例えば、レーザ光１の入射側において、
マスク６の面と垂直で、かつ軌跡Ｌと垂直に中心
部Ｃを通る面に関して光電手段A₁，A₂と面対称
な位置に配置したとすると、遮光板２０，２１
は、例えばレーザ光１の軌跡Ｌを含むマスク６と
垂直な面に沿つて設ければよい、もちろんこの場
合にも各端部２０ａ，２１ａはマスク６になるべ
く近づけるようにする。

ところで、遮光板２０，２１の内側面２０ｃ，
２１ｃは、ほとんどの光を吸収すると共に、一部
は正反射するように非散乱で低反射率の材質で加
工されている。これはレーザ光１の光束が広がり
を持つことにより、内側面２０ｃ又は２１ｃをわ
ずかでもレーザ光１が照射したとき、そこで散乱
を起さないようにするためである。つまり内側面
２０ｃ又は２１ｃでレーザ光１の散乱が生じる
と、その散乱光は光電手段A₁，A₂に受光されて
しまうのである。

また、レーザ光の光束の広がりによつて内側面
２０ｃ，２１ｃが照射されないように、レーザ光
１の光束の広がりそのものを遮ぎることも考えら
れる。そのためには、第６図に示すようにスキヤ
ナ２を経て、不図示の結像レンズの後で、遮光板
２０又は２１に向うレーザ光１の光路上に遮光板
３３を設ければ良い。この遮光板３３は、レーザ
光１の走査方向（ｘ軸方向）にはレーザ光１の光
束を遮ぎらず、走査方向と垂直な方向で、レーザ
光１の広がりをおさえる。従つて、遮光板３３
は、レーザ光１の走査方向に延びた板材に走査方
向にスリツトを設けたものでよい。そして、その
スリツトの幅は、レーザ光の強度がガウス分布３
２の場合、例えば強度が１／e²（ただしｅは自然
対数の底）に低下した所から外側の光束を遮ぎる
ように定めるとよい。

次に、迷光防止の動作を説明する。マスク６に
斜入射したレーザ光１は正反射光１ａ、透過光１
ｂとなつて光学部材１０，１１に達する。この正
反射光１ａ、透過光１ｂは光学部材１０，１１で
大部分が吸収され、数％のみが反射されて吸収体
１４，１５へ入射する。さらに、吸収体１４，１
５の内部の板材１２，１３で大部分が吸収され、
数％のみが反射されて、吸収体１４，１５の内壁
に達する。その内壁でレーザ光は散乱するが、こ
のとき開口スリツト１４ａ，１５ｂから出射する
散乱光は、異物やパターンのエツジ部からの散乱
光に比して極めてエネルギーが小さくなる。この
ため正反射光１ａ、透過光１ｂによつて生じる迷
光は光電手段A₁，A₂；B₁，B₂に受光されず、完
全に防止される。

一方、マスク６の端面６ａで正反射して、マス
ク６の上面及び下面から出射する光１ｄは、遮光
板２０，２１の外側面２０ｂ，２１ｂに達する。
然るに、この外側面２０ｂ，２１ｂは光を散乱さ
せずにわずかに正反射するような材質で成形され
ている。このため、光１ｄは外側面２０ｂ，２１
ｂによつてほとんど吸収され、光電手段A₁，A₂
には達しない。さらに、光電手段B₁，B₂による
異物検出機能も損なうことはない。

以上の実施例において、光学部材１０，１１と
しては、レーザ光１の波長帯域を吸収する色ガラ
スフイルタや、ニユートラル・デンシテイ
（ND）フイルタ等に反射防止膜を蒸着したもの
が、安価にかつ簡単に利用できる。また板材１
２，１３吸収体１４，１５及び遮光板２０，２１
は光学部材１０，１１と同一のものでもよいが、
アルミニウム合金等の金属板に黒アルマイトの艶
のある塗装を処しただけのものでも十分に利用で
きる。そして、吸収体１４，１５の内壁は、黒色
の艶消し塗装を施すだけで十分である。

尚、第６図からも明らかなように、吸収体１
４，１５は正反射光１ａ、透過光１ｂが外壁に照
射されないように配置されているが、軌跡Ｌ上の
回路パターンのエツジ部からの散乱光を受けるこ
ともある。すると、光電手段A₁，A₂が吸収体１
４，１５の外壁にあたつた散乱光の反射光を受光
することになる。しかしながら、第７図に示すよ
うに円筒形状の吸収体１４又は１５の一部を平面
Ｓに加工して、エツジ部からの散乱光１ｅの一部
をマスク６から遠ざかるように反射させて大部分
を吸収すると、迷光の防止はより完全となる。
尚、平面Ｓからの光は、遮光板２０の外側面２０
ｂに向うようにすればよい。

以上のように、本発明によればマスク６からの
正反射光１ａ、透過光１ｂは光学部材１０，１
１、吸収体１４，１５及び板材１２，１３とから
成る光吸収装置により大部分が吸収される。この
ため、光電手段A₁，A₂；B₁，B₂に達する迷光は
防止され、異物の検出能力を向上させること、す
なわちより小さな異物を検出することができる。
また、光学部材１０，１１によつて光１ａ，１ｂ
の光路を曲げ、しかもその光量を低減させている
から、装置が小型化できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基礎となる技術による異物検
出装置の斜視図、第２図は本発明の基礎となる技
術による処理回路のブロツク図、第３図及び第４
図は迷光の発生を説明するための原理図、第５図
は本発明の実施例による迷光防止機構の斜視図、
第６図は第５図を横から見た側面図、第７図は吸
収体の変形例を示す正面図である。主要部分の符号の説明、１…レーザ光、６…被
検査物、｛１０，１１…光学部材、（１２，１３…
反射部材、１４，１５…吸収体）光トラツプ部
材｝光吸収手段、A₁，A₂；B₁，B₂…光電変換手
段、２０，２１…遮光板。

Claims

【特許請求の範囲】１光透過性の被検査物を光ビームで走査し、被
検査物から生じる光情報を光電検出することによ
り、被検査物に付着した異物を検出する装置にお
いて、前記光ビームの被照射部を所定の受光角で見込
むと共に前記光情報のうち散乱光を受光するよう
に配置した光電変換手段と；前記光情報の正反射
光及び透過光のうち少なくとも一方を入射する位
置に、前記光ビームの走査方向に沿つて設けられ
た光吸収手段とを含むことを特徴とする異物検出
装置。２前記光吸収手段は、前記正反射光又は透過光
の大部分を吸収し、一部を正反射する光学部材
と；該光学部材で正反射した光を入射する位置
に、前記光ビームの走査方向に沿つて設けられた
開口部を有すると共に、該開口部から入射した光
の大部分を吸収し、一部を散乱させる光トラツプ
部材とを有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の検出装置。