JPH0259630B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0259630B2 JPH0259630B2 JP58101992A JP10199283A JPH0259630B2 JP H0259630 B2 JPH0259630 B2 JP H0259630B2 JP 58101992 A JP58101992 A JP 58101992A JP 10199283 A JP10199283 A JP 10199283A JP H0259630 B2 JPH0259630 B2 JP H0259630B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- section
- receiving section
- visible light
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像装置に係り、特にその受
光部構造の改良に関するものである。
光部構造の改良に関するものである。
第１図は従来の固体撮像装置の構成を示すブロ
ツク図で、１は電荷転送素子（CCD）で構成さ
れた受光部、２はCCDで構成され受光部１と同
じ素子数を持ち遮光された蓄積部、３はCCDで
構成された読出しレジスタ、４はMOSトランジ
スタ（MOST）で構成された出力部である。
ツク図で、１は電荷転送素子（CCD）で構成さ
れた受光部、２はCCDで構成され受光部１と同
じ素子数を持ち遮光された蓄積部、３はCCDで
構成された読出しレジスタ、４はMOSトランジ
スタ（MOST）で構成された出力部である。
この従来装置では、受光部１のCCDに可視光
が照射されると、CCDの電極に印加されている
電圧によつて光像に対応した電荷パターンが受光
部１に生成される。受光部１はCCDで構成され
ているので、一定の時間の受光後、電荷転送によ
つて上記電荷パターンを一斉に受光部１から蓄積
部２に転送する。この電荷転送が終了すると、受
光部１は再び可視光による電荷の集積を開始す
る。蓄積部２の全電荷パターンは１ラインずつ読
出しレジスタ３で水平方向に転送され、出力部４
からビデオ信号として送り出される。蓄積部２に
あつた全信号電荷がビデオ信号として読出される
と、再び受光部１から蓄積部２への電荷転送が始
まり、以後以上の動作がくり返される。
が照射されると、CCDの電極に印加されている
電圧によつて光像に対応した電荷パターンが受光
部１に生成される。受光部１はCCDで構成され
ているので、一定の時間の受光後、電荷転送によ
つて上記電荷パターンを一斉に受光部１から蓄積
部２に転送する。この電荷転送が終了すると、受
光部１は再び可視光による電荷の集積を開始す
る。蓄積部２の全電荷パターンは１ラインずつ読
出しレジスタ３で水平方向に転送され、出力部４
からビデオ信号として送り出される。蓄積部２に
あつた全信号電荷がビデオ信号として読出される
と、再び受光部１から蓄積部２への電荷転送が始
まり、以後以上の動作がくり返される。
従来の固体撮像装置は以上のように構成されて
おり、受光部１における光吸収は半導体基板の表
面付近における半導体基板の価電子帯から伝導帯
への遷移によつておこる。このエネルギー・ギヤ
ツプは半導体（例えばシリコン）では可視光のエ
ネルギー領域となるので、可視光に対する吸収し
か検出できず、赤外線のようにエネルギーの低い
光は検出されない。従つて、可視光と赤外線との
撮像をしようとすると、それぞれ別個の撮像装置
を準備する必要があり、多くの費用を要してい
た。
おり、受光部１における光吸収は半導体基板の表
面付近における半導体基板の価電子帯から伝導帯
への遷移によつておこる。このエネルギー・ギヤ
ツプは半導体（例えばシリコン）では可視光のエ
ネルギー領域となるので、可視光に対する吸収し
か検出できず、赤外線のようにエネルギーの低い
光は検出されない。従つて、可視光と赤外線との
撮像をしようとすると、それぞれ別個の撮像装置
を準備する必要があり、多くの費用を要してい
た。
この発明は上記のような従来のものの問題点を
解決するためになされたもので、装置面積を殆ど
増大することなく１個の装置で可視光と赤外線と
を撮像できる固体撮像装置を得ることを目的とし
ている。
解決するためになされたもので、装置面積を殆ど
増大することなく１個の装置で可視光と赤外線と
を撮像できる固体撮像装置を得ることを目的とし
ている。
この発明に係る固体撮像装置は、フレーム転送
方式の可視光検出器の受光部の横に、赤外線検出
器をその出力が上記受光部を介して転送されるよ
うに設けたものである。
方式の可視光検出器の受光部の横に、赤外線検出
器をその出力が上記受光部を介して転送されるよ
うに設けたものである。
この発明においては、上述のように構成したの
で、装置面積を殆ど増大することなく、１個の装
置で可視光と赤外線とを撮像できる固体撮像装置
が得られる。
で、装置面積を殆ど増大することなく、１個の装
置で可視光と赤外線とを撮像できる固体撮像装置
が得られる。
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。第２図はこの発明の一実施例の構成を示すブ
ロツク図で、第１図の従来装置と同一符号は同等
の部分を示し、その説明の重複をさける。図にお
いて、５は赤外線検出器、６は赤外線によつて発
生した電荷を受光部１のCCDに移すためのトラ
ンスフアゲートである。
る。第２図はこの発明の一実施例の構成を示すブ
ロツク図で、第１図の従来装置と同一符号は同等
の部分を示し、その説明の重複をさける。図にお
いて、５は赤外線検出器、６は赤外線によつて発
生した電荷を受光部１のCCDに移すためのトラ
ンスフアゲートである。
この実施例においては、可視光で用いるときに
は、トランスフアゲート６をオフ（OFF）状態
にして、赤外線検出器５と受光部１とを切離す。
この状態では第１図の従来装置と全く同様の動作
をし、受光部１のCCDに可視光が照射されると、
CCDの電極に印加される電圧によつて、光像に
対応した電荷パターンが生成される。以下、従来
例で説明した通り、蓄積部２及び読出しレジスタ
３を経て出力部４からビデオ信号として取出され
る。
は、トランスフアゲート６をオフ（OFF）状態
にして、赤外線検出器５と受光部１とを切離す。
この状態では第１図の従来装置と全く同様の動作
をし、受光部１のCCDに可視光が照射されると、
CCDの電極に印加される電圧によつて、光像に
対応した電荷パターンが生成される。以下、従来
例で説明した通り、蓄積部２及び読出しレジスタ
３を経て出力部４からビデオ信号として取出され
る。
次に、この撮像装置に赤外線が照射された場
合、受光部１のCCDを構成する半導体基板のエ
ネルギー・ギヤツプは赤外線のエネルギーより大
きいので、受光部１での赤外線の吸収は起こらな
い。しかし、赤外線は赤外線検出器５によつて吸
収され光像に対応した電荷パターンが赤外線検出
器５によつて吸収され光像に対応した電荷パター
ンが赤外線検出器５群に生成される。一定時間の
受光の後、トランスフアゲート６をオン（ON）
状態にして、受光部１のCCDに赤外線検出器５
で生成された電荷を移す。以下可視光の場合と同
様にして、蓄積部２及び読出しレジスタ３を経て
出力部４からビデオ信号として取出される。この
ように赤外線撮像時には可視光の受光部１は単な
る電荷転送手段として機能するだけであり、この
とき装置全体をみれば赤外線検出器と電荷転送手
段とが交互に配列された、インタライン方式で信
号読出しを行なう固体撮像装置と同様の構成とな
る。勿論この場合も赤外線検出器５の電荷が受光
部１へ移された後は、赤外線検出器５は再び赤外
線による電荷の蓄積を開始し、以後以上の動作が
くり返されて撮像動作が行なわれる。
合、受光部１のCCDを構成する半導体基板のエ
ネルギー・ギヤツプは赤外線のエネルギーより大
きいので、受光部１での赤外線の吸収は起こらな
い。しかし、赤外線は赤外線検出器５によつて吸
収され光像に対応した電荷パターンが赤外線検出
器５によつて吸収され光像に対応した電荷パター
ンが赤外線検出器５群に生成される。一定時間の
受光の後、トランスフアゲート６をオン（ON）
状態にして、受光部１のCCDに赤外線検出器５
で生成された電荷を移す。以下可視光の場合と同
様にして、蓄積部２及び読出しレジスタ３を経て
出力部４からビデオ信号として取出される。この
ように赤外線撮像時には可視光の受光部１は単な
る電荷転送手段として機能するだけであり、この
とき装置全体をみれば赤外線検出器と電荷転送手
段とが交互に配列された、インタライン方式で信
号読出しを行なう固体撮像装置と同様の構成とな
る。勿論この場合も赤外線検出器５の電荷が受光
部１へ移された後は、赤外線検出器５は再び赤外
線による電荷の蓄積を開始し、以後以上の動作が
くり返されて撮像動作が行なわれる。
このように本実施例では、可視光を吸収して可
視光に対応した電荷を生成するCCDからなる受
光部に赤外線検出器を併設し、該赤外線検出器に
よつて生成された電荷の転送を上記受光部の
CCDを介して行なうようにしたので、半導体チ
ツプ面積が可視光専用のものと大差ない大きさ
で、可視光と赤外線とを撮像することができる。
視光に対応した電荷を生成するCCDからなる受
光部に赤外線検出器を併設し、該赤外線検出器に
よつて生成された電荷の転送を上記受光部の
CCDを介して行なうようにしたので、半導体チ
ツプ面積が可視光専用のものと大差ない大きさ
で、可視光と赤外線とを撮像することができる。
以上のように、この発明に係る固体撮像装置に
よれば、フレーム転送方式の固体撮像装置におい
て、各可視光受光部の横に赤外線検出器を配列
し、その出力が上記受光部を介して転送されるよ
うにしたので、装置面積をほとんど増大させるこ
となく、１個の装置で可視光と赤外線とを撮像す
ることができる効果がある。
よれば、フレーム転送方式の固体撮像装置におい
て、各可視光受光部の横に赤外線検出器を配列
し、その出力が上記受光部を介して転送されるよ
うにしたので、装置面積をほとんど増大させるこ
となく、１個の装置で可視光と赤外線とを撮像す
ることができる効果がある。
第１図は従来の固体撮像装置のブロツク構成
図、第２図はこの発明の一実施例のブロツク構成
図である。 図において、１は受光部、２は蓄積部、３は読
出しレジスタ、４は出力部、５は赤外線検出器、
６はトランスフアゲートである。
図、第２図はこの発明の一実施例のブロツク構成
図である。 図において、１は受光部、２は蓄積部、３は読
出しレジスタ、４は出力部、５は赤外線検出器、
６はトランスフアゲートである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 列あるいは行方向に複数形成された可視光受
光部、 該受光部の延長上に該受光部と同数形成され対
応する受光部の出力をそれぞれ蓄積する蓄積部、 該蓄積部の出力を行あるいは列方向に転送する
ための単一の読出しレジスタ部を有し、 いずれも電荷転送素子で構成された上記受光
部、蓄積部及び読出しレジスタ部を同一半導体基
板上に搭載してなるフレーム転送方式の固体撮像
装置において、 上記各受光部の横に該受光部と同方向に赤外線
検出器を配列し、 該赤外線検出器の出力を上記可視光受光部を介
して上記蓄積部に導入するようにしたことを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101992A JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101992A JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225564A JPS59225564A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0259630B2 true JPH0259630B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14315322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101992A Granted JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225564A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671548B2 (ja) * | 1990-03-06 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | 赤外線センサ |
| US5453611A (en) * | 1993-01-01 | 1995-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip |
| US5648653A (en) * | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956766A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58101992A patent/JPS59225564A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59225564A (ja) | 1984-12-18 |
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