JPH0263142A - モールド・パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
モールド・パッケージおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0263142A JPH0263142A JP63214176A JP21417688A JPH0263142A JP H0263142 A JPH0263142 A JP H0263142A JP 63214176 A JP63214176 A JP 63214176A JP 21417688 A JP21417688 A JP 21417688A JP H0263142 A JPH0263142 A JP H0263142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- package
- reduced
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、モールド・パフケージおよびその製造方法に
関する。
関する。
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
モールド・パッケージおよびその製造方法ならびにそれ
に使用するリードフレームに関し。
に使用するリードフレームに関し。
熱抵抗を軽減し、アセンブリ時の応力を低減し。
ＩＣやＬＳＩなどのパッケージに、プラスチック・パッ
ケージあるいはモールド・パッケージが用いられている
。
ケージあるいはモールド・パッケージが用いられている
。
第４図に従来用いられていたモールド・パフケ−ジの例
を示す、このパッケージは、５ｏｐ（Ｓ＋ｍａｌｌ ０
ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）またはフラット・パッ
ケージと呼ばれている。
を示す、このパッケージは、５ｏｐ（Ｓ＋ｍａｌｌ ０
ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）またはフラット・パッ
ケージと呼ばれている。
以下、第４図に示す従来のｓｏｐの製造方法を説明する
。
。
まず、リードフレームのステージの上にＩＣチップを載
置し、ワイヤボンディングを施した後。
置し、ワイヤボンディングを施した後。
エポキシ樹脂などの高分子樹脂を用いてトランスファ成
形により封止し、モールド・パッケージを仕上げる０次
いで、リードフレームを所定の個所で切断し、リード部
を折り曲げて成形する。
形により封止し、モールド・パッケージを仕上げる０次
いで、リードフレームを所定の個所で切断し、リード部
を折り曲げて成形する。
従来のモールド・パッケージは、その製造工程において
、樹脂でモールドを形成する際やリードフレームの足切
りや足曲げの際に、ＩＣチップにストレスがかかり、Ｉ
Ｃの特性が微妙な影響を受ける。という問題が生じてい
た。
、樹脂でモールドを形成する際やリードフレームの足切
りや足曲げの際に、ＩＣチップにストレスがかかり、Ｉ
Ｃの特性が微妙な影響を受ける。という問題が生じてい
た。
また、樹脂の熱抵抗が高いためにｔＣの高速化。
高集積化とともに消費電力が大きくなり１発熱による温
度上昇がＩＣの特性に影響を与える。という問題も生じ
ていた。
度上昇がＩＣの特性に影響を与える。という問題も生じ
ていた。
本発明は、上記の問題点を解決し、熱抵抗を軽減し、ア
センブリ時の応力を低減し、モールド工程を簡略化する
とともに高密度実装を実現したモールド・パフケージお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
センブリ時の応力を低減し、モールド工程を簡略化する
とともに高密度実装を実現したモールド・パフケージお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために１本発明に係るモールド・パ
ッケージは、リードフレームの上面および側面にのみモ
ールド樹脂を形成し、リードフレームの下面を露出させ
るように構成する。
ッケージは、リードフレームの上面および側面にのみモ
ールド樹脂を形成し、リードフレームの下面を露出させ
るように構成する。
本発明に係るモールド・パッケージの製造方法は１本発
明のモールド・パッケージのモールド樹脂形成を樹脂の
滴下により行うように構成する。
明のモールド・パッケージのモールド樹脂形成を樹脂の
滴下により行うように構成する。
本発明に係るモールド・パッケージは、リードフレーム
の上面および側面にのみモールド樹脂が形成されており
、リードフレームの下面は露出している。すなわち、パ
ッケージの底面とピンが平坦であるので１足曲げの必要
がない、また、従来のように、リードフレームを上下か
ら挟み込んで封止する。という工程を採らないために、
トランスファ成形を採らず、モールド樹脂の滴下による
形成が可能となるので、アセンブリ時の応力が少なくな
り、その結果、ＩＣチップが受けるストレスを軽減する
ことができる。
の上面および側面にのみモールド樹脂が形成されており
、リードフレームの下面は露出している。すなわち、パ
ッケージの底面とピンが平坦であるので１足曲げの必要
がない、また、従来のように、リードフレームを上下か
ら挟み込んで封止する。という工程を採らないために、
トランスファ成形を採らず、モールド樹脂の滴下による
形成が可能となるので、アセンブリ時の応力が少なくな
り、その結果、ＩＣチップが受けるストレスを軽減する
ことができる。
熱抵抗に関しては、リードフレームが露出した形状なの
で、基板側の放熱対策により飛躍的に改善することがで
きる。
で、基板側の放熱対策により飛躍的に改善することがで
きる。
第１図は、第１の発明に係るＳＯＰ形パフケージの例を
示す図である。
示す図である。
第１図において、１１はピン（リードフレーム）、１２
はモールド樹脂である。
はモールド樹脂である。
第１図に示すように１本発明に係るｓｏｐ形パッケージ
は、モールド樹脂１２がリードフレーム１１の上面およ
び側面にのみ形成されており、リードフレーム１１の下
面は露出している。また。
は、モールド樹脂１２がリードフレーム１１の上面およ
び側面にのみ形成されており、リードフレーム１１の下
面は露出している。また。
ピン１１は平坦に形成されている。
第２図は０本発明に係るＳＯＰ形パッケージの変形例を
示す図である。
示す図である。
第２図において、２１はピン（リードフレーム）、２２
はモールド樹脂、２３はネジ止め部材または放熱板であ
る。
はモールド樹脂、２３はネジ止め部材または放熱板であ
る。
第２図に示すＳＯＰ形パッケージは、第１図に示すＳＯ
Ｐ形パッケージのＩＣチップを載置するためのステージ
を延長してネジ止め部材または放熱板２３を設けたもの
である。ネジ止め部材２３により、プリント基板にネジ
止めしてプリント基板のパターンにより放熱効果を高め
ることができる。また、放熱板２３により、放熱特性を
向上させることができる。
Ｐ形パッケージのＩＣチップを載置するためのステージ
を延長してネジ止め部材または放熱板２３を設けたもの
である。ネジ止め部材２３により、プリント基板にネジ
止めしてプリント基板のパターンにより放熱効果を高め
ることができる。また、放熱板２３により、放熱特性を
向上させることができる。
第３図は１本発明に係るｓｏｐ形パッケージの断面図で
ある。
ある。
第３図において、３１はリードフレーム、３２はステー
ジ、３３はピン、３４はＩＣチップ、３５はモールド樹
脂である。
ジ、３３はピン、３４はＩＣチップ、３５はモールド樹
脂である。
第１図および第２図に示したＳｏＰ形パッケージはリー
ドフレームの断面が平坦な場合、モールド樹脂との密着
性により機械的強度が低くなることが考えられる。この
点を改善し、リードフレームの断面形状を逆台形に加工
したものが、第３図に示すＳＯＰ形パフケージである。
ドフレームの断面が平坦な場合、モールド樹脂との密着
性により機械的強度が低くなることが考えられる。この
点を改善し、リードフレームの断面形状を逆台形に加工
したものが、第３図に示すＳＯＰ形パフケージである。
第３図に示すように、リードフレーム３Ｉの断面形状を
逆台形に加工すると、モールド樹脂３５との密着性が向
上するので、ｉ械的強度が大きくなる。
逆台形に加工すると、モールド樹脂３５との密着性が向
上するので、ｉ械的強度が大きくなる。
第１図〜第３図には、ピンが２方向に出ているＳＯＰ形
パフケージを示したが０本発明は、 ＱＦＰのように
ピンが４方向に出ているパフケージに適用することもで
きる。
パフケージを示したが０本発明は、 ＱＦＰのように
ピンが４方向に出ているパフケージに適用することもで
きる。
第１図〜第３図に示したＳＯＰ形パッケージはリードフ
レームの上面のみにモールド樹脂を形成すればよいから
、モールド樹脂を形成する方法としては、エポキシ樹脂
などの高分子樹脂をＩＣチップを載置したリードフレー
ム上に滴下することにより行うことができる。したがっ
て、モールド形成工程が簡略化される。
レームの上面のみにモールド樹脂を形成すればよいから
、モールド樹脂を形成する方法としては、エポキシ樹脂
などの高分子樹脂をＩＣチップを載置したリードフレー
ム上に滴下することにより行うことができる。したがっ
て、モールド形成工程が簡略化される。
本発明には２次の効果がある。
■熱抵抗を軽減することができる。
本発明によれば、従来１５０°ｃ／Ｗ程度のものが、５
０℃／Ｗ以下に低減できる。
０℃／Ｗ以下に低減できる。
■アセノブ９時の応力を低減することができる。
本発明は、トランスファ成形を用いないので。
封止時の応力をなくすことができる。また、リードが平
坦であるので１足曲げによる応力をなくすことができる
。
坦であるので１足曲げによる応力をなくすことができる
。
■従来のモールド・パフケージよりもコストを低減する
ことができる。
ことができる。
本発明によれば、樹脂モールドが半分で済むだけでなく
、工程を簡略化することができる。
、工程を簡略化することができる。
■従来のモールド・パフケージに比してパッケージの厚
さが約半分となるので、ハイブリッドＩＣなどで実装上
有利となる。
さが約半分となるので、ハイブリッドＩＣなどで実装上
有利となる。
第１図は本発明に係るＳＯＰ形パンケージの例を示す図
。 第２図は本発明に係るＳＯＰ形パッケージの変形例を示
す図。 第３図は本発明に係るＳＯＰ形パッケージの断面図 第４図は従来のＳＯＰ形パッケージの例を示す図である
。 図中。 １１．２１．３１ピン １２．２２．３５：モールド樹脂
。 第２図は本発明に係るＳＯＰ形パッケージの変形例を示
す図。 第３図は本発明に係るＳＯＰ形パッケージの断面図 第４図は従来のＳＯＰ形パッケージの例を示す図である
。 図中。 １１．２１．３１ピン １２．２２．３５：モールド樹脂
Claims (2)
- （１）リードフレーム（１１）の上面および側面にのみ
モールド樹脂（１２）を形成し、リードフレーム（１１
）の下面を露出させた ことを特徴とするモールド・パッケージ。 - （２）モールド樹脂（１２）形成を樹脂の滴下により行
う ことを特徴とする請求項１記載のモールド・パッケージ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214176A JPH0263142A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | モールド・パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214176A JPH0263142A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | モールド・パッケージおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263142A true JPH0263142A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16651497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214176A Pending JPH0263142A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | モールド・パッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263142A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432546U (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-17 | ||
| JPH04164361A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| USRE36097E (en) * | 1991-11-14 | 1999-02-16 | Lg Semicon, Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| EP0999586A3 (en) * | 1998-11-05 | 2002-06-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of producing same |
| US6420779B1 (en) | 1999-09-14 | 2002-07-16 | St Assembly Test Services Ltd. | Leadframe based chip scale package and method of producing the same |
| JP2008277405A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Rohm Co Ltd | 半導体モジュール |
| JP2010165951A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル及びコイル成形体 |
| JP2021068779A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 三菱電機株式会社 | 非絶縁型パワーモジュール |
| JP2021121042A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-08-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214176A patent/JPH0263142A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432546U (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-17 | ||
| JPH04164361A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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| USRE37413E1 (en) | 1991-11-14 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| EP0999586A3 (en) * | 1998-11-05 | 2002-06-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of producing same |
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| JP2021068779A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 三菱電機株式会社 | 非絶縁型パワーモジュール |
| JP2021121042A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-08-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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