JPH0263174A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPH0263174A JPH0263174A JP63214311A JP21431188A JPH0263174A JP H0263174 A JPH0263174 A JP H0263174A JP 63214311 A JP63214311 A JP 63214311A JP 21431188 A JP21431188 A JP 21431188A JP H0263174 A JPH0263174 A JP H0263174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector section
- insulating film
- photocurrent
- al2o3
- optical detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光計測、光通信などに用いられる半導体受光
装置に関するものである。
装置に関するものである。
第２図は従来の半導体受光装置を示す平面図で、図にお
いて、（１）は表電極、＜２）は受光部、（３）は溝部
である。
いて、（１）は表電極、＜２）は受光部、（３）は溝部
である。
次に動作について説明する。半導体受光装置の受光部（
２）に照射された光は電流に交換される。この電流は表
電極（１）より半導体受光装置の裏側にある電極へ向っ
て流れる。
２）に照射された光は電流に交換される。この電流は表
電極（１）より半導体受光装置の裏側にある電極へ向っ
て流れる。
従来の半導体受光装置は以上のように構成されていたの
で、一定の光を照射した時の光電流を増減するには光源
と半導体受光装置間の距離を変えなければならず、光源
のＡ Ｐ Ｃ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｏｗｅｒｃｏｎ
ｔｒｏｌ ）特性に変化が生じたり、また、光電流を変
化させるためには、半導体受光装置の受光部の面積を変
えねばならず、半導体受光装置の容量や応答速度の特性
に変化が生じるという問題点があった。
で、一定の光を照射した時の光電流を増減するには光源
と半導体受光装置間の距離を変えなければならず、光源
のＡ Ｐ Ｃ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｏｗｅｒｃｏｎ
ｔｒｏｌ ）特性に変化が生じたり、また、光電流を変
化させるためには、半導体受光装置の受光部の面積を変
えねばならず、半導体受光装置の容量や応答速度の特性
に変化が生じるという問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、一定の光が照射された時の光電流を自在に可
変できるとともに、その他の特性例えばＡＰＣ容量、応
答、特性などには変化が生じない半導体受光装置を得る
ことを目的とする。
たもので、一定の光が照射された時の光電流を自在に可
変できるとともに、その他の特性例えばＡＰＣ容量、応
答、特性などには変化が生じない半導体受光装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体受光装置は受光部に幅の細いＳｉ
Ｏ２あるいはＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜を同心円状に形成し
たものである。
Ｏ２あるいはＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜を同心円状に形成し
たものである。
この発明における受光部に形成された幅の細いＳ ｉ０
２ 、 Ａｌ ２０ｓ等の同心円状の絶縁膜はこの絶縁
膜の総面積を変化することにより任意に光電流のみを他
の特性に変化を生じさせることなく変化できる。
２ 、 Ａｌ ２０ｓ等の同心円状の絶縁膜はこの絶縁
膜の総面積を変化することにより任意に光電流のみを他
の特性に変化を生じさせることなく変化できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は表電極、（２）は受光部、（
３）は溝部、（４）は受光部（２）上に同心円状に形成
されたＳｉＯ２あるいはＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜である。
３）は溝部、（４）は受光部（２）上に同心円状に形成
されたＳｉＯ２あるいはＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜である。
次に動作について説明する。半導体受光装置の受光部（
２）に照射された光は受光部（２）上に・形成された同
心円状の絶縁膜（４）以外で光電流に変換され、表電極
（１）より裏側の電極へ流れる。
２）に照射された光は受光部（２）上に・形成された同
心円状の絶縁膜（４）以外で光電流に変換され、表電極
（１）より裏側の電極へ流れる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、受光部上に幅の細い絶
縁膜を同心円状に形成したので、半導体受光装置のＡＰ
Ｃ容量、応答速度等の特性は変えることなく光電流のみ
を絶縁膜の量により任意に可変できる。
縁膜を同心円状に形成したので、半導体受光装置のＡＰ
Ｃ容量、応答速度等の特性は変えることなく光電流のみ
を絶縁膜の量により任意に可変できる。
Claims (1)
- Ｇｅ、Ｓｉ、ＩｎＧａＡｓなどを材質とする半導体受光
装置の受光部に幅の細いＳｉＯ＿２あるいはＡｌ＿２Ｏ
＿３等の絶縁膜を同心円状に形成したことを特徴とする
半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214311A JPH0263174A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214311A JPH0263174A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263174A true JPH0263174A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16653643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214311A Pending JPH0263174A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263174A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06331482A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Shimadzu Corp | リークデテクタ |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214311A patent/JPH0263174A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06331482A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Shimadzu Corp | リークデテクタ |
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