JPH0260073B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0260073B2 JPH0260073B2 JP60000684A JP68485A JPH0260073B2 JP H0260073 B2 JPH0260073 B2 JP H0260073B2 JP 60000684 A JP60000684 A JP 60000684A JP 68485 A JP68485 A JP 68485A JP H0260073 B2 JPH0260073 B2 JP H0260073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrical resistance
- ferrite
- high electrical
- resistance layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 8
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3] LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910052595 hematite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011019 hematite Substances 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010180 surface X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
「産業上の利用技術分野」
この発明は表面の電気抵抗が高いフエライト及
びその製造方法に関する。 現在、フエライト（ここで言うフエライトは
Fe2O3を主成分とするフエリ磁性酸化物でスピネ
ル型結晶構造をもつものをさす）は、その磁気的
特性を生かして幅広く電子材料で使用されてい
る。例えばフエライトを用いた磁気抵抗素子、ホ
ール素子などの磁電変換素子は磁気検出器のプロ
ーブのみならず、ブラシレスモータ、キーボード
用等の無接点スイツチ、各種自動制御系の磁気セ
ンサ、位置センサなどへと用途を拡大してきてい
る。 「従来の技術」 従来より磁電変換素子の磁電変換部は、一般に
磁性を感ずる半導体をフエライトではさんだサン
ドイツチ形の構造であり、フエライトの役割は検
出すべき磁界を半導体に集束させることである。
その場合半導体素子の信頼性を確保するために表
面の電気抵抗の高いフエライトを選択することが
重要である。そのため現在これらの用途には、従
来表面の電気抵抗が高いNi−Znフエライトが用
いられている。 「発明が解決しようとする問題点」 Ni−Znフエライトは表面の電気抵抗が比較的
高い反面磁気特性が悪い欠点がある。これに対し
Mn−Znフエライトは初透磁率が高く磁気特性が
優れている。然し乍ら従来のMn−Znフエライト
は〔ここで言うMn−ZnフエライトはＸ線回折法
によれば結晶型が主にマグネタイト（Fe3O4）か
らなる〕初透磁率が高い反面電気抵抗が低いとい
う欠点を有する。 このためMn−Znフエライトを磁電変換素子の
磁気集束用に使う場合、表面の電気抵抗を高める
方法としてMn−Znフエライトの表面に樹脂ある
いは無機物質をコーテイングすることが行われて
いる。しかしながら、素子が小型化する中で樹脂
あるいは無機物質の均一な薄い膜をコーテイング
することは非常に難しく、また素子組み立てのプ
ロセスが煩雑になりコストが高くなる。 この発明の目的は従来のNi−Znフエライトに
比べ初透磁率が高く、且つ表面の電気抵抗が高い
磁電変換素子用Mn−Znフエライトを提供するこ
とをはじめ、さらには新規な用途に対応できる
Mn−Znフエライトを提供するにある。 「問題点を解決するための手段」 この発明によるMn−ZnフエライトはMnOが
10〜20重量％でZnOが10〜20重量％で残りが
Fe2O3であり、Ｘ線回折法によつて認められる結
晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）であり、こ
れを主成分とする気孔率が５％未満のMn−Znフ
エライトにおいて表面に高電気抵抗層の厚さが
0.5μｍ以上の層を有し、高電気抵抗層を有するも
のは高電気抵抗層を有しないものに比べ電気抵抗
が100倍以上高いことを特徴とする高電気抵抗の
表面層を有するMn−Znフエライトであつて中心
部は用いたMn−Znフエライトの磁気的、電気的
特性を有し、かつ表面に高電気抵抗層を有するこ
とを特徴とするものである。そしてこの発明の
Mn−Znフエライトは従来のMn−Znフエライト
を酸素含有雰囲気中において加熱することにより
製造されることを特徴とするものである。またこ
の発明のMn−Znフエライトを切断あるいは加工
すれば特定の部分にのみ高い電気抵抗層を有する
Mn−Znフエライトチツプが得られる。以下にこ
の発明について詳しく述べる。 この発明に用いるMn−Znフエライトは、
MnOが10〜20重量％でZnOが10〜20重量％で残
りがFe2O3でありＸ線回折法によつて認められる
結晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）であると
ころのものを主成分となし、残りがMn、Zn以外
の金属あるいは金属酸化物であものを言う。 用いるMn−Znフエライトは単結晶のものか、
あるいは焼成により上記のMn−Znフエライトの
組成となる粉末を常圧焼結法、ホツトプレス法あ
るいは熱間等方プレス法によつて焼結させて得ら
れる気孔率５％未満のMn−Znフエライトである
ことが望ましい。 ここで言う気孔率は以下の様にして求めた。ま
ずMn−Znフエライトのチツプを樹脂に埋め込
み、樹脂が硬化後アルミナ粉末を用いて研磨を行
ないMn−Znフエライトの研磨面を鏡面に仕上げ
た。鏡面仕上げを行なつたMn−Znフエライトの
研磨面を反射顕微鏡により観察し、平均的な視野
の写真撮影を行なつた。得られた写真について、
写真中の気孔の占める面積を求め、その面積が気
孔を含むMn−Znフエライトの全面積に対して占
める割合を気孔率とした。 この発明はMn−Znフエライトを酸素含有雰囲
気中で加熱することにより表面に高い電気抵抗層
を形成することができる。用いるMn−Znフエラ
イトの気孔率が５％以上の場合、Mn−Znフエラ
イトの機械的強度が小さく好ましくない。加熱は
常圧下、減圧下あるいは加圧下のいずれの系にお
いて行なつてもかまわない。加熱雰囲気の酸素分
圧は10-3気圧以上が好ましい。それ未満では望む
電気抵抗層は得られない。 酸素分圧の調整は不活性ガスあるいは還元性ガ
スあるいはそれらの混合ガスによる希釈によつて
行なうことで十分である。加熱によつて得られる
高電気抵抗化されたMn−Znフエライトの表面の
電気抵抗は、高電気抵抗層の厚みと深く関係して
いる。 ここで言う電気抵抗とは以下の様に測定した電
気抵抗値をさす。つまり、１mm角のサイコロ状の
Mn−Znフエライトにおいて相対する二つの面の
それぞれの面のほぼ中心にプローブをセツトし直
流二端子法により測定した電気抵抗値である。測
定には、ヒユーレツト・パツカード社製3465Bデ
ジタルマルチメーターを使用した。高電気抵抗層
の厚さは、Mn−Znフエライトの破断面を走査型
電子顕微鏡（明石製作所製、日立−明石走査電子
顕微鏡、形式MSM−４）により観察して求め
た。高電気抵抗層を有した面の間の電気抵抗と高
電気抵抗層を有さない面の間の電気抵抗の比は、
高電気抵抗層の厚みが0.5μｍ未満のとき102未満
であり、0.5μｍ以上5μｍ未満のとき102以上104未
満であり、5μｍ以上のとき104以上である。高電
気抵抗層の厚みが0.5μｍ未満の場合、電気抵抗の
比がばらつき好ましくない。厚みが0.5μｍ以上で
は電気抵抗の比は安定して102以上を示す。 この発明においては高電気抵抗層の厚みが5μ
ｍ以上30μｍ未満が最も好ましく電気抵抗の比は
104以上を示す。高電気抵抗層の厚みが100μｍを
超えると加熱後の冷却の際、高電気抵抗層と従来
のMn−Znフエライト層との間に亀裂が生じ、高
電気抵抗層がはがれやすくなるため好ましくな
い。高電気抵抗層の厚みは加熱温度と加熱時間に
深く関係しており、加熱温度は500〜1200℃とす
る。さらには500〜900℃が好ましい。1200℃を超
えると高電気抵抗層の生成が速すぎるため、高電
気抵抗層の厚さの制御が難しい。また500℃末満
の場合は、高電気抵抗層の生成が非常に遅く望む
厚さの高電気抵抗層を得るのに長時間を要し経済
的ではない。加熱時間は15分以上が必要であり、
15分未満では十分な再現性が得られず好ましくな
い。 この発明に用いるMn−Znフエライトの形状
は、平板状、角柱状、円柱状あるいはその他複雑
な形状を有するものでもよい。酸素含有雰囲気中
で加熱したMn−Znフエライトを切断あるいは加
工することにより、高電気抵抗層をある特定の部
分にのみ有するMn−Znフエライトチツプが容易
に得られる。 （作用） 酸素含有雰囲気で加熱して表面に高電気抵抗層
が形成されたMn−Znフエライトについて、理学
電機(株)製、ガイガーフレツクス型式Ｄ−9Cを用
いて表面のＸ線回折を行なつたところ、第３図Ｂ
に示す様に加熱していないMn−Znフエライトに
ついて見られていたマグネタイト（Fe3O4）のピ
ーク（第３図Ａ）の他にヘマタイト（Fe2O3）の
ピーク（△印）が認められた。この時のヘマタイ
ト（Fe2O3）の（104）面からの回折角は用いる
Mn−Znフエライトの組成によつて多少異なる
が、CuKα線を用いた場合回折角2θは32.5〜34.0
度であつた。ヘマタイトのピークの強度は高電気
抵抗層の厚みが増すにつれて増加した。加熱条件
によりヘマタイトのピークの他にMn2O3等の金
属酸化物の生成を伴う場合がある。 この発明ではヘマタイトとそれ以外の相が共に
生成しても高電気抵抗層の特性には影響は少な
い。加熱により得られる高電気抵抗層を走査型電
子顕微鏡（明石製作所製、日立−明石走査電子顕
微鏡、形式MSM−４）によつて観察すると、高
電気抵抗層の組織は用いたMn−Znフエライトの
粒子の大きさに比べて非常に小さな粒子が緻密に
集合したものからなり、用いたMn−Znフエライ
トの組織とは全く異なることがわかる。高電気抵
抗層と内部の高電気抵抗化していない層との境界
にはほとんど気孔や亀裂などは存在せず二つの層
が強固につながつていることが確認された。 「実施例」 第１図及び第２図にこの発明による高電気抵抗
層を有するMn−Znフエライトの実施構造を示
す。 第１図は板状Mn−Znフエライトを酸素含有雰
囲気中で加熱後チツプを切り出し、上下面にのみ
高電気抵抗層１を有し内部は用いたMn−Znフエ
ライト２からなるものである。 また、第２図は中空円筒状のMn−Znフエライ
トを酸素含有雰囲気で加熱後、径方向に平行に
Mn−Znフエライトを輪切りにした結果、内部の
円周の部分と外部の円周の部分が高電気抵抗層１
からなりそれらにはさまれた部分は用いたMn−
Znフエライト２からなるものである。 ここで言う切断あるいは加工は一般によく知ら
れた切断方法、加工方法により行なうことができ
寸法精度よく所望のMn−Znフエライトチツプが
得られる。 製造方法の実施例 １ 径45mm、厚み１mmで気孔率0.1％のMn−Znフエ
ライト基板を大気雰囲気１気圧で加熱温度700℃、
30分加熱を行なつた。加熱した基板から、１mm角
のサイコロ状のチツプを切り出した。相対する高
電気抵抗層を持つ面の間の電気抵抗をR1とし、
新たに切り出された相対する面の間の電気抵抗を
R2とし、直流二端子法により抵抗を測定した。
測定にはヒユーレツト・パツカード社製3465Bデ
ジタルマルチメーターを用いた。加熱していない
Mn−Znフエライトについても同様な測定を行な
い結果を第１表に示した。
びその製造方法に関する。 現在、フエライト（ここで言うフエライトは
Fe2O3を主成分とするフエリ磁性酸化物でスピネ
ル型結晶構造をもつものをさす）は、その磁気的
特性を生かして幅広く電子材料で使用されてい
る。例えばフエライトを用いた磁気抵抗素子、ホ
ール素子などの磁電変換素子は磁気検出器のプロ
ーブのみならず、ブラシレスモータ、キーボード
用等の無接点スイツチ、各種自動制御系の磁気セ
ンサ、位置センサなどへと用途を拡大してきてい
る。 「従来の技術」 従来より磁電変換素子の磁電変換部は、一般に
磁性を感ずる半導体をフエライトではさんだサン
ドイツチ形の構造であり、フエライトの役割は検
出すべき磁界を半導体に集束させることである。
その場合半導体素子の信頼性を確保するために表
面の電気抵抗の高いフエライトを選択することが
重要である。そのため現在これらの用途には、従
来表面の電気抵抗が高いNi−Znフエライトが用
いられている。 「発明が解決しようとする問題点」 Ni−Znフエライトは表面の電気抵抗が比較的
高い反面磁気特性が悪い欠点がある。これに対し
Mn−Znフエライトは初透磁率が高く磁気特性が
優れている。然し乍ら従来のMn−Znフエライト
は〔ここで言うMn−ZnフエライトはＸ線回折法
によれば結晶型が主にマグネタイト（Fe3O4）か
らなる〕初透磁率が高い反面電気抵抗が低いとい
う欠点を有する。 このためMn−Znフエライトを磁電変換素子の
磁気集束用に使う場合、表面の電気抵抗を高める
方法としてMn−Znフエライトの表面に樹脂ある
いは無機物質をコーテイングすることが行われて
いる。しかしながら、素子が小型化する中で樹脂
あるいは無機物質の均一な薄い膜をコーテイング
することは非常に難しく、また素子組み立てのプ
ロセスが煩雑になりコストが高くなる。 この発明の目的は従来のNi−Znフエライトに
比べ初透磁率が高く、且つ表面の電気抵抗が高い
磁電変換素子用Mn−Znフエライトを提供するこ
とをはじめ、さらには新規な用途に対応できる
Mn−Znフエライトを提供するにある。 「問題点を解決するための手段」 この発明によるMn−ZnフエライトはMnOが
10〜20重量％でZnOが10〜20重量％で残りが
Fe2O3であり、Ｘ線回折法によつて認められる結
晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）であり、こ
れを主成分とする気孔率が５％未満のMn−Znフ
エライトにおいて表面に高電気抵抗層の厚さが
0.5μｍ以上の層を有し、高電気抵抗層を有するも
のは高電気抵抗層を有しないものに比べ電気抵抗
が100倍以上高いことを特徴とする高電気抵抗の
表面層を有するMn−Znフエライトであつて中心
部は用いたMn−Znフエライトの磁気的、電気的
特性を有し、かつ表面に高電気抵抗層を有するこ
とを特徴とするものである。そしてこの発明の
Mn−Znフエライトは従来のMn−Znフエライト
を酸素含有雰囲気中において加熱することにより
製造されることを特徴とするものである。またこ
の発明のMn−Znフエライトを切断あるいは加工
すれば特定の部分にのみ高い電気抵抗層を有する
Mn−Znフエライトチツプが得られる。以下にこ
の発明について詳しく述べる。 この発明に用いるMn−Znフエライトは、
MnOが10〜20重量％でZnOが10〜20重量％で残
りがFe2O3でありＸ線回折法によつて認められる
結晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）であると
ころのものを主成分となし、残りがMn、Zn以外
の金属あるいは金属酸化物であものを言う。 用いるMn−Znフエライトは単結晶のものか、
あるいは焼成により上記のMn−Znフエライトの
組成となる粉末を常圧焼結法、ホツトプレス法あ
るいは熱間等方プレス法によつて焼結させて得ら
れる気孔率５％未満のMn−Znフエライトである
ことが望ましい。 ここで言う気孔率は以下の様にして求めた。ま
ずMn−Znフエライトのチツプを樹脂に埋め込
み、樹脂が硬化後アルミナ粉末を用いて研磨を行
ないMn−Znフエライトの研磨面を鏡面に仕上げ
た。鏡面仕上げを行なつたMn−Znフエライトの
研磨面を反射顕微鏡により観察し、平均的な視野
の写真撮影を行なつた。得られた写真について、
写真中の気孔の占める面積を求め、その面積が気
孔を含むMn−Znフエライトの全面積に対して占
める割合を気孔率とした。 この発明はMn−Znフエライトを酸素含有雰囲
気中で加熱することにより表面に高い電気抵抗層
を形成することができる。用いるMn−Znフエラ
イトの気孔率が５％以上の場合、Mn−Znフエラ
イトの機械的強度が小さく好ましくない。加熱は
常圧下、減圧下あるいは加圧下のいずれの系にお
いて行なつてもかまわない。加熱雰囲気の酸素分
圧は10-3気圧以上が好ましい。それ未満では望む
電気抵抗層は得られない。 酸素分圧の調整は不活性ガスあるいは還元性ガ
スあるいはそれらの混合ガスによる希釈によつて
行なうことで十分である。加熱によつて得られる
高電気抵抗化されたMn−Znフエライトの表面の
電気抵抗は、高電気抵抗層の厚みと深く関係して
いる。 ここで言う電気抵抗とは以下の様に測定した電
気抵抗値をさす。つまり、１mm角のサイコロ状の
Mn−Znフエライトにおいて相対する二つの面の
それぞれの面のほぼ中心にプローブをセツトし直
流二端子法により測定した電気抵抗値である。測
定には、ヒユーレツト・パツカード社製3465Bデ
ジタルマルチメーターを使用した。高電気抵抗層
の厚さは、Mn−Znフエライトの破断面を走査型
電子顕微鏡（明石製作所製、日立−明石走査電子
顕微鏡、形式MSM−４）により観察して求め
た。高電気抵抗層を有した面の間の電気抵抗と高
電気抵抗層を有さない面の間の電気抵抗の比は、
高電気抵抗層の厚みが0.5μｍ未満のとき102未満
であり、0.5μｍ以上5μｍ未満のとき102以上104未
満であり、5μｍ以上のとき104以上である。高電
気抵抗層の厚みが0.5μｍ未満の場合、電気抵抗の
比がばらつき好ましくない。厚みが0.5μｍ以上で
は電気抵抗の比は安定して102以上を示す。 この発明においては高電気抵抗層の厚みが5μ
ｍ以上30μｍ未満が最も好ましく電気抵抗の比は
104以上を示す。高電気抵抗層の厚みが100μｍを
超えると加熱後の冷却の際、高電気抵抗層と従来
のMn−Znフエライト層との間に亀裂が生じ、高
電気抵抗層がはがれやすくなるため好ましくな
い。高電気抵抗層の厚みは加熱温度と加熱時間に
深く関係しており、加熱温度は500〜1200℃とす
る。さらには500〜900℃が好ましい。1200℃を超
えると高電気抵抗層の生成が速すぎるため、高電
気抵抗層の厚さの制御が難しい。また500℃末満
の場合は、高電気抵抗層の生成が非常に遅く望む
厚さの高電気抵抗層を得るのに長時間を要し経済
的ではない。加熱時間は15分以上が必要であり、
15分未満では十分な再現性が得られず好ましくな
い。 この発明に用いるMn−Znフエライトの形状
は、平板状、角柱状、円柱状あるいはその他複雑
な形状を有するものでもよい。酸素含有雰囲気中
で加熱したMn−Znフエライトを切断あるいは加
工することにより、高電気抵抗層をある特定の部
分にのみ有するMn−Znフエライトチツプが容易
に得られる。 （作用） 酸素含有雰囲気で加熱して表面に高電気抵抗層
が形成されたMn−Znフエライトについて、理学
電機(株)製、ガイガーフレツクス型式Ｄ−9Cを用
いて表面のＸ線回折を行なつたところ、第３図Ｂ
に示す様に加熱していないMn−Znフエライトに
ついて見られていたマグネタイト（Fe3O4）のピ
ーク（第３図Ａ）の他にヘマタイト（Fe2O3）の
ピーク（△印）が認められた。この時のヘマタイ
ト（Fe2O3）の（104）面からの回折角は用いる
Mn−Znフエライトの組成によつて多少異なる
が、CuKα線を用いた場合回折角2θは32.5〜34.0
度であつた。ヘマタイトのピークの強度は高電気
抵抗層の厚みが増すにつれて増加した。加熱条件
によりヘマタイトのピークの他にMn2O3等の金
属酸化物の生成を伴う場合がある。 この発明ではヘマタイトとそれ以外の相が共に
生成しても高電気抵抗層の特性には影響は少な
い。加熱により得られる高電気抵抗層を走査型電
子顕微鏡（明石製作所製、日立−明石走査電子顕
微鏡、形式MSM−４）によつて観察すると、高
電気抵抗層の組織は用いたMn−Znフエライトの
粒子の大きさに比べて非常に小さな粒子が緻密に
集合したものからなり、用いたMn−Znフエライ
トの組織とは全く異なることがわかる。高電気抵
抗層と内部の高電気抵抗化していない層との境界
にはほとんど気孔や亀裂などは存在せず二つの層
が強固につながつていることが確認された。 「実施例」 第１図及び第２図にこの発明による高電気抵抗
層を有するMn−Znフエライトの実施構造を示
す。 第１図は板状Mn−Znフエライトを酸素含有雰
囲気中で加熱後チツプを切り出し、上下面にのみ
高電気抵抗層１を有し内部は用いたMn−Znフエ
ライト２からなるものである。 また、第２図は中空円筒状のMn−Znフエライ
トを酸素含有雰囲気で加熱後、径方向に平行に
Mn−Znフエライトを輪切りにした結果、内部の
円周の部分と外部の円周の部分が高電気抵抗層１
からなりそれらにはさまれた部分は用いたMn−
Znフエライト２からなるものである。 ここで言う切断あるいは加工は一般によく知ら
れた切断方法、加工方法により行なうことができ
寸法精度よく所望のMn−Znフエライトチツプが
得られる。 製造方法の実施例 １ 径45mm、厚み１mmで気孔率0.1％のMn−Znフエ
ライト基板を大気雰囲気１気圧で加熱温度700℃、
30分加熱を行なつた。加熱した基板から、１mm角
のサイコロ状のチツプを切り出した。相対する高
電気抵抗層を持つ面の間の電気抵抗をR1とし、
新たに切り出された相対する面の間の電気抵抗を
R2とし、直流二端子法により抵抗を測定した。
測定にはヒユーレツト・パツカード社製3465Bデ
ジタルマルチメーターを用いた。加熱していない
Mn−Znフエライトについても同様な測定を行な
い結果を第１表に示した。
【表】
加熱したMn−Znフエライトを割つてその破断
面を走査型電子顕微鏡（明石製作所製、日立−明
石走査電子顕微鏡、形式MSM−４）により観察
し高電気抵抗層の厚さを測定した。その結果を第
１表に示した。 また加熱したMn−Znフエライトの表面につい
てＸ線回折（理学電機(株)製、ガイガーフレツクス
型式Ｄ−9C）を行なつたところ、第３図Ｂに示
す様に加熱していないもとのMn−Znフエライト
のマグネタイトのピークの他にヘマタイトの強い
ピークが認められた。 実施例 ２ 加熱温度を500℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 実施例 ３ 加熱温度を900℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 比較例 １ 加熱温度を400℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 比較例 ２ 加熱雰囲気を窒素ガス中１気圧とする以外は全
く実施例１と同じ条件で行なつた。その結果を第
１表に示した。 「発明の効果」 以上述べた様にこの発明は、初透磁率にすぐれ
たMn−Znフエライトの表面に高電気抵抗層を酸
素含有雰囲気中での加熱に容易に形成することを
可能とした。このことにより、従来表面の電気抵
抗の低さのため使用する際、煩雑な処理を必要と
したMn−Znフエライトは磁電変換素子用はもち
ろん、すぐれた磁気特性が要求されかつ表面に高
い電気抵抗を要求される新しい用途に十分対応で
きる材料となつた。
面を走査型電子顕微鏡（明石製作所製、日立−明
石走査電子顕微鏡、形式MSM−４）により観察
し高電気抵抗層の厚さを測定した。その結果を第
１表に示した。 また加熱したMn−Znフエライトの表面につい
てＸ線回折（理学電機(株)製、ガイガーフレツクス
型式Ｄ−9C）を行なつたところ、第３図Ｂに示
す様に加熱していないもとのMn−Znフエライト
のマグネタイトのピークの他にヘマタイトの強い
ピークが認められた。 実施例 ２ 加熱温度を500℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 実施例 ３ 加熱温度を900℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 比較例 １ 加熱温度を400℃とする以外は全く実施例１と
同じ条件で行なつた。その結果を第１表に示し
た。 比較例 ２ 加熱雰囲気を窒素ガス中１気圧とする以外は全
く実施例１と同じ条件で行なつた。その結果を第
１表に示した。 「発明の効果」 以上述べた様にこの発明は、初透磁率にすぐれ
たMn−Znフエライトの表面に高電気抵抗層を酸
素含有雰囲気中での加熱に容易に形成することを
可能とした。このことにより、従来表面の電気抵
抗の低さのため使用する際、煩雑な処理を必要と
したMn−Znフエライトは磁電変換素子用はもち
ろん、すぐれた磁気特性が要求されかつ表面に高
い電気抵抗を要求される新しい用途に十分対応で
きる材料となつた。
第１図はこの発明による高電気抵抗層を有する
Mn−Znフエライトの構造の一例を説明するため
の図、第２図は他の構造の例を説明するための
図、第３図Ａは従来のMn−Znフエライトの表面
のＸ線回折パターンを示すグラフ、第３図Ｂはこ
の発明による高電気抵抗層を有するMn−Znフエ
ライトの表面のＸ線回折パターンを示すグラフで
ある。 １：高電気抵抗層、２：Mn−Znフエライト。
Mn−Znフエライトの構造の一例を説明するため
の図、第２図は他の構造の例を説明するための
図、第３図Ａは従来のMn−Znフエライトの表面
のＸ線回折パターンを示すグラフ、第３図Ｂはこ
の発明による高電気抵抗層を有するMn−Znフエ
ライトの表面のＸ線回折パターンを示すグラフで
ある。 １：高電気抵抗層、２：Mn−Znフエライト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MnOが10〜20重量％でZnOが10〜20重量％
で残りがFe2O3であり、Ｘ線回折法によつて認め
られる結晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）で
あり、これを主成分とする気孔率が５％未満の
Mn−Znフエライトにおいて表面に高電気抵抗層
の厚さが0.5μｍ以上の層を有し、高電気抵抗層を
有するものは高電気抵抗層を有しないものに比べ
電気抵抗が100倍以上高いことを特徴とする高電
気抵抗の表面層を有するMn−Znフエライト。 ２ MuOが10〜20重量％でZnOが10〜20重量％
で残りがFe2O3であり、Ｘ線回折法によつて認め
られる結晶型がおもにマグネタイト（Fe3O4）で
あるところのものを主成分となし気孔率が５％未
満のMn−Znフエライトを高温酸化雰囲気中にお
いて表面を酸化処理し、表面に高電気抵抗層を形
成することを特徴とする高電気抵抗層の表面層を
有するMn−Znフエライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000684A JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000684A JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159778A JPS61159778A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0260073B2 true JPH0260073B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=11480585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000684A Granted JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159778A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4293936B2 (ja) | 2004-04-21 | 2009-07-08 | Ｔｄｋ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト部材 |
| CN104465000B (zh) * | 2014-12-20 | 2017-05-24 | 惠安县昌瑞五金制品有限公司 | 一种包含氧化锌包覆四氧化三铁磁性介孔材料的制备方法 |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP60000684A patent/JPS61159778A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159778A (ja) | 1986-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5183631A (en) | Composite material and a method for producing the same | |
| TWI432394B (zh) | Ni-Zn-Cu fat iron powder, the first billet and Ni-Zn-Cu fat iron sintered body containing the Ni-Zn-Cu fat and iron powder | |
| US4608293A (en) | Composite substrate for a thin-film magnetic head | |
| KR0173244B1 (ko) | 온도센서용 페라이트 소자 | |
| JPH082962A (ja) | 高安定性サーミスタ用焼結セラミックス及びその製造方法 | |
| CN114497362A (zh) | 基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法 | |
| JPH09129434A (ja) | 透磁率と損失の小さい合成磁気材料 | |
| JPH0260073B2 (ja) | ||
| US4277356A (en) | Soft lithium-titanium-zinc ferrite | |
| Kim et al. | Temperature behavior of dielectric and piezoelectric properties of samarium-doped lead titanate ceramics | |
| Byeon et al. | Electric field assisted bonding of ceramics | |
| JP2024124518A (ja) | ＡｌＮ接合体 | |
| CN109485402A (zh) | 一种改善锰钴铁基热敏陶瓷烧结性的方法 | |
| Hirota et al. | Hot-pressed ferrites for magnetic recording heads | |
| WO1987003277A1 (en) | Ceramics | |
| JP3322228B2 (ja) | 焼成用道具材 | |
| US5966065A (en) | Core for inductance elements and its production method | |
| JP3152740B2 (ja) | 非磁性セラミックス | |
| JP7281142B1 (ja) | サーミスタ焼結体およびサーミスタ焼結体の製造方法 | |
| JPH07242424A (ja) | 酸化物超電導構造体およびその製造方法 | |
| Monforte et al. | Pressure sintering of MnZn and NiZn ferrites | |
| JP2002050512A (ja) | フェライト感温素子及びその製造方法 | |
| KR102156117B1 (ko) | 상온 다강성 물질, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 전자장치 | |
| JPH04291902A (ja) | サーミスタ焼結体、サーミスタチップおよびサーミスタ焼結体の製造方法 | |
| WO2006035576A1 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |