JPS61159778A - 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 - Google Patents
高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法Info
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- JPS61159778A JPS61159778A JP60000684A JP68485A JPS61159778A JP S61159778 A JPS61159778 A JP S61159778A JP 60000684 A JP60000684 A JP 60000684A JP 68485 A JP68485 A JP 68485A JP S61159778 A JPS61159778 A JP S61159778A
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- H10N50/01—Manufacture or treatment
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野
この発明は表面の電気抵抗が高いフェライト及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
現在、フェライト（ここで言うフェライトはＦｅｔＯｉ
を主成分とするフェリ磁性酸化物でスピネル型結晶構造
をもつものをさす）は、その磁気的特性を生かして幅広
く電子材料で使用されている。
を主成分とするフェリ磁性酸化物でスピネル型結晶構造
をもつものをさす）は、その磁気的特性を生かして幅広
く電子材料で使用されている。
例えばフェライトを用いた磁気抵抗素子，ホール素子な
どの磁電変換素子は磁気検出器のプローブのみならず、
ブラシレスモータ，キーボード用等の無接点スイッチ．
各種自動制御系の磁気センサ。
どの磁電変換素子は磁気検出器のプローブのみならず、
ブラシレスモータ，キーボード用等の無接点スイッチ．
各種自動制御系の磁気センサ。
位置センサなどへと用途を拡大してきている。
「従来の技術Ｊ
従来より磁電変換素子のけ電変換部は、一般に磁性を感
ずる半導体をフェライトではさんだサンドインチ形の構
造であり、フェライトの役割は検出すべき磁界を半導体
に集束させることである。
ずる半導体をフェライトではさんだサンドインチ形の構
造であり、フェライトの役割は検出すべき磁界を半導体
に集束させることである。
その場合半導体素子の信頬性を確保するために表面の電
気抵抗の高いフェライトを選択することが重要である。
気抵抗の高いフェライトを選択することが重要である。
そのため現在これらの用途には、従来表面の電気抵抗が
高いＮｉ−Ｚｎ フェライトが用いられている。
高いＮｉ−Ｚｎ フェライトが用いられている。
［発明が解決しようとする問題点」
Ｎｉ−Ｚｎフェライトは表面の電気抵抗が比較的高い反
面磁気特性が悪い欠点がある。これに対しＭｎ−Ｚｎフ
ェライトは初透磁率が高く磁気特性が優れている。然し
乍ら従来のＭｎ−Ｚｎ フェライトは〔ここで言うＭｎ
−Ｚｎ フェライトはＸ線回折法によれば結晶型が主に
マグネタイト（ｐｅｓｏｅ）からなる〕初透磁率が高い
反面電気抵抗が低いという欠点を有する。
面磁気特性が悪い欠点がある。これに対しＭｎ−Ｚｎフ
ェライトは初透磁率が高く磁気特性が優れている。然し
乍ら従来のＭｎ−Ｚｎ フェライトは〔ここで言うＭｎ
−Ｚｎ フェライトはＸ線回折法によれば結晶型が主に
マグネタイト（ｐｅｓｏｅ）からなる〕初透磁率が高い
反面電気抵抗が低いという欠点を有する。
このためＭｎ−Ｚｎフェライトを磁電変換素子の磁気集
束用に使う場合、表面の電気抵抗を高める方法としてＭ
ｎ−Ｚｎ フェライトの表面に樹脂あるいは無機物質を
コーティングすることが行われている。
束用に使う場合、表面の電気抵抗を高める方法としてＭ
ｎ−Ｚｎ フェライトの表面に樹脂あるいは無機物質を
コーティングすることが行われている。
しかしながら、素子が小型化する中で樹脂あるいは無機
物質の均一な薄い膜をコーティングすることは非常に難
しく、また素子組み立てのプロセスが煩雑になりコスト
が高くなる。
物質の均一な薄い膜をコーティングすることは非常に難
しく、また素子組み立てのプロセスが煩雑になりコスト
が高くなる。
この発明の目的は従来のＮｉ−Ｚｎ フェライトに比べ
初透磁率が高く、且つ表面の電気抵抗が高い磁電変換素
子用Ｍｎ−Ｚｎフェライトを提供することをはじめ、さ
らには新規な用途に対応できるＭｎ−Ｚｎフェライトを
提供するにある。
初透磁率が高く、且つ表面の電気抵抗が高い磁電変換素
子用Ｍｎ−Ｚｎフェライトを提供することをはじめ、さ
らには新規な用途に対応できるＭｎ−Ｚｎフェライトを
提供するにある。
「問題点を解決するための手段」
この発明によるＭｎ−Ｚｎ フェライトはＭｎＯが１０
〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０重量％で残りがＦｅ
、０．であり、Ｘ線回折法によって認められる結晶型が
おもにマグネタイト（Ｆｅ３０１）であり、これを主成
分とする気孔率が５％未満のＭｎ−Ｚｎフェライトにお
いて表面に高電気抵抗層の厚さが０．５μｍ以上の層を
有し、高電気抵抗層を存するものは高電気抵抗層を有し
ないものに比べ電気抵抗が１００倍以上高いことを特徴
とする高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎ フェラ
イトであって中心部は用いたＭｎ −Ｚｎフェライトの
磁気的、電気的特性を有し、かつ表面に高電気抵抗層を
有することを特徴とするものである。そしてこの発明の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトは従来のＭｎ−Ｚｒ＋フェライト
を酸素含有雰囲気中において加熱することにより製造さ
れることを特徴とするものである。またこの発明のＭｎ
−Ｚｎ フェライトを切断あるいは加工すれば特定の部
分にのみ高い電気抵抗層を有するＭｎ−Ｚｎフェライト
チップが得られる。以下にこの発明について詳しく述べ
る。
〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０重量％で残りがＦｅ
、０．であり、Ｘ線回折法によって認められる結晶型が
おもにマグネタイト（Ｆｅ３０１）であり、これを主成
分とする気孔率が５％未満のＭｎ−Ｚｎフェライトにお
いて表面に高電気抵抗層の厚さが０．５μｍ以上の層を
有し、高電気抵抗層を存するものは高電気抵抗層を有し
ないものに比べ電気抵抗が１００倍以上高いことを特徴
とする高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎ フェラ
イトであって中心部は用いたＭｎ −Ｚｎフェライトの
磁気的、電気的特性を有し、かつ表面に高電気抵抗層を
有することを特徴とするものである。そしてこの発明の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトは従来のＭｎ−Ｚｒ＋フェライト
を酸素含有雰囲気中において加熱することにより製造さ
れることを特徴とするものである。またこの発明のＭｎ
−Ｚｎ フェライトを切断あるいは加工すれば特定の部
分にのみ高い電気抵抗層を有するＭｎ−Ｚｎフェライト
チップが得られる。以下にこの発明について詳しく述べ
る。
この発明に用いるＭｎ−Ｚｎフェライトは、ＭｎＯが１
０〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０重量％で残りがＦ
ｅ、０゜でありＸ線回折法によって認められる結晶型が
おもにマグネタイト（ＦｅｓＯ＊）であるところのもの
を主成分となし、残りがＭｎ、 Ｚｎ以外の金属あるい
は金属酸化物であものを言う。
０〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０重量％で残りがＦ
ｅ、０゜でありＸ線回折法によって認められる結晶型が
おもにマグネタイト（ＦｅｓＯ＊）であるところのもの
を主成分となし、残りがＭｎ、 Ｚｎ以外の金属あるい
は金属酸化物であものを言う。
用いるＭｎ−Ｚｎ フェライトは単結晶のものか、ある
いは焼成により上記のＭｎ−Ｚｎ フェライトの組成と
なる粉末を常圧焼結法、ホットプレス法あるいは熱間等
方プレス法によって焼結させて得られる気孔率５％未満
のＭｎ−Ｚｎフェライトであることが望ましい。
いは焼成により上記のＭｎ−Ｚｎ フェライトの組成と
なる粉末を常圧焼結法、ホットプレス法あるいは熱間等
方プレス法によって焼結させて得られる気孔率５％未満
のＭｎ−Ｚｎフェライトであることが望ましい。
ここで言う気孔率は以下の様にして求めた。まずＭｎ−
Ｚｎフェライトのチップを樹脂に埋め込み、樹脂が硬化
後アルミナ粉末を用いて研磨を行ないＭｎ−Ｚｎフェラ
イトの研磨面を鏡面に仕上げた。鏡面仕上げを行なった
Ｍｎ−Ｚｎ フェライトの研磨面を反射顕微鏡により観
察し、平均的な視野の写真撮影を行なった。得られた写
真について、写真中の気孔の占める面積を求め、その面
積が気孔を含むＭｎ−Ｚｎ フェライトの全面積に対し
て占める割合を気孔率とした。
Ｚｎフェライトのチップを樹脂に埋め込み、樹脂が硬化
後アルミナ粉末を用いて研磨を行ないＭｎ−Ｚｎフェラ
イトの研磨面を鏡面に仕上げた。鏡面仕上げを行なった
Ｍｎ−Ｚｎ フェライトの研磨面を反射顕微鏡により観
察し、平均的な視野の写真撮影を行なった。得られた写
真について、写真中の気孔の占める面積を求め、その面
積が気孔を含むＭｎ−Ｚｎ フェライトの全面積に対し
て占める割合を気孔率とした。
この発明はＭｎ−Ｚｎフェライトを酸素含有雰囲気中で
加熱することにより表面に高い電気抵抗層を形成するこ
とができる。用いるＭｎ−Ｚｎフェライトの気孔率が５
％以上の場合、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの機械的強度が小
さく好ましくない。加熱は常圧下。
加熱することにより表面に高い電気抵抗層を形成するこ
とができる。用いるＭｎ−Ｚｎフェライトの気孔率が５
％以上の場合、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの機械的強度が小
さく好ましくない。加熱は常圧下。
減圧下あるいは加圧下のいずれの系において行なっても
かまわない、加熱雰囲気の酸素分圧は１Ｏ−３気圧以上
が好ましい、それ未満では望む電気抵抗層は得られない
。
かまわない、加熱雰囲気の酸素分圧は１Ｏ−３気圧以上
が好ましい、それ未満では望む電気抵抗層は得られない
。
酸素分圧の調整は不活性ガスあるいは還元性ガスあるい
はそれらの混合ガスによる希釈によって行なうことで十
分である。加熱によって得られる高電気抵抗化されたＭ
ｎ−Ｚｎフェライトの表面の電気抵抗は、高電気抵抗層
の厚みと深く関係している。
はそれらの混合ガスによる希釈によって行なうことで十
分である。加熱によって得られる高電気抵抗化されたＭ
ｎ−Ｚｎフェライトの表面の電気抵抗は、高電気抵抗層
の厚みと深く関係している。
ここで言う電気抵抗とは以下の様に測定した電気抵抗値
をさす、つまり、１ｍｍ角のサイコロ状のＭｎ−Ｚｎ
フェライトにおいて相対する二つの面のそれぞれの面の
ほぼ中心にプローブをセットし直流二端子法により測定
した電気抵抗値である。測定には、ヒユーレット・パラ
カード社製３４６５Ｂデジタルマルチメーターを使用し
た。高電気抵抗層の厚さは、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの破
断面を走査型電子顕微鏡（明石製作所型５日立−明石走
査電子顕微鏡、形式ＭＳＭ−４）により観察して求めた
。高電気抵抗層を有した面の間の電気抵抗と高電気抵抗
層を有さない面の間の電気抵抗の比は、高電気抵抗層の
厚みが０．５μｍ未満のとき１０”未満であり、０．５
μｍ以上５μｍ未満のとき１０２以上１０４未満であり
、５μｍ以上のとき１０’以上である。高電気抵抗層の
厚みが０．５μｍ未満の場合、電気抵抗の比がばらつき
好ましくない。厚みが０．５μｍ以上では電気抵抗の比
は安定して１０”以上を示す。
をさす、つまり、１ｍｍ角のサイコロ状のＭｎ−Ｚｎ
フェライトにおいて相対する二つの面のそれぞれの面の
ほぼ中心にプローブをセットし直流二端子法により測定
した電気抵抗値である。測定には、ヒユーレット・パラ
カード社製３４６５Ｂデジタルマルチメーターを使用し
た。高電気抵抗層の厚さは、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの破
断面を走査型電子顕微鏡（明石製作所型５日立−明石走
査電子顕微鏡、形式ＭＳＭ−４）により観察して求めた
。高電気抵抗層を有した面の間の電気抵抗と高電気抵抗
層を有さない面の間の電気抵抗の比は、高電気抵抗層の
厚みが０．５μｍ未満のとき１０”未満であり、０．５
μｍ以上５μｍ未満のとき１０２以上１０４未満であり
、５μｍ以上のとき１０’以上である。高電気抵抗層の
厚みが０．５μｍ未満の場合、電気抵抗の比がばらつき
好ましくない。厚みが０．５μｍ以上では電気抵抗の比
は安定して１０”以上を示す。
この発明においては高電気抵抗層の厚みが５μｍ以上３
０μｍ未満が最も好ましく電気抵抗の比は１０４以上を
示す、高電気抵抗層の厚みが１００μｍを超えると加熱
後の冷却の際、高電気抵抗層と従来のＭｎ−Ｚｎ フェ
ライト層との間に亀裂が生じ、高電気抵抗層がはがれや
すくなるため好ましくない。
０μｍ未満が最も好ましく電気抵抗の比は１０４以上を
示す、高電気抵抗層の厚みが１００μｍを超えると加熱
後の冷却の際、高電気抵抗層と従来のＭｎ−Ｚｎ フェ
ライト層との間に亀裂が生じ、高電気抵抗層がはがれや
すくなるため好ましくない。
高電気抵抗層の厚みは加熱温度と加熱時間に深く関係し
ており、加熱温度は５０−１２００ ’Ｃとする。さら
には５００〜９００℃が好ましい、 １２００’Ｃを超
えると高電気抵抗層の生成が速すぎるため、高電気抵抗
層の厚さの制御が難しい。また５００ ’Ｃ未満の場合
は、高電気抵抗層の生成が非常に遅く望む厚さの高電気
抵抗層を得るのに長時間を要し経済的ではない。加熱時
間は１５分以上が必要であり、１５分未満では十分な再
現性が得られず好ましくない。
ており、加熱温度は５０−１２００ ’Ｃとする。さら
には５００〜９００℃が好ましい、 １２００’Ｃを超
えると高電気抵抗層の生成が速すぎるため、高電気抵抗
層の厚さの制御が難しい。また５００ ’Ｃ未満の場合
は、高電気抵抗層の生成が非常に遅く望む厚さの高電気
抵抗層を得るのに長時間を要し経済的ではない。加熱時
間は１５分以上が必要であり、１５分未満では十分な再
現性が得られず好ましくない。
この発明に用いるＭｎ−Ｚｎフェライトの形状は、平板
状、角柱状７円柱状あるいはその他複雑な形状を有する
ものでもよい。酸素含有雰囲気中で加熱したＭｎ−Ｚｎ
フェライトを切断あるいは加工することにより、高電
気抵抗層をある特定の部分にのみ有するＭｎ−Ｚｎ フ
ェライトチップが容易に得られる。
状、角柱状７円柱状あるいはその他複雑な形状を有する
ものでもよい。酸素含有雰囲気中で加熱したＭｎ−Ｚｎ
フェライトを切断あるいは加工することにより、高電
気抵抗層をある特定の部分にのみ有するＭｎ−Ｚｎ フ
ェライトチップが容易に得られる。
（作用）
酸素含有雰囲気で加熱して表面に高電気抵抗層が形成さ
れたＭｎ−Ｚｎフェライトについて、理学電機（株）製
、ガイガーフレックス型式Ｄ−９Ｃを用いて表面のＸ線
回折を行なったところ、第３図Ｂに示す様に加熱してい
ないＭｎ−Ｚｎ フェライトについて見られていたマグ
ネタイト（Ｐｅｓｔ４）のピーク（第３図Ａ）の他にヘ
マタイト（Ｆｅａｒ３） のピーク（△印）が認められ
た。この時のへマタイト（Ｆｅｚｅｓ）の（１０４）面
からの回折角は用いるＭｎ−Ｚｎ フェライトの組成に
よって多少異なるが、ＣｕＫα線を用いた場合回折角２
θは３２．５〜３４．０度であった。ヘマタイトのピー
クの強度は高電気抵抗層の厚みが増すにつれて増加した
。加熱条件によりヘマタイトのピークの他に−ｎ２０．
等の他の金属酸化物の生成を伴う場合がある。
れたＭｎ−Ｚｎフェライトについて、理学電機（株）製
、ガイガーフレックス型式Ｄ−９Ｃを用いて表面のＸ線
回折を行なったところ、第３図Ｂに示す様に加熱してい
ないＭｎ−Ｚｎ フェライトについて見られていたマグ
ネタイト（Ｐｅｓｔ４）のピーク（第３図Ａ）の他にヘ
マタイト（Ｆｅａｒ３） のピーク（△印）が認められ
た。この時のへマタイト（Ｆｅｚｅｓ）の（１０４）面
からの回折角は用いるＭｎ−Ｚｎ フェライトの組成に
よって多少異なるが、ＣｕＫα線を用いた場合回折角２
θは３２．５〜３４．０度であった。ヘマタイトのピー
クの強度は高電気抵抗層の厚みが増すにつれて増加した
。加熱条件によりヘマタイトのピークの他に−ｎ２０．
等の他の金属酸化物の生成を伴う場合がある。
この発明ではへマタイトとそれ以外の相が共に生成して
も高電気抵抗層の特性には影響は少ない。
も高電気抵抗層の特性には影響は少ない。
加熱により得られる高電気抵抗層を走査型電子顕微鏡（
明石製作新製１日立−明石走査電子顕微鏡形式ＭＳＮ−
４）によって観察すると、高電気抵抗層の組織は用いた
Ｍｎ−Ｚｎ フェライトの粒子の大きさに比べて非常に
小さな粒子が緻密に集合したものからなり、用いたＭｎ
−Ｚｎ フェライトの組織とは全く異なることがわかる
。高電気抵抗層と内部の高電気抵抗化していない層との
境界にはほとんど気孔や亀裂などは存在せず二つの層が
強固につながっていることがｎ認された。
明石製作新製１日立−明石走査電子顕微鏡形式ＭＳＮ−
４）によって観察すると、高電気抵抗層の組織は用いた
Ｍｎ−Ｚｎ フェライトの粒子の大きさに比べて非常に
小さな粒子が緻密に集合したものからなり、用いたＭｎ
−Ｚｎ フェライトの組織とは全く異なることがわかる
。高電気抵抗層と内部の高電気抵抗化していない層との
境界にはほとんど気孔や亀裂などは存在せず二つの層が
強固につながっていることがｎ認された。
「実施例」
第１図及び第２図にこの発明による高電気抵抗層を有す
るＭｎ−Ｚｎフェライトの実施構造を示す。
るＭｎ−Ｚｎフェライトの実施構造を示す。
第１図は板状Ｍｎ−Ｚｎフェライトを酸素含有雰囲気中
で加熱後チップを切り出し、上下面にのみ高電気抵抗層
１を有し内部は用いたＭｎ−Ｚｎフェライト２からなる
ものである。
で加熱後チップを切り出し、上下面にのみ高電気抵抗層
１を有し内部は用いたＭｎ−Ｚｎフェライト２からなる
ものである。
また、第２図は中空円筒状のＭｎ−Ｚｎフェライトを酸
素含有雰囲気で加熱後、径方向に平行にＭｎ −Ｚｎフ
ェライトを輪切りにした結果、内部の円周の部分と外部
の円周の部分が高電気抵抗層１からなりそれらにはさま
れた部分は用いたＭｎ−Ｚｎ フェライト２からなるも
のである。
素含有雰囲気で加熱後、径方向に平行にＭｎ −Ｚｎフ
ェライトを輪切りにした結果、内部の円周の部分と外部
の円周の部分が高電気抵抗層１からなりそれらにはさま
れた部分は用いたＭｎ−Ｚｎ フェライト２からなるも
のである。
ここで言う切断あるいは加工は一般によく知られた切断
方法、加工方法により行なうことができ寸法精度よく所
望のＭｎ−Ｚｎフェライトチップが得られる。
方法、加工方法により行なうことができ寸法精度よく所
望のＭｎ−Ｚｎフェライトチップが得られる。
「製造方法の実施例１」
径４５ｍ、厚み１鶴で気孔率０．１χのＭｎ−Ｚｎ フ
ェライト基板を大気雰囲気１気圧で加熱温度７００℃。
ェライト基板を大気雰囲気１気圧で加熱温度７００℃。
３０分加熱を行なった。加熱した基板から、１ｆｌ角の
サイコロ状のチップを切り出した。相対する高電気抵抗
層を持つ面の間の電気抵抗をＲ１とし、新たに切り出さ
れた相対する面の間の電気抵抗をＲｔとし、直流二端子
法により抵抗を測定した。測定にはヒユーレット・パラ
カード社製３４６５Ｂデジタルマルチメーターを用いた
。加熱していないＭｎ −Ｚｎフェライトについても同
様な測定を行ない結果を第１表に示した。
サイコロ状のチップを切り出した。相対する高電気抵抗
層を持つ面の間の電気抵抗をＲ１とし、新たに切り出さ
れた相対する面の間の電気抵抗をＲｔとし、直流二端子
法により抵抗を測定した。測定にはヒユーレット・パラ
カード社製３４６５Ｂデジタルマルチメーターを用いた
。加熱していないＭｎ −Ｚｎフェライトについても同
様な測定を行ない結果を第１表に示した。
第 １ 表
加熱したＭｎ−Ｚｎフェライトを割ってその破断面を走
査型電子顕微鏡（明石製作所製５日立−明石走査電子顕
微鏡、形式ＭＳＮ−４）により観察し高電気抵抗層の厚
さを測定した。その結果を第１表に示した。
査型電子顕微鏡（明石製作所製５日立−明石走査電子顕
微鏡、形式ＭＳＮ−４）により観察し高電気抵抗層の厚
さを測定した。その結果を第１表に示した。
また加熱したＭｎ−Ｚｎフェライトの表面についてＸ線
回折（理学電機（株）製、ガイガーフレックス型式〇−
９Ｃ）を行なったところ、第３図Ｂに示す様に加熱して
いないもとのＭｎ−Ｚｎフェライトのマグネタイトのピ
ークの他にヘマタイトの強いピークが認められた。
回折（理学電機（株）製、ガイガーフレックス型式〇−
９Ｃ）を行なったところ、第３図Ｂに示す様に加熱して
いないもとのＭｎ−Ｚｎフェライトのマグネタイトのピ
ークの他にヘマタイトの強いピークが認められた。
「実施例２Ｊ
加熱温度を５００℃とする以外は全〈実施例１と同じ条
件で行なった。その結果を第１表に示した。
件で行なった。その結果を第１表に示した。
「実施例３」
加熱温度を９００℃とする以外は全〈実施例１と同じ条
件で行なった。その結果を第１表に示した。
件で行なった。その結果を第１表に示した。
「比較例１」
加熱温度を４００℃とする以外は全〈実施例１と同じ条
件で行なった。その結果を第１表に示した。
件で行なった。その結果を第１表に示した。
「比較例２Ｊ
加熱雰囲気を窒素ガス中１気圧とする以外は全〈実施例
１と同じ条件で行なった。その結果を第１表に示した。
１と同じ条件で行なった。その結果を第１表に示した。
「発明の効果」
以上述べた様にこの発明は、初１Ｗｉｉｆｔ率にすぐれ
たＭｎ−Ｚｎフェライトの表面に高電気抵抗層を酸素含
有雰囲気中での加熱で容易に形成することを可能とした
。このことにより、従来表面の電気抵抗の低さのため使
用する際、煩雑な処理を必要としたＭｎ−Ｚｎフェライ
トは磁電変換素子用はもちろん、すぐれた磁気特性が要
求されかつ表面に高い電気抵抗を要求される新しい用途
に十分対応できる材料となった。
たＭｎ−Ｚｎフェライトの表面に高電気抵抗層を酸素含
有雰囲気中での加熱で容易に形成することを可能とした
。このことにより、従来表面の電気抵抗の低さのため使
用する際、煩雑な処理を必要としたＭｎ−Ｚｎフェライ
トは磁電変換素子用はもちろん、すぐれた磁気特性が要
求されかつ表面に高い電気抵抗を要求される新しい用途
に十分対応できる材料となった。
第１図はこの発明による高電気抵抗層を有するＭｎ−Ｚ
ｎフェライトの構造の一例を説明するための図、第２図
は他の構造の例を説明するための図、第３図Ａは従来の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの表面のＸ線回折パターンを示す
グラフ、第３図Ｂはこの発明による高電気抵抗層を有す
るＭｎ−Ｚｎフェライトの表面のＸ線回折パターンを示
すグラフである。 ｌ：高電気抵抗層、２ ： Ｍｎ−Ｚｎフェライト。
ｎフェライトの構造の一例を説明するための図、第２図
は他の構造の例を説明するための図、第３図Ａは従来の
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの表面のＸ線回折パターンを示す
グラフ、第３図Ｂはこの発明による高電気抵抗層を有す
るＭｎ−Ｚｎフェライトの表面のＸ線回折パターンを示
すグラフである。 ｌ：高電気抵抗層、２ ： Ｍｎ−Ｚｎフェライト。
Claims (2)
- （１）ＭｎＯが１０〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０
重量％で残りがＦｅ＿２Ｏ＿３であり、Ｘ線回折法によ
って認められる結晶型がおもにマグネタイト（Ｆｅ＿３
Ｏ＿４）であり、これを主成分とする気孔率が５％未満
のＭｎ−Ｚｎフェライトにおいて表面に高電気抵抗層の
厚さが０．５μｍ以上の層を有し、高電気抵抗層を有す
るものは高電気抵抗層を有しないものに比べ電気抵抗が
１００倍以上高いことを特徴とする高電気抵抗の表面層
を有するＭｎ−Ｚｎフェライト。 - （２）ＭｕＯが１０〜２０重量％でＺｎＯが１０〜２０
重量％で残りがＦｅ＿２Ｏ＿３であり、Ｘ線回折法によ
って認められる結晶型がおもにマグネタイト（Ｆｅ＿３
Ｏ＿４）であるところのものを主成分となし気孔率が５
％未満のＭｎ−Ｚｎフェライトを高温酸化雰囲気中にお
いて表面を酸化処理し、表面に高電気抵抗層を形成する
ことを特徴とする高電気抵抗層の表面層を有するＭｎ−
Ｚｎフェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000684A JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000684A JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159778A true JPS61159778A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0260073B2 JPH0260073B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=11480585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000684A Granted JPS61159778A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 高電気抵抗の表面層を有するＭｎ−Ｚｎフエライト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289010B2 (en) | 2004-04-21 | 2007-10-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn based ferrite member |
| CN104465000B (zh) * | 2014-12-20 | 2017-05-24 | 惠安县昌瑞五金制品有限公司 | 一种包含氧化锌包覆四氧化三铁磁性介孔材料的制备方法 |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP60000684A patent/JPS61159778A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289010B2 (en) | 2004-04-21 | 2007-10-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn based ferrite member |
| CN104465000B (zh) * | 2014-12-20 | 2017-05-24 | 惠安县昌瑞五金制品有限公司 | 一种包含氧化锌包覆四氧化三铁磁性介孔材料的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260073B2 (ja) | 1990-12-14 |
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