JPH0262954B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0262954B2 JPH0262954B2 JP59002212A JP221284A JPH0262954B2 JP H0262954 B2 JPH0262954 B2 JP H0262954B2 JP 59002212 A JP59002212 A JP 59002212A JP 221284 A JP221284 A JP 221284A JP H0262954 B2 JPH0262954 B2 JP H0262954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- optical output
- pulse
- current
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、レーザダイオードの光出力安定化を
図るレーザダイオード駆動回路に係り、特に
Vgrooved Substrate Burised−heterostrusture
レーザダイオード（以下VSBレーザダイオード
と称す）の如く、温度により量子効率が変化する
レーザダイオードの光出力安定化を図るレーザダ
イオード駆動回路に関する。
図るレーザダイオード駆動回路に係り、特に
Vgrooved Substrate Burised−heterostrusture
レーザダイオード（以下VSBレーザダイオード
と称す）の如く、温度により量子効率が変化する
レーザダイオードの光出力安定化を図るレーザダ
イオード駆動回路に関する。
(b) 技術の背景
従来のレーザダイオードの、閾値電流（第１図
イ，ロ点）を越えて流れる電流と光出力との比で
ある量子効率は、温度がかわつても第１図に示す
如く一定であつた。しかし最近消費電力が小さい
VSBレーザダイオードの如く、量子効率が、第
２図に示す如く温度により変化するものが出現し
た。
イ，ロ点）を越えて流れる電流と光出力との比で
ある量子効率は、温度がかわつても第１図に示す
如く一定であつた。しかし最近消費電力が小さい
VSBレーザダイオードの如く、量子効率が、第
２図に示す如く温度により変化するものが出現し
た。
このため量子効率の変化を考慮した制御方式が
要求されているが、かわる量子効率の変化の割合
はレーザダイオード毎に異なつているため、この
点も考慮した制御方式が望まれている。
要求されているが、かわる量子効率の変化の割合
はレーザダイオード毎に異なつているため、この
点も考慮した制御方式が望まれている。
(c) 従来技術と問題点
従来のレーザダイオードは上記説明の如く温度
がかわつても量子効率は一定である為、レーザダ
イオードの光出力を安定化するには例えば次に説
明する如き方法が用いられていた。
がかわつても量子効率は一定である為、レーザダ
イオードの光出力を安定化するには例えば次に説
明する如き方法が用いられていた。
第３図は従来例の光出力安定化をした場合の温
度変化時の直流バイアス電流とパルス電流との関
係及び光出力パルスを示す特性図、第４図は第３
図の方法を用いてVSBレーザダイオードの光出
力安定化を行つた場合の温度変化時の光出力パル
スの消光比を示す図、第５図は直流バイアス電流
とパルス電流の比を同じ割合で変化させVSBレ
ーザダイオードの出力安定化を行つた場合の光出
力パルス巾を示す図である。
度変化時の直流バイアス電流とパルス電流との関
係及び光出力パルスを示す特性図、第４図は第３
図の方法を用いてVSBレーザダイオードの光出
力安定化を行つた場合の温度変化時の光出力パル
スの消光比を示す図、第５図は直流バイアス電流
とパルス電流の比を同じ割合で変化させVSBレ
ーザダイオードの出力安定化を行つた場合の光出
力パルス巾を示す図である。
従来のレーザダイオードの場合は温度がわかつ
ても量子効率は一定の為、第３図に示す如く温度
が25℃から50℃にかわつてもパルス電流Ibの振幅
は一定にしバイアス電流IBを各温度の閾値電流に
ほぼ等しくなるようIB25からIB50に変化さて光出
力安定化を行つていた。この場合は温度がかわつ
ても第３図ハに示す如く消光比及び光出力パルス
の巾は一定である。
ても量子効率は一定の為、第３図に示す如く温度
が25℃から50℃にかわつてもパルス電流Ibの振幅
は一定にしバイアス電流IBを各温度の閾値電流に
ほぼ等しくなるようIB25からIB50に変化さて光出
力安定化を行つていた。この場合は温度がかわつ
ても第３図ハに示す如く消光比及び光出力パルス
の巾は一定である。
しかしこの方法を、VSBレーザダイオードに
用いると、量子効率が温度によりかわるので、50
℃の場合の光出力パルスは、パルス電流不足によ
り第４図ニに示す如く消光比が劣化したものとな
る問題が発生する。
用いると、量子効率が温度によりかわるので、50
℃の場合の光出力パルスは、パルス電流不足によ
り第４図ニに示す如く消光比が劣化したものとな
る問題が発生する。
このため、第５図に示す如く、25℃と50℃の場
合の直流バイアス電流とパルス電流の比を同じ割
合で変化させることを考慮したが、VSBレーザ
ダイオード個々の特性が異なつているため、素子
によつては直流バイアス電流不足により発振遅延
時間が大きくなり、第５図ホに示す50℃の場合の
光出力パルス巾が第５図ヘに示す25℃の場合の光
出力パルス巾より減少する問題が発生する。
合の直流バイアス電流とパルス電流の比を同じ割
合で変化させることを考慮したが、VSBレーザ
ダイオード個々の特性が異なつているため、素子
によつては直流バイアス電流不足により発振遅延
時間が大きくなり、第５図ホに示す50℃の場合の
光出力パルス巾が第５図ヘに示す25℃の場合の光
出力パルス巾より減少する問題が発生する。
(d) 発明の目的
本発明の目的は上記の問題に鑑み、量子効率が
温度によりかわるレーザダイオードの場合、温度
がかわつても消光比を悪くせず又光出力パルス巾
を変化せずに光出力安定化が可能なレーザダイオ
ード駆動回路の提供にある。
温度によりかわるレーザダイオードの場合、温度
がかわつても消光比を悪くせず又光出力パルス巾
を変化せずに光出力安定化が可能なレーザダイオ
ード駆動回路の提供にある。
(e) 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、温度に
よりかわる量子効率の変化の割合はレーザダイオ
ード固々には変化するも温度変化に比例する点に
着目し、レーザダイオードの温度特性に応じて、
パルス電流と直流バイアス電流の変化の割合を各
レーザダイオード毎に可変できる変化比設定回路
を設けたことを特徴とする。
よりかわる量子効率の変化の割合はレーザダイオ
ード固々には変化するも温度変化に比例する点に
着目し、レーザダイオードの温度特性に応じて、
パルス電流と直流バイアス電流の変化の割合を各
レーザダイオード毎に可変できる変化比設定回路
を設けたことを特徴とする。
(f) 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図に従つて説明す
る。第６図は本発明の実施例のレーザダイオード
駆動回路のブロツク図、第７図は第６図の変化比
設定回路の回路構成を示すブロツク図である。
る。第６図は本発明の実施例のレーザダイオード
駆動回路のブロツク図、第７図は第６図の変化比
設定回路の回路構成を示すブロツク図である。
図中１はレーザダイオード（以下LDと称す）、
２は後方光モニタ部、３はパルス電流源、４は直
流バイアス電流源、５は比較器、６は変化比設定
回路、７，８は低域波器、９，１０は演算増巾
器、R1〜R7は抵抗を示す。
２は後方光モニタ部、３はパルス電流源、４は直
流バイアス電流源、５は比較器、６は変化比設定
回路、７，８は低域波器、９，１０は演算増巾
器、R1〜R7は抵抗を示す。
第６図においては、LD１の後方光出力を受光
器にて電気信号に変換する後方光モニタ部２にて
取出し、比較器５にて、入力データを参照電圧と
して比較し、其の出力△υにて直流バイアス電流
源４及び変化比設定回路６を介してパルス電流源
３の出力電流を制御し、光出力パワーが一定にな
るよう帰還をかけている。今バイアス電流源４の
伝達アドミツタタンスをYBとすると比較器５の
出力電圧△υにより変化するバイアス電流△IBは
次式(1)の如くなる。
器にて電気信号に変換する後方光モニタ部２にて
取出し、比較器５にて、入力データを参照電圧と
して比較し、其の出力△υにて直流バイアス電流
源４及び変化比設定回路６を介してパルス電流源
３の出力電流を制御し、光出力パワーが一定にな
るよう帰還をかけている。今バイアス電流源４の
伝達アドミツタタンスをYBとすると比較器５の
出力電圧△υにより変化するバイアス電流△IBは
次式(1)の如くなる。
△IB＝△υ・YB ………(1)
変化比設定回路６は第７図に示す如くであり、
この回路の利得はR2／R1・R6／R4で表わされるので、 パルス電流源３の伝達アドミツタンスをYPとす
ると、比較器５の出力電圧△υにより変化するパ
ルス電流△IPは次式(2)の如くなる。
この回路の利得はR2／R1・R6／R4で表わされるので、 パルス電流源３の伝達アドミツタンスをYPとす
ると、比較器５の出力電圧△υにより変化するパ
ルス電流△IPは次式(2)の如くなる。
△IP＝△υ・R2／R1・R6／R4・YP ………(2)
ここでLD１の例えば25℃及び50℃の時のLD１
に流れる電流と光出力パワーの特性は特性図によ
り予め判つているので、25℃と50℃との閾値電流
より25℃及び50℃の直流バイアス電流及びこの場
合出力安定化する為の25℃及び50℃のパルス電流
を求め、次に50℃と25℃の場合の出力安定化する
ためのパルス電流の差IP50-25及び直流バイアス電
流の差IB50-25を求め、この時の△IP50-25／△IB50-25
＝ｋを 求める。今第６図では比較器５の出力電圧△υに
より変化する パルス電流の変化△IPと直流バイアス電流の変
化△IBとの比は式(1)、式(2)より次式(3)に示す如く
であるので、 △IP／△IB＝R2／R1・R6／R4・YP／YB ………(3) この(3)式の値が、上記ｋの値になるような、次
式(4)に示す抵抗R2を求め、第７図の抵抗R2の値
をこの値とする。
に流れる電流と光出力パワーの特性は特性図によ
り予め判つているので、25℃と50℃との閾値電流
より25℃及び50℃の直流バイアス電流及びこの場
合出力安定化する為の25℃及び50℃のパルス電流
を求め、次に50℃と25℃の場合の出力安定化する
ためのパルス電流の差IP50-25及び直流バイアス電
流の差IB50-25を求め、この時の△IP50-25／△IB50-25
＝ｋを 求める。今第６図では比較器５の出力電圧△υに
より変化する パルス電流の変化△IPと直流バイアス電流の変
化△IBとの比は式(1)、式(2)より次式(3)に示す如く
であるので、 △IP／△IB＝R2／R1・R6／R4・YP／YB ………(3) この(3)式の値が、上記ｋの値になるような、次
式(4)に示す抵抗R2を求め、第７図の抵抗R2の値
をこの値とする。
R2＝ｋR1・R4・YB／R6・YP ………(4)
このようにすれば、温度変化に対して光出力を
安定化しても閾値電流及び量子効率の変化に追従
した直流バイアス電流及びパルス電流が得られる
ので、消光比を落とさず光出力パルス巾の変化は
なくなる。尚第７図のVoffsetよりは所要の光出
力パワーを得られる電圧をかけておく。
安定化しても閾値電流及び量子効率の変化に追従
した直流バイアス電流及びパルス電流が得られる
ので、消光比を落とさず光出力パルス巾の変化は
なくなる。尚第７図のVoffsetよりは所要の光出
力パワーを得られる電圧をかけておく。
(g) 発明の効果
以上詳細に説明せる如く本発明によれば、温度
による量子効率の変化量がLDによつて異なる場
合でも、これに追従して直流バイアス電流及びパ
ルス電流が決められるので、光出力パルス巾を変
化させずに光出力安定化が可能となる効果があ
る。
による量子効率の変化量がLDによつて異なる場
合でも、これに追従して直流バイアス電流及びパ
ルス電流が決められるので、光出力パルス巾を変
化させずに光出力安定化が可能となる効果があ
る。
第１図は、従来のレーザダイオードの、温度変
化によるレーザダイオードに流れる電流と光出力
パワーの関係を示す特性図、第２図は、VSBレ
ーザダイオードの、温度変化によるレーザダイオ
ードに流れる電流と光出力パワーの関係を示す特
性図、第３図は、従来のレーザダイオードの場合
で従来例の光出力安定化をした場合の温度変化時
の直流バイアス電流とパルス電流との関係及び光
出力パルスを示す特性図、第４図は第３図の方法
を用いVSBレーザダイオードの光出力安定化を
行つた場合の温度変化時の光出力パルスの消光比
を示す図、第５図は直流バイアス電流とパルス電
流の比を同じ割合で変化させVSBレーザダイオ
ードの出力安定化を行つた場合の光出力パルス巾
を示す図、第６図は本発明の実施例のレーザダイ
オード駆動回路のブロツク図、第７図は第６図の
変化比設定回路の回路構成を示すブロツク図であ
る。 図中１はレーザダイオード、２は後方光モニタ
部、３はパルス電流源、４は直流バイアス源、５
は比較器、６は変化比設定回路、７，８は低域
波器、９，１０は演算増巾器、R1〜R7は抵抗を
示す。
化によるレーザダイオードに流れる電流と光出力
パワーの関係を示す特性図、第２図は、VSBレ
ーザダイオードの、温度変化によるレーザダイオ
ードに流れる電流と光出力パワーの関係を示す特
性図、第３図は、従来のレーザダイオードの場合
で従来例の光出力安定化をした場合の温度変化時
の直流バイアス電流とパルス電流との関係及び光
出力パルスを示す特性図、第４図は第３図の方法
を用いVSBレーザダイオードの光出力安定化を
行つた場合の温度変化時の光出力パルスの消光比
を示す図、第５図は直流バイアス電流とパルス電
流の比を同じ割合で変化させVSBレーザダイオ
ードの出力安定化を行つた場合の光出力パルス巾
を示す図、第６図は本発明の実施例のレーザダイ
オード駆動回路のブロツク図、第７図は第６図の
変化比設定回路の回路構成を示すブロツク図であ
る。 図中１はレーザダイオード、２は後方光モニタ
部、３はパルス電流源、４は直流バイアス源、５
は比較器、６は変化比設定回路、７，８は低域
波器、９，１０は演算増巾器、R1〜R7は抵抗を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 信号データを入力して、比較器５の出力電圧
（Δυ）に対応してレーザダイオード１を駆動する
ためのパルス電流を出力するパルス電流源３と、
比較器５の出力電圧（Δυ）に対応して該レーザ
ダイオードを駆動するための直流バイアス電流を
出力する直流バイアス電流源４と、該レーザダイ
オードの出力の一部と参照電圧とを比較して両者
の差の電圧（Δυ）を求めて出力する比較器５と
を有し、該レーザダイオードの光出力安定化を図
るレーザダイオード駆動回路において、 該比較器と該パルス電流源との間に挿入され、
該パルス電流と該直流バイアス電流の変化の割合
を、各レーザダイオード毎に可変出来る変化比設
定回路６を設けたことを特徴とするレーザダイオ
ード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP221284A JPS60145680A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP221284A JPS60145680A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145680A JPS60145680A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0262954B2 true JPH0262954B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=11523039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP221284A Granted JPS60145680A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145680A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985896A (en) * | 1985-03-29 | 1991-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser driving device |
| JPS6263834A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Ando Electric Co Ltd | レ−ザダイオ−ドの発光特性測定装置 |
| US4890288A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light quantity control device |
| DE3706572A1 (de) * | 1987-02-28 | 1988-09-08 | Philips Patentverwaltung | Regelung von laserdioden |
| JP3248155B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | 半導体レーザの駆動方法 |
| US5953690A (en) * | 1996-07-01 | 1999-09-14 | Pacific Fiberoptics, Inc. | Intelligent fiberoptic receivers and method of operating and manufacturing the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164589A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Hitachi Ltd | Light output stabilizing method |
| JPS58106962U (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | 日本電気株式会社 | レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP221284A patent/JPS60145680A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145680A (ja) | 1985-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0982880B1 (en) | Optical transmitter having temperature compensating function | |
| EP0539038B1 (en) | Optical transmitters | |
| JP3636411B2 (ja) | レーザーダイオードの駆動回路および駆動方法 | |
| JPH0262954B2 (ja) | ||
| JPH01117385A (ja) | 半導体レーザバイアス電流制御方式 | |
| JPH0936810A (ja) | 光信号送信装置 | |
| US5970078A (en) | Laser drive circuit | |
| US4796267A (en) | Laser control circuit | |
| JPH01225187A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20020093999A1 (en) | Laser diode drive circuit and optical transmission system | |
| JPH0314244B2 (ja) | ||
| JP2005057216A (ja) | レーザダイオード駆動回路及び光送信装置 | |
| JPH0142514B2 (ja) | ||
| JPS62236208A (ja) | 半導体発光素子の駆動回路 | |
| JPH0247616Y2 (ja) | ||
| JPH0454029A (ja) | 光出力安定化方式 | |
| JPS6230433A (ja) | レ−ザダイオ−ドバイアス電流制御方式 | |
| JP2601097B2 (ja) | 光送信器 | |
| JPS63226088A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JPH11112437A (ja) | 光送信器 | |
| JPS61164283A (ja) | 半導体レ−ザの光出力安定化装置 | |
| JPH11298417A (ja) | 光送信器 | |
| JPH0149028B2 (ja) | ||
| JPH02268481A (ja) | レーザダイオード駆動装置 | |
| JP2573426B2 (ja) | バースト型光通信回路 |