JPH026084A - Electron beam controller - Google Patents
Electron beam controllerInfo
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- JPH026084A JPH026084A JP63148737A JP14873788A JPH026084A JP H026084 A JPH026084 A JP H026084A JP 63148737 A JP63148737 A JP 63148737A JP 14873788 A JP14873788 A JP 14873788A JP H026084 A JPH026084 A JP H026084A
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、電子ビーム溶接機等の電子ビームを利用す
る各種装置に用いて好適の電子ビーム制御装置に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electron beam control device suitable for use in various devices that utilize electron beams, such as electron beam welding machines.
[従来の技術]
第5図は例えば特開昭50−8697号公報しこ示され
た従来の電子ビーム溶接機における電子ビーム制御装置
の構成を示す模式図であり、図において、1は電子ビー
ム発生部、2は電子ビーム、3は対物レンズ(集束手段
)、4は偏向レンズ(偏向手段)、5は被加工物、6は
被加工物5を載置されるパレット、7はパレット6を固
定されるテーブルであり、電子ビーム発生部1から発射
された電子ビーム2は、対物レンズ3により集束され、
偏向レンズ4によって偏向される。また、19は反射電
子センサ、20は位置補正処理部、21はテーブル制御
部、22はテーブル7上に設けられテーブル7と電子ビ
ーム2との位置関係を検出するためのマーカである。[Prior Art] Fig. 5 is a schematic diagram showing the configuration of an electron beam control device in a conventional electron beam welding machine disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 50-8697. A generating section, 2 is an electron beam, 3 is an objective lens (focusing means), 4 is a deflection lens (deflection means), 5 is a workpiece, 6 is a pallet on which the workpiece 5 is placed, 7 is a pallet 6 The table is fixed, and the electron beam 2 emitted from the electron beam generator 1 is focused by an objective lens 3.
It is deflected by a deflection lens 4. Further, 19 is a reflection electron sensor, 20 is a position correction processing section, 21 is a table control section, and 22 is a marker provided on the table 7 to detect the positional relationship between the table 7 and the electron beam 2.
第6図(a)はマーカ22の平面図であり、この第6図
(a)において、実線で示されたマーカ22に対して点
線で示されたマーカ23はテーブル7の位置のずれによ
りマーカがずれた状態を表わしている。マーカ22には
、正方形の台状部材の表面に十字形の溝27が形成され
ている。また、第6図(b)は第6図(a)のに−に線
に沿う断面図であり、この図に示すようにマーカ22は
、4個の山部28と十字形の溝27とにより構成されて
いる。太い一点鎖線にて示された軌跡24は、電子ビー
ム2の軌跡であり、マーカ22を照射している状態を示
している。電子ビーム2が軌跡24に沿って動くとき、
電子ビーム2はマーカ22の山部28および溝27によ
って反射され、第5図に示す反射電子センサ19により
検出される。FIG. 6(a) is a plan view of the marker 22, and in FIG. 6(a), the marker 23 indicated by the dotted line is different from the marker 22 indicated by the solid line due to the position shift of the table 7. indicates a misaligned state. The marker 22 has a cross-shaped groove 27 formed on the surface of a square platform member. Further, FIG. 6(b) is a cross-sectional view taken along the - line in FIG. 6(a), and as shown in this figure, the marker 22 has four peaks 28 and a cross-shaped groove 27. It is made up of. A trajectory 24 indicated by a thick dashed line is the trajectory of the electron beam 2, and indicates a state in which the marker 22 is irradiated. When the electron beam 2 moves along the trajectory 24,
The electron beam 2 is reflected by the peaks 28 and grooves 27 of the marker 22, and is detected by a reflection electron sensor 19 shown in FIG.
第7図は電子ビーム2のマーカ22による反射状況を示
す断面図であり、この図に示すように、山部28に照射
された、例えば電子ビーム2−3は山部28によって反
射され電子ビーム2−4となり、反射電子センサ19に
より検出される。また、例えば、電子ビーム2−1は溝
27により反射され、電子ビーム2−2となるが、反射
電子センサ19には当たらないので検出されない。FIG. 7 is a cross-sectional view showing how the electron beam 2 is reflected by the marker 22. As shown in this figure, the electron beam 2-3, for example, irradiated onto the peak 28 is reflected by the peak 28, and the electron beam 2-4, and is detected by the reflection electron sensor 19. Further, for example, the electron beam 2-1 is reflected by the groove 27 and becomes an electron beam 2-2, but it does not hit the reflected electron sensor 19 and is therefore not detected.
電子ビーム2が第6図(a)に示す軌跡24に沿って動
くときの反射電子センサ19の出力波形を、第8図(a
)、(b)に示す。電子ビームが、第6図(a)の点2
4aから出発し、矢印Bに示すように反時計まわりに動
くとき、山部28と溝27との境界24b、24c、2
4d、24f、24g。The output waveform of the reflection electron sensor 19 when the electron beam 2 moves along the trajectory 24 shown in FIG. 6(a) is shown in FIG. 8(a).
) and (b). The electron beam hits point 2 in Figure 6(a).
When starting from point 4a and moving counterclockwise as shown by arrow B, boundaries 24b, 24c, 2 between peak 28 and groove 27
4d, 24f, 24g.
24hおよび24iにおいて出力信号が変化し、第8図
(a)に示す波形になる。この波形図において、高いレ
ベルはマーカ22の山部28に対応し、また低いレベル
はマーカ22の溝27に対応する。At 24h and 24i, the output signal changes and becomes the waveform shown in FIG. 8(a). In this waveform diagram, the high level corresponds to the peak 28 of the marker 22, and the low level corresponds to the groove 27 of the marker 22.
第6図(a)において、点線で示すように、マーカ22
がマーカ23の位置にずれた場合においては、山部28
と溝27との各境界は境界26b。In FIG. 6(a), as shown by the dotted line, the marker 22
is shifted to the position of the marker 23, the peak 28
Each boundary between the groove 27 and the groove 27 is a boundary 26b.
26c、26d、26e、26f、26g、26hおよ
び26iの位置に移動する。その結果、反射電子センサ
19の検出出力は、第8図(b)に示す波形になる。第
8図(a)と第8図(b)との両波形を比較すると、第
8図(a)の波形は周期が一定であるのに対して、第8
図(b)の波形は周期が常に変動している。位置補正処
理部20は、この周期変動に基づき制御信号を出力し、
テーブル制御部21を介してテーブル7を移動させ、反
射電子センサ19の検出波形が、第8図(a)のごとく
一定の周期になるように制御し、テーブル7の位置ずれ
を補正する。Move to positions 26c, 26d, 26e, 26f, 26g, 26h and 26i. As a result, the detection output of the reflected electron sensor 19 has a waveform shown in FIG. 8(b). Comparing both the waveforms in FIG. 8(a) and FIG. 8(b), the waveform in FIG. 8(a) has a constant period, while the waveform in FIG.
The period of the waveform shown in Figure (b) is constantly changing. The position correction processing unit 20 outputs a control signal based on this periodic variation,
The table 7 is moved via the table control section 21, and the detected waveform of the backscattered electron sensor 19 is controlled to have a constant cycle as shown in FIG. 8(a), thereby correcting the positional deviation of the table 7.
[発明が解決しようとする課題]
従来の電子ビーム制御装置は以上のように構成されてい
るので、テーブル7の位置゛を補正するのに、第8図(
a)、(b)のように得られるパルス間の時間を位置補
正処理部20にて計測する必要があるので、この位置補
正処理部20の構成が複雑になるばかりでなく、精度の
高い補正を行なうためにマーカ22上の軌跡24に沿っ
て、電子ビーム2を10〜12周分程度移動させなけれ
ばならず、マーカ22に対する電子ビーム2の照射時間
が長くなり、マーカ22の発熱による変形で位置補正が
不正確となったり、またマーカ22の寿命が短くなるな
どの課題があった。[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional electron beam control device is configured as described above, in order to correct the position of the table 7, the method shown in FIG.
Since it is necessary to measure the time between the pulses obtained as shown in a) and (b) in the position correction processing section 20, the configuration of the position correction processing section 20 becomes complicated, and it is not possible to perform highly accurate correction. In order to do this, the electron beam 2 must be moved about 10 to 12 times along the trajectory 24 on the marker 22, which increases the irradiation time of the electron beam 2 on the marker 22 and causes deformation of the marker 22 due to heat generation. However, there have been problems such as inaccurate position correction and a shortened lifespan of the marker 22.
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、テーブルの位置を補正するに際し1位置補正処
理部の構成が簡素で、しかも短い電子ビーム照射時間で
精度の高い位置補正を行なえる電子ビーム制御装置を得
ることを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and when correcting the position of the table, the configuration of the 1-position correction processing section is simple, and moreover, it is possible to perform highly accurate position correction with a short electron beam irradiation time. The purpose of this study is to obtain an electron beam control device that can
[課題を解決するための手段]
この発明に係る電子ビーム制御装置は、マーカを、所定
形状の穴を表面の適当な位置に多数穴明は加工された金
属部材として形成し、位置補正処理部が、電子センサか
らの出力変化に基づいて電子ビームが走査した上記マー
カの穴の数を計数し、その計数値にてマーカと電子ビー
ムとの相対仏画のずれを検出するものである。[Means for Solving the Problems] An electron beam control device according to the present invention includes forming a marker as a metal member having a plurality of holes of a predetermined shape at appropriate positions on the surface, and a position correction processing unit. However, the number of holes in the marker scanned by the electron beam is counted based on changes in the output from the electronic sensor, and the relative displacement between the marker and the electron beam is detected based on the counted value.
[作 用コ
この発明における電子ビーム制御装置では、電子ビーム
発生手段からマーカへ電子ビームが照射されマーカ上を
走査する。電子ビームが、金属部材であるマーカに照射
されると、このマーカから二次電子が放射される。そし
て、電子ビームがマーカの穴の部分を通過するときには
二次電子放射量が著しく減少し、電子センサがこの二次
電子放射量の減少変化を検出して、電子ビームがマーカ
の穴の部分を走査したことを検知できる。このようにし
て、電子ビームが走査したマーカの穴の数を計数するこ
とにより、その計数値や走査方向からマーカと電子ビー
ムとの相対位置のずれが検出される。そのずれの検出結
果に基づいてテーブル制御部によりテーブルを駆動し、
位置補正が行なわれる。[Function] In the electron beam control device according to the present invention, an electron beam is irradiated from the electron beam generating means to the marker and scans the marker. When a marker, which is a metal member, is irradiated with an electron beam, secondary electrons are emitted from the marker. When the electron beam passes through the hole in the marker, the amount of secondary electron radiation decreases significantly, and the electronic sensor detects this decrease in the amount of secondary electron radiation, causing the electron beam to pass through the hole in the marker. Scanning can be detected. In this way, by counting the number of holes in the marker scanned by the electron beam, the relative positional deviation between the marker and the electron beam can be detected from the counted value and the scanning direction. The table is driven by the table control unit based on the detection result of the deviation,
Position correction is performed.
[発明の実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による電子ビーム制御装置の構
成を示す模式図であり、図において、1は電子ビーム発
生部、2はこの電子ビーム発生部1から発射された電子
ビーム、3は電子ビーム2を集束する対物レンズ(集束
手段)、4は集束された電子ビーム2を偏向する偏向レ
ンズ(偏向手段)、5は被加工物、6は被加工物5を載
置されるパレット、7はパレット6を固定されるテーブ
ルで、このテーブル7は、電子ビーム2が到達する面に
配設され所定の範囲を移動できるようになっている。[Embodiment of the Invention] An embodiment of the invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a schematic diagram showing the configuration of an electron beam control device according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an electron beam generator, 2 is an electron beam emitted from the electron beam generator 1, and 3 is an electron beam. An objective lens (focusing means) for focusing the beam 2, 4 a deflection lens (deflection means) for deflecting the focused electron beam 2, 5 a workpiece, 6 a pallet on which the workpiece 5 is placed, 7 is a table to which a pallet 6 is fixed; this table 7 is disposed on the surface where the electron beam 2 reaches, and is movable within a predetermined range.
そして、8はテーブル7上の電子ビーム2が到達する部
所に設けられたマーカで、テーブル7(マーカ8)と電
子ビーム2との相対位置関係を検出するためのもので、
第2,3図に示すように、所定形状(角柱形状)の六8
aを表面の適当な位置に多数穴明は加工された金属部材
として形成されている。また、穴8aは、第2図に示す
ように、X、Y方向に適当な間隔をあけて配置されると
ともに、X、Y位置を特定できるようにX、Y方向に沿
う六8aの数を変化させて形成されている。A marker 8 is provided at a location on the table 7 where the electron beam 2 reaches, and is used to detect the relative positional relationship between the table 7 (marker 8) and the electron beam 2.
As shown in Figures 2 and 3, six eight
A is formed as a machined metal member with multiple holes at appropriate positions on the surface. Further, as shown in FIG. 2, the holes 8a are arranged at appropriate intervals in the X and Y directions, and the number of holes 8a along the It is formed by changing.
さらに、9は偏向レンズ4とマーカ8との間に配設され
マーカ8からの放射電子を検出する電子センサ、20A
は電子センサ9からの出力変化に基づき電子ビーム2が
走査したマーカ8の穴8aの数を計数してマーカ8と電
子ビーム2との相対位置のずれを検出して位置補正信号
を発生する位置補正処理部、21は位置補正処理部20
Aにより検出されたずれ(位置補正信号)に基づきその
ずれをなくすようにテーブル7を駆動するテーブル制御
部である。Further, reference numeral 9 denotes an electronic sensor 20A that is disposed between the deflection lens 4 and the marker 8 and detects emitted electrons from the marker 8.
is a position where a position correction signal is generated by counting the number of holes 8a of the marker 8 scanned by the electron beam 2 based on changes in the output from the electronic sensor 9, and detecting a relative positional deviation between the marker 8 and the electron beam 2. A correction processing section 21 is a position correction processing section 20
This is a table control unit that drives the table 7 based on the shift (position correction signal) detected by A to eliminate the shift.
なお、電子ビーム発生部1は、電子ビーム2がマーカ8
に照射されるように位置決めされている。Note that the electron beam generator 1 is configured so that the electron beam 2 is connected to the marker 8.
It is positioned so that it is irradiated.
また、電子ビーム発生部1.対物レンズ3.偏向レンズ
4および電子センサ9は、図示を省略した真空容器内に
収納されている。Further, the electron beam generating section 1. Objective lens 3. The deflection lens 4 and the electronic sensor 9 are housed in a vacuum container (not shown).
次に、本実施例の装置の動作について説明する。Next, the operation of the apparatus of this embodiment will be explained.
電子ビーム発生部1から放射された電子ビーム2は、対
物レンズ3により集束され、偏向レンズ4によって偏向
された後、第2図に示すようなマーカ8上を軌跡10に
沿って矢印X方向へ走査する。The electron beam 2 emitted from the electron beam generator 1 is focused by the objective lens 3 and deflected by the deflection lens 4, and then moves in the direction of arrow X along the trajectory 10 on the marker 8 as shown in FIG. scan.
一般に、物体に電子を照射すると、その物体の表面から
は二次電子が放射される。本発明はこれを利用するもの
である。Generally, when an object is irradiated with electrons, secondary electrons are emitted from the surface of the object. The present invention utilizes this.
従って、電子ビーム2が、マーカ8である金属部材に照
射されるとき二次電子は上方に向けて放射されるが、穴
8a内に照射されるときには、二次電子は下方へ向かっ
てしまう。このため、電子ビーム2がマーカ8の穴8a
の部分を通過するときには二次電子放射量が著しく減少
することになる。Therefore, when the electron beam 2 is irradiated onto the metal member that is the marker 8, the secondary electrons are emitted upward, but when the electron beam 2 is irradiated into the hole 8a, the secondary electrons are emitted downward. Therefore, the electron beam 2 is directed to the hole 8a of the marker 8.
The amount of secondary electron radiation decreases significantly when passing through the area.
そして、マーカ8から放射された二次電子の放射量は、
マーカ8近傍に配置された電子センサ9により検出され
、電子センサ9が二次電子放射量の減少変化を検出する
ことにより、電子ビーム2がマーカ8の穴8’aの部分
を走査したことが検知される。例えば、電子ビーム2が
、第2図に示す軌跡10に沿って走査した場合には、第
4図(a)に示すように、通過した1つの穴8aに対応
して、検出出力減少部分が1箇所だけの波形が得られる
。The amount of secondary electrons emitted from marker 8 is
It is detected by an electronic sensor 9 placed near the marker 8, and the electronic sensor 9 detects a decrease in the amount of secondary electron radiation, thereby confirming that the electron beam 2 has scanned the hole 8'a of the marker 8. Detected. For example, when the electron beam 2 scans along the trajectory 10 shown in FIG. 2, as shown in FIG. A waveform at only one location can be obtained.
また、第2図に示す軌跡11に沿って走査した場合には
、第4図(b)に示すように、穴8aは通過していない
ので、検出出力減少部分の無い波形が得られる。さらに
、第2図に示す軌跡12に沿って走査した場合には、第
4図(c)に示すように、4つの穴8aに対応して、検
出出力減少部分が4箇所の波形が得られる。なお、第4
図(a)〜(c)において、高いレベルの部分はマーカ
8の金属部材の部分に対応し、低いレベルの部分は、検
出出力減少部分でマーカ8の穴8aに対応する。Furthermore, when scanning is performed along the locus 11 shown in FIG. 2, as shown in FIG. 4(b), since the hole 8a is not passed through, a waveform without a detection output decrease portion is obtained. Furthermore, when scanning is performed along the locus 12 shown in FIG. 2, a waveform is obtained in which the detection output decreases at four locations corresponding to the four holes 8a, as shown in FIG. 4(c). . In addition, the fourth
In FIGS. (a) to (c), the high level portion corresponds to the metal member portion of the marker 8, and the low level portion corresponds to the hole 8a of the marker 8 in the detection output decreasing portion.
位置補正処理部20Aは、このような電子センサ9から
の波形に基づき、パルスの数つまり検出出力減少部分に
対応する穴8aの数を計数し、X方向に沿った電子ビー
ム2の走査によってY方向の相対位置を検出する。同様
にして、第2図に示す軌跡13のように、電子ビーム2
のY方向の走査を行なうことにより、X方向の相対位置
も検出される。The position correction processing unit 20A counts the number of pulses, that is, the number of holes 8a corresponding to the portion where the detection output decreases, based on the waveform from the electronic sensor 9, and calculates the Y by scanning the electron beam 2 along the X direction. Detect relative position in direction. Similarly, as shown in the trajectory 13 shown in FIG.
By scanning in the Y direction, the relative position in the X direction is also detected.
このようにして検出されたX、Y方向の相対位置つまり
テーブル7(マーカ8)と電子ビーム2とのずれ(相対
位置関係)に基づいて、位置補正処理部20Aからテー
ブル制御部21へ位置補正信号が出力され、このテーブ
ル制御部21によりずれがなくなるように、即ち、電子
センサ9からの検出波形のパルス数が所定数となるよう
に、テーブル7が駆動制御され位置補正が行なわれる。Based on the relative position in the X and Y directions detected in this way, that is, the deviation (relative positional relationship) between the table 7 (marker 8) and the electron beam 2, the position correction processing unit 20A sends the table control unit 21 to perform position correction. A signal is output, and the table 7 is driven and controlled by the table controller 21 to correct the position so that there is no deviation, that is, so that the number of pulses of the detected waveform from the electronic sensor 9 becomes a predetermined number.
このように、本実施例の装置によれば7従来のように、
電子ビーム2を10〜12周分程度移動させたり、パル
ス間の時間を計測したりすることなく、テーブル7の位
置補正を行なえるので、位置補正処理部20Aの構成を
極めて簡素化することができ、しかも最低2回(X、Y
方向)だけ電子ビーム2を走査することで、テーブル7
の相対位置が検出されるため、短い電子ビーム照射時間
で精度の高い位置補正が行なえるほか、マーカ8に対す
る電子ビーム2の照射時間も短くなって、マーカ8の変
形が少なくなりその寿命を長いものとすることができる
。In this way, according to the device of this embodiment, unlike the 7 conventional devices,
Since the position of the table 7 can be corrected without moving the electron beam 2 by about 10 to 12 revolutions or measuring the time between pulses, the configuration of the position correction processing section 20A can be extremely simplified. Yes, and at least twice (X, Y
direction) by scanning the electron beam 2, the table 7
Since the relative position of the marker 8 is detected, highly accurate position correction can be performed with a short electron beam irradiation time, and the irradiation time of the electron beam 2 on the marker 8 is also shortened, reducing deformation of the marker 8 and extending its life. can be taken as a thing.
[発明の効果コ
以」二のように、この発明によれば、多数の穴を有する
金属部材のマーカを用い、二次−子放射量の変化から穴
の数を計数することで、テーブルの相対位置を検出でき
るように構成したので、位置補正処理部の構成が大幅に
簡素化されるほか、少なくとも2回の電子ビーム走査に
より、テーブルの相対位置が検出されるため、短い電子
ビーム照射時間で精度の高い位置補正が行なえ、さらに
はマーカに対する電子ビーム照射時間が短くなって。[Effects of the Invention] As described in 2, according to the present invention, a marker made of a metal member having a large number of holes is used, and the number of holes is counted from the change in the amount of secondary radiation, thereby making it possible to calculate the number of holes on the table. Since the configuration is configured to be able to detect the relative position, the configuration of the position correction processing section is greatly simplified, and the relative position of the table is detected by at least two electron beam scans, so the electron beam irradiation time is shortened. This allows for highly accurate position correction, and furthermore, the electron beam irradiation time for the marker is shortened.
マーカの変形が少なくなりその寿命を長くできる効果が
ある。This has the effect of reducing deformation of the marker and extending its life.
第1図はこの発明の一実施例による電子ビーム制御装置
の構成を示す模式図、第2図は上記実施例装置のマーカ
を示す平面図、第3図は上記マーカの一部を破断して示
す斜視図、第4図(a)〜(c)はいずれも上記実施例
装置の動作を説明するための波形図、第5図は従来の電
子ビーム制御装置の構成を示す模式図、第6図(a)は
上記従来装置のマーカを示す平面図、第6図(b)は第
6図(a)のに−に線に沿う断面図、第7図は上記従来
装置における電子ビームのマーカによる反射状況を示す
断面図、第8図(a)、(b)はいずれも上記従来装置
の動作を説明するための波形図である。
図において、1−電子ビーム発生部、2−電子ビーム、
3・一対物レンズ(集束手段)、4−偏向レンズ(偏向
手段)、7−テーブル、8・・−マーカ、8a−穴、9
−電子センサ、20A−・・・位置補正処理部、21・
−テーブル制御部。
なお、図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an electron beam control device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a marker of the above embodiment device, and FIG. 3 is a partially cutaway view of the above marker. 4(a) to 4(c) are waveform diagrams for explaining the operation of the above-mentioned embodiment apparatus, FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional electron beam control device, and FIG. FIG. 6(a) is a plan view showing the marker of the conventional device, FIG. 6(b) is a sectional view taken along the line - in FIG. 6(a), and FIG. 7 is the marker of the electron beam in the conventional device. 8(a) and 8(b) are waveform diagrams for explaining the operation of the conventional device. In the figure, 1-electron beam generation section, 2-electron beam,
3-1 objective lens (focusing means), 4-deflection lens (deflection means), 7-table, 8...-marker, 8a-hole, 9
-Electronic sensor, 20A-...Position correction processing section, 21.
-Table control. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
子ビームを集束する集束手段と、集束された電子ビーム
を偏向する偏向手段と、電子ビームが到達する面に配設
され所定の範囲を移動しうるテーブルと、同テーブル上
の電子ビームが到達する部所に設けられたマーカと、同
マーカからの電子を検出する電子センサと、同電子セン
サからの出力に基づいて上記のマーカと電子ビームとの
相対位置のずれを検出する位置補正処理部と、同位置補
正処理部により検出されたずれに基づき同ずれをなくす
べく上記テーブルを駆動するテーブル制御部とをそなえ
てなる電子ビーム制御装置において、上記マーカが、所
定形状の穴を表面の適当な位置に多数穴明け加工された
金属部材であり、上記位置補正処理部が、上記電子セン
サからの出力変化に基づき、上記電子ビームが走査した
上記マーカの穴の数を計数して上記相対位置のずれを検
出することを特徴とする電子ビーム制御装置。an electron beam generating means for generating an electron beam; a focusing means for focusing the electron beam; a deflection means for deflecting the focused electron beam; and an electron beam disposed on a surface where the electron beam reaches and capable of moving within a predetermined range. A table, a marker provided on the table where the electron beam reaches, an electronic sensor that detects electrons from the marker, and a link between the marker and the electron beam based on the output from the electronic sensor. In the electron beam control device, the electron beam control device includes a position correction processing unit that detects a deviation in relative position, and a table control unit that drives the table to eliminate the deviation based on the deviation detected by the position correction processing unit. The marker is a metal member in which a large number of holes of a predetermined shape are drilled at appropriate positions on the surface, and the position correction processing unit detects the marker scanned by the electron beam based on the output change from the electronic sensor. An electron beam control device characterized in that the deviation in the relative position is detected by counting the number of holes.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148737A JPH026084A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Electron beam controller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148737A JPH026084A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Electron beam controller |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026084A true JPH026084A (en) | 1990-01-10 |
Family
ID=15459488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148737A Pending JPH026084A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Electron beam controller |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH026084A (en) |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148737A patent/JPH026084A/en active Pending
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