JPH0264090A - 液相エピタキシャル成長用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分升） 本発明は傾斜法によって容器成長を行なう液相エピタキ
シャル成長用容器に関するものである。

（従来の技術） 傾斜法による液相エピタキシャル成長法は第２図に示し
た水平面２と傾斜面３とから構成される内部構造を物品
純度カーボンから作られた結晶成長用容器１によって行
われる。この中に基数４と結晶成長用原料５とを仕込む
。これを図では省略しているか石英封管中に真空封入し
て、同じく図示していない回転式電気炉内に入れて温度
を上げて結晶成長用原料５を原料融液５とする。この原
料融液５を電気炉ごと図中矢印の方向に回転させて点線
のごとく傾斜面３上に移動させ基板４と接触させて温度
降下により基板上に薄膜結晶を成長させる。所髪の膜厚
か得られたならば、先程とは逆向きに電気炉を回転させ
て、原料融液５を基板４から離して成長を終了させる。

（発明か解決しようとする課題） しかしながら、従来の技術においては成長終了後、原料
融液の移動する速度が制御できす、そのため、原料融液
のぬれ性が基板に対するのと容器材であるカーボンに対
するのとでは異なることから、（すなわち、基板、正確
には成長した薄膜結晶には大きくカーボンには小さいた
め）原料融液を基板からに離す際に原料融液がちぎれ一
部がシズクとなって第３図のように基板上に残ってしま
う問題があった。このようなシズクが残れば当然のこと
ながらエピタキシャル成長した薄膜結晶の面積は最初の
基板面積より大幅に小さくなり、目的とした充分な広さ
の薄膜結晶が得られず、デバイスに使用できる面積が小
さくなり、極めて不経済である。

本発明の目的は、この原料融液が移動する際の速度を押
さえて、原料融液がひとつの固まりとして振る舞い、決
してちぎれることがないような液相エピタキシャル成長
用容器を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明では上記課題を解決するため基板の置かれてる傾
斜面と容器底部の水平面との間に前記傾斜面よりゆるや
かな傾斜を持つ緩斜面を設けるようにした。

（作用） エピタキシャル成長後、原料融液を基板から離す際に、
原料融液と基板とのぬれ性より、原料融液と容器材であ
るカーボンとのぬれ性の方が小さいため結果的に基板と
カーボンとの境（第２図で白矢印で示した）付近で原料
融液をひきちぎろうとする作用が働く。カーボン上にあ
る部分がぬれ性が小さいのでなめらかに流れていこうと
するのに対し、基板上にある部分がぬれ性が大きくつい
て行けないからである。原料融液は表面張力が大きいの
でゆっくり移動しているときはひとつの固まりとして動
こうとするがはやく移動すると、上の理由て基板上にあ
る部分がちぎれてシズクとなって基板上に残ることにな
る。

以上のことより原料融液がカーボン上を動く速さを小さ
くシ、相対的に基板上を動く速さを大きクシ、カーボン
上にある部分が基板上にある部分に押されるようにする
ことで、ちぎれることのないようにしたのが本発明の目
的である。この目的は基板のある傾斜面の下部に融液の
移動速度を小さくするための傾斜のゆるやかな緩斜面を
設けることで達せられる。

（実施例） 第１図に本発明の実施例を示す。基板４を置いである傾
斜面３と容器底部の水平面２との間に、傾斜面３よりも
傾斜のゆるやかな緩斜面６を設けた。

この容器に結晶成長用原料５を仕込み石英封管中に真空
封入し、回転式電気炉内に入れて、温度上昇によって結
晶成長用原料５を原料融液５にする。次に電気炉ごと図
中矢印の方向に回転させ、点線のごとく傾斜面３上に移
動させて基板４と接触させ温度降下により基板上に薄膜
結晶を成長させる。所要の膜厚が得られたならば先程と
は逆向きに電気炉を回転させて原料融液５を基板４から
離して成長を終了させる。以上本発明の実施例であるこ
の容器を用いた場合でも、成長手順は従来例の場合と全
（同じである。すなわち本発明による容器は従来からの
成長方法に対し、手順の変更などの影響を全く及ぼさな
い。

第４図に本発明による容器を用いて１０ｍｍ角で厚さ１
ｍｍのＣｄＴｅ基板」ユにＨｇ＋−ｘＣｄ、Ｔｅ　（ｘ
＝０．２２）の薄膜結晶（厚さ約２０μｍ）を成長させ
た数例のうちで最も／スフの残った例を示す。第３図は
同し薄膜結晶を同し基板上に同じ条件で従来例の容器を
用いて成長させた場合の典型例を示している。比較して
明らかなように従来例では残ったシスクによってデバイ
スに使用できる面積か制限されていたのに対し、本発明
による実施例では使用できる面積が大幅に増加し、はぼ
全面にわたっての使用も可能となった。

（発明の効果） 以上よりわかるように、本発明においては、容器材であ
るカーボン上を原料融液が移動する速度を小さくするこ
とで、原料融液がひと固まりのままで基板上から離れさ
せることができ、従来、残留シスクによってデバイスに
使用できる表面の部分か限られていたところを、はぼ基
板全面にわたってデバイスへの使用を可能としたという
極めて優れた利点を何する。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による実施例のエビタキシャル成長用容
器の断面図である。 第２図は従来例のエピタキシャル成長容器の断面図であ
る。 第３図は従来例の容器を用いて薄膜結晶を成長させた後
の基板の表面の様子を示す図である。 第４図は本発明の実施例による容器を用いて薄膜結晶を
成長させた後の表面の様子を示す図である。図において
、 １、カーボン製容器、２、水平面、３．傾斜面、４．基
板、５．原料融液（結晶成長用原料）　　６．緩斜面、
７．成長基板、８．ンズク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 内部に基板を設置できる傾斜面と結晶成長用原料を設置
   する水平面とが形成されている液相エピタキシャル成長
   用容器において、基板を設置できる傾斜面と前記水平面
   との間に前記傾斜面よりゆるやかな傾斜を持つ緩斜面を
   設けることを特徴とする液相エピタキシャル成長用容器
   。