JPH0263199B2 - - Google Patents
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- JPH0263199B2 JPH0263199B2 JP8928484A JP8928484A JPH0263199B2 JP H0263199 B2 JPH0263199 B2 JP H0263199B2 JP 8928484 A JP8928484 A JP 8928484A JP 8928484 A JP8928484 A JP 8928484A JP H0263199 B2 JPH0263199 B2 JP H0263199B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
本発明は炭化ホウ素が均一に分散した中性子遮
蔽吸収材料の製造を提供することを目的とする。
蔽吸収材料の製造を提供することを目的とする。
従来技術
炭化ホウ素は優れた熱中性子吸収材料である
が、通常は粉末として供給され、使用上種々の制
限があつた。また、高密度な製品を得るために
は、ホツトプレスによるかあるいは高温での焼結
を必要とするなど製造条件が厳しく、高価になる
ため多量に用いられない。この問題点を解決する
方途としてプラステイクや金層に炭化ホウ素が分
散した製品を製造する研究が行なわれており、そ
の狙いは所定量の炭化ホウ素をいかに均一に分散
させ得ることが出来るかということと、製品の強
度を可及的に高くすることである。
が、通常は粉末として供給され、使用上種々の制
限があつた。また、高密度な製品を得るために
は、ホツトプレスによるかあるいは高温での焼結
を必要とするなど製造条件が厳しく、高価になる
ため多量に用いられない。この問題点を解決する
方途としてプラステイクや金層に炭化ホウ素が分
散した製品を製造する研究が行なわれており、そ
の狙いは所定量の炭化ホウ素をいかに均一に分散
させ得ることが出来るかということと、製品の強
度を可及的に高くすることである。
強度を高くするためにはマトリツクスとなる材
質の選定が重要であり、プラステイクでは強度が
弱く、さらに温度が高くなるにつれて強度の低下
が顕著となる欠点がある。さらに熱伝導率が低い
のもこの種の中性子遮蔽材として用いるにプラス
テイクでは満足な結果は得られない。プラステイ
クに代わる材料として、鉛あるいはアルミニウム
等の金属を使用することが考えられ、これらの材
料はプラステイクよりも強度あるいは熱伝導率に
おいて改善される可能性がある。しかしながらこ
れらの材料は融点が低いことが共通であり、使用
される条件において十分な信頼を得ることは出来
ない。特に火災等の事故の際に問題が多いと考え
られる。プラステイク、鉛、アルミニウム等より
も強度が高く、融点が高く、同時に熱伝導率にも
優れる材料を選定することが重要となる。
質の選定が重要であり、プラステイクでは強度が
弱く、さらに温度が高くなるにつれて強度の低下
が顕著となる欠点がある。さらに熱伝導率が低い
のもこの種の中性子遮蔽材として用いるにプラス
テイクでは満足な結果は得られない。プラステイ
クに代わる材料として、鉛あるいはアルミニウム
等の金属を使用することが考えられ、これらの材
料はプラステイクよりも強度あるいは熱伝導率に
おいて改善される可能性がある。しかしながらこ
れらの材料は融点が低いことが共通であり、使用
される条件において十分な信頼を得ることは出来
ない。特に火災等の事故の際に問題が多いと考え
られる。プラステイク、鉛、アルミニウム等より
も強度が高く、融点が高く、同時に熱伝導率にも
優れる材料を選定することが重要となる。
本発明においては、マトリツクス材料として、
ニツケルあるいはそれらの合金を選定することに
より上記欠点を除くことが出来た。すなわち、本
発明の要点は、銅、ニツケルの１種または２種を
マトリツクス材として使用することを特徴とし、
これら銅および／またはニツケルのマトリツクス
中に炭化ホウ素が均一に分散した製品を工業的に
合理的な価格で製造する方法を示したものであ
る。
ニツケルあるいはそれらの合金を選定することに
より上記欠点を除くことが出来た。すなわち、本
発明の要点は、銅、ニツケルの１種または２種を
マトリツクス材として使用することを特徴とし、
これら銅および／またはニツケルのマトリツクス
中に炭化ホウ素が均一に分散した製品を工業的に
合理的な価格で製造する方法を示したものであ
る。
炭化ホウ素銅および／またはニツケルのマトリ
ツクス中に分散させる方法として、従来の技術か
らすれば、炭化ホウ素粉末と銅粉末あるいはニツ
ケル粉末とを混合し、混合した粉末を成形、焼結
する方法、または混合した粉末をホツトプレスす
る方法等の通常の粉末冶金法が考えられる。しか
しながらこのような方法で製造した複合体につい
て炭化ホウ素の分散の均一性を調べたところ、十
分な均一性が得られないことが確認された。この
理由は炭化ホウ素の密度が2.51ｇ／cm3、銅の密度
が8.6ｇ／cm3、ニツケルの密度が8.9ｇ／cm3であ
り、炭化ホウ素とマトリツクス材との密度差が大
きいために、これらの粉末を混合しても均一に分
散させることが困難なことによる。中性子遮蔽材
として使用する時、炭化ホウ素がマトリツクス中
に均一に分散していることは重要な因子であるこ
とから、このような通常の粉末冶金法による製造
方法は適当でない。
ツクス中に分散させる方法として、従来の技術か
らすれば、炭化ホウ素粉末と銅粉末あるいはニツ
ケル粉末とを混合し、混合した粉末を成形、焼結
する方法、または混合した粉末をホツトプレスす
る方法等の通常の粉末冶金法が考えられる。しか
しながらこのような方法で製造した複合体につい
て炭化ホウ素の分散の均一性を調べたところ、十
分な均一性が得られないことが確認された。この
理由は炭化ホウ素の密度が2.51ｇ／cm3、銅の密度
が8.6ｇ／cm3、ニツケルの密度が8.9ｇ／cm3であ
り、炭化ホウ素とマトリツクス材との密度差が大
きいために、これらの粉末を混合しても均一に分
散させることが困難なことによる。中性子遮蔽材
として使用する時、炭化ホウ素がマトリツクス中
に均一に分散していることは重要な因子であるこ
とから、このような通常の粉末冶金法による製造
方法は適当でない。
通常の粉末冶金以外の方法として、銅あるいは
ニツケルをルツボ中に融解しておき、その中に炭
化ホウ素粉末を投入し溶湯を攪拌しつつ固化させ
ることが考えられる。この方法は将来の大量生産
を想定した時には興味ある技術と言えるが、銅、
ニツケルの融点が1000度以上の高いことからも、
このような高温の湯溶中に炭化ホウ素粉末を分散
させることが現段階では技術的に十分確立されて
いない。さらに、粉末冶金法の場合と同様に炭化
ホウ素と銅あるいは炭化ホウ素とニツケルの密度
の差が大きいことから、この方法によつても十分
均一な炭化ホウ素の分散した製品を得ることは困
難であると考えられる。
ニツケルをルツボ中に融解しておき、その中に炭
化ホウ素粉末を投入し溶湯を攪拌しつつ固化させ
ることが考えられる。この方法は将来の大量生産
を想定した時には興味ある技術と言えるが、銅、
ニツケルの融点が1000度以上の高いことからも、
このような高温の湯溶中に炭化ホウ素粉末を分散
させることが現段階では技術的に十分確立されて
いない。さらに、粉末冶金法の場合と同様に炭化
ホウ素と銅あるいは炭化ホウ素とニツケルの密度
の差が大きいことから、この方法によつても十分
均一な炭化ホウ素の分散した製品を得ることは困
難であると考えられる。
発明の構成
本発明は炭化ホウ素粒子を銅またはニツケルあ
るいはそれらの合金で被覆し、被覆粒子を圧縮し
焼結するかまたはホツトプレスすることからなる
炭化ホウ素を均一に分散した中性子遮蔽吸収材料
の製法を提供する。
るいはそれらの合金で被覆し、被覆粒子を圧縮し
焼結するかまたはホツトプレスすることからなる
炭化ホウ素を均一に分散した中性子遮蔽吸収材料
の製法を提供する。
本発明によれば、以下詳細に述べる方法で銅、
ニツケルあるいはそれらの合金をマトリツクスと
し、炭化ホウ素が均一に分散した製品を製造する
ことが出来る。
ニツケルあるいはそれらの合金をマトリツクスと
し、炭化ホウ素が均一に分散した製品を製造する
ことが出来る。
炭化ホウ素粉末に銅、ニツケルあるいはそれら
の合金を被覆する方法として、気相成長法あるい
は液相成長法が可能であり、いずれの方法によつ
ても本発明を達成できるが、生産性、コストの観
点から無電解メツキあるいは無電解メツキ後電解
メツキを採用することが好ましい。本発明では、
気相成長法では真空蒸着法が、液相成長法では無
電解メツキ法が特に好ましい。
の合金を被覆する方法として、気相成長法あるい
は液相成長法が可能であり、いずれの方法によつ
ても本発明を達成できるが、生産性、コストの観
点から無電解メツキあるいは無電解メツキ後電解
メツキを採用することが好ましい。本発明では、
気相成長法では真空蒸着法が、液相成長法では無
電解メツキ法が特に好ましい。
気相成長法あるいは液相成長法により、銅、ニ
ツケルあるいはそれらの合金を炭化ホウ素粉末の
裏面に被覆する場合、粉末の粒度が粗すぎると粉
末表面積が小さいために所定量の金属を被覆する
のに長い時間を要し、製造の面から好ましくな
い。さらに炭化ホウ素粉末の粒度が極端に粗すぎ
ると、製品中にこの粗い炭化ホウ素が島状に分布
する組織となり、これは中性子遮蔽体として要求
される炭化ホウ素が可能な限り均一に全面分布す
るという観点から不利になる。これらのことを勘
案して試験を行つた結果、炭化ホウ素粉末の平均
粒径は500ミクロン以下が好ましいことがわかつ
た。なお、平均粒径に対する粒度分布はシヤープ
はほど好ましいと考えられるが、特に粒度分布を
指定する必要はない。
ツケルあるいはそれらの合金を炭化ホウ素粉末の
裏面に被覆する場合、粉末の粒度が粗すぎると粉
末表面積が小さいために所定量の金属を被覆する
のに長い時間を要し、製造の面から好ましくな
い。さらに炭化ホウ素粉末の粒度が極端に粗すぎ
ると、製品中にこの粗い炭化ホウ素が島状に分布
する組織となり、これは中性子遮蔽体として要求
される炭化ホウ素が可能な限り均一に全面分布す
るという観点から不利になる。これらのことを勘
案して試験を行つた結果、炭化ホウ素粉末の平均
粒径は500ミクロン以下が好ましいことがわかつ
た。なお、平均粒径に対する粒度分布はシヤープ
はほど好ましいと考えられるが、特に粒度分布を
指定する必要はない。
以上で述べたように炭化ホウ素粉末の表面に銅
あるいはニツケルを所定量コーテイングした粉末
を成形、焼結することにより炭化ホウ素が均一に
分散した製品を得ることができた。しかしなが
ら、この管通焼結の方法では十分高い焼結密度の
複合体を得ることが困難であることがわかつた。
焼結密度が低いと、一般に強度の低下、熱伝導率
の低下が生じ、この種の材料の使用条件下では、
好ましくない。さらに焼結密度の低下は、製品体
積あたりの炭化ホウ素含有量の低下を招き、結果
的にはホウ素含有濃度が低下し、中性子の遮蔽・
吸収能力が低下する。このことから製品密度は可
及的に高いことが望ましく、かつ炭化ホウ素含有
量の高いことが必要である。本発明では、炭化ホ
ウ素粉末に銅、ニツケルあるいはそれらの合金を
コーテイングし、ホツトプレスすることにより、
高密度であると同時に炭化ホウ素がマトリツクス
中に均一に分散した複合体を製造することができ
る。本発明において、炭化ホウ素粉末に銅、ニツ
ケルあるいはそれらの合金をコーテイングした粉
末の、金属の占める体積が低くなると十分高密度
な焼結体を得ることが困難となる。試験の結果、
金属の体積割合が複合体の理論体積の25％未満に
なるとホツトプレスを行つても複合体の密度は95
％に達することが困難となり、しかも強度につい
ても十分高いものが得られなかつた。一方、炭化
ホウ素量については、特に制限はないが、少なす
ぎると遮蔽・吸収効果を上げるため複合体の使用
量を多くしなければならないので、工業的に使用
するにはこの量は40容量％以上が望ましい。
あるいはニツケルを所定量コーテイングした粉末
を成形、焼結することにより炭化ホウ素が均一に
分散した製品を得ることができた。しかしなが
ら、この管通焼結の方法では十分高い焼結密度の
複合体を得ることが困難であることがわかつた。
焼結密度が低いと、一般に強度の低下、熱伝導率
の低下が生じ、この種の材料の使用条件下では、
好ましくない。さらに焼結密度の低下は、製品体
積あたりの炭化ホウ素含有量の低下を招き、結果
的にはホウ素含有濃度が低下し、中性子の遮蔽・
吸収能力が低下する。このことから製品密度は可
及的に高いことが望ましく、かつ炭化ホウ素含有
量の高いことが必要である。本発明では、炭化ホ
ウ素粉末に銅、ニツケルあるいはそれらの合金を
コーテイングし、ホツトプレスすることにより、
高密度であると同時に炭化ホウ素がマトリツクス
中に均一に分散した複合体を製造することができ
る。本発明において、炭化ホウ素粉末に銅、ニツ
ケルあるいはそれらの合金をコーテイングした粉
末の、金属の占める体積が低くなると十分高密度
な焼結体を得ることが困難となる。試験の結果、
金属の体積割合が複合体の理論体積の25％未満に
なるとホツトプレスを行つても複合体の密度は95
％に達することが困難となり、しかも強度につい
ても十分高いものが得られなかつた。一方、炭化
ホウ素量については、特に制限はないが、少なす
ぎると遮蔽・吸収効果を上げるため複合体の使用
量を多くしなければならないので、工業的に使用
するにはこの量は40容量％以上が望ましい。
本発明では、ホツトプレスによる方法以外にホ
ツトアイソスタテイクプレス法でも、満足な製品
が得られる。さらに本発明では、大量にかつ安価
に製造する方法として、通常の焼結法により得ら
れた複合体を圧延すると、密度が高くなり、圧延
温度を300℃以上にすることにより良い結果が得
られる。
ツトアイソスタテイクプレス法でも、満足な製品
が得られる。さらに本発明では、大量にかつ安価
に製造する方法として、通常の焼結法により得ら
れた複合体を圧延すると、密度が高くなり、圧延
温度を300℃以上にすることにより良い結果が得
られる。
発明の効果
本発明方法によれば理論密度の98％以上の密度
を有する炭化ホウ素中性子遮蔽吸収用材料を容易
に製造することができる。
を有する炭化ホウ素中性子遮蔽吸収用材料を容易
に製造することができる。
実施様態
次に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 １
平均粒径50μｍのB4C粉末100ｇを60℃のPdcl2
（0.003ｇ／、PH4.0）液で５分間活性化処理し、
水洗し、50℃のCuめつき液（奥野製薬工業製
OPCカツパー、PH10.5）で３時間浸漬し、水洗
し、中和し（H2SO41ml／）水洗、乾燥した。
尚、Cuめつき液中の全Cuイオン濃度は360ｇであ
り、３時間のめつきによりその99.5％が、B4C粉
末表面に析出した。被覆層の厚さは炭化ホウ素の
体積と銅の体積が同じにした（複合体の空〓部分
の体積のうち銅の体積が50％）であつた。この銅
で被覆した粉末をグラフアイトモールドを使用
し、圧力150Kg／cm3、温度／800℃でホツトプレス
した。この複合体の密度は理論密度に対して98％
であつた。顕微鏡観察の結果、マトリツクス中の
炭化ホウ素は均一に分布していることが確認され
た。この炭化ホウ素／銅複合体の特性として熱伝
導率および抗折強度を測定した。熱伝導率は
90kcal／cm・ｈ・ｋ、抗折強度は15Kg／mm2であ
り、中性子遮蔽体として使用されるに十分な特性
であつた。
（0.003ｇ／、PH4.0）液で５分間活性化処理し、
水洗し、50℃のCuめつき液（奥野製薬工業製
OPCカツパー、PH10.5）で３時間浸漬し、水洗
し、中和し（H2SO41ml／）水洗、乾燥した。
尚、Cuめつき液中の全Cuイオン濃度は360ｇであ
り、３時間のめつきによりその99.5％が、B4C粉
末表面に析出した。被覆層の厚さは炭化ホウ素の
体積と銅の体積が同じにした（複合体の空〓部分
の体積のうち銅の体積が50％）であつた。この銅
で被覆した粉末をグラフアイトモールドを使用
し、圧力150Kg／cm3、温度／800℃でホツトプレス
した。この複合体の密度は理論密度に対して98％
であつた。顕微鏡観察の結果、マトリツクス中の
炭化ホウ素は均一に分布していることが確認され
た。この炭化ホウ素／銅複合体の特性として熱伝
導率および抗折強度を測定した。熱伝導率は
90kcal／cm・ｈ・ｋ、抗折強度は15Kg／mm2であ
り、中性子遮蔽体として使用されるに十分な特性
であつた。
実施例 ２
平均粒径120μｍのB4C粉末100ｇを60℃のPdCl2
（0.003ｇ／、PH4.0）液で５分間活性化処理し、
水洗し、60℃のNiめつき液（日本カニゼン製、
SB−55、PH6.9）３時間浸漬し、水洗し、乾燥し
た。Niめつきより370ｇNiがB4C粉表面上に析出
した。被覆層の厚さは実施例１と同様に被覆後の
製品体積の50％であつた。このニツケルで粉末を
グラフアイトモールドを使用し、圧力150Kg／cm3、
温度950℃でホツトプレスした。この製品の密度
は理論密度に対して98％であつた。
（0.003ｇ／、PH4.0）液で５分間活性化処理し、
水洗し、60℃のNiめつき液（日本カニゼン製、
SB−55、PH6.9）３時間浸漬し、水洗し、乾燥し
た。Niめつきより370ｇNiがB4C粉表面上に析出
した。被覆層の厚さは実施例１と同様に被覆後の
製品体積の50％であつた。このニツケルで粉末を
グラフアイトモールドを使用し、圧力150Kg／cm3、
温度950℃でホツトプレスした。この製品の密度
は理論密度に対して98％であつた。
実施例 ３
実施例１および実施例２と同じ方法で得た銅ま
たはニツケルを無電解メツキした炭化ホウ素粉末
を重量パーセントで等しくなるように混合し、混
合した粉末をグラフアイトモールドを使用し、圧
力150Kg／cm3、温度900℃でホツトプレスした。こ
の製品の組織を観察した結果、銅およびニツケル
でコーテイングした粉末は均一に分散しているこ
とが確認され、また焼結密度は理論密度に対して
99％以上を示した。高密度の得られた原因として
異種粉末の混合の効果、即ち、銅およびニツケル
をコーテイングした粉末の粒度が異なることによ
つて緻密化し、銅とニツケルが固溶したことによ
る焼結が促進されたと考えられる。
たはニツケルを無電解メツキした炭化ホウ素粉末
を重量パーセントで等しくなるように混合し、混
合した粉末をグラフアイトモールドを使用し、圧
力150Kg／cm3、温度900℃でホツトプレスした。こ
の製品の組織を観察した結果、銅およびニツケル
でコーテイングした粉末は均一に分散しているこ
とが確認され、また焼結密度は理論密度に対して
99％以上を示した。高密度の得られた原因として
異種粉末の混合の効果、即ち、銅およびニツケル
をコーテイングした粉末の粒度が異なることによ
つて緻密化し、銅とニツケルが固溶したことによ
る焼結が促進されたと考えられる。
実施例 ４
平均粒径20μｍのB4C粉10ｇ、35ｇのCuを真空
蒸着した。真空蒸着条件は２×10-4Torrで、蒸
発源としては黒鉛るつぼを用い、高周波誘導加熱
により加熱を行なつた。蒸着時間は2.5時間であ
つた。このときのB4C粉上へのCu析出量は、35.5
ｇであつた。被覆層の厚さは実施例１と同様に被
覆後の製品体積の50％であつた。この銅で被覆し
た粉末をグラフアイトモールドを使用し、圧力
150Kg／cm3、温度800℃でホツトプレスした。この
製品の密度は理論密度に対して98％であつた。
蒸着した。真空蒸着条件は２×10-4Torrで、蒸
発源としては黒鉛るつぼを用い、高周波誘導加熱
により加熱を行なつた。蒸着時間は2.5時間であ
つた。このときのB4C粉上へのCu析出量は、35.5
ｇであつた。被覆層の厚さは実施例１と同様に被
覆後の製品体積の50％であつた。この銅で被覆し
た粉末をグラフアイトモールドを使用し、圧力
150Kg／cm3、温度800℃でホツトプレスした。この
製品の密度は理論密度に対して98％であつた。
実施例 ５
実施例１と同じ方法で被覆した炭化ホウ素／銅
粉末をステンレス銅の容器に充填し温度900℃、
到達圧力1000気圧でホツトアイソスタテイクプレ
スした。この製品の密度は理論密度に対して98％
であつた。
粉末をステンレス銅の容器に充填し温度900℃、
到達圧力1000気圧でホツトアイソスタテイクプレ
スした。この製品の密度は理論密度に対して98％
であつた。
実施例 ６
実施例１と同じ方法で被覆した炭化ホウ素／銅
粉末を1t／cm3の圧力で成形した後、930℃で６時
間真空雰囲気で焼結した。この焼結体の密度は理
論密度に対して75％であつた。さらに高密度製品
を得るためにこの焼結体をステンレス缶に真空封
入し、800℃の温度で圧延した。圧延後の製品の
密度は96％であつた。
粉末を1t／cm3の圧力で成形した後、930℃で６時
間真空雰囲気で焼結した。この焼結体の密度は理
論密度に対して75％であつた。さらに高密度製品
を得るためにこの焼結体をステンレス缶に真空封
入し、800℃の温度で圧延した。圧延後の製品の
密度は96％であつた。
以上の実施例で示した製品はいずれも炭化ホウ
素が均一に分散しており、高密度であることから
中性子遮蔽用材料として有用であることがわかつ
た。
素が均一に分散しており、高密度であることから
中性子遮蔽用材料として有用であることがわかつ
た。
実施例 ７
平均粒径50μの炭化ホウ素粉末100ｇを実施例
１の方法で活性化処理したのち、 NiSO4・6H2O 15ｇ／ CuSO4・5H2O 15ｇ／ Na3C3H5O7・2H2O 60ｇ／ NaH2PO2・H2O 20ｇ／ PH10 温度80℃ のめつき液を用いてNi−Cu合金の無電解めつき
を実施し、被覆後の製品体積の55％の金属被覆を
得た。この炭化ホウ素／Ni−Cu粉末をステンレ
ス鋼の容器に充填し温度1000℃、到達圧力1000気
圧でホツトアイソスタテイクプレスした。この製
品の密度は理論密度に対し99％であつた。
１の方法で活性化処理したのち、 NiSO4・6H2O 15ｇ／ CuSO4・5H2O 15ｇ／ Na3C3H5O7・2H2O 60ｇ／ NaH2PO2・H2O 20ｇ／ PH10 温度80℃ のめつき液を用いてNi−Cu合金の無電解めつき
を実施し、被覆後の製品体積の55％の金属被覆を
得た。この炭化ホウ素／Ni−Cu粉末をステンレ
ス鋼の容器に充填し温度1000℃、到達圧力1000気
圧でホツトアイソスタテイクプレスした。この製
品の密度は理論密度に対し99％であつた。
実施例 ８
平均粒径120μの炭化ホウ素粉末100ｇに実施例
２と同様な方法で5μのNi被覆を行なつたのち、 Ni（NH2SO3）2・4H2O 450ｇ／ NiCl2・6H2O 10ｇ／ Co（NH2SO3）2・4H2O ５ｇ／ H3BO3 40ｇ／ PH4.0 温度50℃ のめつき液を用いてNi−10w％Co合金電気めつ
きを行ない、最終的に被覆後の製品体積の60％の
金属被覆を得た。
２と同様な方法で5μのNi被覆を行なつたのち、 Ni（NH2SO3）2・4H2O 450ｇ／ NiCl2・6H2O 10ｇ／ Co（NH2SO3）2・4H2O ５ｇ／ H3BO3 40ｇ／ PH4.0 温度50℃ のめつき液を用いてNi−10w％Co合金電気めつ
きを行ない、最終的に被覆後の製品体積の60％の
金属被覆を得た。
Ni被覆したB4C粉へのNi−Co合金電気めつき
は、被覆B4C粉をめつき液に分散させ、陰極上に
周期的磁場を形成することにより、Ni被覆B4C
粉を陰極上に吸着させ、その吸着時に電解を行な
うことにより、Ni被覆B4C粉上にNi−Co合金被
覆を得た。
は、被覆B4C粉をめつき液に分散させ、陰極上に
周期的磁場を形成することにより、Ni被覆B4C
粉を陰極上に吸着させ、その吸着時に電解を行な
うことにより、Ni被覆B4C粉上にNi−Co合金被
覆を得た。
このように作成した金属被覆B4C粉を実施例７
と同様にホツトアイソスタテイツクプレスを実施
し、理論密度に対して98％の製品を得た。
と同様にホツトアイソスタテイツクプレスを実施
し、理論密度に対して98％の製品を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炭化ホウ素粒子を銅またはニツケルあるいは
それらの合金で被覆し、被覆粒子を圧縮し焼結す
るかまたはホツトプレスすることからなる炭化ホ
ウ素を均一に分散した中性子遮蔽吸収材料の製
法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の製法であつ
て、被覆を無電解めつきあるいは無電解めつき後
に電解めつきによつて行なう方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載の方法であつ
て、被覆を真空蒸着法によつて行なう方法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載の方法であつ
て、圧縮をアイソスタチツクプレス法によつて行
なう方法。 ５ 特許請求の範囲第１〜４項の何れかの項に記
載の製法であつて、炭化ホウ素粒子の粒径が
500μ（32メシユ）以下である製法。 ６ 特許請求の範囲第１〜５項の何れかの項に記
載の製法であつて、銅被覆炭化ホウ素粒子および
ニツケル被覆炭化ホウ素粒子が圧縮成形される製
法。 ７ 炭化ホウ素粒子を銅またはニツケルで被覆
し、被覆粒子を圧縮成形し焼結し、さらに得られ
る焼結体を圧延することからなる炭化ホウ素を均
一に分散した中性子遮蔽吸収材料の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928484A JPS60235096A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 中性子遮蔽吸収用材料の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928484A JPS60235096A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 中性子遮蔽吸収用材料の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235096A JPS60235096A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0263199B2 true JPH0263199B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=13966404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8928484A Granted JPS60235096A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 中性子遮蔽吸収用材料の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235096A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032695A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Nisshin Steel Co Ltd | 高除熱性の放射線しゃへい材 |
| DE59914334D1 (de) * | 1999-09-27 | 2007-06-21 | Metallveredlung Gmbh & Co Kg | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung zur Absorption der bei der Kernreaktion radioaktiver Materialien entstehenden Neutronen |
| KR20010107978A (ko) | 1999-09-27 | 2001-12-07 | 추후보정 | 방사성 물질의 핵반응 시 발생하는 중성자를 흡수하기위한 층을 제조하는 방법 |
| CN105970262B (zh) * | 2016-07-13 | 2018-06-26 | 中南大学 | 一种带Ni-P-Ce-B4C@Cu复合镀层的耐磨耐蚀材料及其制备工艺 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8928484A patent/JPS60235096A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60235096A (ja) | 1985-11-21 |
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