JPH0261078A - 平行平板型プラズマエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は平行平板型プラズマエツチング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の平行平板型プラズマエツチング装置は第
３図に示すように、チャンバー１内にガス導入管９に接
続された上部電極２と、試料としての半導体基板７を保
持する下部電極３とを有する構造になっており、上部電
極２に設けられたガス吹き出し六６より反応ガスを吹き
出すように構成されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の平行平板型プラズマエツチング装置にお
いては、ガス吹き出し六６が上部電極３に直接設けられ
ているため、穴の位置や穴の数を容易に変更できない構
造となっている。このため、ガス吹き出し穴６の位置や
数の違いによる最適なエツチング条件を見付けるために
は、穴の位置や数が違うガス吹き出し穴をもつ上部電極
を交換しなければならないため、作業性や装置の稼働率
が低下するという欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の平行平板型プラズマエツチング装置は、チャン
バー内に設けられ、ガス導入管に接続する上部電極と、
試料を保持する下部電極とを有する平行平板型プラズマ
エツチング装置であって、前記上部電極に、複数のガス
吹き出し穴を有するとりはずし可能なガス吹き出しユニ
ットを収り付けたものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。

第１図において、平行平板型プラズマエツチング装置は
、チャンバー１内に設けられ、ガス導入管９に接続する
上部電極２と、半導体基板７を支持する下部電極３とか
ら主に構成されている。そして特に上部電極２には、ガ
ス吹き出し六６の位置や数や向きが異なるガス吹き出し
ユニット４がシール材５をはさみ、ねじ込み式により固
定されている。

このように構成された第１の実施例によれば、ガス吹き
出しユニット４を容易に取り変えることができるので、
ガス吹き出し穴６の位置や数等の違いによるエツチング
状態の変化を容易に知ることができるので、ｆｋ適なエ
ツチング条件を容易に求めることができる。従って作業
性や装置の稼働率を向上させることができる。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

チャンバー１内に供給される反応ガスは、上部電極２の
内部を通ってガス吹き出しユニット４を通り、半導体基
板７上にガス吹き出し穴の位置や数や向きが異なるタイ
プが用意されており、ｊ」定して上部電極２に取付ける
ことができる構造となっている。

この第２の実施例では、反応ガ°スをガス吹き出しユニ
ット４のガス導入口８より取り入れ、ガス吹き出し六６
より吹きだすようにしであるので、半導体基板７上のガ
スの分布をより均一にでき、上部電極２上の位置の差に
よるガスの分布の片寄りをなくすことができるという利
点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、平行平板型プラズマエツ
チング装置の上部電極に、複数のガス吹き出し穴を有す
る、とりはずし可能なガス吹き出しユニットを取ｆ寸け
ることにより、最適なエツチング条件を容易に見付ける
ことができる。従って作業性及び装置の稼働率を向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の平行平板型プラズマエツチング装
置の断面図である。 １・・・チャンバー、２・・・上部電極、３・・・下部
電極、４・・・ガス吹き出しユニット、５・・・シール
材、６・・・ガス吹き出し穴、７・・・半導体基板、８
・・・ガス導入口、９・・・ガス導入管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. チャンバー内に設けられガス導入管に接続する上部電極
   と、試料を保持する下部電極とを有する平行平板型プラ
   ズマエッチング装置において、前記上部電極に、複数の
   ガス吹き出し穴を有するとりはずし可能なガス吹き出し
   ユニットを取り付けたことを特徴とする平行平板型プラ
   ズマエッチング装置。