JPH0260228A - 熱遮断回路を有するドライブ回路 - Google Patents
熱遮断回路を有するドライブ回路Info
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- JPH0260228A JPH0260228A JP63211516A JP21151688A JPH0260228A JP H0260228 A JPH0260228 A JP H0260228A JP 63211516 A JP63211516 A JP 63211516A JP 21151688 A JP21151688 A JP 21151688A JP H0260228 A JPH0260228 A JP H0260228A
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- Japan
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- circuit
- drive circuit
- transistor
- collector
- drive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分升］
この発明は、熱遮断回路（以下サーマルシャットダウン
回路）を有するドライブ回路に関し、詳しくは、ＩＣチ
ップの異常な温度−ヒ昇を検知してＩＣ内部のドライブ
回路の動作を停止トさせるサーマルシャットダウン回路
の改良に関する。
回路）を有するドライブ回路に関し、詳しくは、ＩＣチ
ップの異常な温度−ヒ昇を検知してＩＣ内部のドライブ
回路の動作を停止トさせるサーマルシャットダウン回路
の改良に関する。
［従来の技術］
従来のドライブ回路等を含むＩＣでは、ＩＣチップの異
常な温度Ｌ５’ｉ’によるＩＣの破壊、ＩＣを搭載した
基板等の発熱１発火、そしてその周辺回路の破壊、制御
対象となる機構の破損等を防ぐために、ＩＣの中に保護
回路の１つとしてサーマルシャットダウン回路が組込ま
れている。
常な温度Ｌ５’ｉ’によるＩＣの破壊、ＩＣを搭載した
基板等の発熱１発火、そしてその周辺回路の破壊、制御
対象となる機構の破損等を防ぐために、ＩＣの中に保護
回路の１つとしてサーマルシャットダウン回路が組込ま
れている。
このサーマルシャットダウン回路としては、■Ｃ化され
るドライブ回路、その駆動回路等と同時に集積化された
トランジスタを温度検出素子としテ利用シ、そのベース
−エミッタ間の電圧が温度に依存することにより高温状
態を検出し、遮断信号を発生するようなものである。
るドライブ回路、その駆動回路等と同時に集積化された
トランジスタを温度検出素子としテ利用シ、そのベース
−エミッタ間の電圧が温度に依存することにより高温状
態を検出し、遮断信号を発生するようなものである。
第３図は、このような従来のサーマルシャットダウン回
路の一例を示していて、そのトランジスタＴｒが温度検
出用のＮＰＨのトランジスタであって、バイアス抵抗Ｒ
ｔ ＊ Ｒ２により、トランジスタＴｒのベース−エミ
ッタ間の電圧が、例えば、０．４Ｖ程度に設定されてい
る。
路の一例を示していて、そのトランジスタＴｒが温度検
出用のＮＰＨのトランジスタであって、バイアス抵抗Ｒ
ｔ ＊ Ｒ２により、トランジスタＴｒのベース−エミ
ッタ間の電圧が、例えば、０．４Ｖ程度に設定されてい
る。
通常、回路が動作する温度範囲、例えば、０℃〜８０℃
程度の範囲では、ＮＰＮ）ランジスタＴｒが動作するた
めのベース−エミッタ間の電圧は０．７Ｖ前後であるた
め、ベース−エミッタ間の電圧が前記のような０．４Ｖ
程度のバイアス状態に設定されているときにあっては、
トランジスタＴｒは“ＯＮ”状態とはならない。しかし
、トランジスタＴｒの温度が１５０℃程度になると、こ
れが動作するベース−エミッタ間の電圧は０．４ｖ近辺
にまで低ドして来る。
程度の範囲では、ＮＰＮ）ランジスタＴｒが動作するた
めのベース−エミッタ間の電圧は０．７Ｖ前後であるた
め、ベース−エミッタ間の電圧が前記のような０．４Ｖ
程度のバイアス状態に設定されているときにあっては、
トランジスタＴｒは“ＯＮ”状態とはならない。しかし
、トランジスタＴｒの温度が１５０℃程度になると、こ
れが動作するベース−エミッタ間の電圧は０．４ｖ近辺
にまで低ドして来る。
そこで、ＮＰＮトランジスタＴｒが検出温度として設定
される温度、例えば、１８０℃となったときには、トラ
ンジスタＴｒが“ＯＮ”状態となり、エミッタフォロア
のＰＮＰ）ランジスタＴｒｌを“ＯＮ”させて、その負
荷抵抗Ｒ３に温度検出信号が得られる。これがトランジ
スタＴｒ２＊Ｔｒ３等を介して機能停止が必要なドライ
ブ回路に遮断信号として出力（ＯＵＴｌ、０ＵＴ２から
出力）され、それぞれのドライブ回路に加えられてその
回路の動作が停１）、させられる。
される温度、例えば、１８０℃となったときには、トラ
ンジスタＴｒが“ＯＮ”状態となり、エミッタフォロア
のＰＮＰ）ランジスタＴｒｌを“ＯＮ”させて、その負
荷抵抗Ｒ３に温度検出信号が得られる。これがトランジ
スタＴｒ２＊Ｔｒ３等を介して機能停止が必要なドライ
ブ回路に遮断信号として出力（ＯＵＴｌ、０ＵＴ２から
出力）され、それぞれのドライブ回路に加えられてその
回路の動作が停１）、させられる。
［解決しようとする課題］
しかしながら、サーマルシャットダウン制御の対象とな
るドライブ回路が高温度になるとその回路のトランジス
タは、コレクタ−エミッタ間にリーク電流が生じて、サ
ーマルシャットダウン回路が動作する以前に、ドライブ
回路が設定された温度以ドの範囲で誤動作して事故を起
こす危険性が高（、シかも、各ドライブ回路のこのよう
な誤動作の温度にはばらつきがある。
るドライブ回路が高温度になるとその回路のトランジス
タは、コレクタ−エミッタ間にリーク電流が生じて、サ
ーマルシャットダウン回路が動作する以前に、ドライブ
回路が設定された温度以ドの範囲で誤動作して事故を起
こす危険性が高（、シかも、各ドライブ回路のこのよう
な誤動作の温度にはばらつきがある。
また、このようなサーマルシャットダウン回路は、周囲
の温度環境に敏感に反応して確実に動作しなければなら
ないことからコレクタ−エミッタ間のリーク電流が発生
し難い□ような回路配装置が特別に必要とされ、回路設
計」−から所定の高温で確実に動作するような位置にサ
ーマルシャットダウン回路が形成されるように配：慮す
ることが不可欠である。
の温度環境に敏感に反応して確実に動作しなければなら
ないことからコレクタ−エミッタ間のリーク電流が発生
し難い□ような回路配装置が特別に必要とされ、回路設
計」−から所定の高温で確実に動作するような位置にサ
ーマルシャットダウン回路が形成されるように配：慮す
ることが不可欠である。
さらに、このようにトランジスタのベース−エミッタ間
のパイアズ設定に・より温度検出を杼うサーマルシャッ
トダウン回路では、ドライブ回路の特性のばらつきを含
めて回路が誤動作をする以前にサーマルシャットダウン
回路を動作させようとしても、そのバイアス設定自体に
ばらつきがあるために細かな設定ができず、そのバイア
ス点の選択で誤動作を吸収することはなかなか難しい。
のパイアズ設定に・より温度検出を杼うサーマルシャッ
トダウン回路では、ドライブ回路の特性のばらつきを含
めて回路が誤動作をする以前にサーマルシャットダウン
回路を動作させようとしても、そのバイアス設定自体に
ばらつきがあるために細かな設定ができず、そのバイア
ス点の選択で誤動作を吸収することはなかなか難しい。
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、サーマルシャツＩ・ダウン制御の対象とな
るドライブ回路が誤動作する以前に温度検出信号を発生
させることができ、かつその回路のレイアウトが容易な
熱遮断回路を有するドライブ回路を提供することをＬ１
的とする。
のであって、サーマルシャツＩ・ダウン制御の対象とな
るドライブ回路が誤動作する以前に温度検出信号を発生
させることができ、かつその回路のレイアウトが容易な
熱遮断回路を有するドライブ回路を提供することをＬ１
的とする。
［課題を解決するための手段］
このような［１的を達成するためのこの発明の熱遮断回
路を有するドライブ回路がドライブ回路と、熱遮断回路
とが１チップの中に集積され、熱遮断回路がベース側が
オープン又は非常に高いインピーダンスに接続されたト
ランジスタのコレクタ−エミッタ間に電圧をカ、け、こ
のコレクタ−エミッタ間のリーク電流を検出することに
より所定の温度状態において遮断信号を発生し、この遮
断信号がドライブ回路に供給□されてその動作が停＋Ｌ
するものである。
路を有するドライブ回路がドライブ回路と、熱遮断回路
とが１チップの中に集積され、熱遮断回路がベース側が
オープン又は非常に高いインピーダンスに接続されたト
ランジスタのコレクタ−エミッタ間に電圧をカ、け、こ
のコレクタ−エミッタ間のリーク電流を検出することに
より所定の温度状態において遮断信号を発生し、この遮
断信号がドライブ回路に供給□されてその動作が停＋Ｌ
するものである。
［作用コ
このように、トランジスタのコレクタ−エミッタ間に電
圧をかけてそのリーク電流を検出することで所定の温度
におけるサーマルシャットダウンのための遮断信号を得
るようにしているので、す−マルシャ・ノドダウン制御
の対象となるドライブ回路のコレクタ−エミッタ間のリ
ーク電流による誤動作条件と、サーマルシャットダウン
の検出回路の温度検出をする条Ｐ１とが同じリーク電流
によることになる。そこで、ドライブ回路に、誤動作が
発生しないようなリーク電流の範囲においてサーマルシ
ャットダウンの遮断信号を発生させることができる。
圧をかけてそのリーク電流を検出することで所定の温度
におけるサーマルシャットダウンのための遮断信号を得
るようにしているので、す−マルシャ・ノドダウン制御
の対象となるドライブ回路のコレクタ−エミッタ間のリ
ーク電流による誤動作条件と、サーマルシャットダウン
の検出回路の温度検出をする条Ｐ１とが同じリーク電流
によることになる。そこで、ドライブ回路に、誤動作が
発生しないようなリーク電流の範囲においてサーマルシ
ャットダウンの遮断信号を発生させることができる。
その結果、リーク電流によりドライブ回路が誤動作を開
始する以前にサーマルシャットダウンさせることができ
、かつサーマルシャットダウンの温度検出がコレクタ−
エミッタ間のリーク電流によっているので、サーマルシ
ャットダウン回路をどこの位置に配置しても、熱の伝達
だけを考慮すればよく、比較的自由にそのレイアウトを
行うことができる。
始する以前にサーマルシャットダウンさせることができ
、かつサーマルシャットダウンの温度検出がコレクタ−
エミッタ間のリーク電流によっているので、サーマルシ
ャットダウン回路をどこの位置に配置しても、熱の伝達
だけを考慮すればよく、比較的自由にそのレイアウトを
行うことができる。
なお、温度検出の対象となるコレクタ−エミッタ間のリ
ーク電流値は、温度検出を行うトランジスタの受熱環境
と温度制御対象となるドライブ回路が置かれている温度
環境とで決定されるので、ｉｌ！、１度検出用のトラン
ジスタの受熱条件を大きく採れば、検出リーク電流値全
体を人き（することができ、また、温度検出用のトラン
ジスタを複数個並列に接続すればそれだけ大きなリーク
電流が得られる。
ーク電流値は、温度検出を行うトランジスタの受熱環境
と温度制御対象となるドライブ回路が置かれている温度
環境とで決定されるので、ｉｌ！、１度検出用のトラン
ジスタの受熱条件を大きく採れば、検出リーク電流値全
体を人き（することができ、また、温度検出用のトラン
ジスタを複数個並列に接続すればそれだけ大きなリーク
電流が得られる。
［実施例コ
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、この発明の熱遮断回路を有するドライブ回路
を適用した場合の−・実施例のプロ・ツク図であり、第
２図は、その他の実施例のプロ・ツク図である。
を適用した場合の−・実施例のプロ・ツク図であり、第
２図は、その他の実施例のプロ・ツク図である。
第１図において、ｌは、サーマルシャットダウン回路で
あって、モータとか、アクチュエータ笠をドライブする
ドライバ段を含むドライブ回路２が所定以」−の高温状
幅になったときに、これに遮断信号を送出してドライブ
回路２の動作を停市させる作用をする。
あって、モータとか、アクチュエータ笠をドライブする
ドライバ段を含むドライブ回路２が所定以」−の高温状
幅になったときに、これに遮断信号を送出してドライブ
回路２の動作を停市させる作用をする。
ドライブ回路２は、ここでは、ＤＣモータＭを駆動する
回路であって、Ｉ）ＣモータＭのコイルに対して直列に
接続されていたパラレル接続の複数のＮＰＮトランジス
タＱ ／２１ Ｑ ／２９ ・・・をそのドライバと
して自゛している。このドライバの駆動動作に応じてｌ
） ＣモータＭは、その電流値が決定され、回転速度或
いはそのトルクが制御される。
回路であって、Ｉ）ＣモータＭのコイルに対して直列に
接続されていたパラレル接続の複数のＮＰＮトランジス
タＱ ／２１ Ｑ ／２９ ・・・をそのドライバと
して自゛している。このドライバの駆動動作に応じてｌ
） ＣモータＭは、その電流値が決定され、回転速度或
いはそのトルクが制御される。
パラレル接続された複数のトランジスタＱ／２゜Ｑ／２
． ・・・のベースは、共通にドライブ回路２の人、
力端子２ａに接続されていて、モータ駆動制御回路３の
出力を受けて制御される。
． ・・・のベースは、共通にドライブ回路２の人、
力端子２ａに接続されていて、モータ駆動制御回路３の
出力を受けて制御される。
サーマルシャットダウン回路１は、パラレル接続された
温度検出用のＰＮＰ）ランジスタＱ１゜Ｑ２．Ｑ３．＠
・・を有していて、各温度検出用のＰＮＰ ）ランジス
タの各ベースは、他の回路に接続されることなく、オー
プン状態となっている。
温度検出用のＰＮＰ）ランジスタＱ１゜Ｑ２．Ｑ３．＠
・・を有していて、各温度検出用のＰＮＰ ）ランジス
タの各ベースは、他の回路に接続されることなく、オー
プン状態となっている。
そして、その各エミッタは共通に電源電圧＋ＶＤＤに接
続され、その各コレクタは共通にＮＰＮトランジスタＱ
ｌθのコレクタに接続されている。
続され、その各コレクタは共通にＮＰＮトランジスタＱ
ｌθのコレクタに接続されている。
ＮＰＮ）ランジスタＱｌθは、ＮＰＮ トランジスタＱ
１１と電流ミラー接続されたトランジスタであって、Ｐ
ＮＰトランジスタＱｔ ＋ Ｑ２ ＋ Ｑ３ 。
１１と電流ミラー接続されたトランジスタであって、Ｐ
ＮＰトランジスタＱｔ ＋ Ｑ２ ＋ Ｑ３ 。
―・のコレクタ−エミッタ間のリーク電流を検出してＮ
ＰＮトランジスタＱＩＩを駆動し、そのコレクタ側に遮
断信号を発生させ、それが出力端子１ａから取り出され
る。そして、この出力信号が所定の温度状態になったと
きに、サーマルシャットダウンの対象となるドライブ回
路２の前記入力端Ｐ２ａに出力され、ドライブ回路２の
動作を停止１ニさせる。
ＰＮトランジスタＱＩＩを駆動し、そのコレクタ側に遮
断信号を発生させ、それが出力端子１ａから取り出され
る。そして、この出力信号が所定の温度状態になったと
きに、サーマルシャットダウンの対象となるドライブ回
路２の前記入力端Ｐ２ａに出力され、ドライブ回路２の
動作を停止１ニさせる。
ここで、ＰＮＰ）ランジスタＱｔ ＋ Ｑ２ｔ Ｑ３１
・・・は、通常、サーマルシャットダウンの対象となる
ドライブ回路２の周囲に集積され、また、ＮＰＮ）ラン
ジスタＱｔｏ、Ｑｔｔも同様にこのドライブ回路２と同
一のチップ内に形成される。そこで、ドライブ回路２或
いはこの回路を含むＩＣチップ全体が５ｍになったとき
には、ＰＮＰ）ランジスタＱｌ、Ｑ２．Ｑ３．・・・の
それぞれのコレクタ−エミッタ間にリーク電流１ｌ−Ｉ
２１１３、拳−・が生じ、それがＩＣチップの温度上昇
とともに及数的に増加していき、各ＰＮＰ ）ランジス
タＱｌ 、Ｑ２．Ｑ３． ・・・のリーク電流の和Ｉ
＝Σ１１＋１２＋１３＋・・・が電流ミラー回路により
さらに増幅され、ＮＰＮ）ランジスタＱｌｌを“ＯＮ”
させて、ＮＰＮ トランジスタＱ１２１Ｑ １２ ＊
・・・を“ＯＦＦ”状態にする。
・・・は、通常、サーマルシャットダウンの対象となる
ドライブ回路２の周囲に集積され、また、ＮＰＮ）ラン
ジスタＱｔｏ、Ｑｔｔも同様にこのドライブ回路２と同
一のチップ内に形成される。そこで、ドライブ回路２或
いはこの回路を含むＩＣチップ全体が５ｍになったとき
には、ＰＮＰ）ランジスタＱｌ、Ｑ２．Ｑ３．・・・の
それぞれのコレクタ−エミッタ間にリーク電流１ｌ−Ｉ
２１１３、拳−・が生じ、それがＩＣチップの温度上昇
とともに及数的に増加していき、各ＰＮＰ ）ランジス
タＱｌ 、Ｑ２．Ｑ３． ・・・のリーク電流の和Ｉ
＝Σ１１＋１２＋１３＋・・・が電流ミラー回路により
さらに増幅され、ＮＰＮ）ランジスタＱｌｌを“ＯＮ”
させて、ＮＰＮ トランジスタＱ１２１Ｑ １２ ＊
・・・を“ＯＦＦ”状態にする。
この場合のリーク電流としては、例えば、ＰＮＰトラン
ジスタを使用したときには、１８０度程１で、数十マイ
クロアンペア程度のものであっても、温度検出用のリー
ク電流発生用のトランジスタを複数個配置することによ
り、百マイクロアンペア程度までのものとすることがで
き、さらに、これを電流ミラー回路で増幅して検出する
ことで、遮断信号を発生させることができる。
ジスタを使用したときには、１８０度程１で、数十マイ
クロアンペア程度のものであっても、温度検出用のリー
ク電流発生用のトランジスタを複数個配置することによ
り、百マイクロアンペア程度までのものとすることがで
き、さらに、これを電流ミラー回路で増幅して検出する
ことで、遮断信号を発生させることができる。
そこで、ドライブ回路２の駆動用のＮＰＮ）ランジスタ
Ｑ／２のコレクタ−エミッタ間のリーク電流による誤動
作の電流値がＩｓであると仮定した場合に、リーク電流
により温度を検出するＰＮＰトランジスタＱ＊ ＊ Ｑ
２ｔ Ｑａ＊ ・・・がドライブ回路２の駆動用のト
ランジスタＱ１２に対してベースオープンとなっている
ので、ｌｌｌ５という関係において、Ｉｓ以下の電流値
で遮断信号を発生させることができ、ドライブ回路２が
誤動作する以前にその動作を停止、させることができる
。なお、トランジスタの構造上、ＮＰＮタイプのトラン
ジスタよりもＰＮＰタイプのトランジスタの方がリーク
の発生する温度が低いので、検出するトランジスタとし
ては、ＰＮＰトランジスタを使用するとより温度検出が
し易い。
Ｑ／２のコレクタ−エミッタ間のリーク電流による誤動
作の電流値がＩｓであると仮定した場合に、リーク電流
により温度を検出するＰＮＰトランジスタＱ＊ ＊ Ｑ
２ｔ Ｑａ＊ ・・・がドライブ回路２の駆動用のト
ランジスタＱ１２に対してベースオープンとなっている
ので、ｌｌｌ５という関係において、Ｉｓ以下の電流値
で遮断信号を発生させることができ、ドライブ回路２が
誤動作する以前にその動作を停止、させることができる
。なお、トランジスタの構造上、ＮＰＮタイプのトラン
ジスタよりもＰＮＰタイプのトランジスタの方がリーク
の発生する温度が低いので、検出するトランジスタとし
ては、ＰＮＰトランジスタを使用するとより温度検出が
し易い。
前記の場合に、リーク電流により温度を検出するＰＮＰ
）ランジスタＱ＊ ＊ Ｑ２ ＊ Ｑａ ｓ ・・・
が複数個パラレルに接続されていることで、これらのト
ランジスタのリーク電流のばらつきが吸収されて温度検
出の動作点のばらつきが抑えられ、精度の高い温度検出
ができる。
）ランジスタＱ＊ ＊ Ｑ２ ＊ Ｑａ ｓ ・・・
が複数個パラレルに接続されていることで、これらのト
ランジスタのリーク電流のばらつきが吸収されて温度検
出の動作点のばらつきが抑えられ、精度の高い温度検出
ができる。
ここで、ＩＣチップ全体の温度を検出して遮断信号を発
生させるような場合には、各ＰＮＰ）ランジスタＱｌ、
Ｑ２．Ｑ３Ｓ ・・・をＩＣチップの中央部と周辺部
に分散して設けることができる。
生させるような場合には、各ＰＮＰ）ランジスタＱｌ、
Ｑ２．Ｑ３Ｓ ・・・をＩＣチップの中央部と周辺部
に分散して設けることができる。
このようにすれば、ＩＣチップ全体を温度センサ付きの
回路とすることができ、ＮＰＮ）ランジスタＱ／／の出
力を温度検出信号として外部回路で利用することもＩＩ
Ｊ能である。
回路とすることができ、ＮＰＮ）ランジスタＱ／／の出
力を温度検出信号として外部回路で利用することもＩＩ
Ｊ能である。
第２図は、モータ駆動制御回路３の動作−制御端子３ａ
に遮断信号を加える実施例であって、これは、ＮＰＮト
ランジスタＱｎの駆動力が小す（でもドライブ回路２の
動作を簡単に停止させることができる。
に遮断信号を加える実施例であって、これは、ＮＰＮト
ランジスタＱｎの駆動力が小す（でもドライブ回路２の
動作を簡単に停止させることができる。
以上説明してきたが、実施例では、複数のトランジスタ
Ｑｌ、Ｑ２＊ Ｑａ、 ・・・をパラレルに接続して
、そのリーク電流値の和により温度検出をするようにし
ているが、これは、温度検出するトランジスタＱｓ
１つだけでもよく、複数個設けた場合には、各トランジ
スタのリーク電流の論理和条件及び論理積条件のいずれ
か一方の条件を採用してサーマルシャットダウンの遮断
信号を発生させるようにしてもよい。また、論理和条件
及び論理積条件は、第１図に示すリーク電流を生じる温
度検出用のトランジスタＱ＊ ＊ Ｑ２．Ｑａ等のトラ
ンジスタの接続形態を変更することでも容易に実現でき
、かつ、トランジスタＱｍ＊、Ｑｎの動作点の設定条件
に応じて、論理積にでも、論理和にでもできる。
Ｑｌ、Ｑ２＊ Ｑａ、 ・・・をパラレルに接続して
、そのリーク電流値の和により温度検出をするようにし
ているが、これは、温度検出するトランジスタＱｓ
１つだけでもよく、複数個設けた場合には、各トランジ
スタのリーク電流の論理和条件及び論理積条件のいずれ
か一方の条件を採用してサーマルシャットダウンの遮断
信号を発生させるようにしてもよい。また、論理和条件
及び論理積条件は、第１図に示すリーク電流を生じる温
度検出用のトランジスタＱ＊ ＊ Ｑ２．Ｑａ等のトラ
ンジスタの接続形態を変更することでも容易に実現でき
、かつ、トランジスタＱｍ＊、Ｑｎの動作点の設定条件
に応じて、論理積にでも、論理和にでもできる。
実施例では、モータを駆動するドライブ回路について説
明しているが、この発明は、モータ駆動のドライブ回路
に限定されるものではなく、各種のアクチュエータ等の
駆動回路をはじめ駆動電流を８隻とする他の多くのドラ
イブ回路に適用することができる。
明しているが、この発明は、モータ駆動のドライブ回路
に限定されるものではなく、各種のアクチュエータ等の
駆動回路をはじめ駆動電流を８隻とする他の多くのドラ
イブ回路に適用することができる。
また、温度検出のためにコレクタ−エミッタ間のリーク
電流を検出するトランジスタの形態は、ＰＮＰ）ランジ
スタでもＮＰＮ）ランジスタであってもよい。さらに、
その各トランジスタのベースは、オープン状態とされて
いるが、完全なオープンではなく、非常に高いインピー
ダンスで接続されているような場合であってもよい。
電流を検出するトランジスタの形態は、ＰＮＰ）ランジ
スタでもＮＰＮ）ランジスタであってもよい。さらに、
その各トランジスタのベースは、オープン状態とされて
いるが、完全なオープンではなく、非常に高いインピー
ダンスで接続されているような場合であってもよい。
［発明の効果］
以Ｊ−の説明から理解できるように、この発明にあって
は、トランジスタのコレクタ−エミッタ間に電圧をかけ
てそのリーク電流を検出することで所定の温度における
サーマルシャットダウンのための遮断信号を得るように
しているので、サーマルシャットダウン制御の対象とな
るドライブ回路のコレクタ−エミッタ間のリーク電流に
よる誤動作条件と、サーマルシャットダウンの検出回路
の温度検出をする条件とが同じリーク電流によることに
なる。そこで、ドライブ回路に誤動作が発生しないよう
なリーク電流の範囲においてサーマルシャットダウンの
遮断信号を発生させることができる。
は、トランジスタのコレクタ−エミッタ間に電圧をかけ
てそのリーク電流を検出することで所定の温度における
サーマルシャットダウンのための遮断信号を得るように
しているので、サーマルシャットダウン制御の対象とな
るドライブ回路のコレクタ−エミッタ間のリーク電流に
よる誤動作条件と、サーマルシャットダウンの検出回路
の温度検出をする条件とが同じリーク電流によることに
なる。そこで、ドライブ回路に誤動作が発生しないよう
なリーク電流の範囲においてサーマルシャットダウンの
遮断信号を発生させることができる。
その結果、リーク電流によりドライブ回路が誤動作を開
始する以前にサーマルシャットダウンさせることができ
、かつサーマルシャットダウンの温度検出がコレクタ−
エミッタ間のリーク電流によっているので、サーマルシ
ャットダウン回路をどこの位置に配置しても、熱の伝達
だけを考慮すればよく、比較的自由にそのレイアウトを
行うことができる。
始する以前にサーマルシャットダウンさせることができ
、かつサーマルシャットダウンの温度検出がコレクタ−
エミッタ間のリーク電流によっているので、サーマルシ
ャットダウン回路をどこの位置に配置しても、熱の伝達
だけを考慮すればよく、比較的自由にそのレイアウトを
行うことができる。
第１図は、この発明の熱遮断回路を有するドライブ回路
を適用した場合の一実施例のブロック図、第２図は、そ
の、他の実施例のブロック図、第３図は、従来のサーマ
ルシャットダウン回路のブロック図である。 ■・・・サーマルシャットダウン回路、２・・・ドライ
ブ回路、３・・・モータ駆動制御回路、Ｑｌ 、Ｑ２．
Ｑ３・・・温度検出用のＰＮＰトランジスタ、Ｑｔｏ、
Ｑｔｔ、 Ｑｌ２・・−ＮＰＮ）ランジスタ。
を適用した場合の一実施例のブロック図、第２図は、そ
の、他の実施例のブロック図、第３図は、従来のサーマ
ルシャットダウン回路のブロック図である。 ■・・・サーマルシャットダウン回路、２・・・ドライ
ブ回路、３・・・モータ駆動制御回路、Ｑｌ 、Ｑ２．
Ｑ３・・・温度検出用のＰＮＰトランジスタ、Ｑｔｏ、
Ｑｔｔ、 Ｑｌ２・・−ＮＰＮ）ランジスタ。
Claims (2)
- （１）熱遮断回路を有するドライブ回路において、ドラ
イブ回路と、前記熱遮断回路とが１チップの中に集積さ
れ、前記熱遮断回路は、ベース側がオープン又は非常に
高いインピーダンスに接続されたトランジスタのコレク
タ−エミッタ間に電圧をかけ、このコレクタ−エミッタ
間のリーク電流を検出することにより所定の温度状態に
おいて遮断信号を発生するものであって、この遮断信号
が前記ドライブ回路に供給され、前記ドライブ回路の動
作が停止されることを特徴とする熱遮断回路を有するド
ライブ回路。 - （２）熱遮断回路を有するドライブ回路において、ドラ
イブ回路と、このドライブ回路を駆動する信号を発生す
る駆動信号発生回路と前記熱遮断回路とが１チップの中
に集積され、前記熱遮断回路は、ベース側がオープン又
は非常に高いインピーダンスに接続されたトランジスタ
のコレクタ−エミッタ間に電圧をかけ、このコレクタ−
エミッタ間のリーク電流を検出することにより所定の温
度状態において遮断信号を発生するものであって、この
遮断信号が前記駆動信号発生回路に供給され、前記ドラ
イブ回路の動作が停止することを特徴とする熱遮断回路
を有するドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211516A JP2732079B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 熱遮断回路を有するドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211516A JP2732079B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 熱遮断回路を有するドライブ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260228A true JPH0260228A (ja) | 1990-02-28 |
| JP2732079B2 JP2732079B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=16607208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63211516A Expired - Lifetime JP2732079B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 熱遮断回路を有するドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732079B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5514771A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature sensitive switch circuit |
| JPS5514711A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Facsimile recorder |
| JPS61127156A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Rohm Co Ltd | 熱遮断回路 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP63211516A patent/JP2732079B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5514771A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature sensitive switch circuit |
| JPS5514711A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Facsimile recorder |
| JPS61127156A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Rohm Co Ltd | 熱遮断回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732079B2 (ja) | 1998-03-25 |
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