JPH0260171A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH0260171A JPH0260171A JP63212905A JP21290588A JPH0260171A JP H0260171 A JPH0260171 A JP H0260171A JP 63212905 A JP63212905 A JP 63212905A JP 21290588 A JP21290588 A JP 21290588A JP H0260171 A JPH0260171 A JP H0260171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- electrode
- interconnector
- welding
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は太陽電池に関し、特に複数の太陽電池素子を
インターコネクタにより接続して用いる太陽電池に関す
るものである。
インターコネクタにより接続して用いる太陽電池に関す
るものである。
第３図は複数の太陽電池素子をインターコネクタで接続
してなる従来の太陽電池を示す断面図である。
してなる従来の太陽電池を示す断面図である。
図において、１は太陽電池素子、２は太陽電池セル、２
ａは受光面、２ｂは裏面、３は受光面２ａ側の電極、４
は裏面２ｂ側の電極、５はＡｇからなるインターコネク
タ、９はＳ ｌ ３ Ｎ４等よりなる反射防止膜、１０
はｐ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、１１はｐ型Ｃ，ａＡｓＪ！、
１２はｎ型ＧａＡｓ層である。
ａは受光面、２ｂは裏面、３は受光面２ａ側の電極、４
は裏面２ｂ側の電極、５はＡｇからなるインターコネク
タ、９はＳ ｌ ３ Ｎ４等よりなる反射防止膜、１０
はｐ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、１１はｐ型Ｃ，ａＡｓＪ！、
１２はｎ型ＧａＡｓ層である。
このような構造の太陽電池セル２中に受光面２ａを通過
して光が入射されると、入射した光はｐ型Ａｎ！ＧａＡ
ｓＪｉｌＯ，ｐ型ＧａＡｓ層１１．及びｎ型ＧａＡｓ１
１２中に光キャリアを生成し、太陽電池セル２中に起電
力を発生する。この発生した起電力は電極３．４を介し
て太陽電池素子ｌの外部に出力される。ここで、所望の
出力を得るためには個々の太陽電池素子ｌの受光面の一
部に設けた外部接続用電極３間をインターコネクタ５を
用いて相互接続することが必要である。
して光が入射されると、入射した光はｐ型Ａｎ！ＧａＡ
ｓＪｉｌＯ，ｐ型ＧａＡｓ層１１．及びｎ型ＧａＡｓ１
１２中に光キャリアを生成し、太陽電池セル２中に起電
力を発生する。この発生した起電力は電極３．４を介し
て太陽電池素子ｌの外部に出力される。ここで、所望の
出力を得るためには個々の太陽電池素子ｌの受光面の一
部に設けた外部接続用電極３間をインターコネクタ５を
用いて相互接続することが必要である。
従来、この外部接続用電極３にインターコネクタ５を接
合する方法としては半田付けが主に用いられてきた。し
かし、このようなインターコネクタ５により太陽電池素
子を相互に接続して形成した太陽電池を例えば人工衛星
に搭載して使用する場合、太陽電池の周囲の温度が大き
く変化することによりインターコネクタ５と電極３の間
にある半田層が熱サイクルによりストレスを受け、それ
により半田自身が変質し、接合部の抵抗値の変化や機械
的強度の低下が生じる等の問題があった。
合する方法としては半田付けが主に用いられてきた。し
かし、このようなインターコネクタ５により太陽電池素
子を相互に接続して形成した太陽電池を例えば人工衛星
に搭載して使用する場合、太陽電池の周囲の温度が大き
く変化することによりインターコネクタ５と電極３の間
にある半田層が熱サイクルによりストレスを受け、それ
により半田自身が変質し、接合部の抵抗値の変化や機械
的強度の低下が生じる等の問題があった。
そこで、これらの問題を回避するために電極３とインタ
ーコネクタ５とを直接溶接して接合する方法がとられて
いる。この溶接方法としてはパラレルギャップ方式と呼
ばれる方法が一般的であり、溶接の際は素子の特性に影
響を与えないこと、例えば、接合部のリークによる出力
の低下を生じないことが必要であり、また、この接合部
の機械的強度は素子強度よりも強いことが望ましい。
ーコネクタ５とを直接溶接して接合する方法がとられて
いる。この溶接方法としてはパラレルギャップ方式と呼
ばれる方法が一般的であり、溶接の際は素子の特性に影
響を与えないこと、例えば、接合部のリークによる出力
の低下を生じないことが必要であり、また、この接合部
の機械的強度は素子強度よりも強いことが望ましい。
上記のような構成の従来の太陽電池において、インター
コネクタ５溶接後の溶接部の４５度引張強度分布を第５
図に示す。ここで、この４５度引張強度とは、第４図に
示すようにインターコネクタ５をインターコネクタ５と
電極３の接合面から４５度持ち上げ、図に示すＦの方向
に引っ張った際にインターコネクタ５が電極３から離れ
る時の力の大きさを表したものである。この試験の結果
、溶接強度は第５図に示すようにバラツキをもって分布
しており、非常に低い強度のものも存在する。
コネクタ５溶接後の溶接部の４５度引張強度分布を第５
図に示す。ここで、この４５度引張強度とは、第４図に
示すようにインターコネクタ５をインターコネクタ５と
電極３の接合面から４５度持ち上げ、図に示すＦの方向
に引っ張った際にインターコネクタ５が電極３から離れ
る時の力の大きさを表したものである。この試験の結果
、溶接強度は第５図に示すようにバラツキをもって分布
しており、非常に低い強度のものも存在する。
このような溶接強度のバラツキの最も大きな原因は、力
の集中が起きることである。即ち、ｐ型ＧａＡｓ層１１
．ｐ型Ａｎ！ＧａＡｓ層ｌＯは液層エピタキシャル成長
法により形成しているので太陽電池セル２の表面が波状
になってしまい、必然的に素子の電極面は平坦にはなら
ず、また、電極３とインターコネクタ５との溶接境界も
一直線にはならない。従って、このような溶接部に引張
力が加わった場合、力は主にインターコネクタ５と電極
３の溶接境界に加わると考えられる。この時の加わる力
の分布は色々なケースが考えられ、極端な場合にはほん
のわずかな面積に力が集中することも有り得る。このよ
うな場合、素子と電極の接合強度が均一に保たれていた
としても狭い面積へ力が集中することによりインターコ
ネクタ５と電極３との溶接強度は低い値を示すことにな
る。そこで、上記の問題点を解消する方法として次の３
点が考えられる。
の集中が起きることである。即ち、ｐ型ＧａＡｓ層１１
．ｐ型Ａｎ！ＧａＡｓ層ｌＯは液層エピタキシャル成長
法により形成しているので太陽電池セル２の表面が波状
になってしまい、必然的に素子の電極面は平坦にはなら
ず、また、電極３とインターコネクタ５との溶接境界も
一直線にはならない。従って、このような溶接部に引張
力が加わった場合、力は主にインターコネクタ５と電極
３の溶接境界に加わると考えられる。この時の加わる力
の分布は色々なケースが考えられ、極端な場合にはほん
のわずかな面積に力が集中することも有り得る。このよ
うな場合、素子と電極の接合強度が均一に保たれていた
としても狭い面積へ力が集中することによりインターコ
ネクタ５と電極３との溶接強度は低い値を示すことにな
る。そこで、上記の問題点を解消する方法として次の３
点が考えられる。
■ 太陽電池素子ｌと電極３の接合強度を高める。
■ 電極３の表面を平坦にする。
■ 電極３自身の強度を高める。
しかし、これら３点にはいずれも下記に示すような問題
点があり、実現することが難しい。
点があり、実現することが難しい。
まず第１の方法、即ち、素子１と外部接続電極３との接
合強度を高める方法は、一般にはシンター等の方法を用
いて相互拡散させることが考えられるが、太陽電池の場
合、放射線照射により発生した結晶欠陥によって光キャ
リアの拡散長が減少しても光キャリアを充分に回収でき
るように、素子の受光面２ａからｐ型ＧａＡｓ層１１と
ｎ型ＧａＡｓ層１２との接合部であるｐｎ接合部までの
深さは浅く形成しであるため、このような構造の素子に
おいて、シンター等により温度を高くすると、電極３を
構成するＴｉやＰｄが光電変換部に入り込んできてｐｎ
接合部でリークを生じ、素子の特性を劣化してしまうと
いう問題がある。
合強度を高める方法は、一般にはシンター等の方法を用
いて相互拡散させることが考えられるが、太陽電池の場
合、放射線照射により発生した結晶欠陥によって光キャ
リアの拡散長が減少しても光キャリアを充分に回収でき
るように、素子の受光面２ａからｐ型ＧａＡｓ層１１と
ｎ型ＧａＡｓ層１２との接合部であるｐｎ接合部までの
深さは浅く形成しであるため、このような構造の素子に
おいて、シンター等により温度を高くすると、電極３を
構成するＴｉやＰｄが光電変換部に入り込んできてｐｎ
接合部でリークを生じ、素子の特性を劣化してしまうと
いう問題がある。
また、上記第２の方法、即ち、電極３の表面の凹凸を平
坦化する方法では、太陽電池においては、電極３の下部
のｐ型／ｌ！ＧａＡ３ＪｉｌＯやｐ型ＧａＡｓ層１１は
液相エピタキシャル成長法によって形成しているため、
表面の凹凸は避は難く、従って、これらの上に形成して
いる電極３の表面の平坦化は難しい。
坦化する方法では、太陽電池においては、電極３の下部
のｐ型／ｌ！ＧａＡ３ＪｉｌＯやｐ型ＧａＡｓ層１１は
液相エピタキシャル成長法によって形成しているため、
表面の凹凸は避は難く、従って、これらの上に形成して
いる電極３の表面の平坦化は難しい。
さらに、上記第３の方法、即ち、電極自身の強度を高め
る方法では、電極３の材質を変えない場合にはその厚み
を厚くする必要があるが、厚くすると素子に加わるスト
レスも増加し、機械的、電気的にも大きな影響が生じて
きて問題である。
る方法では、電極３の材質を変えない場合にはその厚み
を厚くする必要があるが、厚くすると素子に加わるスト
レスも増加し、機械的、電気的にも大きな影響が生じて
きて問題である。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、高くて安定な太陽電池素子とインターコネクタとの
溶接強度を有する太陽電池を提供することを目的とする
。
で、高くて安定な太陽電池素子とインターコネクタとの
溶接強度を有する太陽電池を提供することを目的とする
。
この発明に係る太陽電池は、複数の太陽電池素子をイン
ターコネクタによ°り接続する際に、太陽電池素子の電
極とインターコネクタの間に金属箔を設け、金属箔と電
極との溶接面積を金属箔とインターコネクタとの溶接面
積よりも大きく形成するようにしたものである。
ターコネクタによ°り接続する際に、太陽電池素子の電
極とインターコネクタの間に金属箔を設け、金属箔と電
極との溶接面積を金属箔とインターコネクタとの溶接面
積よりも大きく形成するようにしたものである。
この発明においては、太陽電池素子の電極とインターコ
ネクタの間に金属箔を設け、金属箔と太陽電池素子の電
極との溶接面積が金属箔とインターコネクタとの溶接面
積よりも大きくなるようにしたので、インターコネクタ
から素子の電極に加わる力は金属箔により分散され、ま
た、金属箔が緩衝層として作用し、素子電極の一点に力
が集中するのを防止でき、安定した溶接強度を有するよ
うになる。
ネクタの間に金属箔を設け、金属箔と太陽電池素子の電
極との溶接面積が金属箔とインターコネクタとの溶接面
積よりも大きくなるようにしたので、インターコネクタ
から素子の電極に加わる力は金属箔により分散され、ま
た、金属箔が緩衝層として作用し、素子電極の一点に力
が集中するのを防止でき、安定した溶接強度を有するよ
うになる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例による太陽電池を第３
図と同一符号は同一部分を示し、６は外部接続用電極３
とインターコネクタ５との間に設けられたＡｇ箔、７は
インターコネクタ５とＡｇ箔６との溶接部、８はＡｇ箔
６は電極３との溶接部である。
図と同一符号は同一部分を示し、６は外部接続用電極３
とインターコネクタ５との間に設けられたＡｇ箔、７は
インターコネクタ５とＡｇ箔６との溶接部、８はＡｇ箔
６は電極３との溶接部である。
次に製造方法について説明する。
約１８０ μｍ−３００、＋７ ｒｎの厚さのｎ型Ｇａ
Ａｓ層１２上に液層エピタキシャル成長法によりｐ型Ｇ
ａＡｓ層１１を約０．５ 、ｃｚｍ、 ｐ型Ａｊ！Ｇ
ａＡｓ層１０を約５００人の膜厚に順次形成し、次いで
ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１０の表面に化学的気相
成長法（ＣＶＤ）あるいはスバフタ法によりＳｉ、Ｎ、
よりなる反射防止膜９を設けた後、この反射防止膜９及
びｐ型ＡｆｆＧａＡｓ層１０にエツチングによりコンタ
クトホールを形成し、蒸着法あるいはスバ・７タ法等に
より外部接続用電極であるＴ ｉ （５００人）／ Ｐ
ｄ （５０人）／Ａ ｇ （４〜５ μｍ）からなる
電極３を形成するとともに太陽電池セルの裏面２ ｂ
（ｊ＋１にＡｕＧｅ／ Ｎｉ／ Ａｕ （３層で〜１
μｍ）／Ａｇ（４〜５μｍ）からなる電極４を形成する
０次に、太陽電池素子ｌとインターコネクタ５とをパラ
レルギャップ方式により溶接し、太陽電池を複数個接続
する工程においては、まず、素子の電極３上に少なくと
も５μｍ、好ましくは１０μｍ〜５０μｍの膜厚を有す
るＡｇ箔６を溶接し、その後、このＡｇ箔６上にインタ
ーコネクタ５を溶接する。
Ａｓ層１２上に液層エピタキシャル成長法によりｐ型Ｇ
ａＡｓ層１１を約０．５ 、ｃｚｍ、 ｐ型Ａｊ！Ｇ
ａＡｓ層１０を約５００人の膜厚に順次形成し、次いで
ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層１０の表面に化学的気相
成長法（ＣＶＤ）あるいはスバフタ法によりＳｉ、Ｎ、
よりなる反射防止膜９を設けた後、この反射防止膜９及
びｐ型ＡｆｆＧａＡｓ層１０にエツチングによりコンタ
クトホールを形成し、蒸着法あるいはスバ・７タ法等に
より外部接続用電極であるＴ ｉ （５００人）／ Ｐ
ｄ （５０人）／Ａ ｇ （４〜５ μｍ）からなる
電極３を形成するとともに太陽電池セルの裏面２ ｂ
（ｊ＋１にＡｕＧｅ／ Ｎｉ／ Ａｕ （３層で〜１
μｍ）／Ａｇ（４〜５μｍ）からなる電極４を形成する
０次に、太陽電池素子ｌとインターコネクタ５とをパラ
レルギャップ方式により溶接し、太陽電池を複数個接続
する工程においては、まず、素子の電極３上に少なくと
も５μｍ、好ましくは１０μｍ〜５０μｍの膜厚を有す
るＡｇ箔６を溶接し、その後、このＡｇ箔６上にインタ
ーコネクタ５を溶接する。
ここで、電極３とＡｇ箔６との溶接部８は、インターコ
ネクタ５とＡｇ箔６との溶接部７より大きく、その面積
比はおよそ３対１になるようにする。
ネクタ５とＡｇ箔６との溶接部７より大きく、その面積
比はおよそ３対１になるようにする。
次に、第２図に本発明の一実施例による太陽電池素子の
電極３とインターコネクタ５との溶接部の４５度引張強
度試験の結果を示す。試験の方法は従来例で述べた方法
と全（同様である。図かられかるように、Ａｇ箔６を予
め溶接しておいた場合の強度分布は非常に高い強度に集
中しており安定している。つまり、第１図に示すように
Ａｇ箔６と電極３とを、予めインターコネクタ５とＡｇ
箔６との溶接面積より広い面積で溶接しておくことによ
りインターコネクタ５からの力をＡｇ箔６により分散で
き、従って、素子の電極３の溶接部に加わる力をも分散
でき、ひいては素子とインターコネクタ５との溶接強度
を高（、安定化させることができる。
電極３とインターコネクタ５との溶接部の４５度引張強
度試験の結果を示す。試験の方法は従来例で述べた方法
と全（同様である。図かられかるように、Ａｇ箔６を予
め溶接しておいた場合の強度分布は非常に高い強度に集
中しており安定している。つまり、第１図に示すように
Ａｇ箔６と電極３とを、予めインターコネクタ５とＡｇ
箔６との溶接面積より広い面積で溶接しておくことによ
りインターコネクタ５からの力をＡｇ箔６により分散で
き、従って、素子の電極３の溶接部に加わる力をも分散
でき、ひいては素子とインターコネクタ５との溶接強度
を高（、安定化させることができる。
なお、上記実施例では電極３とインターコネクタ５との
間に設ける金属箔６にＡｇ箔を用いたが、この金属箔６
はＡｕ箔等でも良く、この場合においても上記実施例と
同様の効果を奏する。
間に設ける金属箔６にＡｇ箔を用いたが、この金属箔６
はＡｕ箔等でも良く、この場合においても上記実施例と
同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、太陽電池素子の外部接
続用の電極とインターコネクタの間に金。
続用の電極とインターコネクタの間に金。
属箔を介在させ、金属箔と電極との溶接面積が金属箔と
インターコネクタとの溶接面積よりも大きくなるように
したので、素子電極の接合強度や面状態に問題がある場
合においても、強く、安定した太陽電池素子とインター
コネクタとの溶接強度を得ることができ、信頼性の高い
太陽電池を提供できる効果がある。
インターコネクタとの溶接面積よりも大きくなるように
したので、素子電極の接合強度や面状態に問題がある場
合においても、強く、安定した太陽電池素子とインター
コネクタとの溶接強度を得ることができ、信頼性の高い
太陽電池を提供できる効果がある。
第１図（ａｌは本発明の一実施例による太陽電池の平面
図、第１図（ｂ）は本発明の一実施例による太陽電池の
断面図、第１図＋Ｃ）は本発明の一実施例による太陽電
池の斜視図、第２図は本発明の一実施例による太陽電池
素子の外部接続用電極とインターコネクタとの４５度引
張強度分布を示した図、第３図は従来の太陽電池の断面
図、第４図は従来の太陽電池の４５度引張強度の試験の
様子を示した図、第５図は従来の太陽電池の外部接続用
電極とインターコネクタとの４５度引張強度分布を示し
た図である。 図において、ｌは太陽電池素子、２は太陽電池セル、２
ａは受光面、２ｂは裏面、３は受光面２ａ側の電極、４
は裏面２ｂ側の電極、５はインターコネクタ、６はＡｇ
箔、７はインターコネクタ５とＡｇ箔６との溶接部、８
はＡｇ箔６と電極３との溶接部、９は反射防止膜、ＩＯ
はｐ型ＡＩＧａＡｓｊｌｉ、１１はｐ型ＧａＡｓ層、１
２はｎ型ＧａＡｓ層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
図、第１図（ｂ）は本発明の一実施例による太陽電池の
断面図、第１図＋Ｃ）は本発明の一実施例による太陽電
池の斜視図、第２図は本発明の一実施例による太陽電池
素子の外部接続用電極とインターコネクタとの４５度引
張強度分布を示した図、第３図は従来の太陽電池の断面
図、第４図は従来の太陽電池の４５度引張強度の試験の
様子を示した図、第５図は従来の太陽電池の外部接続用
電極とインターコネクタとの４５度引張強度分布を示し
た図である。 図において、ｌは太陽電池素子、２は太陽電池セル、２
ａは受光面、２ｂは裏面、３は受光面２ａ側の電極、４
は裏面２ｂ側の電極、５はインターコネクタ、６はＡｇ
箔、７はインターコネクタ５とＡｇ箔６との溶接部、８
はＡｇ箔６と電極３との溶接部、９は反射防止膜、ＩＯ
はｐ型ＡＩＧａＡｓｊｌｉ、１１はｐ型ＧａＡｓ層、１
２はｎ型ＧａＡｓ層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数の太陽電池素子をインターコネクタにより接
続してなる太陽電池において、 上記太陽電池素子の電極とインターコネクタとの間に金
属箔を設け、該金属箔と上記電極との溶接面積が上記金
属箔とインターコネクタとの溶接面積よりも大きくなる
ようにしたことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63212905A JPH0260171A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 太陽電池 |
| DE89307778T DE68910905T2 (de) | 1988-08-26 | 1989-07-31 | Sonnenzelle. |
| EP89307778A EP0356033B1 (en) | 1988-08-26 | 1989-07-31 | Solar cell device |
| US07/388,381 US5009721A (en) | 1988-08-26 | 1989-08-02 | Solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63212905A JPH0260171A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260171A true JPH0260171A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16630227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63212905A Pending JPH0260171A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 太陽電池 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5009721A (ja) |
| EP (1) | EP0356033B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0260171A (ja) |
| DE (1) | DE68910905T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173873A (ja) * | 2007-03-27 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 太陽電池素子及び太陽電池モジュール |
| CN102400507A (zh) * | 2011-11-16 | 2012-04-04 | 广东金刚幕墙工程有限公司 | 一种背栓幕墙的装饰线条系统 |
| CN104505416A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-08 | 魏磊 | 铜箔螺旋绕包型太阳能电池光伏焊带 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661082A (en) * | 1995-01-20 | 1997-08-26 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a bond pad |
| US5590495A (en) * | 1995-07-06 | 1997-01-07 | Bressler Group Inc. | Solar roofing system |
| JP3543297B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2004-07-14 | 田中貴金属工業株式会社 | 太陽電池専用インターコネクタ材料からなる太陽電池及びその製造方法 |
| JP2006089815A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 太陽電池のインターコネクタ用材料 |
| US8884157B2 (en) | 2012-05-11 | 2014-11-11 | Epistar Corporation | Method for manufacturing optoelectronic devices |
| US11527611B2 (en) | 2020-11-09 | 2022-12-13 | The Aerospace Corporation | Method of forming nanowire connects on (photovoltiac) PV cells |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1333593A (en) * | 1971-04-19 | 1973-10-10 | British Aircraft Corp Ltd | Solar cell matrices |
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