JPH0261906A - 焦電型センサー素子 - Google Patents
焦電型センサー素子Info
- Publication number
- JPH0261906A JPH0261906A JP63212226A JP21222688A JPH0261906A JP H0261906 A JPH0261906 A JP H0261906A JP 63212226 A JP63212226 A JP 63212226A JP 21222688 A JP21222688 A JP 21222688A JP H0261906 A JPH0261906 A JP H0261906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- temperature
- coefficient
- sensor element
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は室温付近やその他の所望の作動温度範囲におい
て平均して大きな焦電係数を有する焦電型センサー素子
に関する。
て平均して大きな焦電係数を有する焦電型センサー素子
に関する。
近年各種のセンサーが開発され、実用に供されるように
なってきたが、その中で赤外線検出を行う焦電素子が知
られている。
なってきたが、その中で赤外線検出を行う焦電素子が知
られている。
焦電素子は焦電体を加工、分極して電極を取り付け、受
光可能な状態で支持台に取り付けたものである。焦電体
の表面に赤外線が照射されると温度が上昇し、表面に電
荷が現われる。従って、焦電体に外部電極を接続してお
けば電流を検出することができる。
光可能な状態で支持台に取り付けたものである。焦電体
の表面に赤外線が照射されると温度が上昇し、表面に電
荷が現われる。従って、焦電体に外部電極を接続してお
けば電流を検出することができる。
焦電素子の性能は、温度変化に応じてその焦電体表面上
に発生する電荷の量により決まり、これは一般に焦電係
数ｐと言われている。すなわち、焦電材料の焦電係数Ｐ
は以下の式により表わされる。
に発生する電荷の量により決まり、これは一般に焦電係
数ｐと言われている。すなわち、焦電材料の焦電係数Ｐ
は以下の式により表わされる。
旧
（ただし、Ｐｓは自発分極、Ｔは温度）また焦電電流密
度１は以下の式により表わされる。
度１は以下の式により表わされる。
従って、温度の時間変化に比例した電流が流れることに
なる。
なる。
このような焦電材料として、ＰｂＺｒ０． ＰｂＴｌ
Ｏｓ系において、ＰｂＺｒ０．に近い組成のセラミック
ス（ＰＺＴ）が提案されている。この材料は、 ■室温より少し上（約５０℃以上）に相転移温度がある
ことにより、自発分極の温度係数、すなわち焦電係数が
大きく、 ■誘電率が奈り大きくなく、焦電材料としての性能指数
が大きく、電気回路への整合性も良く、 ■相転移点を超えても、分極処理効果が維持される 等の特徴を有する。
Ｏｓ系において、ＰｂＺｒ０．に近い組成のセラミック
ス（ＰＺＴ）が提案されている。この材料は、 ■室温より少し上（約５０℃以上）に相転移温度がある
ことにより、自発分極の温度係数、すなわち焦電係数が
大きく、 ■誘電率が奈り大きくなく、焦電材料としての性能指数
が大きく、電気回路への整合性も良く、 ■相転移点を超えても、分極処理効果が維持される 等の特徴を有する。
しかしながら、ＰｂＺｒ０３ＰｂＴ＋Ｏｉ系の焦電材料
は、第７図に示すように、ＰｂＺｒ０．とＰｂＴｌ０＊
とのいずれのモル比においても焦電係数が温度により著
しく変化し、特に室温付近においては比較的小さい。
は、第７図に示すように、ＰｂＺｒ０．とＰｂＴｌ０＊
とのいずれのモル比においても焦電係数が温度により著
しく変化し、特に室温付近においては比較的小さい。
従って、人体センサーのように室温付近で使用する場合
や、その他の赤外線センサーとしてそれぞれ所望の温度
範囲にわたって高感度の焦電素子を作る必要がある場合
に、必ずしも満足ではないという問題がある。そのため
、実際には焦電素子をヒータにより最適温度まで加熱し
ながら使用しなけばならなかった。
や、その他の赤外線センサーとしてそれぞれ所望の温度
範囲にわたって高感度の焦電素子を作る必要がある場合
に、必ずしも満足ではないという問題がある。そのため
、実際には焦電素子をヒータにより最適温度まで加熱し
ながら使用しなけばならなかった。
従って、本発明の目的は室温付近その他所型の温度範囲
において大きな焦電係数を有する焦電材料を提供するこ
とを目的とする。
において大きな焦電係数を有する焦電材料を提供するこ
とを目的とする。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、ＰｂＺｒ
Ｏｓ ＰｂＴｉＯ３にＰＩ） （Ｍｇ＋７２Ｗ＋ｚｚ
）Ｌを異なる配合の割合で添加した複数の焦電体を接合
することにより、所望の温度範囲において優れた焦電係
数を有する焦電型センサー素子が得られることを発見し
、本発明を完成した。
Ｏｓ ＰｂＴｉＯ３にＰＩ） （Ｍｇ＋７２Ｗ＋ｚｚ
）Ｌを異なる配合の割合で添加した複数の焦電体を接合
することにより、所望の温度範囲において優れた焦電係
数を有する焦電型センサー素子が得られることを発見し
、本発明を完成した。
すなわち本発明の焦電型センサー素子はＰｂＺｒＯ３７
０〜９３モル％と、ＰｂＴｌ０＊ ６〜１０モル％と、
Ｐｂ （Ｍｇ１７□Ｗ＋、□）０３１〜２０モル％とか
らなる組成範囲内においてＰＥＩ（Ｍｇ＋／Ｊ＋７２）
Ｌ の割合が異なる複数の焦電体を接合してなることを
特徴とする。
０〜９３モル％と、ＰｂＴｌ０＊ ６〜１０モル％と、
Ｐｂ （Ｍｇ１７□Ｗ＋、□）０３１〜２０モル％とか
らなる組成範囲内においてＰＥＩ（Ｍｇ＋／Ｊ＋７２）
Ｌ の割合が異なる複数の焦電体を接合してなることを
特徴とする。
本発明を以下詳細に説明する。
まず（１−Ｘ） ＰｂＺｒ０３−ｘＰｂＴｉｏ３ 系焦
電材料において、Ｘが０．０６〜０．１０範囲にある場
合、大きな焦電係数を示す。
電材料において、Ｘが０．０６〜０．１０範囲にある場
合、大きな焦電係数を示す。
次にこの（ｌ −ｘ） ＰｂＺｒ０．−ｘｐｂＴｉＯ，
系にＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３を、全体を１００
モル％として、１〜２０モル％の割合で添加する。Ｐｂ
（Ｍｇ＋／ｚ Ｗｌ／２）０３の添加量が増大するにつ
れて焦電材料の相転移温度が低下し、焦電係数のピーク
も低温側に移動する。それとともに、室温付近の焦電係
数ｐは増加する傾向を示す。
系にＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３を、全体を１００
モル％として、１〜２０モル％の割合で添加する。Ｐｂ
（Ｍｇ＋／ｚ Ｗｌ／２）０３の添加量が増大するにつ
れて焦電材料の相転移温度が低下し、焦電係数のピーク
も低温側に移動する。それとともに、室温付近の焦電係
数ｐは増加する傾向を示す。
本発明の焦電型センサー素子に用いる焦電材料の組成の
三角グラフを第１図に示す。好ましい組成範囲は、（１
−ｘ）ＰｂＺｒＯ，−ｘＰｂＴｉＯ＋ 系において×＝
０．０６〜０，１０であり、かつＰｔｌ（Ｍｇｌ／２Ｗ
＋／２）０３ が８〜１５モル％である。
三角グラフを第１図に示す。好ましい組成範囲は、（１
−ｘ）ＰｂＺｒＯ，−ｘＰｂＴｉＯ＋ 系において×＝
０．０６〜０，１０であり、かつＰｔｌ（Ｍｇｌ／２Ｗ
＋／２）０３ が８〜１５モル％である。
本発明の焦電型センサー素子は複数の焦電体と接合して
おり、各焦電体は、異なる焦電係数の温度特性を有する
ように、異なる割合のｐｂ（Ｍｇ＋ｚＪ＋／２）０３
を含有することを特徴とする。接合する各焦電体の焦電
係数及びＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３ の含有量は
、焦電型センサー素子に対して所望する焦電係数の温度
特性によって種々変更することができる。
おり、各焦電体は、異なる焦電係数の温度特性を有する
ように、異なる割合のｐｂ（Ｍｇ＋ｚＪ＋／２）０３
を含有することを特徴とする。接合する各焦電体の焦電
係数及びＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３ の含有量は
、焦電型センサー素子に対して所望する焦電係数の温度
特性によって種々変更することができる。
一般にＰｂ（Ｍｇｌ／□Ｌ／ｚ）０＊ の含有量の多い
焦電体を接合することにより、室温付近における焦電係
数を大きなものとすることができる。
焦電体を接合することにより、室温付近における焦電係
数を大きなものとすることができる。
第２図は本発明の焦電型センサー素子の一例を示す。接
合された２つの焦電体薄板１，２は一対の電極３．４に
挟まれており、電極３．４間に生じた電圧は検出回路り
で検出される。焦電体薄板１．２は異なるＰｂ（Ｍｇ＋
／Ｊ＋ｚ□）０３量を有するために、焦電係数の温度特
性が異なる。これが並列に接合されているので、焦電型
センサー素子全体としては、焦電体薄板１，２の平均化
された温度特性を示す。また第３図は異なる焦電係数を
有する３つの焦電体薄板５，６．７が接合されてなる焦
電型センサー素子の例を示す。
合された２つの焦電体薄板１，２は一対の電極３．４に
挟まれており、電極３．４間に生じた電圧は検出回路り
で検出される。焦電体薄板１．２は異なるＰｂ（Ｍｇ＋
／Ｊ＋ｚ□）０３量を有するために、焦電係数の温度特
性が異なる。これが並列に接合されているので、焦電型
センサー素子全体としては、焦電体薄板１，２の平均化
された温度特性を示す。また第３図は異なる焦電係数を
有する３つの焦電体薄板５，６．７が接合されてなる焦
電型センサー素子の例を示す。
ＰｂＰｂＺｒ０３−ＰｂＴｉ０３−Ｐｂ（、、Ｊ＋、＞
Ｏａ系焦電材料から各焦電体を製造するには、種々の方
法を使用することができる。例えば特開昭６０−８４７
１２ 号に記載されているように、必要な成分の酸化物
を所定の割合で配合し、焼成、加工をすることにより一
体的な焦電体とすることができる。得られた焦電体の薄
板はボンディングガラス、有機接着剤等により接合する
。また、各添加剤の粉末を適当量混合し、低融点ガラス
等のバインダーを用いて、粉末を接合することで同様な
効果が得られる。ここで低融点ガラスを用いるのは、混
合粉７００ ℃付近から固体拡散が生じるため、７００
℃以下で溶融するガラスが必要であるためである。ま
たこのバインダーは有機物であっても問題はなく、望ま
しくはＰＶＤＦ等の焦電性を有する有機物を用いた方が
、バインダーによる特性劣化が生じず、好ましい。
Ｏａ系焦電材料から各焦電体を製造するには、種々の方
法を使用することができる。例えば特開昭６０−８４７
１２ 号に記載されているように、必要な成分の酸化物
を所定の割合で配合し、焼成、加工をすることにより一
体的な焦電体とすることができる。得られた焦電体の薄
板はボンディングガラス、有機接着剤等により接合する
。また、各添加剤の粉末を適当量混合し、低融点ガラス
等のバインダーを用いて、粉末を接合することで同様な
効果が得られる。ここで低融点ガラスを用いるのは、混
合粉７００ ℃付近から固体拡散が生じるため、７００
℃以下で溶融するガラスが必要であるためである。ま
たこのバインダーは有機物であっても問題はなく、望ま
しくはＰＶＤＦ等の焦電性を有する有機物を用いた方が
、バインダーによる特性劣化が生じず、好ましい。
また焦電体薄膜を形成し、それを接合するようにするこ
ともできる。この場合、ＲＦスパッタリング法、マグネ
トロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング
法、イオンブレーティング法、電子ピース蒸着法、ＣＶ
Ｄ法等の薄膜化技術を使用して薄膜を形成し、既に形成
した焦電体薄膜をマスクして次の焦電体薄膜を形成する
ことにより、複数の焦電体薄膜を接合することができる
。
ともできる。この場合、ＲＦスパッタリング法、マグネ
トロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング
法、イオンブレーティング法、電子ピース蒸着法、ＣＶ
Ｄ法等の薄膜化技術を使用して薄膜を形成し、既に形成
した焦電体薄膜をマスクして次の焦電体薄膜を形成する
ことにより、複数の焦電体薄膜を接合することができる
。
本発明により複数の焦電体を用いて焦電型センサー素子
を作成する場合、白金、３１等の基板上に複数の焦電体
の薄板を接合するか薄膜を形成し、その上にＡｕ、ＡＩ
！等で電極を形成する。焦電体薄膜の厚さは一般に１〜
１０μｍ程度とするのが好ましい。
を作成する場合、白金、３１等の基板上に複数の焦電体
の薄板を接合するか薄膜を形成し、その上にＡｕ、ＡＩ
！等で電極を形成する。焦電体薄膜の厚さは一般に１〜
１０μｍ程度とするのが好ましい。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。
参考例Ｉ
Ａ ｌ ２０３ からなる基板上に下部白金電橋をｆｌ
Ｆスパッタ法により形成し、この電極上にＰｂＺｒＧｏ
、２Ｔｉ。、。、０．とＰｂ（Ｍｇ＋７□Ｗｌ／２）０
３とを種々の割合で含有する焦電体薄膜を５μｍの厚さ
に形成した。さらにこの上に上部Ｐｔ電極をＲＦスバッ
タリ、フグ法により形成した。
Ｆスパッタ法により形成し、この電極上にＰｂＺｒＧｏ
、２Ｔｉ。、。、０．とＰｂ（Ｍｇ＋７□Ｗｌ／２）０
３とを種々の割合で含有する焦電体薄膜を５μｍの厚さ
に形成した。さらにこの上に上部Ｐｔ電極をＲＦスバッ
タリ、フグ法により形成した。
このようにして得られた焦電体の相転移温度を測定した
。結果を第４図に示す。
。結果を第４図に示す。
第４図から明らかな通り、Ｐｂ（Ｍｇ＋７□Ｗｌ／２）
０３が８〜１５モル％の範囲において相転移温度が約５
０℃以下となることがわかる。
０３が８〜１５モル％の範囲において相転移温度が約５
０℃以下となることがわかる。
参考例２
ＰｂＺｒｏ、 ９２ＴＩＯ，ｏａｏ＊とＰｂ（Ｍｇ＋７
２Ｗ＋、、ｚ）ｏ、 とを種々の割合で配合して焦電
体を形成した。得られた各焦電体薄膜について、温度と
焦電係数との関係を求めた。結果を第５図に示す。
２Ｗ＋、、ｚ）ｏ、 とを種々の割合で配合して焦電
体を形成した。得られた各焦電体薄膜について、温度と
焦電係数との関係を求めた。結果を第５図に示す。
第５図カラ明らかな通り、Ｐｂ（Ｍｇ＋、ｚ２Ｗ＋、ｚ
ｚ）０＊ カ８〜１５モル％の範囲・の場合、２０〜８
０℃の範囲において十分に高い焦電係数ｐを有する。
ｚ）０＊ カ８〜１５モル％の範囲・の場合、２０〜８
０℃の範囲において十分に高い焦電係数ｐを有する。
実施例１
第２図に示すように、ＰｂＺｒｏ、 ９２ＴＩＯ，ａｓ
口、にＰｂ（Ｍｇ＋ｙｘＶＩ＋ｙ□）０３ を種々の割
合（１０モル％、１４モル％）で配合してなる焦電体薄
板１及び２を接合し、両面に白金電極３．４を設けるこ
とにより、センサー素子を形成した。
口、にＰｂ（Ｍｇ＋ｙｘＶＩ＋ｙ□）０３ を種々の割
合（１０モル％、１４モル％）で配合してなる焦電体薄
板１及び２を接合し、両面に白金電極３．４を設けるこ
とにより、センサー素子を形成した。
このようにして得られた焦電型センサー素子の焦電係数
を測定した。結果を第６（ａ）図に示す。また焦電体薄
板１，２を単独で用いてなる焦電型センサー素子につい
て、同様に焦電係数を測定した。
を測定した。結果を第６（ａ）図に示す。また焦電体薄
板１，２を単独で用いてなる焦電型センサー素子につい
て、同様に焦電係数を測定した。
結果を第６Ｑ））に示す。
第６（ａ）図から明らかな通り、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚｚ Ｗ
＋７２）Ｏｓが１０モル％の焦電体と１４モル％の焦電
体とを接合してなるセンサー素子は室温付近の温度範囲
において、平均して高い焦電係数を示す。これに対して
、第６（ｂ〕図から明らかな通り、それぞれ１０モル％
、１４モル％のＰｔｌ（Ｍｇｌ／２ Ｗｌ／２）０３の
焦電体の焦電係数は大きなピークを有するが、平均して
高い焦電係数を有していない。
＋７２）Ｏｓが１０モル％の焦電体と１４モル％の焦電
体とを接合してなるセンサー素子は室温付近の温度範囲
において、平均して高い焦電係数を示す。これに対して
、第６（ｂ〕図から明らかな通り、それぞれ１０モル％
、１４モル％のＰｔｌ（Ｍｇｌ／２ Ｗｌ／２）０３の
焦電体の焦電係数は大きなピークを有するが、平均して
高い焦電係数を有していない。
実施例２
第３図に示すように、ＰｂＺｒｏ、１ｚＴｌｏ、 ｏｓ
ｏｌにＰｂ（Ｍｇｒ７Ｊ＋７２）Ｏｓ を種々の割合（
８モル％、１０モル％、１４モル％）で配合してなる焦
電体薄板５．６及び７を接合し、両面に白金電極３，４
を設けることにより、センサー素子を形成した。
ｏｌにＰｂ（Ｍｇｒ７Ｊ＋７２）Ｏｓ を種々の割合（
８モル％、１０モル％、１４モル％）で配合してなる焦
電体薄板５．６及び７を接合し、両面に白金電極３，４
を設けることにより、センサー素子を形成した。
このようにして得られた焦電型センサー素子の焦電係数
を測定した。結果を同様に第６（ａ）図に示す。また焦
電体薄板５．６．Ｔを単独で用いてなる焦電型センサー
素子の焦電係数の測定結果を第６ら）図に示す。
を測定した。結果を同様に第６（ａ）図に示す。また焦
電体薄板５．６．Ｔを単独で用いてなる焦電型センサー
素子の焦電係数の測定結果を第６ら）図に示す。
第６（ａ）図から明らかな通り、Ｐｂ（ＭＬ／Ｊ＋７ｚ
）０＊が８モル％の焦電体と、１０モル％の焦電体と、
１４モル％の焦電体とを接合してなるセンサー素子は室
温付近を含む広い温度範囲において、平均して高い焦電
係数を示す。
）０＊が８モル％の焦電体と、１０モル％の焦電体と、
１４モル％の焦電体とを接合してなるセンサー素子は室
温付近を含む広い温度範囲において、平均して高い焦電
係数を示す。
以上に詳述した通り、本発明の焦電型センサー素子はＰ
ｂＺｒ０．−ＰｂＴｉＯ，系に異なる割合のＰｂ （Ｍ
ｇ Ｉ／２Ｗ ｌ／ ２ ＞ ０３を添加した複数の焦
電体を接合してなるものであるので、焦電係数の温度特
性を自由に制御することができ、特に室温付近において
、十分に高い焦電係数を有する。
ｂＺｒ０．−ＰｂＴｉＯ，系に異なる割合のＰｂ （Ｍ
ｇ Ｉ／２Ｗ ｌ／ ２ ＞ ０３を添加した複数の焦
電体を接合してなるものであるので、焦電係数の温度特
性を自由に制御することができ、特に室温付近において
、十分に高い焦電係数を有する。
このように焦電係数の温度特性が改善された焦電型セン
サー素子を用いた焦電型赤外線センサーーーは、室温付
近で使用される人体検出センサー、非接触型温度センサ
ー等に広く利用することができる。
サー素子を用いた焦電型赤外線センサーーーは、室温付
近で使用される人体検出センサー、非接触型温度センサ
ー等に広く利用することができる。
第１図は本発明の焦電材料の組成を表す三角グラフであ
り、 第２図は本発明の焦電型センサー素子の一例を示す断面
図であり、 第３図は本発明の焦電型センサー素子の他の例を示す断
面図であり、 第４図はｐＨ（ＭＬ／Ｊ＋／ｚ）Ｏｓの添加量（モル％
）と相転移温度との関係を示すグラフであり、第５図は
Ｐｂｚｒｏ１２ＴｌＯ，ｏ＠０３ にＰｔｌ（Ｍｇ＋
ｚＪ＋７□）Ｏｓを配合した焦電材料の焦電係数の温度
依存性を示すグラフであり、 第６図（ａ）は第２図及び第３図の焦電型センサー素子
の焦電係数を示し、第６図ら）図は単一の焦電体からな
る焦電型センサー素子の焦電係数を示し、第７図は（１
−Ｘ） ＰｂＺｒ０＊−ｘＰｂＴｉ０３ 系焦電材料の
焦電係数の温度依存性を示すグラフである。 出 願 人 本田技研工業株式会社 代 理 人 弁理士 高 石 橋
馬第１図 Ｐｂ（Ｍｇ’／２Ｗ’／２）０３ ビ引＋Ｃ，１３ ｂＺｒＯ３ Ｐｂ（ＭＣＪ ＋／２Ｗ＋／２）０３ ｍｏ１％第１％ 湿度（’Ｃ） ｆｂ） 温度（０Ｃ） 嶌５図 浬゛濱 （０Ｃ） 無電１系数 ｆｘ ＩＯ″′９Ｃ／ｃｍ２−’Ｃ）
り、 第２図は本発明の焦電型センサー素子の一例を示す断面
図であり、 第３図は本発明の焦電型センサー素子の他の例を示す断
面図であり、 第４図はｐＨ（ＭＬ／Ｊ＋／ｚ）Ｏｓの添加量（モル％
）と相転移温度との関係を示すグラフであり、第５図は
Ｐｂｚｒｏ１２ＴｌＯ，ｏ＠０３ にＰｔｌ（Ｍｇ＋
ｚＪ＋７□）Ｏｓを配合した焦電材料の焦電係数の温度
依存性を示すグラフであり、 第６図（ａ）は第２図及び第３図の焦電型センサー素子
の焦電係数を示し、第６図ら）図は単一の焦電体からな
る焦電型センサー素子の焦電係数を示し、第７図は（１
−Ｘ） ＰｂＺｒ０＊−ｘＰｂＴｉ０３ 系焦電材料の
焦電係数の温度依存性を示すグラフである。 出 願 人 本田技研工業株式会社 代 理 人 弁理士 高 石 橋
馬第１図 Ｐｂ（Ｍｇ’／２Ｗ’／２）０３ ビ引＋Ｃ，１３ ｂＺｒＯ３ Ｐｂ（ＭＣＪ ＋／２Ｗ＋／２）０３ ｍｏ１％第１％ 湿度（’Ｃ） ｆｂ） 温度（０Ｃ） 嶌５図 浬゛濱 （０Ｃ） 無電１系数 ｆｘ ＩＯ″′９Ｃ／ｃｍ２−’Ｃ）
Claims (1)
- ＰｂＺｒＯ＿３７０〜９３モル％と、ＰｂＴｉＯ＿３
６〜１０モル％と、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／
＿２）０，１〜２０モル％とからなる組成範囲内におい
てＰｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３の割
合が異なる複数の焦電体を接合してなることを特徴とす
る焦電型センサー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63212226A JP2678625B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 焦電型センサー素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63212226A JP2678625B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 焦電型センサー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261906A true JPH0261906A (ja) | 1990-03-01 |
| JP2678625B2 JP2678625B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=16619044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63212226A Expired - Lifetime JP2678625B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 焦電型センサー素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2678625B2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63212226A patent/JP2678625B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2678625B2 (ja) | 1997-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103119743A (zh) | 具有增强的抗疲劳性的无铅压电材料 | |
| JPH0261906A (ja) | 焦電型センサー素子 | |
| Sakamoto et al. | Voltage responsivity of pyroelectric sensor | |
| CN104075810A (zh) | 红外线传感器、热检测元件及使用了它的热检测方法 | |
| Nadoliisky et al. | Dielectric, piezoelectric and pyroelectric properties of PbZrO3-PbTiO3-Pb (Mn1/3Sb2/3) O3 ferroelectric system | |
| JPH0762235B2 (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPS63182532A (ja) | 温度センサ及びそれを用いた温度検知器 | |
| JPS59138004A (ja) | 強誘電体薄膜 | |
| JPH0251803A (ja) | 焦電材料 | |
| JP2957002B2 (ja) | 圧電性磁器組成物 | |
| JPS62822A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPS61285609A (ja) | チタン酸鉛強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2727327B2 (ja) | 焦電材料 | |
| JPH0335249B2 (ja) | ||
| Çapan | Organic pyroelectric materials for device applications | |
| JPS5867084A (ja) | たわみ素子 | |
| JP2568505B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子 | |
| Takayama et al. | Ferroelectric thin films of PbTiO3 system prepared by sputtering deposition and their application to pyroelectric sensors | |
| JPH04340281A (ja) | 圧電バイモルフ変位素子 | |
| Ichiki et al. | Ultraviolet sensor of non-bias type; layered film structure of photovoltaic ferroelectrics | |
| JPS61251104A (ja) | 静電容量を持つバリスタ | |
| JPS623595B2 (ja) | ||
| JPH0749997B2 (ja) | 焦電型赤外線アレイ素子 | |
| JPS5848976A (ja) | 変位素子 | |
| JPS63169777A (ja) | 電歪式変位素子 |