JPH0258817A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0258817A JPH0258817A JP21093088A JP21093088A JPH0258817A JP H0258817 A JPH0258817 A JP H0258817A JP 21093088 A JP21093088 A JP 21093088A JP 21093088 A JP21093088 A JP 21093088A JP H0258817 A JPH0258817 A JP H0258817A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、誘電体金属酸化物皮膜上に電解重合により固
体電解質のポリマー膜が形成された固体電解コンデンサ
の製造方法に関する。
体電解質のポリマー膜が形成された固体電解コンデンサ
の製造方法に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点)従来
、固体電解コンデンサとして、アルミニウム、タンタル
等の金属を陽極体とし、その陽極体表面を酸化して形成
した酸化金属皮膜上にビロール、チオフェン等の重き体
を電解重合により、ポリマー膜を形成したものが知られ
ている。
、固体電解コンデンサとして、アルミニウム、タンタル
等の金属を陽極体とし、その陽極体表面を酸化して形成
した酸化金属皮膜上にビロール、チオフェン等の重き体
を電解重合により、ポリマー膜を形成したものが知られ
ている。
その場合、電解重合時の電解液中の支持塩としては、シ
ュウ酸、アジピン酸、ボロジサリチル酸アンモニウム塩
等、化成性のあるものを使用していたが、生成する重合
膜の電導度は十分高いとは言えず、また熱安定性の点で
も問題を有しており、ライフ中の劣下も著しかった。
ュウ酸、アジピン酸、ボロジサリチル酸アンモニウム塩
等、化成性のあるものを使用していたが、生成する重合
膜の電導度は十分高いとは言えず、また熱安定性の点で
も問題を有しており、ライフ中の劣下も著しかった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
であり、固体電解コンデンサの製造の誘電体金属酸化物
皮膜上に、電解重合により固体電解質のポリマー膜を形
成する工程において、支持塩としてのボロジサリチル酸
の塩、及び芳香族スルホン酸又はその塩を添加すること
により、熱安定性の高い重合膜、そして優れた電気的特
性を有する固体電解コンデンサが得られることを見出だ
し、本発明に到達したものである。
であり、固体電解コンデンサの製造の誘電体金属酸化物
皮膜上に、電解重合により固体電解質のポリマー膜を形
成する工程において、支持塩としてのボロジサリチル酸
の塩、及び芳香族スルホン酸又はその塩を添加すること
により、熱安定性の高い重合膜、そして優れた電気的特
性を有する固体電解コンデンサが得られることを見出だ
し、本発明に到達したものである。
本発明において使用される芳香族スルホン酸としては、
ベンゼンスルホン酸、置換ベンゼンスルホン酸、例えば
p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸
等、ナフタレンスルホン酸、置換ナフタレンスルホン酸
等、芳香族化合物にスルホン酸が置換したものが挙げら
れる。
ベンゼンスルホン酸、置換ベンゼンスルホン酸、例えば
p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸
等、ナフタレンスルホン酸、置換ナフタレンスルホン酸
等、芳香族化合物にスルホン酸が置換したものが挙げら
れる。
また、電解重合により形成される固体電解質のポリマー
膜を構成する電導性高分子化合物としては、ポリアセチ
レン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリシアノアセ
チレン、ポリインチアナフテン、ポリジアセチレン、ポ
リアニリン、ポリフタロシアニン、アズレン等非ベンゼ
ン系芳香族化合物、及びこれらのポリマーを構成するモ
ノマーの誘導体の重合体等が挙げられる。
膜を構成する電導性高分子化合物としては、ポリアセチ
レン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリシアノアセ
チレン、ポリインチアナフテン、ポリジアセチレン、ポ
リアニリン、ポリフタロシアニン、アズレン等非ベンゼ
ン系芳香族化合物、及びこれらのポリマーを構成するモ
ノマーの誘導体の重合体等が挙げられる。
さらに、支持塩としてのボロジサリチル酸の塩としでは
、ボロジサリチル酸アンモニウム塩、ボロジサリチル酸
モノアルキルアンモニウム塩、ボロジサリチル酸ジアル
キルアンモニウム塩、ボロジサリチル酸トリアルキルア
ンモニウム塩、ボロジサリチル酸テトラアルキルアンモ
ニウム塩等が挙げられる。
、ボロジサリチル酸アンモニウム塩、ボロジサリチル酸
モノアルキルアンモニウム塩、ボロジサリチル酸ジアル
キルアンモニウム塩、ボロジサリチル酸トリアルキルア
ンモニウム塩、ボロジサリチル酸テトラアルキルアンモ
ニウム塩等が挙げられる。
(実施例)
以下に、実施例にて本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれら実施例のみに限定されるものではない。なお
、いずれの実施例並びに比較例についても、陽極として
3cmX5cm、厚さ90μMの高純度アルミニウム箔
を用い、このアルミニウムを35Vの電圧で陽極酸化を
行い、表面に酸化アルミニウムの誘電体層を形成した化
成箔を共通に用いた。
明はこれら実施例のみに限定されるものではない。なお
、いずれの実施例並びに比較例についても、陽極として
3cmX5cm、厚さ90μMの高純度アルミニウム箔
を用い、このアルミニウムを35Vの電圧で陽極酸化を
行い、表面に酸化アルミニウムの誘電体層を形成した化
成箔を共通に用いた。
実施例1:
ボロジサリチル酸のテトラエチルアンモニウノ、塩0.
09M/l’、テトラエチルアンモニウムpトルエンス
ルホン酸塩0.OIM/lを含むアセトニトリル溶液中
で、前記化成箔を陽極、陰極にステンレス板を用いて、
ビロールを1.5 mA / cya2の電流密度で1
時間電解重合し、カーボンペーストと銀ペーストで陰極
を取り出し樹脂封口した。
09M/l’、テトラエチルアンモニウムpトルエンス
ルホン酸塩0.OIM/lを含むアセトニトリル溶液中
で、前記化成箔を陽極、陰極にステンレス板を用いて、
ビロールを1.5 mA / cya2の電流密度で1
時間電解重合し、カーボンペーストと銀ペーストで陰極
を取り出し樹脂封口した。
実m例2:
ボロジサリチル酸のトリエチルアンモニウム塩0.08
M/ρ、2−ナフタリンスルホン酸0゜02M/lを含
むアセトニトリル溶液中で、化成箔を陽極に、陰極にp
t板を用いてアズレンを10IllA/cI112で1
時間電解重きし、カーボンペーストと銀ペーストで陰極
を取り出し樹脂封口した。
M/ρ、2−ナフタリンスルホン酸0゜02M/lを含
むアセトニトリル溶液中で、化成箔を陽極に、陰極にp
t板を用いてアズレンを10IllA/cI112で1
時間電解重きし、カーボンペーストと銀ペーストで陰極
を取り出し樹脂封口した。
実施例3:
ボロジサリチル酸のアンモニウム塩0.09M/1、ド
デシルベンゼンスルホン酸0.OIM/lを含むアセト
ニトリル溶液中で、化成箔を陽極に、ステンレス板を陰
極に用いて、3−メチルビロールを15mA/cra2
で1時間電解重きし、カーボンペーストと銀ペーストで
陰極を取り出し樹脂封口した。
デシルベンゼンスルホン酸0.OIM/lを含むアセト
ニトリル溶液中で、化成箔を陽極に、ステンレス板を陰
極に用いて、3−メチルビロールを15mA/cra2
で1時間電解重きし、カーボンペーストと銀ペーストで
陰極を取り出し樹脂封口した。
実施例4:
0.09M/1ボロジサリチル酸テトラn−ブチルアン
モニウム塩、0.01M/1ベンゼンスルホン酸を含む
THF溶液中で、化成箔を陽極に、陰極にpt板を用い
て、3−エチルチオフェンを10mA/cm2で1時間
電解重合し、カーボンペーストと銀ペーストを用いて陰
極を引き出し、樹脂封口した。
モニウム塩、0.01M/1ベンゼンスルホン酸を含む
THF溶液中で、化成箔を陽極に、陰極にpt板を用い
て、3−エチルチオフェンを10mA/cm2で1時間
電解重合し、カーボンペーストと銀ペーストを用いて陰
極を引き出し、樹脂封口した。
実施例5:
0.09M/Nのボロジサリチル酸ジisoプロピルア
ンモニウム塩、0.OIM、#の2,6ナフタリンジス
ルホン酸を含むアセトニトリル溶液中で、3.4−ジメ
チルチオフェンを化成箔を陽極に、ptを陰極に用いて
、lomA/cm2で1時間電解重合し、カーボンペー
ストと銀ペーストを用いて陰極を引き出し樹脂封口した
。
ンモニウム塩、0.OIM、#の2,6ナフタリンジス
ルホン酸を含むアセトニトリル溶液中で、3.4−ジメ
チルチオフェンを化成箔を陽極に、ptを陰極に用いて
、lomA/cm2で1時間電解重合し、カーボンペー
ストと銀ペーストを用いて陰極を引き出し樹脂封口した
。
比較例1:
0.31M/lのボロジサリチル酸アンモニウム塩10
重量%を含む水1重量%、アセトニトリル88重量%の
溶液中で、化成箔にビロール1重量%を化成電位以上(
1〜10 mA / cs+2)で、2時間電解重合し
、カーボンペーストと銀ベーストで陰極を取り出し樹脂
封口した。
重量%を含む水1重量%、アセトニトリル88重量%の
溶液中で、化成箔にビロール1重量%を化成電位以上(
1〜10 mA / cs+2)で、2時間電解重合し
、カーボンペーストと銀ベーストで陰極を取り出し樹脂
封口した。
比較例2:
ボロジサリチル酸のアンモニウム塩0.09M/l、テ
トラエチルアンモニウムフルオロボーレイト0.OIM
#を含むアセトニトリル液中で、化成箔上に、ビロール
を15 a+A / c+a’で1時間電解重合し、カ
ーボンペーストと銀ペーストで陰極を取り出し樹脂封口
した6 以上の結果を下記第1表、第2表に示す。
トラエチルアンモニウムフルオロボーレイト0.OIM
#を含むアセトニトリル液中で、化成箔上に、ビロール
を15 a+A / c+a’で1時間電解重合し、カ
ーボンペーストと銀ペーストで陰極を取り出し樹脂封口
した6 以上の結果を下記第1表、第2表に示す。
なお、第1表は初期の値、第2表は105℃で2000
時間の寿命試験実施後の値である。
時間の寿命試験実施後の値である。
第1表、第2表からみて、本発明実MIPAにより得ら
れる固体電解コンデンサは熱安定性及び耐久性のすぐれ
たものであることが判る。
れる固体電解コンデンサは熱安定性及び耐久性のすぐれ
たものであることが判る。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り、本発明方法によれば、電解重
き用支持塩としてのボロジサリチル酸の塩及び芳香族ス
ルホン酸又はその塩を添加することにより、熱安定性の
高い重合膜、そして優れた電気的特性を有する固体電解
コンデンサを得ることができる。
き用支持塩としてのボロジサリチル酸の塩及び芳香族ス
ルホン酸又はその塩を添加することにより、熱安定性の
高い重合膜、そして優れた電気的特性を有する固体電解
コンデンサを得ることができる。
第
表
第
表
Claims (2)
- (1)固体電解コンデンサの製造の際の誘電体金属酸化
物皮膜上に、電解重合により固体電解質のポリマー膜を
形成する工程において、支持塩としてのボロジサリチル
酸の塩、及び芳香族スルホン酸又はその塩を添加するこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)芳香族スルホン酸が、p−トルエンスルホン酸、
2−ナフタリンスルホン酸又はドデシルベンゼンスルホ
ン酸のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21093088A JPH0682593B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21093088A JPH0682593B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258817A true JPH0258817A (ja) | 1990-02-28 |
| JPH0682593B2 JPH0682593B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16597435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21093088A Expired - Fee Related JPH0682593B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682593B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267708A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Nitsuko Corp | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5959832A (en) * | 1994-11-25 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with heat resisting polyaniline and method of manufacturing same |
| US5965062A (en) * | 1996-08-16 | 1999-10-12 | Nec Corporation | Electrically-conductive polymer and production method thereof, and solid-electrolytic capacitor |
| JP2015023123A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21093088A patent/JPH0682593B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267708A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Nitsuko Corp | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5959832A (en) * | 1994-11-25 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with heat resisting polyaniline and method of manufacturing same |
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| JP2015023123A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682593B2 (ja) | 1994-10-19 |
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