JPH0260096B2 - - Google Patents

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JPH0260096B2
JPH0260096B2 JP59113353A JP11335384A JPH0260096B2 JP H0260096 B2 JPH0260096 B2 JP H0260096B2 JP 59113353 A JP59113353 A JP 59113353A JP 11335384 A JP11335384 A JP 11335384A JP H0260096 B2 JPH0260096 B2 JP H0260096B2
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output
signal
level
input
clock
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Japanese (ja)
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Yoko Mizushima
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Electronic Switches (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、PLL(Phase Locked Loop)回路
に用いられる2係数分周器、特に(2N+1)分
の1、2N分の1(Nは整数)の切換え機能をもつ
2係数分周器用の信号選択回路に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a two-coefficient frequency divider used in a PLL (Phase Locked Loop) circuit, particularly a frequency divider of 1/(2N+1) and 1/2N (N is an integer). The present invention relates to a signal selection circuit for a two-coefficient frequency divider having a switching function.

従来例の構成とその問題点 第1図に、従来例の構成を示す。1は第1の
1/2カウンタ、2は第2の1/2カウンタ、3
は1/10カウンタ、4は信号選択回路である。5
〜8,32はインバータ、9〜16,31は
NANDゲート、17,18はANDゲート、19
はNORゲートである。第1の1/2カウンタの
互いに逆位相の出力は、信号選択回路4に接続さ
れ、選択された出力は、第2の1/2カウンタへ
接続され、第2の1/2カウンタ2の出力は、
1/10カウンタ3およびNANDゲート9の一方
の入力へ接続され、他方の入力は1/10カウンタ
3の出力が接続されている。NANDゲート9の
出力は、インバータ5を介して、信号選択回路4
の切換制御入力の1つとなつている。26は他の
切換制御入力である。
Configuration of the conventional example and its problems FIG. 1 shows the configuration of the conventional example. 1 is the first 1/2 counter, 2 is the second 1/2 counter, 3
is a 1/10 counter, and 4 is a signal selection circuit. 5
~8,32 are inverters, 9~16,31 are
NAND gate, 17, 18 is AND gate, 19
is a NOR gate. Outputs of the first 1/2 counters having mutually opposite phases are connected to the signal selection circuit 4, the selected output is connected to the second 1/2 counter, and the output of the second 1/2 counter 2 is connected to the signal selection circuit 4. teeth,
It is connected to one input of the 1/10 counter 3 and the NAND gate 9, and the output of the 1/10 counter 3 is connected to the other input. The output of the NAND gate 9 is sent to the signal selection circuit 4 via the inverter 5.
This is one of the switching control inputs. 26 is another switching control input.

信号選択回路4の構成を以下に説明する。 The configuration of the signal selection circuit 4 will be explained below.

NANDゲート15,16でセツトリセツトフ
リツプフロツプを形成している。ANDゲート1
7,18および、NORゲート19でセレクタを
形成している。切換制御入力26は、NANDゲ
ート11および、インバータ6を介して、
NANDゲート10へ接続している。インバータ
5の出力27は、NANDゲート10,11へ接
続されている。NANDゲート10および同11
の出力は、各々インバータ7および同8を介して
NANDゲート13および31へ接続されている。
NANDゲート13および、同31の出力は、フ
リツプフロツプを形成するNANDゲート15,
16へ各々接続されている。フリツプフロツプの
出力は、NANDゲート15の出力29がANDゲ
ート17へ接続され、NANDゲート16の出力
28が、ANDゲート18へ接続されている。
ANDゲート17,18およびNORゲート19で
構成されたセレクターの出力、すなわち、NOR
ゲート19の出力は、インバータ32を介して、
NANDゲート13,31へ接続されている。
NAND gates 15 and 16 form a reset flip-flop. AND gate 1
7, 18 and the NOR gate 19 form a selector. The switching control input 26 is provided via the NAND gate 11 and the inverter 6.
Connected to NAND gate 10. The output 27 of the inverter 5 is connected to NAND gates 10,11. NAND gates 10 and 11
The outputs of are transmitted through inverters 7 and 8 respectively.
Connected to NAND gates 13 and 31.
The outputs of NAND gates 13 and 31 are connected to NAND gates 15 and 31 forming a flip-flop.
16, respectively. As for the outputs of the flip-flop, the output 29 of the NAND gate 15 is connected to the AND gate 17, and the output 28 of the NAND gate 16 is connected to the AND gate 18.
The output of the selector composed of AND gates 17, 18 and NOR gate 19, that is, NOR
The output of the gate 19 is passed through the inverter 32 to
It is connected to NAND gates 13 and 31.

第1の1/2カウンタ1の互いに逆位相の出力
21および、22は、セレクターを構成する
ANDゲート17,18へ接続している。
Outputs 21 and 22 of mutually opposite phases of the first 1/2 counter 1 constitute a selector.
It is connected to AND gates 17 and 18.

切換制御入力26および他の切換制御入力すな
わち、インバータ5の出力27で、互いに逆位相
の1/2セレクタ1の出力が、信号選択回路4
で、選択されて出力される。
At the switching control input 26 and the other switching control input, that is, the output 27 of the inverter 5, the outputs of the 1/2 selector 1 having opposite phases to each other are connected to the signal selection circuit 4.
is selected and output.

第1図の従来例は、2係数プリスケーラであ
り、全体で、1/40、1/41の係数切換え可能な
カウンタを構成している。
The conventional example shown in FIG. 1 is a two-coefficient prescaler, and as a whole constitutes a counter capable of switching coefficients of 1/40 and 1/41.

次にタイミングチヤートを用いて従来例の動作
を説明する。
Next, the operation of the conventional example will be explained using a timing chart.

第2図は、主要部のタイミングを示したタイミ
ングチヤートである。
FIG. 2 is a timing chart showing the timing of the main parts.

20は、第1の1/2カウンタの入力パルスで
あり、21,22は、その互いに逆位相の出力で
ある。23は信号選択回路4の出力であり、30
は、インバータ32の出力である。24は、第2
の1/2カウンタ2の出力であり、25は1/10
カウンタ3の出力である。26,27は切換制御
入力である。28,29はフリツプフロツプの出
力である。
20 is an input pulse of the first 1/2 counter, and 21 and 22 are outputs having opposite phases to each other. 23 is the output of the signal selection circuit 4; 30
is the output of the inverter 32. 24 is the second
is the output of 1/2 counter 2, and 25 is 1/10
This is the output of counter 3. 26 and 27 are switching control inputs. 28 and 29 are flip-flop outputs.

フリツプフロツプの出力28が“ロー”レベ
ル、同29が“ハイ”レベルの時には、信号選択
回路の出力としては、第1の1/2カウンタ1の
一方の出力信号21が出力され、出力23には、
その反転位相の出力が出ている。
When the output 28 of the flip-flop is at the "low" level and the output 29 is at the "high" level, one output signal 21 of the first 1/2 counter 1 is output as the output of the signal selection circuit, and the output 23 is the output signal 21 of the first 1/2 counter 1. ,
The inverted phase output is output.

t1のタイミングで、1/10カウンタ3の出力2
5が“ハイ”レベルになり、t2のタイミングで、
第2の1/2のカウンタ2の出力24が“ハイ”
レベルになると、インバータ32の出力30が
“ハイ”レベルになるタイミングt3で、24,2
5,30の論理積がとられ、フリツプフロツプの
入力27が“ロー”レベルになる。この時フリツ
プフロツプの出力28が“ハイ”レベルとなる。
At the timing of t 1 , output 2 of 1/10 counter 3
5 becomes “high” level, and at timing t 2 ,
The output 24 of the second 1/2 counter 2 is “high”
At timing t3 when the output 30 of the inverter 32 becomes "high" level, 24,2
The logical product of 5 and 30 is taken, and the input 27 of the flip-flop becomes a "low" level. At this time, the output 28 of the flip-flop becomes "high" level.

さらに、第1の1/2カウンタの出力パルスの
幅だけ遅れてフリツプフロツプの他方の出力29
が、t4のタイミングで“ロー”レベルとなる。
Further, the other output 29 of the flip-flop is delayed by the width of the output pulse of the first 1/2 counter.
becomes “low” level at timing t4 .

フリツプフロツプの出力28,29の制御によ
り、セレクターの出力23へ出力される信号が、
第1の1/2カウンタ1の出力21からその逆位
相の出力22へ切換られる。
By controlling the flip-flop outputs 28 and 29, the signal output to the selector output 23 is
The output 21 of the first 1/2 counter 1 is switched to the output 22 having the opposite phase.

T1の期間は、出力信号21が選択されて、そ
の反転信号がセレクタの出力23へ出力され、
T2の期間は、出力信号22が選択されてその反
転信号がセレクタの出力23へ出力される。
During the period T1 , the output signal 21 is selected and its inverted signal is output to the output 23 of the selector,
During the period T 2 , the output signal 22 is selected and its inverted signal is output to the output 23 of the selector.

T3の期間は、セレクタの出力信号23は、“ロ
ー”レベルである。
During the period T3 , the output signal 23 of the selector is at a "low" level.

セレクタの出力信号23に着目すると、t4のタ
イミングで、第1の1/2カウンタ1の出力2
1,22が、切換わつており、“ロー”レベルが
2度続いて第1の1/2カウンタ1の入力20の
1パルス分だけセレクタの出力23はシフトした
形となり、系全体のパルスカウント数は41とな
り、1/41分周比を得ている。
Focusing on the output signal 23 of the selector, at the timing t4 , the output 2 of the first 1/2 counter 1
1 and 22 are switched, and the "low" level continues twice, and the output 23 of the selector is shifted by one pulse of the input 20 of the first 1/2 counter 1, and the pulse count of the entire system is changed. The number is 41, giving a frequency division ratio of 1/41.

本従来例の動作の制約は、信号選択回路4を出
力されてから、第2の1/2カウンタ2の遅延、
あるいは、1/10カウンタ3の遅延、および
NANDゲート9とインバータ5の遅延、および
NANDゲート10、インバータ7とNANDゲー
ト13の遅延あるいは、NANDゲート11、イ
ンバータ8とNANDゲート31の遅延を合計し
た遅延時間が、第1の1/2カウンタ1の出力2
1,22の周期以内である必要がある。また、信
号選択回路内部では、NANDゲート15,16
で構成されるフリツプフロツプの負荷が重く、切
換動作を律速する要因となつている。
The operational constraints of this conventional example include the delay of the second 1/2 counter 2 after the signal is output from the signal selection circuit 4;
Or a delay of 1/10 counter 3, and
NAND gate 9 and inverter 5 delay, and
The delay time of the NAND gate 10, the inverter 7 and the NAND gate 13, or the sum of the delays of the NAND gate 11, the inverter 8 and the NAND gate 31 is the output 2 of the first 1/2 counter 1.
It must be within a period of 1.22. Also, inside the signal selection circuit, NAND gates 15 and 16
The load on the flip-flop is heavy, which is a factor that limits the speed of switching operations.

CMOS(双補形電界効果トランジスタ)等の比
較的低速のデバイスでは、高速での動作が困難と
なつてくる。
Relatively low-speed devices such as CMOS (bi-complementary field-effect transistors) have difficulty operating at high speeds.

第3図に、本従来例の信号選択回路をCMOS
集積回路で作つた場合の周波数特性を示す。
Figure 3 shows the signal selection circuit of this conventional example in CMOS
Shows the frequency characteristics when made with an integrated circuit.

発明の目的 本発明は、従来例のこうした欠点を除き、集積
回路に適した、信号選択回路を提供するものであ
る。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention provides a signal selection circuit suitable for integrated circuits, which eliminates these drawbacks of the prior art.

発明の構成 本発明は、互いに逆位相の2種類のパルスを2
つの切換入力の制御で、上記互いに逆位相のパル
スに同期して切換えるものであり、逆位相関係に
ある第1および第2のクロツクパルスが印加され
る入力端子と、第1および第2の切換制御入力
と、第1および第2の論理ゲート回路と、出力の
タイミングが前記第1のクロツクパルスで制御さ
れる第3および第4の論理ゲート回路と、出力の
タイミングが前記第2のクロツクパルスで制御さ
れる第5の論理ゲート回路と、セレクタとを具備
し、前記第1と第2の切換制御入力を前記第1の
論理ゲート回路の入力に接続し、前記第1の切換
制御入力を位相反転した信号と前記第2の切換制
御入力とを前記第3の論理ゲート回路の入力に接
続し、前記第1の論理ゲート回路の出力を第4の
論理ゲート回路の入力に接続し、前記第1および
第4の論理ゲート回路の出力を前記第2の論理ゲ
ート回路の入力に接続し、同第2の論理ゲート回
路の出力を前記第5の論理ゲート回路の入力およ
び前記第4の論理ゲート回路の入力に接続すると
ともに、前記セレクタの一方の信号選択入力にも
接続し、前記セレクタの他方の信号選択入力に
は、前記第5の論理ゲート回路の出力を接続し、
前記セレクタの被選択信号入力端子を前記第1お
よび第2のクロツクパルスの入力端子に接続し、
さらに、前記第3および第4の論理ゲート回路の
クロツク制御入力に前記第1のクロツクパルスの
入力端子を接続し、前記第5の論理ゲート回路の
クロツク制御入力に前記第2のクロツクパルスの
入力端子を接続した構成となつている。これによ
り、高周波動作においても誤動作のない信号選択
回路が実現される。
Structure of the Invention The present invention provides two types of pulses having opposite phases to each other.
Control of two switching inputs, which are switched in synchronization with the above-mentioned pulses having opposite phases, and an input terminal to which the first and second clock pulses having opposite phases are applied, and the first and second switching input terminals. an input, first and second logic gate circuits, third and fourth logic gate circuits whose output timing is controlled by the first clock pulse, and whose output timing is controlled by the second clock pulse. a fifth logic gate circuit and a selector, the first and second switching control inputs are connected to the inputs of the first logic gate circuit, and the first switching control input is phase-inverted. signal and the second switching control input are connected to an input of the third logic gate circuit, an output of the first logic gate circuit is connected to an input of a fourth logic gate circuit, and the first and second switching control inputs are connected to an input of the third logic gate circuit. The output of the fourth logic gate circuit is connected to the input of the second logic gate circuit, and the output of the second logic gate circuit is connected to the input of the fifth logic gate circuit and the input of the fourth logic gate circuit. input, and also connected to one signal selection input of the selector, and the output of the fifth logic gate circuit is connected to the other signal selection input of the selector,
connecting a selected signal input terminal of the selector to the first and second clock pulse input terminals;
Furthermore, the first clock pulse input terminal is connected to the clock control inputs of the third and fourth logic gate circuits, and the second clock pulse input terminal is connected to the clock control input of the fifth logic gate circuit. It has a connected configuration. This realizes a signal selection circuit that does not malfunction even in high frequency operation.

実施例の説明 第4図は本発明の第1の実施例の構成を示すも
のである。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 4 shows the configuration of a first embodiment of the present invention.

第4図において、51,52はそれぞれ第1、
第2の制御信号が印加される入力端子、53,5
4は、互いに逆位相の2種類のパルス(以下、そ
れぞれCK1,CK2と呼ぶ)が印加される入力端
子、55は信号選択回路の出力端子、57,62
は出力をクロツクで制御されるNANDゲートで、
クロツクが“ハイ”レベルのとき、NAND出力
され、“ロー”レベルのとき、ハイインピーダン
スとなる。60は出力をクロツクで制御されるイ
ンバータで、クロツクが“ハイ”レベルのとき、
インバータ出力され、“ローレベル”のとき、ハ
イインピーダンスとなる。56はインバータ、5
8,59,61,63,64はNANDゲートで
ある。65は入力端子53に印加されるパルス
CK1、66は入力端子54に印加されるパルス
CK2、67は入力端子51に印加される第1の制
御信号、68は入力端子52に印加される第2の
制御信号、69はクロツクで制御されるNAND
ゲート57の出力、70はNANDゲート58の
出力、71はクロツクで制御されるNANDゲー
ト62の出力、72はNANDゲート59の出力、
73はクロツクで制御されるインバータ60の出
力、74はNANDゲート63の出力、75は
NANDゲート61の出力、76はNANDゲート
64の出力である。
In FIG. 4, 51 and 52 are the first and
an input terminal 53,5 to which a second control signal is applied;
4 is an input terminal to which two types of pulses having mutually opposite phases (hereinafter referred to as CK 1 and CK 2 , respectively) are applied; 55 is an output terminal of the signal selection circuit; 57, 62
is a NAND gate whose output is controlled by a clock.
When the clock is at "high" level, it is output as NAND, and when it is at "low" level, it becomes high impedance. 60 is an inverter whose output is controlled by a clock, and when the clock is at a "high" level,
It is output from the inverter and becomes high impedance when it is at "low level". 56 is an inverter, 5
8, 59, 61, 63, and 64 are NAND gates. 65 is a pulse applied to the input terminal 53
CK 1 , 66 is a pulse applied to the input terminal 54
CK 2 , 67 is the first control signal applied to the input terminal 51, 68 is the second control signal applied to the input terminal 52, 69 is the NAND signal controlled by the clock.
70 is the output of NAND gate 58; 71 is the output of clock-controlled NAND gate 62; 72 is the output of NAND gate 59;
73 is the output of the inverter 60 controlled by the clock, 74 is the output of the NAND gate 63, and 75 is the output of the inverter 60 controlled by the clock.
The output of the NAND gate 61 and 76 are the output of the NAND gate 64.

入力端子51はインバータ56、および
NANDゲート58へ接続され、入力端子52は
クロツクで制御されるNANDゲート57、およ
び、NANDゲート58に接続される。インバー
タ56の出力はクロツクで制御されるNANDゲ
ート57へ接続され、クロツクで制御される
NANDゲート57の出力69はNANDゲート5
9に接続され、59の出力72は、クロツクで制
御されるNANDゲート62、クロツクで制御さ
れるインバータ60、および、NANDゲート6
1へ接続される。NANDゲート58の出力70
はクロツクで制御されるNANDゲート62へ接
続され62の出力71はNANDゲート59に接
続される。クロツクで制御されるインバータ60
の出力73、および、入力端子53が、NAND
ゲート63に接続され、入力端子54がNAND
ゲート61に接続され、NANDゲート61の出
力75、および、NANDゲート63の出力74
がNANDゲート64へ接続され、64の出力7
6が出力端子55に接続される。
Input terminal 51 is connected to inverter 56 and
The input terminal 52 is connected to a clock-controlled NAND gate 57 and to a NAND gate 58. The output of inverter 56 is connected to a clock controlled NAND gate 57, which is clock controlled.
The output 69 of the NAND gate 57 is the NAND gate 5
9, the output 72 of 59 is connected to clocked NAND gate 62, clocked inverter 60, and NAND gate 6.
Connected to 1. Output 70 of NAND gate 58
is connected to a clock controlled NAND gate 62 whose output 71 is connected to NAND gate 59. Clock controlled inverter 60
The output 73 and input terminal 53 of NAND
Connected to gate 63, input terminal 54 is NAND
The output 75 of the NAND gate 61 and the output 74 of the NAND gate 63 are connected to the gate 61 .
is connected to the NAND gate 64, and the output 7 of 64
6 is connected to the output terminal 55.

クロツクで制御されるNANDゲート57、お
よび62の制御クロツクに入力端子53が接続さ
れ、クロツクで制御されるインバータ60の制御
クロツクに入力端子54が接続される。
Input terminal 53 is connected to the control clock of NAND gates 57 and 62 which are controlled by the clock, and input terminal 54 is connected to the control clock of inverter 60 which is controlled by the clock.

NANDゲート61,63および64でセレク
ターを構成している。
NAND gates 61, 63 and 64 constitute a selector.

以上のように構成された本実施例について、以
下、第5図および第6図のタイミングチヤートに
もとずいてその動作を説明する。
The operation of this embodiment configured as described above will be explained below based on the timing charts of FIGS. 5 and 6.

第5図、および、第6図は本実施例のタイミン
グを示したものであり、示された点は第4図に同
一の記号をもつて示す。
5 and 6 show the timing of this embodiment, and the indicated points are indicated with the same symbols as in FIG. 4.

65は入力端子53に印加されるパルスCK1
あり、66は入力端子54に印加されるパルス
CK2である。65と66は互いに逆位相のパルス
である。67は入力端子51に印加される第1の
制御信号であり、68は入力端子52に印加され
る第2の制御信号である。69はクロツクで制御
されるNANDゲート57の出力であり、70は
NANDゲート58の出力であり、71はクロツ
クで制御されるNANDゲート62の出力であり、
72はNANDゲート59の出力であり、73は
クロツクで制御されるインバータ60の出力であ
る。74はNANDゲート63の出力であり、7
5はNANDゲート61の出力であり、76は
NANDゲート64の出力であり、NANDゲート
61,63、および、64で構成されたセレクタ
ーの出力となつている。72,73は、互いに逆
位相のパルス65,66の一方を選択するセレク
ターの制御信号となつている。
65 is the pulse CK 1 applied to the input terminal 53, and 66 is the pulse applied to the input terminal 54.
It is CK 2 . 65 and 66 are pulses with mutually opposite phases. 67 is a first control signal applied to the input terminal 51, and 68 is a second control signal applied to the input terminal 52. 69 is the output of the NAND gate 57 controlled by the clock, and 70 is the output of the NAND gate 57 controlled by the clock.
71 is the output of NAND gate 58, and 71 is the output of NAND gate 62 controlled by the clock.
72 is the output of the NAND gate 59, and 73 is the output of the inverter 60 controlled by the clock. 74 is the output of the NAND gate 63;
5 is the output of the NAND gate 61, and 76 is the output of the NAND gate 61.
This is the output of the NAND gate 64, and serves as the output of the selector composed of NAND gates 61, 63, and 64. Reference numerals 72 and 73 are control signals for a selector that selects one of the pulses 65 and 66 having mutually opposite phases.

まず、第5図にもとづいて、本実施例の動作を
説明する。
First, the operation of this embodiment will be explained based on FIG.

第1の制御信号67が“ハイ”レベルで、クロ
ツクで制御されるインバータ60の出力73が
“ハイ”レベル、NANDゲート59の出力72が
“ロー”レベルのときは、セレクターの出力76
に、信号65が選択されて、出力されている。
When the first control signal 67 is at a "high" level, the output 73 of the clock-controlled inverter 60 is at a "high" level, and the output 72 of the NAND gate 59 is at a "low" level, the output 76 of the selector
Then, signal 65 is selected and output.

t101のタイミングで、第1の制御信号67が
“ロー”レベルとなり、t102のタイミングで、第
2の制御信号68が“ハイ”レベルになる。第
1、第2の制御信号は、クロツクで制御される
NANDゲート57に接続され、また、NANDゲ
ート58を介して、クロツクで制御される
NANDゲート62に接続されており、57,6
2の制御クロツク65が“ハイ”レベルになる
t103のタイミングで、57の出力69は“ロー”
レベルになり、69が接続されているNANDゲ
ート59の出力72が“ハイ”レベルとなり、7
2、および、NANDゲート58の出力70が接
続されている62の出力71が“ロー”レベルと
なる。72はクロツクで制御されるインバータ6
0に接続されており、60の制御クロツク66が
“ハイ”レベルになるタイミングt104で、60の
出力73は“ロー”レベルとなる。これで72が
“ハイ”レベル、73が“ロー”レベルとなるの
で、NANDゲート61の出力75は入力66の
反転信号を出力し、NANDゲート63の出力7
4は“ハイ”レベルとなり、セレクターの出力7
6には、信号66が選択されて出力され、信号6
5から信号66へ選択される信号が切換わる。
At timing t101 , the first control signal 67 becomes a "low" level, and at timing t102 , the second control signal 68 becomes a "high" level. The first and second control signals are controlled by a clock.
connected to NAND gate 57 and controlled by a clock via NAND gate 58
Connected to NAND gate 62, 57,6
2 control clock 65 becomes “high” level.
At the timing of t 103 , the output 69 of 57 is “low”
level, the output 72 of the NAND gate 59 to which 69 is connected becomes a "high" level, and 7
The output 71 of 62 to which the output 70 of the NAND gate 58 and the output 70 of the NAND gate 58 are connected becomes "low" level. 72 is an inverter 6 controlled by a clock.
0, and at timing t104 when the control clock 66 of the 60 becomes a "high" level, the output 73 of the 60 becomes a "low" level. Since 72 is now at the "high" level and 73 is at the "low" level, the output 75 of the NAND gate 61 outputs the inverted signal of the input 66, and the output 75 of the NAND gate 63 is at the "low" level.
4 becomes the “high” level, and selector output 7
6, the signal 66 is selected and output, and the signal 6
The selected signal is switched from signal 5 to signal 66.

タイミングt103からt104の期間は、信号72,
73共に、“ハイ”レベルであり、信号65は
“ハイ”レベル、信号66は“ロー”レベルであ
るから、セレクターの出力76は、“ハイ”レベ
ルであり、タイミングt104でセレクター出力76
が信号65から信号66へ切換わつたとき、信号
66は“ハイ”レベルであるので、信号76は
“ハイ”レベルとなり、“ハイ”レベルが2度続け
て出力されたことになり、信号65、信号66と
比較して、セレクター出力76は半パルス減つた
ことになる。
During the period from timing t 103 to t 104 , the signals 72,
73 are both at the "high" level, the signal 65 is at the "high" level, and the signal 66 is at the "low" level.
When the signal 65 switches from the signal 65 to the signal 66, the signal 66 is at the "high" level, so the signal 76 becomes the "high" level, which means that the "high" level is output twice in a row, and the signal 65 , the selector output 76 has been reduced by half a pulse compared to the signal 66.

タイミングt105で第2の制御信号68が“ロ
ー”レベルになると、クロツクで制御される
NANDゲート57の出力69は制御クロツク6
5が“ハイ”レベルになるまでタイミングt106
で、“ハイ”レベルとなる。
When the second control signal 68 becomes "low" level at timing t105 , it is controlled by the clock.
The output 69 of the NAND gate 57 is the control clock 6
Timing t 106 until 5 becomes “high” level
So it becomes a “high” level.

次に第6図にもとづいて、セレクターの出力7
6が、信号66から信号65へ切換わる動作につ
いて説明する。
Next, based on Figure 6, selector output 7
6 will explain the operation of switching from signal 66 to signal 65.

第1の制御信号67が“ロー”レベルで、クロ
ツクで制御されるインバータ60の出力73が
“ロー”レベル、NANDゲート59の出力72が
“ハイ”レベルのときは、セレクターの出力76
に、信号66が選択されて、出力されている。
When the first control signal 67 is at a "low" level, the output 73 of the clock-controlled inverter 60 is at a "low" level, and the output 72 of the NAND gate 59 is at a "high" level, the output 76 of the selector
, signal 66 is selected and output.

t111のタイミングで、第1の制御信号67が
“ハイ”レベルとなり、t112のタイミングで第2
の制御信号68が“ハイ”レベルになつたときを
示す。第1、第2の制御信号は、クロツクで制御
されるNANDゲート57に接続され、また、
NANDゲート58を介して、クロツクで制御さ
れるNANDゲート62に接続されている。クロ
ツクで制御されるNANDゲート57の出力69
は、信号67が“ハイ”レベルのため、“ハイ”
レベルであり、タイミングt112では変化しない。
NANDゲート58の出力70はタイミングt112
“ロー”レベルになり、クロツクで制御される
NANDゲート62の出力71は制御クロツク6
5が“ハイ”レベルになるタイミングt113で“ハ
イ”レベルとなり、信号69、および信号71が
接続されるNANDゲート59の出力72が“ロ
ー”レベルになる。クロツクで制御されるインバ
ータ60の出力73は制御クロツク信号66が
“ハイ”レベルになるタイミングt114で、“ハイ”
レベルとなる。
At timing t111 , the first control signal 67 becomes "high" level, and at timing t112 , the second control signal 67 becomes "high" level.
This shows the time when the control signal 68 of the control signal 68 becomes "high" level. The first and second control signals are connected to a clock-controlled NAND gate 57, and
It is connected via NAND gate 58 to a clock controlled NAND gate 62. Output 69 of clock controlled NAND gate 57
is “high” because the signal 67 is “high” level.
level, and does not change at timing t112 .
The output 70 of the NAND gate 58 goes low at timing t112 and is controlled by the clock.
The output 71 of the NAND gate 62 is the control clock 6
At timing t113 when the signal 69 and the signal 71 are connected to the signal 69 and the signal 71, the output 72 of the NAND gate 59 becomes the low level. The output 73 of the inverter 60 controlled by the clock becomes "high" at timing t114 when the control clock signal 66 becomes "high".
level.

これで、信号72が“ロー”レベル、信号73
が“ハイ”レベルとなるので、NANDゲート6
1の出力75は“ハイ”レベルとなり、NAND
ゲート63の出力74は入力65の反転信号を出
力し、セレクターの出力76には、信号65が選
択されて出力し、信号66から信号65へ、選択
される信号が切換わる。
Now, the signal 72 is at the "low" level, and the signal 73 is at the "low" level.
becomes “high” level, so NAND gate 6
The output 75 of 1 becomes “high” level, and the NAND
The output 74 of the gate 63 outputs the inverted signal of the input 65, the signal 65 is selected and outputted to the output 76 of the selector, and the selected signal is switched from signal 66 to signal 65.

タイミングt113からt114の期間は信号72,7
3が共に“ロー”レベルであり、信号74,75
は共に“ハイ”レベルとなるから、セレクターの
出力76は、“ロー”レベルである。タイミング
t114でセレクターの出力76が信号66から信号
65へ切換わつたとき、信号65は“ロー”レベ
ルであるのでセレクターの出力76は“ロー”レ
ベルとなり、“ロー”レベルが2度続けて出力さ
れたことになる。前述の信号65から信号66へ
の切換えのときと同様、信号66から信号65へ
の切換えのとき、各々の信号65,66と比較し
て、セレクターの出力76は半パルス減つたこと
になる。
During the period from timing t 113 to t 114 , signals 72 and 7
3 are both at "low" level, and the signals 74 and 75
Since both are at the "high" level, the output 76 of the selector is at the "low" level. timing
When the output 76 of the selector switches from the signal 66 to the signal 65 at t 114 , the signal 65 is at the "low" level, so the output 76 of the selector becomes the "low" level, and the "low" level is output twice in a row. It means that it was done. As with the switching from signal 65 to signal 66 described above, when switching from signal 66 to signal 65, the output 76 of the selector is reduced by half a pulse compared to signals 65 and 66, respectively.

タイミングt115で第2の制御信号68が“ロ
ー”レベルになると、NANDゲート58の出力
70が“ハイ”レベルになる。
When the second control signal 68 goes to the "low" level at timing t115 , the output 70 of the NAND gate 58 goes to the "high" level.

本実施例は、互いに逆位相のパルス信号65,
66のうち一方を、2つの制御信号67,68に
よつて選択して出力し、選択される信号の切換え
を信号65,66に同期して行なうことができ
る。すなわち、信号65から信号66へ切換わる
ときは、信号65の“ハイ”レベルを出力する状
態から信号66の“ハイ”レベルを出力する状態
へ変化し、信号66から信号65へ切換わるとき
は信号66の“ロー”レベルを出力する状態か
ら、信号65の“ロー”レベルを出力する状態へ
変化する。したがつて切換わるたびに、信号6
5,66にくらべ、本実施例の出力は半パルスず
つ減ることになる。
In this embodiment, pulse signals 65 and 65 having mutually opposite phases are used.
One of the signals 66 can be selected and output using two control signals 67 and 68, and the selected signal can be switched in synchronization with the signals 65 and 66. That is, when switching from signal 65 to signal 66, the state changes from outputting the "high" level of signal 65 to outputting the "high" level of signal 66, and when switching from signal 66 to signal 65, The state changes from the state in which the signal 66 is output at the "low" level to the state in which the signal 65 is output at the "low" level. Therefore, every time there is a switch, the signal 6
5 and 66, the output of this embodiment is reduced by half a pulse.

クロツクで制御されたNANDゲート、および
クロツクで制御されたインバータを用いるため、
入力パルス信号65,66に同期をとることがで
き、従来例にみるような遅延をつくらず、クロツ
クで制御されたNANDゲート57、または同6
2と、NANDゲート59の遅延時間の合計より、
入力パルス信号65の“ハイ”レベルの期間が長
ければよく、また、クロツクで制御されるインバ
ータ60の遅延期間より入力パルス信号66の
“ハイ”レベルの期間が長ければよい。さらに、
従来例のフリツプフロツプの負荷にくらべ、
NANDゲート59の負荷を小さくでき、もつて
高速の動作が可能となつている。
Because it uses a clock-controlled NAND gate and a clock-controlled inverter,
It is possible to synchronize with the input pulse signals 65 and 66, without creating a delay as seen in the conventional example, and by using a clock-controlled NAND gate 57 or the same 6.
2 and the total delay time of the NAND gate 59,
It is sufficient that the period of the "high" level of the input pulse signal 65 is long, and it is sufficient that the period of the "high" level of the input pulse signal 66 is longer than the delay period of the inverter 60 controlled by the clock. moreover,
Compared to the load of conventional flip-flops,
The load on the NAND gate 59 can be reduced, and high-speed operation is possible.

第5図のタイミングt103でのクロツクで制御さ
れるNANDゲート62の出力71の立ち下がり
は、クロツクで制御されるNANDゲート57の
出力69が立ち上がるタイミングt106までに完了
すればよい。また、クロツクで制御される
NANDゲート57の出力69の立ち上がりは、
制御信号51,52が共に“ハイ”レベルになる
ことによつて、62の出力71が“ハイ”レベル
になる以前に完了すればよい。したがつて、本実
施例をCMOS集積回路で構成した場合、57を
構成するCMOSトランジスタのうち、P型トラ
ンジスタと、62を構成するCMOSトランジス
タのうちN型トランジスタとはゲート幅を小さく
することができ、各クロツクで制御される
NANDゲート57,62の前段回路の負荷が小
さくできるので、さらに高速動作が可能になる。
The fall of the output 71 of the NAND gate 62 controlled by the clock at timing t 103 in FIG. 5 may be completed by the time t 106 when the output 69 of the NAND gate 57 controlled by the clock rises. It is also controlled by a clock.
The rising edge of the output 69 of the NAND gate 57 is
Since the control signals 51 and 52 both become "high" level, the process may be completed before the output 71 of 62 becomes "high" level. Therefore, when this embodiment is configured with a CMOS integrated circuit, it is possible to reduce the gate width of the P-type transistor among the CMOS transistors 57 and the N-type transistor among the CMOS transistors 62. controlled by each clock
Since the load on the circuit before the NAND gates 57 and 62 can be reduced, even higher speed operation is possible.

以上のように、本実施例は、CMOS等、比較
的低速なデバイスにおいても、高速動作が可能な
信号選択回路である。
As described above, this embodiment is a signal selection circuit that can operate at high speed even in relatively low-speed devices such as CMOS.

以下、本発明の第2の実施例について説明す
る。第7図は本発明の第2の実施例の構成を示
す。本実施例は、分周比1/40、1/41の切換を
行なうカウンターに、信号選択回路を用いたもの
である。
A second embodiment of the present invention will be described below. FIG. 7 shows the configuration of a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a signal selection circuit is used as a counter for switching the frequency division ratio between 1/40 and 1/41.

第7図において、200は入力パルスが印加さ
れる端子、201は第1の1/2カウンター、2
02は信号選択回路、203は第2の1/2カウ
ンタ、204は1/10カウンタ、205は
NANDゲート、206はインバータ、207は
端子200に印加されるパルス、208は1/2
カウンター203の出力、209は1/10カウン
ター204の出力である。
In FIG. 7, 200 is a terminal to which an input pulse is applied, 201 is a first 1/2 counter, and 2
02 is a signal selection circuit, 203 is a second 1/2 counter, 204 is a 1/10 counter, and 205 is a
NAND gate, 206 is an inverter, 207 is a pulse applied to the terminal 200, 208 is 1/2
The output of the counter 203 and 209 are the outputs of the 1/10 counter 204.

信号選択回路202の構成は、第4図の構成と
同様であり、同一の記号を用い、説明を省略す
る。
The configuration of the signal selection circuit 202 is similar to the configuration shown in FIG. 4, so the same symbols are used and the explanation will be omitted.

第1の1/2カウンター201の入力端子20
0を接続し、1/2カウンタ201から出力され
る互いに逆位相の2種類のパルスは、信号選択回
路202の入力パルス65,66になる。信号選
択回路202の出力76は第2の1/2カウンタ
ー203の入力に接続され、同カウンタ203の
出力208は1/10カウンター204の入力に接
続される。1/10カウンタ204の出力209と
1/2カウンタ203の出力208が、NAND
ゲート205に接続され、その出力がインバータ
206に接続され、同インバータ206の出力が
信号選択回路202の第2の制御信号68とな
る。
Input terminal 20 of first 1/2 counter 201
0 is connected, and the two types of pulses with mutually opposite phases outputted from the 1/2 counter 201 become input pulses 65 and 66 of the signal selection circuit 202. The output 76 of the signal selection circuit 202 is connected to the input of the second 1/2 counter 203, and the output 208 of the second 1/2 counter 203 is connected to the input of the 1/10 counter 204. The output 209 of the 1/10 counter 204 and the output 208 of the 1/2 counter 203 are NAND
It is connected to the gate 205 , and its output is connected to the inverter 206 , and the output of the inverter 206 becomes the second control signal 68 of the signal selection circuit 202 .

次にタイミングチヤートを用いて、本実施例の
動作を説明する。
Next, the operation of this embodiment will be explained using a timing chart.

第8図、第9図は本実施例のタイミングチヤー
トであり、示された点は、第7図と同一の記号を
もつて示す。
FIGS. 8 and 9 are timing charts of this embodiment, and the indicated points are indicated by the same symbols as in FIG. 7.

207は第1の1/2カウンタ201の入力で
あり、65,66は互いに逆位相の201の出力
である。67は信号選択回路202の第1の制御
信号であり、68は第2の制御信号で、インバー
タ206の出力となつている。69はクロツクで
制御されるNANDゲート57の出力、70は
NANDゲート58の出力、71はクロツクで制
御されるNANDゲート62の出力、72は
NANDゲート59の出力、73はクロツクで制
御されるインバータ60の出力、74はNAND
ゲート63の出力、75はNANDゲート61の
出力、76はNANDゲート64の出力であり、
信号選択回路202の出力である。208は第2
の1/2カウンターの出力、209は1/10カウ
ンターの出力である。
207 is an input of the first 1/2 counter 201, and 65 and 66 are outputs of 201 having opposite phases. 67 is a first control signal of the signal selection circuit 202, and 68 is a second control signal, which is the output of the inverter 206. 69 is the output of the NAND gate 57 controlled by the clock, and 70 is the output of the NAND gate 57 controlled by the clock.
The output of NAND gate 58, 71 is the output of NAND gate 62 controlled by the clock, 72 is
Output of NAND gate 59, 73 is output of inverter 60 controlled by clock, 74 is NAND
The output of the gate 63, 75 is the output of the NAND gate 61, 76 is the output of the NAND gate 64,
This is the output of the signal selection circuit 202. 208 is the second
209 is the output of the 1/10 counter.

まず、第8図にもとづいて、本実施例の動作を
説明する。
First, the operation of this embodiment will be explained based on FIG.

第1の制御信号67が“ハイ”レベルでクロツ
クで制御されるインバータ60の出力73が“ハ
イ”レベル、NANDゲート59の出力72が
“ロー”レベルのときは、信号65が選択され、
信号選択回路202の出力76に出力されてい
る。t221のタイミングで第1の制御信号67が
“ロー”レベルとなり、t222のタイミングで1/
2カウンター203の出力208と1/10カウン
タ204の出力209が共に“ハイ”レベルとな
り、第2の制御信号68が“ハイ”レベルとなる
と、クロツクで制御されるNANDゲート57、
および同62の制御クロツク65が“ハイ”レベ
ルになるタイミングt223で、クロツクで制御され
るNANDゲート57の出力69は“ロー”レベ
ル、NANDゲート59の出力72は“ハイ”レ
ベル、62の出力71は“ロー”レベルとなる。
出力信号72が入力に接続されているクロツクで
制御されるインバータ60の出力73は、制御ク
ロツク66が“ハイ”レベルになるタイミング
t224で“ロー”レベルとなる。
When the first control signal 67 is at a "high" level, the output 73 of the clock-controlled inverter 60 is at a "high" level, and the output 72 of the NAND gate 59 is at a "low" level, the signal 65 is selected;
It is output to the output 76 of the signal selection circuit 202. At timing t 221 , the first control signal 67 becomes “low” level, and at timing t 222 , it becomes 1/1.
When the output 208 of the 2 counter 203 and the output 209 of the 1/10 counter 204 both become "high" level, and the second control signal 68 becomes "high" level, the NAND gate 57 controlled by the clock,
At timing t 223 when the control clock 65 of the same 62 becomes "high" level, the output 69 of the NAND gate 57 controlled by the clock is "low" level, the output 72 of the NAND gate 59 is "high" level, and the output 69 of the NAND gate 57 controlled by the clock is "low" level. The output 71 becomes a "low" level.
The output 73 of the inverter 60, which is controlled by the clock to which the output signal 72 is connected, is output at the timing when the control clock 66 goes high.
It becomes “low” level at t 224 .

信号72が“ハイ”レベル、信号73が“ロ
ー”レベルとなるので、信号66が選択されて、
信号選択回路の出力76となり、選択される信号
が信号65から信号66に切換わる。
Since the signal 72 is at the "high" level and the signal 73 is at the "low" level, the signal 66 is selected.
This becomes the output 76 of the signal selection circuit, and the selected signal is switched from signal 65 to signal 66.

タイミングt223からt224の期間は信号72、同
73が共に“ハイ”レベルであり、信号76は
“ハイ”レベルであり、タイミングt224で選択さ
れる信号が信号66に切換わつたとき、信号66
は“ハイ”レベルであるので、信号76は“ハ
イ”レベルとなり、“ハイ”レベルが2度続けて
出力されたことになる。これは第1の1/2カウ
ンター201の入力207を基準にすると、1パ
ルス余分にカウントしたことになる。
During the period from timing t 223 to t 224 , the signals 72 and 73 are both at “high” level, and the signal 76 is at “high” level, and when the signal selected at timing t 224 is switched to signal 66, signal 66
Since the signal 76 is at the "high" level, the signal 76 becomes the "high" level, which means that the "high" level is output twice in succession. This means that one extra pulse is counted based on the input 207 of the first 1/2 counter 201.

タイミングt225で、第2の1/2カウンター2
03の出力208が“ロー”レベルになると、第
2の制御信号68が“ロー”レベルになり、信号
65が“ハイ”レベルなので、信号69が“ハ
イ”レベルとなる。
At timing t 225 , second 1/2 counter 2
When the output 208 of 03 becomes "low" level, the second control signal 68 becomes "low" level, and since the signal 65 is "high" level, the signal 69 becomes "high" level.

次に第9図にもとづいて、信号66から信号6
5への切換動作について説明する。
Next, based on FIG. 9, from signal 66 to signal 6
The switching operation to 5 will be explained.

第1の制御信号67が“ロー”レベルで、クロ
ツクで制御されるインバータ60の出力73が
“ロー”レベルで、NANDゲート59の出力72
が“ハイ”レベルのときは、信号66が選択され
て、信号選択回路の出力76に出力されている。
When the first control signal 67 is at a "low" level, the output 73 of the clock-controlled inverter 60 is at a "low" level, and the output 72 of the NAND gate 59 is at a "low" level.
When is at the "high" level, the signal 66 is selected and output to the output 76 of the signal selection circuit.

t231のタイミングで、第1の制御信号67が
“ハイ”レベルとなり、t232のタイミングで第2
の制御信号68が“ハイ”レベルになつたときを
示す。
At timing t 231 , the first control signal 67 becomes “high” level, and at timing t 232 , the second control signal 67 becomes “high” level.
This shows the time when the control signal 68 of the control signal 68 becomes "high" level.

タイミングt232で信号67,68が共に“ハ
イ”レベルになつたとき、NANDゲート58の
出力70は“ロー”レベルになり、信号65が
“ハイ”レベルなので、クロツクで制御される
NANDゲート62の出力71が“ハイ”レベル
となる。クロツクで制御されるNANDゲート5
7の出力69はすでに“ハイ”レベルなので、各
信号69,71を入力とするNANDゲート59
の出力72が“ロー”レベルとなり、信号66が
“ハイ”レベルとなるタイミングt233でクロツク
で制御されるインバータ60の出力73が“ハ
イ”レベルとなる。信号72が“ロー”レベル、
信号73が“ハイ”レベルとなるので、信号選択
回路202の出力76には、信号65が選択さ
れ、選択される信号が信号66から信号65に切
換わる。
When the signals 67 and 68 both become "high" level at timing t 232 , the output 70 of the NAND gate 58 becomes "low" level, and since the signal 65 is "high" level, it is controlled by the clock.
The output 71 of the NAND gate 62 becomes "high" level. NAND gate 5 controlled by clock
Since the output 69 of 7 is already at the "high" level, the NAND gate 59 which receives each signal 69 and 71 as input
The output 72 of the inverter 60 becomes "low" level, and at timing t233 when the signal 66 becomes "high" level, the output 73 of the inverter 60 controlled by the clock becomes "high" level. Signal 72 is “low” level,
Since the signal 73 becomes "high" level, the signal 65 is selected as the output 76 of the signal selection circuit 202, and the selected signal is switched from the signal 66 to the signal 65.

タイミングt232からt233の期間は信号72,7
3共に“ロー”レベルであり、信号選択回路20
2の出力76は“ロー”レベルとなる。タイミン
グt233で信号66から信号65へ切換わつたと
き、信号65は“ロー”レベルであるので、出力
76は“ロー”レベルとなり、“ロー”レベルが
2度続けて出力されたことになる。
During the period from timing t 232 to t 233 , signals 72 and 7
3 are both at "low" level, and the signal selection circuit 20
The output 76 of 2 becomes a "low" level. When the signal 66 is switched to the signal 65 at timing t 233 , the signal 65 is at the "low" level, so the output 76 becomes the "low" level, meaning that the "low" level is output twice in a row. .

前述の信号65から信号66の切換えのときと
同様、信号66から信号65への切換えのとき、
第1の1/2カウンター201の入力207を基
準にすると1パルス余分にカウントしたことにな
る。
Similar to the switching from signal 65 to signal 66 described above, when switching from signal 66 to signal 65,
Based on the input 207 of the first 1/2 counter 201, one extra pulse is counted.

タイミングt234で、第2の1/2カウンター2
03の出力208が“ロー”レベルになると、第
2の制御信号68が、“ロー”レベルとなり、
NANDゲート58の出力70が“ハイ”レベル
となる。
At timing t 234 , second 1/2 counter 2
When the output 208 of 03 becomes "low" level, the second control signal 68 becomes "low" level,
The output 70 of the NAND gate 58 becomes "high" level.

第7図に示す実施例の系全体としてみると、
1/2カウンターを2個、1/10カウンターを1
個通つており、入力パルス207の1/40の分周
を行なう。しかし、上述のように、信号選択回路
202が、出力を信号65から信号66へ、ある
いは、信号66から信号65へ切換えるたびに、
入力パルス207の1パルス分余分にカウントす
るので、切換えを行なつているときには、入力ク
ロツク信号207の1/41分周を行なう。第1の
制御信号67を“ハイ”レベル、あるいは“ロ
ー”レベルに固定すれば、信号選択回路202は
出力の切換えを行なわず、もつて、この系は分周
比1/40となり、切換える場合には1/41となり
1/40、1/41の係数切換えを行なうことができ
る。
Looking at the entire system of the embodiment shown in FIG.
2 1/2 counters, 1 1/10 counter
The frequency of the input pulse 207 is divided by 1/40. However, as described above, each time the signal selection circuit 202 switches the output from the signal 65 to the signal 66 or from the signal 66 to the signal 65,
Since one extra pulse of the input pulse 207 is counted, the frequency of the input clock signal 207 is divided by 1/41 when switching is performed. If the first control signal 67 is fixed at the "high" level or "low" level, the signal selection circuit 202 will not switch the output, and this system will have a frequency division ratio of 1/40. The coefficient becomes 1/41, and coefficient switching of 1/40 and 1/41 can be performed.

本発明の第1の実施例で述べたように、本発明
の信号選択回路は、高速動作が可能であり、これ
を用いることにより、第2の実施例の2係数分周
器は、入力パルスが高周波の場合においても、良
好に動作するものである。
As described in the first embodiment of the present invention, the signal selection circuit of the present invention is capable of high-speed operation, and by using this, the two-coefficient frequency divider of the second embodiment can It operates well even when the frequency is high.

第10図に第2の実施例をCMOS集積回路で
構成した場合の周波数特性を示す。
FIG. 10 shows frequency characteristics when the second embodiment is constructed using a CMOS integrated circuit.

なお、第1の実施例において、NANDゲート
で構成したが、NORゲートを用いて構成しても
よい。
Note that in the first embodiment, the configuration is made of NAND gates, but it may be configured using NOR gates.

また、第2の実施例において、分周比1/40、
1/41の切換えを行なうカウンターとしたが、任
意の分周比1/N、1/(N+1)(Nは正整数)
の切換えを行なうカウンターとしてもよい。
In addition, in the second embodiment, the frequency division ratio is 1/40,
The counter was designed to switch 1/41, but the arbitrary division ratio 1/N, 1/(N+1) (N is a positive integer)
It may also be a counter that performs switching.

発明の効果 本発明によれば、クロツクで制御される論理ゲ
ートを用いることにより、制御信号を受付けてか
ら、選択される信号の切換えを行なうまでの動作
が、信号の周波数に対して、余裕をもつて行なわ
れるため、高周波の信号でも、選択される信号の
切換えが可能であり、CMOSデバイス等比較的
低速なデバイスを用いても、誤動作することな
く、良好な周波数特性を得ることができ、特に集
積回路に適した、信号選択回路を提供することが
できるものである。
Effects of the Invention According to the present invention, by using a logic gate controlled by a clock, the operation from receiving a control signal to switching the selected signal has a margin with respect to the frequency of the signal. Because this process is performed simultaneously, it is possible to switch the selected signal even with high-frequency signals, and even if relatively slow devices such as CMOS devices are used, good frequency characteristics can be obtained without malfunction. In particular, it is possible to provide a signal selection circuit suitable for integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来の信号選択回路の構成図、第2
図は第1図の従来例のタイミングチヤート、第3
図は第1図の従来例の周波数特性図、第4図は、
本発明の第1の実施例の構成図、第5図、第6図
は本発明の第1の実施例のタイミングチヤート、
第7図は、本発明の第2の実施例の構成図、第8
図、第9図は、本発明の第2の実施例のタイミン
グチヤート、第10図は、本発明の第2の実施例
の周波数特性を示した図である。 51〜54…入力端子、55…出力端子、56
…インバータ、57,62…クロツクで制御され
るNANDゲート、60…クロツクで制御される
インバータ、58,59,61,63,64…
NANDゲート。
Figure 1 is a configuration diagram of a conventional signal selection circuit;
The figure shows the timing chart of the conventional example shown in Fig. 1, and the timing chart of the conventional example shown in Fig. 3.
The figure shows the frequency characteristics of the conventional example shown in Fig. 1, and Fig. 4 shows the frequency characteristics of the conventional example.
The configuration diagram of the first embodiment of the present invention, FIGS. 5 and 6 are timing charts of the first embodiment of the present invention,
FIG. 7 is a block diagram of the second embodiment of the present invention;
9 is a timing chart of the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a diagram showing the frequency characteristics of the second embodiment of the present invention. 51-54...Input terminal, 55...Output terminal, 56
...Inverter, 57, 62... NAND gate controlled by clock, 60... Inverter controlled by clock, 58, 59, 61, 63, 64...
NAND gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 逆位相関係にある第1および第2のクロツク
パルスが印加される入力端子と、第1および第2
の切換制御入力と、第1および第2の論理ゲート
回路と、出力のタイミングが前記第1のクロツク
パルスで制御される第3および第4の論理ゲート
回路と、出力のタイミングが前記第2のクロツク
パルスで制御される第5の論理ゲート回路と、セ
レクタとを具備し、前記第1と第2の切換制御入
力を前記第1の論理ゲート回路の入力に接続し、
前記第1の切換制御入力を位相反転した信号と前
記第2の切換制御入力とを前記第3の論理ゲート
回路の入力に接続し、前記第1の論理ゲート回路
の出力を第4の論理ゲート回路の入力に接続し、
前記第3および第4の論理ゲート回路の出力を前
記第2の論理ゲート回路の入力に接続し、同第2
の論理ゲート回路の出力を前記第5の論理ゲート
回路の入力および前記第4の論理ゲート回路の入
力に接続するとともに、前記セレクタの一方の信
号選択入力にも接続し、前記セレクタの他方の信
号選択入力には、前記第5の論理ゲート回路の出
力を接続し、前記セレクタの被選択信号入力端子
を前記第1および第2のクロツクパルスの入力端
子に接続し、さらに、前記第3および第4の論理
ゲート回路のクロツク制御入力に前記第1のクロ
ツクパルスの入力端子を接続し、前記第5の論理
ゲート回路のクロツク制御入力に前記第2のクロ
ツクパルスの入力端子を接続したことを特徴とす
る信号選択回路。 2 第1、第2、第3および第4の論理ゲート回
路がNANDゲート、第5の論理ゲート回路がイ
ンバータであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の信号選択回路。
[Claims] 1. An input terminal to which first and second clock pulses having an opposite phase relationship are applied;
a switching control input, first and second logic gate circuits, third and fourth logic gate circuits whose output timing is controlled by the first clock pulse, and whose output timing is controlled by the second clock pulse. and a selector, the first and second switching control inputs being connected to the inputs of the first logic gate circuit,
A signal obtained by inverting the phase of the first switching control input and the second switching control input are connected to the input of the third logic gate circuit, and the output of the first logic gate circuit is connected to the fourth logic gate. Connect to the input of the circuit,
The outputs of the third and fourth logic gate circuits are connected to the inputs of the second logic gate circuit;
The output of the logic gate circuit is connected to the input of the fifth logic gate circuit and the input of the fourth logic gate circuit, and also connected to one signal selection input of the selector, and the output of the other logic gate circuit of the selector is connected to the input of the fifth logic gate circuit and the fourth logic gate circuit. The selection input is connected to the output of the fifth logic gate circuit, the selected signal input terminal of the selector is connected to the first and second clock pulse input terminals, and the third and fourth clock pulse input terminals are connected to the selection input. The first clock pulse input terminal is connected to the clock control input of the fifth logic gate circuit, and the second clock pulse input terminal is connected to the clock control input of the fifth logic gate circuit. selection circuit. 2. The signal selection circuit according to claim 1, wherein the first, second, third, and fourth logic gate circuits are NAND gates, and the fifth logic gate circuit is an inverter.
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