JPH0287582A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH0287582A JPH0287582A JP63239520A JP23952088A JPH0287582A JP H0287582 A JPH0287582 A JP H0287582A JP 63239520 A JP63239520 A JP 63239520A JP 23952088 A JP23952088 A JP 23952088A JP H0287582 A JPH0287582 A JP H0287582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- upper electrode
- solar cell
- interconnector
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＳｔ基板上に形成されたＧａＡｓ太陽電池に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術〕
第３図は従来のＳｔ基板上のＧａＡｓ太陽電池の構造を
示す図であり、図において、■は第１の導電型のＳｉ基
板、２は第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、３
は第２の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、４は第２
の導電型のＡＪっＧａ１□Ａｓ窓層、５は反射防止膜、
６°は上部電極、７は下部電極、８はインタコネクタで
ある。
示す図であり、図において、■は第１の導電型のＳｉ基
板、２は第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、３
は第２の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、４は第２
の導電型のＡＪっＧａ１□Ａｓ窓層、５は反射防止膜、
６°は上部電極、７は下部電極、８はインタコネクタで
ある。
この従来の太陽電池は第１の導電型のＳｉ基板１の上に
第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層２が設けられ
、その上に第２の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層３
が設けられてｐｎ接合が形成されている。さらにその上
には第２の導電型のＡｌｘＧａ、−、Ａｓ窓層４および
反射防止膜５が設けられているが、それらの一部はエツ
チング除去されてボンタクトホールが形成されている。
第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層２が設けられ
、その上に第２の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層３
が設けられてｐｎ接合が形成されている。さらにその上
には第２の導電型のＡｌｘＧａ、−、Ａｓ窓層４および
反射防止膜５が設けられているが、それらの一部はエツ
チング除去されてボンタクトホールが形成されている。
そして、このコンタクトホール内には上部電極６′が設
けられ、Ｓｉ基板１の下部には下部電極７が設けられて
いる。さらに、２個以上の太陽電池セルを接続するため
のインタコネクタ８が上部電極６′および下部電極７に
電気熔接されている。
けられ、Ｓｉ基板１の下部には下部電極７が設けられて
いる。さらに、２個以上の太陽電池セルを接続するため
のインタコネクタ８が上部電極６′および下部電極７に
電気熔接されている。
従来のＳｔ基板上のＧａＡｓ太陽電池は以上のように構
成されているので、インタコネクタ８を上部電極６′に
電気熔接する際に、熱ストレスによって活性領域である
ごく薄い（３〜５μｍ） ＧａＡｓエピタキシャル層２
，３に割れが生じるなどして特性が劣化するという問題
点があった。
成されているので、インタコネクタ８を上部電極６′に
電気熔接する際に、熱ストレスによって活性領域である
ごく薄い（３〜５μｍ） ＧａＡｓエピタキシャル層２
，３に割れが生じるなどして特性が劣化するという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、特性を劣化させることなく、インタコネクタ
を上部電極に電気熔接することのできるＳｉ基板上のＧ
ａＡｓ太陽電池を得ることを目的とする。
たもので、特性を劣化させることなく、インタコネクタ
を上部電極に電気熔接することのできるＳｉ基板上のＧ
ａＡｓ太陽電池を得ることを目的とする。
この発明に係るＳｉ基板上のＧａＡｓ太陽電池は上部電
極のインタコネクタを電気熔接する部分を、素子の外側
領域に突き出して設けたものである。
極のインタコネクタを電気熔接する部分を、素子の外側
領域に突き出して設けたものである。
この発明におけるＳｉ基板上のＧａＡｓ太陽電池は、上
部電極のインタコネクタを電気熔接する部分を素子の外
側領域に突き出して設けたから、インタコネクタを上部
電極に電気熔接する際にも、熱ストレスによって活性領
域であるごく薄いＧａＡｓエビタキンヤル層に割れが生
じるなどして特性が劣化するということがない。
部電極のインタコネクタを電気熔接する部分を素子の外
側領域に突き出して設けたから、インタコネクタを上部
電極に電気熔接する際にも、熱ストレスによって活性領
域であるごく薄いＧａＡｓエビタキンヤル層に割れが生
じるなどして特性が劣化するということがない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は第１の導電型のＳｉ基板、２は第
１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、３は第２の導
電型のＧａ Ａ ｓエピタキシャル層、４は第２の導電
型のＡＡ、Ｇａ、−、Ａｓ窓層、５は反射防止膜、６は
上部電極、７は下部電極、８はインタコネクタである。
１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層、３は第２の導
電型のＧａ Ａ ｓエピタキシャル層、４は第２の導電
型のＡＡ、Ｇａ、−、Ａｓ窓層、５は反射防止膜、６は
上部電極、７は下部電極、８はインタコネクタである。
本実施例の太陽電池においては、第１の導電型のＳｉ基
板１の上に第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層２
が設けられ、その上に第２の導電型のＧａＡｓエピタキ
シャル層３が設けられてｐｎ接合が形成されている。さ
らにその上には第２の導電型のＡｊ２ＸＧａ、−、Ａｓ
窓層４および反射防止膜５が設けられているが、それら
の一部はエツチング除去されてコンタクトホールが形成
されている。そしてこのコンタクトホール内には上部電
極６が設けられているが、該上部電極６はそのインタコ
ネクタを電気熔接する部分が素子の外側領域に突き出し
て設けられている。さらにＳｉ基板１の下部には下部電
極７が設けられ、２個以上の太陽電池セルを接続するた
めのインタコネクタ８が、下部電極６の素子の外側領域
に突き出した部分、及び下部電極７に電気熔接されて接
続されている。
板１の上に第１の導電型のＧａＡｓエピタキシャル層２
が設けられ、その上に第２の導電型のＧａＡｓエピタキ
シャル層３が設けられてｐｎ接合が形成されている。さ
らにその上には第２の導電型のＡｊ２ＸＧａ、−、Ａｓ
窓層４および反射防止膜５が設けられているが、それら
の一部はエツチング除去されてコンタクトホールが形成
されている。そしてこのコンタクトホール内には上部電
極６が設けられているが、該上部電極６はそのインタコ
ネクタを電気熔接する部分が素子の外側領域に突き出し
て設けられている。さらにＳｉ基板１の下部には下部電
極７が設けられ、２個以上の太陽電池セルを接続するた
めのインタコネクタ８が、下部電極６の素子の外側領域
に突き出した部分、及び下部電極７に電気熔接されて接
続されている。
このような本実施例の太陽電池では、上部電極のインタ
コネクタを接続する部分を素子の外側領域に突き出して
設けたので、インタコネクタを上部電極に電気熔接する
際にも、熱ストレスによって活性領域であるごく薄いＧ
ａＡｓエピタキシャル層に割れが生じるなどして特性が
劣化するということがない。さらに素子の面積の２〜３
％の領域を占める上部電極のインタコネクタ接続部を素
子の外側領域に設けたので、素子の有効受光面積が増加
し、実効効率をも改善できる。
コネクタを接続する部分を素子の外側領域に突き出して
設けたので、インタコネクタを上部電極に電気熔接する
際にも、熱ストレスによって活性領域であるごく薄いＧ
ａＡｓエピタキシャル層に割れが生じるなどして特性が
劣化するということがない。さらに素子の面積の２〜３
％の領域を占める上部電極のインタコネクタ接続部を素
子の外側領域に設けたので、素子の有効受光面積が増加
し、実効効率をも改善できる。
次に本実施例による太陽電池セルをウェハから切り出す
方法の一例につき、第２図を用いて説明する。本実施例
による太陽電池セルは上部電極６の一部が太陽電池セル
領域１０ａの外側の、外側領域１０ｂに突き出して設け
られているので、ウェハのセル外側領域１０ｂに突き出
した上部電極６だけを残して、第２図（ａ）のハツチン
グ部分を裏面からエツチング除去することによりウェハ
から個々のセルを切り出すことができる。
方法の一例につき、第２図を用いて説明する。本実施例
による太陽電池セルは上部電極６の一部が太陽電池セル
領域１０ａの外側の、外側領域１０ｂに突き出して設け
られているので、ウェハのセル外側領域１０ｂに突き出
した上部電極６だけを残して、第２図（ａ）のハツチン
グ部分を裏面からエツチング除去することによりウェハ
から個々のセルを切り出すことができる。
以上のように、この発明にかかる太陽電池によれば、上
部電極のインタコネクタを接続する部分を素子の外側領
域に突き出して設けるように構成したので、熱ストレス
によって活性領域であるごく薄いエピタキシャル層に割
れが生じるなどして特性が劣化するという問題点なしに
、インタコネクタを上部電極に電気熔接することができ
る。さらに素子の面積の２〜３％の領域を占める上部電
極のインタコネクタ接続部を素子の外側領域に設けたの
で、素子の有効受光面積が増加し、実効効率を改善でき
るという効果がある。
部電極のインタコネクタを接続する部分を素子の外側領
域に突き出して設けるように構成したので、熱ストレス
によって活性領域であるごく薄いエピタキシャル層に割
れが生じるなどして特性が劣化するという問題点なしに
、インタコネクタを上部電極に電気熔接することができ
る。さらに素子の面積の２〜３％の領域を占める上部電
極のインタコネクタ接続部を素子の外側領域に設けたの
で、素子の有効受光面積が増加し、実効効率を改善でき
るという効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）はこの発明の一実施例によるＳ
ｉ基板上のＧａＡｓ太陽電池を示す断面図及び平面図、
第２図（ａｌ及び（ｂ）はこの発明による太陽電池セル
をウェハから切り出す方法の一例を示す断面図及び平面
図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来のＳｉ基板上のＧａ
Ａｓ太陽電池を示す断面図及び平面図である。 図中、１は第１導電型のＳｉ基板、２は第１導電型のＧ
ａＡｓエビタキンヤル層、３は第２導電型のＧａＡｓエ
ピタキシャル層、４は第２導電型のＡｌつＱａ、□Ａｓ
窓層、５は反射防止膜、６は上部電極、７は下部電極、
８はインタコネクタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ｉ基板上のＧａＡｓ太陽電池を示す断面図及び平面図、
第２図（ａｌ及び（ｂ）はこの発明による太陽電池セル
をウェハから切り出す方法の一例を示す断面図及び平面
図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来のＳｉ基板上のＧａ
Ａｓ太陽電池を示す断面図及び平面図である。 図中、１は第１導電型のＳｉ基板、２は第１導電型のＧ
ａＡｓエビタキンヤル層、３は第２導電型のＧａＡｓエ
ピタキシャル層、４は第２導電型のＡｌつＱａ、□Ａｓ
窓層、５は反射防止膜、６は上部電極、７は下部電極、
８はインタコネクタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）太陽電池において、 上部電極のインタコネクタを接続する部分が、素子の外
側領域に突き出して設けられていることを特徴とする太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239520A JPH0287582A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239520A JPH0287582A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287582A true JPH0287582A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17046022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239520A Pending JPH0287582A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287582A (ja) |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239520A patent/JPH0287582A/ja active Pending
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