JPH0466840B2 - - Google Patents
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- JPH0466840B2 JPH0466840B2 JP57208924A JP20892482A JPH0466840B2 JP H0466840 B2 JPH0466840 B2 JP H0466840B2 JP 57208924 A JP57208924 A JP 57208924A JP 20892482 A JP20892482 A JP 20892482A JP H0466840 B2 JPH0466840 B2 JP H0466840B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は基板上に、広い面積にわたつて単結晶
膜を成長させる薄膜結晶成長法に関する。
膜を成長させる薄膜結晶成長法に関する。
膜が、非晶質から多結晶に、更に単結晶となる
につれて、一般に、膜の機械的強度は増し、耐摩
耗性、耐湿性、耐温度特性等の膜の質も向上す
る。
につれて、一般に、膜の機械的強度は増し、耐摩
耗性、耐湿性、耐温度特性等の膜の質も向上す
る。
又、成長膜が半導体膜の場合は、その半導体膜
中を動く荷電子の速さ（移動度）がその半導体膜
が非晶質よりは多結晶、多結晶よりは単結晶の方
が速くなる。例えば、半導体膜にトランジスタを
形成することを考えると、該トランジスタの動作
周波数の上限を決定する因子のひとつである荷電
子の移動度は単結晶膜の場合の方がより速くなる
のでトランジスタの動作周波数の上限が高くなり
有利になる。
中を動く荷電子の速さ（移動度）がその半導体膜
が非晶質よりは多結晶、多結晶よりは単結晶の方
が速くなる。例えば、半導体膜にトランジスタを
形成することを考えると、該トランジスタの動作
周波数の上限を決定する因子のひとつである荷電
子の移動度は単結晶膜の場合の方がより速くなる
のでトランジスタの動作周波数の上限が高くなり
有利になる。
従つて、絶縁性基板上の薄膜層を単結晶化でき
れば工業上極めて大きな利点を得ることができ
る。
れば工業上極めて大きな利点を得ることができ
る。
併し乍ら、一般に、非晶質若しくは多結晶の基
板上に薄膜を成長させると、基板温度が低いとき
には非晶質が、基板温度が高いときには多結晶が
形成される。又、非晶質膜が成長するか多結晶膜
が成長するかは、膜物質の種類、基板表面の清浄
度、膜成長速度等にも依存される。
板上に薄膜を成長させると、基板温度が低いとき
には非晶質が、基板温度が高いときには多結晶が
形成される。又、非晶質膜が成長するか多結晶膜
が成長するかは、膜物質の種類、基板表面の清浄
度、膜成長速度等にも依存される。
しかも、従来の方法では、広い面積にわたつて
単結晶膜を形成することは難しいという問題があ
つた。
単結晶膜を形成することは難しいという問題があ
つた。
本発明は、比較的低温でかつ簡便な工程を用い
て基板上の薄膜を単結晶化する方法を提供するこ
とを目的とする。
て基板上の薄膜を単結晶化する方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の薄膜結晶成長法は、基板上に少なくと
も一部分がくびれた形状に薄膜を形成する第１の
工程と、前記形状の薄膜を該薄膜の一端から順次
加熱する第２の工程とから成ることを特徴とす
る。
も一部分がくびれた形状に薄膜を形成する第１の
工程と、前記形状の薄膜を該薄膜の一端から順次
加熱する第２の工程とから成ることを特徴とす
る。
本発明の薄膜結晶成長法を用いれば、比較的低
温で簡便な工程で例えば絶縁性基板上の薄膜を単
結晶化することができる。
温で簡便な工程で例えば絶縁性基板上の薄膜を単
結晶化することができる。
本発明において、単結晶化する物質がシリコン
の場合は、シリコン半導体薄膜にトランジスタ等
を形成したとき、例えば、電極部に拡散させた
Ｐ，As，Sb，Bi，Ｂ，Al，Ga，In等の領域を大
きく拡散させてトランジスタ特性を悪化させると
いうような不都合が生じないという大きな利点も
有する。
の場合は、シリコン半導体薄膜にトランジスタ等
を形成したとき、例えば、電極部に拡散させた
Ｐ，As，Sb，Bi，Ｂ，Al，Ga，In等の領域を大
きく拡散させてトランジスタ特性を悪化させると
いうような不都合が生じないという大きな利点も
有する。
〔実施例１〕
以下、本発明の好適な実施例を図を用いて説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例の薄膜成長法を
説明するための模式的説明図である。第１図にお
いて、１０１はメタルマスクの形状に露出してい
るガラス基板、１０２は単結晶を得ようとする物
質、１０３は加熱ヒーターである。
説明するための模式的説明図である。第１図にお
いて、１０１はメタルマスクの形状に露出してい
るガラス基板、１０２は単結晶を得ようとする物
質、１０３は加熱ヒーターである。
先ず、基板として絶縁性基板であるガラス基板
を用い、該ガラス基板は10-7Torr以上の高真空、
即ち、10-7Torr以下の圧力の雰囲気中に設置さ
れた。次に、ガラス基板を300℃に加熱し、蒸着
速度を0.5ミクロン／時間として電子ビーム蒸着
法によりSiが0.5ミクロン蒸着された。又、この
際、ガラス基板上に第１図に示されるようなメタ
ルマスクの形状をしたメタルマスクを設置して蒸
着が行われた。詰り、Si蒸着膜はメタルマスクの
形状とネガテイブな形状でもつてガラス基板上に
蒸着された。次いで、同様な高真空雰囲気中で蒸
着膜の菱形形状の一端から、第１図で示せば左側
から、直径３mmの棒状のカーボンヒーターを蒸着
膜上１mmの高さに設置して、約１mm／秒の速度で
蒸着膜に沿つて移動させた。ここで、ヒーターに
約0.8KW以上の電力が供給された場合は、蒸着
膜の温度は500℃以上に上昇した。
を用い、該ガラス基板は10-7Torr以上の高真空、
即ち、10-7Torr以下の圧力の雰囲気中に設置さ
れた。次に、ガラス基板を300℃に加熱し、蒸着
速度を0.5ミクロン／時間として電子ビーム蒸着
法によりSiが0.5ミクロン蒸着された。又、この
際、ガラス基板上に第１図に示されるようなメタ
ルマスクの形状をしたメタルマスクを設置して蒸
着が行われた。詰り、Si蒸着膜はメタルマスクの
形状とネガテイブな形状でもつてガラス基板上に
蒸着された。次いで、同様な高真空雰囲気中で蒸
着膜の菱形形状の一端から、第１図で示せば左側
から、直径３mmの棒状のカーボンヒーターを蒸着
膜上１mmの高さに設置して、約１mm／秒の速度で
蒸着膜に沿つて移動させた。ここで、ヒーターに
約0.8KW以上の電力が供給された場合は、蒸着
膜の温度は500℃以上に上昇した。
加熱工程終了後、ガラス基板上の薄膜を電子線
回折法で観察したところ、初めに蒸着された非晶
質薄膜が単結晶化されたことを示すスポツトパタ
ーンが得られ良好な単結晶膜が形成されたことが
確認された。
回折法で観察したところ、初めに蒸着された非晶
質薄膜が単結晶化されたことを示すスポツトパタ
ーンが得られ良好な単結晶膜が形成されたことが
確認された。
本実施例において、加熱工程に用いた加熱手段
は棒状ヒーターを用いたが、所望の加熱が成され
るなら棒状ヒーター以外に光ビーム、電子ビーム
等の加熱手段を用いてもよいし、これら加熱手段
を組み合わせて用いても良い。
は棒状ヒーターを用いたが、所望の加熱が成され
るなら棒状ヒーター以外に光ビーム、電子ビーム
等の加熱手段を用いてもよいし、これら加熱手段
を組み合わせて用いても良い。
尚、比較のために、本実施例のような形状に蒸
着膜を蒸着せず、第２図に示されるような一端の
みが尖つた形状に蒸着膜を形成した場合は、本実
施例と同様な操作を行つても単結晶膜は成長しな
かつた。図において、２０１，２０２は第１図の
１０１，１０２に夫々相当するものである。
着膜を蒸着せず、第２図に示されるような一端の
みが尖つた形状に蒸着膜を形成した場合は、本実
施例と同様な操作を行つても単結晶膜は成長しな
かつた。図において、２０１，２０２は第１図の
１０１，１０２に夫々相当するものである。
本実施例における結晶成長の仕方を第１図の菱
形形状の部分の結晶状態を拡大して示した模式的
説明図である第３図を用いて説明する。
形形状の部分の結晶状態を拡大して示した模式的
説明図である第３図を用いて説明する。
先ず、第３図に示される尖頭部３０４で少数の
初期の結晶核が発生し、領域３０５で核成長が増
大される。次に、領域３０６及び領域３０７で特
定方位の結晶が選別され、領域３０８で大面積の
単結晶膜が形成されるのである。言いかえれば、
この菱形の部分と単結晶膜が広がる部分をつなぐ
細長い部分、それと単結晶が広がる部分は、結晶
発生部（尖頭部３０４）、結晶成長部（領域３０
５）、単結晶選択部（領域３０６から領域３０７
にかけて）、単結晶成長部（領域３０７から領域
３０８）と言うことができる。
初期の結晶核が発生し、領域３０５で核成長が増
大される。次に、領域３０６及び領域３０７で特
定方位の結晶が選別され、領域３０８で大面積の
単結晶膜が形成されるのである。言いかえれば、
この菱形の部分と単結晶膜が広がる部分をつなぐ
細長い部分、それと単結晶が広がる部分は、結晶
発生部（尖頭部３０４）、結晶成長部（領域３０
５）、単結晶選択部（領域３０６から領域３０７
にかけて）、単結晶成長部（領域３０７から領域
３０８）と言うことができる。
本実施例において、初めの蒸着膜を形成すると
きの雰囲気が10-7Torr以上の高真空、即ち、
10-7Torr以下の圧力下で蒸着された場合は、カ
ーボンヒーターによる加熱温度は1000℃以下の比
較的低温であつても良好な単結晶膜を得ることが
できた。しかし、これより悪い真空中で蒸着膜が
形成された場合は、加熱温度を1400℃以上の温度
にしないと良好な単結晶膜を得ることは難しかつ
た。
きの雰囲気が10-7Torr以上の高真空、即ち、
10-7Torr以下の圧力下で蒸着された場合は、カ
ーボンヒーターによる加熱温度は1000℃以下の比
較的低温であつても良好な単結晶膜を得ることが
できた。しかし、これより悪い真空中で蒸着膜が
形成された場合は、加熱温度を1400℃以上の温度
にしないと良好な単結晶膜を得ることは難しかつ
た。
このことは、悪い真空度において形成された蒸
着膜を単結晶化する場合には溶融固化の現象を利
用するのに対して、高真空中で形成された蒸着膜
を単結晶化する場合には、固相成長の現象を利用
するということで説明することができる。即ち、
固相成長の温度領域は、溶融固化の温度領域より
も低温である温度領域で単結晶化の機構を利用で
きるのである。
着膜を単結晶化する場合には溶融固化の現象を利
用するのに対して、高真空中で形成された蒸着膜
を単結晶化する場合には、固相成長の現象を利用
するということで説明することができる。即ち、
固相成長の温度領域は、溶融固化の温度領域より
も低温である温度領域で単結晶化の機構を利用で
きるのである。
〔実施例２〕
第１の実施例より更に低温工程化を実現する方
法を図を用いて説明する。
法を図を用いて説明する。
第４図ａ及び第４図ｂは本発明の好適な第２の
実施例を説明するためのもので、第４図ａは模式
的平面図、第４図ｂは第４図ａに示される一点鎖
線XYで切断した場合の模式的切断面図である。
実施例を説明するためのもので、第４図ａは模式
的平面図、第４図ｂは第４図ａに示される一点鎖
線XYで切断した場合の模式的切断面図である。
第４図ａ及び第４図ｂにおいて、４０１はガラ
ス基板、４０２は単結晶を得ようとする物質、４
０９は物質４０２と組み合わさると融点が物質４
０２やこの物質が単独の場合であるよりも低くな
る物質である。
ス基板、４０２は単結晶を得ようとする物質、４
０９は物質４０２と組み合わさると融点が物質４
０２やこの物質が単独の場合であるよりも低くな
る物質である。
先ず、物質４０９がメタルマスクを用いて蒸着
や通常知られているエツチング法等によつて第４
図ａ及び第４図ｂに示される様な形状にパターニ
ングされた。次に、第１の実施例と同様のパター
ンに物質４０２が蒸着され、更に、第１の実施例
と同様に加熱手段を用いて加熱された。
や通常知られているエツチング法等によつて第４
図ａ及び第４図ｂに示される様な形状にパターニ
ングされた。次に、第１の実施例と同様のパター
ンに物質４０２が蒸着され、更に、第１の実施例
と同様に加熱手段を用いて加熱された。
物質４０９は第４図ｂに示されるように物質４
０２の下側にあつても良いし、物質４０２を蒸着
した後に形成する、即ち、物質４０２の上側にあ
つても良い。又、物質４０９を形成する部分を物
質４０２と物質４０９の２元物質の同時蒸着によ
つて両者の混合物としても良い。
０２の下側にあつても良いし、物質４０２を蒸着
した後に形成する、即ち、物質４０２の上側にあ
つても良い。又、物質４０９を形成する部分を物
質４０２と物質４０９の２元物質の同時蒸着によ
つて両者の混合物としても良い。
物質４０９と物質４０２の膜厚の比、若しく
は、混合比は、所望の合金の成分化になるように
選ぶ。
は、混合比は、所望の合金の成分化になるように
選ぶ。
即ち、物質４０２と物質４０９の比重、膜厚を
それぞれρ2，ρ9，t2，t9、重量を各々W2，W9と
すれば、用いる合金の成分比が、重量％でW9／
（W2＋W9）×100となるように選べば、 W9／W2＋W9＝ρ9t9／ρ2t2＋ρ9t9 となるように膜厚比t9／t2を設定すれば良い。
それぞれρ2，ρ9，t2，t9、重量を各々W2，W9と
すれば、用いる合金の成分比が、重量％でW9／
（W2＋W9）×100となるように選べば、 W9／W2＋W9＝ρ9t9／ρ2t2＋ρ9t9 となるように膜厚比t9／t2を設定すれば良い。
又、W9／（W2＋W9）は、２元合金の相図か
ら融点の低い範囲を選択すれば良い。
ら融点の低い範囲を選択すれば良い。
例えば、物質４０２にSi、物質４０９にAuを
用いた場合、AuのSiに対する重量％を６％に選
ぶことでAuとSiの共晶点となり、第１の実施例
と同様に加熱することで370℃という低温でSiの
単結晶膜が形成された。
用いた場合、AuのSiに対する重量％を６％に選
ぶことでAuとSiの共晶点となり、第１の実施例
と同様に加熱することで370℃という低温でSiの
単結晶膜が形成された。
更に、別には、物質４０２にSi、物質４０９に
蒸着Alを用いた場合、AlのSiに対する重量％を
約11％に選ぶことで、577℃でAlとSiの共晶が得
られ、Siの単結晶膜を形成することができた。
蒸着Alを用いた場合、AlのSiに対する重量％を
約11％に選ぶことで、577℃でAlとSiの共晶が得
られ、Siの単結晶膜を形成することができた。
更に又、別には、物質４０２にSi、物質４０９
に蒸着したGeを用いた場合、GeのSiに対する重
量％を５％前後に選ぶことで、1000℃以下で溶融
固化させることができ、Siの単結晶膜を形成する
ことができた。
に蒸着したGeを用いた場合、GeのSiに対する重
量％を５％前後に選ぶことで、1000℃以下で溶融
固化させることができ、Siの単結晶膜を形成する
ことができた。
尚、物質４０２と物質４０９との重なり部分
は、加熱の始点で結晶核が形成されれば良いの
で、本発明の薄膜成長法を行うことの可能な蒸着
膜の形状を表わした図である第５図乃至第７図に
示されるような形状に蒸着膜を形成しても良い。
は、加熱の始点で結晶核が形成されれば良いの
で、本発明の薄膜成長法を行うことの可能な蒸着
膜の形状を表わした図である第５図乃至第７図に
示されるような形状に蒸着膜を形成しても良い。
即ち、第５図及び第６図は第４図ａのように菱
形形状にちようど重なり合うのでなく、菱形形状
の加熱始点側で結晶核が生ずるように物質５０９
或は物質６０９が物質５０２或は物質６０２と少
なくとも一部が重なるように形成された場合を示
した図である。又、第７図は、物質７０２と物質
７０９の重なる結晶発生部から結晶成長部を設け
ることなく結晶発生後すぐに単結晶選択部、単結
晶成長部となるようにしたものである。更に、以
上の第５図乃至第７図における物質５０９、物質
６０９、物質７０９の形状はそれ等物質と単結晶
を得ようとする物質との重なりの加熱始点側で結
晶核が形成されるのであれば別に第５図乃至第７
図に示されるような形状にそれ等物質を形成する
必要はない。
形形状にちようど重なり合うのでなく、菱形形状
の加熱始点側で結晶核が生ずるように物質５０９
或は物質６０９が物質５０２或は物質６０２と少
なくとも一部が重なるように形成された場合を示
した図である。又、第７図は、物質７０２と物質
７０９の重なる結晶発生部から結晶成長部を設け
ることなく結晶発生後すぐに単結晶選択部、単結
晶成長部となるようにしたものである。更に、以
上の第５図乃至第７図における物質５０９、物質
６０９、物質７０９の形状はそれ等物質と単結晶
を得ようとする物質との重なりの加熱始点側で結
晶核が形成されるのであれば別に第５図乃至第７
図に示されるような形状にそれ等物質を形成する
必要はない。
〔実施例３〕
本発明の第３の実施例として第６図のような形
状に蒸着膜を蒸着した場合の薄膜成長法を説明す
る。
状に蒸着膜を蒸着した場合の薄膜成長法を説明す
る。
本実施例は物質６０２にSi、物質６０９にAl
を用いたものである。
を用いたものである。
先ず、10-7Torr以上の高真空、即ち、10-7
Torr以下の圧力の雰囲気中において、ガラス基
板の温度を300℃にしてAlが三角形状に厚さ526
Åでガラス基板に蒸着された。次いで、同様の高
真空中で、ガラス基板温度を300℃としてSiが膜
厚5000Åとなるようにガラス基板に電子ビーム蒸
着された。Si蒸着膜の形状は、本発明の第１の実
施例と同様の形状であるが、加熱始点にあたる菱
形形状の尖頭部を先に蒸着された三角形のAl蒸
着膜の１つの角に重なるように形成された。尚、
この段階においては、Si膜は非晶質であつた。
Torr以下の圧力の雰囲気中において、ガラス基
板の温度を300℃にしてAlが三角形状に厚さ526
Åでガラス基板に蒸着された。次いで、同様の高
真空中で、ガラス基板温度を300℃としてSiが膜
厚5000Åとなるようにガラス基板に電子ビーム蒸
着された。Si蒸着膜の形状は、本発明の第１の実
施例と同様の形状であるが、加熱始点にあたる菱
形形状の尖頭部を先に蒸着された三角形のAl蒸
着膜の１つの角に重なるように形成された。尚、
この段階においては、Si膜は非晶質であつた。
次いで、第１の実施例と同様な方法で加熱を行
つた。即ち、Ai蒸着膜のある側からカーボンヒ
ーターを用いて順次加熱されたのである。このと
きの蒸着膜の温度は1000℃以下であつた。
つた。即ち、Ai蒸着膜のある側からカーボンヒ
ーターを用いて順次加熱されたのである。このと
きの蒸着膜の温度は1000℃以下であつた。
このようにして処理した膜を電子線回折法で観
察したところ、初めに蒸着された非晶質が第１の
実施例の場合と同様に単結晶化したことを示すス
ポツトパタンを得ることができた。
察したところ、初めに蒸着された非晶質が第１の
実施例の場合と同様に単結晶化したことを示すス
ポツトパタンを得ることができた。
尚、本発明において、結晶発生部分、結晶成長
部分（含単結晶選択部分）、単結晶成長部分から
なる領域は菱形形状とされているが、この領域の
形状は上記の３つの部分の機能をもつものであれ
ば菱形形状でなくとも、例えば第７図のような形
状でも全くかまわないものである。
部分（含単結晶選択部分）、単結晶成長部分から
なる領域は菱形形状とされているが、この領域の
形状は上記の３つの部分の機能をもつものであれ
ば菱形形状でなくとも、例えば第７図のような形
状でも全くかまわないものである。
又、菱形形状の部分と単結晶成長部分をつなく
領域３０７の形状は、領域３０７の長さを、領域
３０７の巾の半分よりも長くされていることが好
ましい。更に、領域３０７の巾は、選択された結
晶が単結晶のまま成長し得る巾であることが必要
であるが、結晶選択部側の領域３０７の巾は、効
率的に結晶を選択するためにも必要最小限の巾で
あることが望ましい。又、この巾は、最初から最
後まで均一の巾でなくとも、例えば加熱始点側が
狭くなつていてもかまわない。
領域３０７の形状は、領域３０７の長さを、領域
３０７の巾の半分よりも長くされていることが好
ましい。更に、領域３０７の巾は、選択された結
晶が単結晶のまま成長し得る巾であることが必要
であるが、結晶選択部側の領域３０７の巾は、効
率的に結晶を選択するためにも必要最小限の巾で
あることが望ましい。又、この巾は、最初から最
後まで均一の巾でなくとも、例えば加熱始点側が
狭くなつていてもかまわない。
本発明において、結晶発生部を尖つた形状にし
たのは結晶核の発生個数を制限して、より少数の
結晶成長を行うことによつて、結晶発生時点から
単結晶への選択性を良好にするためである。従つ
て、効率の低下を考慮しなければ別に尖つた形状
となつていなくとも良い。
たのは結晶核の発生個数を制限して、より少数の
結晶成長を行うことによつて、結晶発生時点から
単結晶への選択性を良好にするためである。従つ
て、効率の低下を考慮しなければ別に尖つた形状
となつていなくとも良い。
加熱条件は、高真空雰囲気中において加熱手段
を用いて加熱が成されるのであるが、その温度条
件や加熱手段による加熱場所の移動速度は単結晶
を得ようとする材料或はその材料と組み合わさつ
て融点が低下する材料との組み合わせによつて異
なる。
を用いて加熱が成されるのであるが、その温度条
件や加熱手段による加熱場所の移動速度は単結晶
を得ようとする材料或はその材料と組み合わさつ
て融点が低下する材料との組み合わせによつて異
なる。
単結晶を得ようとする物質としては、本発明の
実施例中で用いたSi，Ge以外の物質、例えば
GaAs等を用いても良好な単結晶膜を同様な方法
で成長させることが可能である。
実施例中で用いたSi，Ge以外の物質、例えば
GaAs等を用いても良好な単結晶膜を同様な方法
で成長させることが可能である。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するため
の模式的説明図である。第２図は本発明の実施例
に基づいて比較例を説明するための模式的説明図
である。第３図は本発明の薄膜結晶成長法の結晶
化状態を説明するための模式的説明図である。第
４図ａ及び第４図ｂ及び第５図乃至第７図は夫々
本発明の他の実施例を説明するための模式的説明
図であつて、第４図ｂは第４図ａに示される１点
鎖線XYで切断した場合の模式的切断面説明図で
ある。 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６
０１，７０１……ガラス基板、１０２，２０２，
３０２，４０２，５０２，６０２，７０２……単
結晶を得ようとする物質、１０３……ヒーター、
４０９，５０９，６０９，７０９……単結晶を得
ようとする物質と組み合わさつて融点を低下させ
るような物質。
の模式的説明図である。第２図は本発明の実施例
に基づいて比較例を説明するための模式的説明図
である。第３図は本発明の薄膜結晶成長法の結晶
化状態を説明するための模式的説明図である。第
４図ａ及び第４図ｂ及び第５図乃至第７図は夫々
本発明の他の実施例を説明するための模式的説明
図であつて、第４図ｂは第４図ａに示される１点
鎖線XYで切断した場合の模式的切断面説明図で
ある。 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６
０１，７０１……ガラス基板、１０２，２０２，
３０２，４０２，５０２，６０２，７０２……単
結晶を得ようとする物質、１０３……ヒーター、
４０９，５０９，６０９，７０９……単結晶を得
ようとする物質と組み合わさつて融点を低下させ
るような物質。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に少なくとも一部分がくびれた形状に
薄膜を形成する第１の工程と、前記形状の薄膜を
該薄膜の一端から順次加熱する第２の工程とから
成ることを特徴とする薄膜結晶成長法。 ２ 前記薄膜のくびれた形状はくびれた部分の長
さが、くびれた部分の巾の半分よりも長くされて
いる特許請求の範囲第１項記載の薄膜結晶成長
法。 ３ 前記基板は絶縁性基板である特許請求の範囲
第１項記載の薄膜結晶成長法。 ４ 前記第１の工程は高真空雰囲気下で行なわれ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜結晶成長法。 ５ 前記第２の工程は高真空雰囲気下で行なわれ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜結晶成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208924A JPS59102890A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 薄膜結晶成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208924A JPS59102890A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 薄膜結晶成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59102890A JPS59102890A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0466840B2 true JPH0466840B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=16564377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208924A Granted JPS59102890A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 薄膜結晶成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59102890A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149789A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-11 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | クラツド鋼管の円周溶接方法 |
| JP2876598B2 (ja) * | 1988-04-27 | 1999-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5206213A (en) * | 1990-03-23 | 1993-04-27 | International Business Machines Corp. | Method of preparing oriented, polycrystalline superconducting ceramic oxides |
| US6242289B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-06-05 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| JP4663615B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-04-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP4141138B2 (ja) | 2001-12-21 | 2008-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP57208924A patent/JPS59102890A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59102890A (ja) | 1984-06-14 |
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