JPH0264015A - 圧電素子材料及びその製造方法 - Google Patents

圧電素子材料及びその製造方法

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JPH0264015A
JPH0264015A JP63214773A JP21477388A JPH0264015A JP H0264015 A JPH0264015 A JP H0264015A JP 63214773 A JP63214773 A JP 63214773A JP 21477388 A JP21477388 A JP 21477388A JP H0264015 A JPH0264015 A JP H0264015A
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Tokuji Akiba
秋葉 徳二
Yoichi Hagiwara
洋一 萩原
Kiyoshi Hasegawa
清 長谷川
Riyuushiyu Go
呉 龍 洙
Osamu Fukuda
修 福田
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Taiheiyo Cement Corp
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Chichibu Cement Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は1例えば圧電フィルター、圧電ブザー超音波振
動子、圧電アクチュエーター等に応用できる圧電素子材
料及びその製造方法に関するものである。
【発明の背景】
従来、圧電素子材料としては、Ba丁103系のもの、
PbTiO3−PbZrO3系のもの、及びこれにさら
にPb(Mg+八Nへ、ム)03、Pb(Zn+八Wへ
、ム)01、Pb(Ni+/3Tag/5)03.Pb
(Co+/jTax/j)Os等の第3成分を固溶させ
た三成分系のものが操業されている。 これらのうち、特公昭42−9716号公報で示される
ように、Pb(Mi+/3Nbz八)03  PbTi
Os  PbZr01系のものは誘電特性及び圧電特性
に優れ、さらには機械的強度も大きい特徴を有している
。 しかし、これらの(のは、一般に1150℃へ1300
℃の高温度で焼結させなければならない為、PbOの蒸
発制御が難かしく、又、積層型の圧電素子を得る為には
PL、Pd等の融点の高い高価な金属を内部電極として
用いなければならない問題点があった。
【発明の開示] 本発明は、上記のような点に鑑み、低温度で焼結できる
圧電素子材料及びその製造方法を提供することを目的と
する。 上記の目的を達成する為、本発明者によって研究開発が
進められ結果、すなわち圧電特性を阻害しないで低温焼
結が可能となる副成分として種々のものを研究した結果
、本発明者はリチウムを含む原料(例えば炭酸リチウム
、水酸化リチウム、塩化リチウム等)を用いることによ
って上記の問題点が解決できることを見出した。 本発明はこのような技術思想に基づいてなされたもので
あり、次の一般式 %式%) :82 で示される固溶体を基本組成とし、これに副成分として
酸化リチウムを含有した圧電素子材料を提供するもので
ある。 尚、上記の圧電素子材料において、酸化リチウムの含有
量が約0.01重量%以上、より・好ましくは約060
5〜5重量%であることが望ましい。 又、Pb化合物、H,化合物、Nb化合物、Ti化合物
、Zr化合物及びLi化合物を含有するものを焼成する
圧電素子材料の製造方法も提供するものである。 尚、上記の圧電素子材料の製造方法において、Pb化合
物、M、化合物、Nb化合物、T1化合物、Zr化合物
の配合割合はPb(Mg+八Nへ、ム)a(Ti)b(
Zr)c03(但し、a:0.69〜0.04、b=0
.52〜0.30、C:0.62〜0.01、a+b+
c= 1 )が構成されるよう、かつ、酸化リチウムの
含有量が約0.01重量%以上、より好ましくは約0.
05〜5重量%となるようLi化合物が配合されること
が望ましい。 ここで、例えばPbO1Mg01Nb*Os、 Tro
t、Zr0t等の原料がPb(?1t、八Nb、ム)a
 (T i )b (Zr)cps (但し、a:0.
8!3−0.04、b=o、sz 〜o、ao、c;0
.62〜0.Ql、a+b+e=1)を構成するような
配合割合としたのは、次の理由に基づく。 すなわち、aが0.69を越えた値になると、圧電性は
存在するが、径方向結の電気−機械結合定数が漸次小さ
くなり、ピックアップ用材料としての実用的数値である
に「が45%以下となり、又、これ以上のものでは再現
性に乏しく、工業的利用価値が低いからである。逆に、
0.04未満の値のものでは、焼結が困難で、緻密で均
質なものが得られず、そして誘電率及び圧電性が低下す
ると共に、再現性が悪くなり、工業的利用価値がなくな
るからである。 又、bが0.52を越えた値、あるいは0.30未満の
値になると、漸次径方向の電気−機械結合定数と誘電率
が低下し、ピックアップ用材料としての実用的数値であ
るKrが45%以上又は誘電率1000以上の特性が得
られず、従ってbは0.52〜0.30のらのとした。 又、Cが0.62を越えた値では、径方向の電気−機械
結合定数と誘電率の大きなものが得られないからであり
、逆に0.01未満の小さな場合には、緻密なものが得
られず、しかも径方向の電気−機械結合定数が漸次低下
するものとなったからである。 又、酸化リチウムの含有量が約0.01ffi量%以上
、より好ましくは約0.05〜5重量%となるようLi
化合物を配合することが望ましいのは、上記の組成にお
いて酸化リチウムの含有量が0.01重1%未満の少な
すぎる場合には低温度での焼結効果が著しく小さいから
であり、逆に5重量%を越えて多すぎる場合には、焼結
効果は良くなるが、圧電特性が低下する傾向にあるから
による。 そして、上記配合割合のものを、例えば約650r−8
50℃で仮焼し、そしてこれを粉砕し、その後必要に応
じてバインダを加えて成型し、これを約850〜125
0℃で焼成することによって本発明になる圧電素子材料
が得られる。 すなわち、上記の組成物は圧電特性に優れ、機械的強度
も大きな特徴を示し、しかも低温度で焼結可能なもので
あった。 従って、本発明の圧電素子材料は、低温で焼結すること
が望まれる積層型圧電素子材料あるいは圧電体ペースト
材料として応用するのに好適なものである。 【実施例及び比較例】 以下、本発明の実施例を固溶体の基本組成物としてPb
(Mg+八Nへ、ム)*、3ys T!*、sys Z
re、tse Osを用いた場合で、そしてリチウムを
含む原料として炭酸リチウムを用いた場合について説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。 原料としてPbO1M、0、NbtOs、Ti1t、Z
r0tを、Pb(Mg+八Nへ、ム) o、svs T
ia、sts Zra、tse Osの組成となるよう
に秤量し、これにさらに炭酸リチウムをLizO成分と
して0.0.3.0.5.0.7.1.0重量%添加混
合し、約750℃で2時間仮焼した後、ボールミルで湿
式粉砕した。 この粉砕したものを乾燥した後1.5ton/cs+”
の圧力で直径20鵬−1厚さ1−の円板状に加圧成形し
、それを950〜1150℃の温度で4時間焼成した。 そして、焼成した磁器の両面に銀電極を焼付け、100
℃のシリコンオイル中で3〜4 kV/−簡の直流電圧
で分極処理して圧電磁器を構成した。 そして、この圧電磁器の圧電特性を測定したので、その
結果を表1に示す。 表  1 に「は径方向の電気−機械結合定数、KLは厚み方向の
電気−機械結合定数、εは1^電率、qは機械的品質係
数、ρは密度である。 この表から明らかなように、LizOを含有する磁器組
成物の密度はLi*0無添加の磁器よりも大きく、そし
て950℃という低温度の焼結でも7.4以上と焼結が
進んでいる。 又、圧電特性も、に「が60%以上、KLが50%以上
もLizO無添加の場合よりも優れている。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)
    a(Ti)b(Zr)cO_3(但し、a=0.69〜
    0.04、b=0.52〜0.30、c=0.62〜0
    .01、a+b+c=1) で示される固溶体を基本組成とし、これに副成分として
    酸化リチウムを含有したものが主成分となることを特徴
    とする圧電素子材料。 2 特許請求の範囲第1項記載の圧電素子材料において
    、酸化リチウムの含有量が約0.01重量%以上である
    もの。 3 Pb化合物、Mg化合物、Nb化合物、Ti化合物
    、Zr化合物及びLi化合物を含有するものを焼成する
    ことを特徴とする圧電素子材料の製造方法。 4 特許請求の範囲第3項記載の圧電素子材料の製造方
    法において、Pb化合物、Mg化合物、Nb化合物、T
    i化合物、Zr化合物の配合割合は Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)a(Ti)
    b(Zr)cO_3(但し、a=0.69〜0.04、
    b:0.52〜0.30、c=0.62〜0.01、a
    +b+c=1)が構成されるよう、かつ、酸化リチウム
    の含有量が約0.01重量%以上となるようLi化合物
    が配合されてなるもの。
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JPH0629140B2 JPH0629140B2 (ja) 1994-04-20

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4436392C2 (de) * 1994-10-12 2002-10-31 Fraunhofer Ges Forschung Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten
JP2007524559A (ja) * 2003-06-10 2007-08-30 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 低い焼結温度を有するpzt型のセラミックの製造方法
JP2008156219A (ja) * 2006-11-30 2008-07-10 Tdk Corp 圧電磁器組成物および積層型圧電素子
CN115894020A (zh) * 2022-12-23 2023-04-04 佛山仙湖实验室 一种高压电系数的pmnzt基压电陶瓷及其制备方法和应用

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DE4436392C2 (de) * 1994-10-12 2002-10-31 Fraunhofer Ges Forschung Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten
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CN115894020B (zh) * 2022-12-23 2023-12-19 佛山仙湖实验室 一种高压电系数的pmnzt基压电陶瓷及其制备方法和应用

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