JPH0264185A - フッ素系粘着テープまたはシートの製造方法 - Google Patents
フッ素系粘着テープまたはシートの製造方法Info
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- JPH0264185A JPH0264185A JP21548688A JP21548688A JPH0264185A JP H0264185 A JPH0264185 A JP H0264185A JP 21548688 A JP21548688 A JP 21548688A JP 21548688 A JP21548688 A JP 21548688A JP H0264185 A JPH0264185 A JP H0264185A
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- Japan
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- fluorine
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- adhesive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フッ素系基材よりなる粘着テープまたはシー
トに関し、特には基材と粘着剤との密着力を高めると共
に、耐熱性を著しく向上せしめた粘着テープまたはシー
トの製造方法に関するものである。
トに関し、特には基材と粘着剤との密着力を高めると共
に、耐熱性を著しく向上せしめた粘着テープまたはシー
トの製造方法に関するものである。
（従来の技術と問題点）
フッ素系粘着テープ、特にＰＴＦＥ系粘着テープは、そ
のすぐれた電気特性、耐熱性、非粘着性、耐薬品性等の
特性により、電気絶縁用、ヒートシール用、ロールラッ
ピング用、その他スベリ性、非粘着性を求める用途に使
用されている。
のすぐれた電気特性、耐熱性、非粘着性、耐薬品性等の
特性により、電気絶縁用、ヒートシール用、ロールラッ
ピング用、その他スベリ性、非粘着性を求める用途に使
用されている。
しかしながら、フッ素系フィルムは、その基材の持つ非
粘着性の特性故に、粘着剤との密着性が悪く、フッ素系
基村上に粘着剤を塗工した粘着テープ、またはシートを
使った場合には、例えば使用時粘着剤の剥離現象を生じ
たり、あるいは高温雰囲気中でのズレを生じたりする問
題を生じ、このため、密着性、耐熱性にすぐれた粘着テ
ープまたはシートの開発が要望されている。これを解決
する方法として、フッ素系基材の表面を金属Ｎａ−ＮＨ
，溶液で処理する方法が提案され、これは特に密着性に
問題のあるＰＴＦＥ系基材の表面処理に利用されている
。
粘着性の特性故に、粘着剤との密着性が悪く、フッ素系
基村上に粘着剤を塗工した粘着テープ、またはシートを
使った場合には、例えば使用時粘着剤の剥離現象を生じ
たり、あるいは高温雰囲気中でのズレを生じたりする問
題を生じ、このため、密着性、耐熱性にすぐれた粘着テ
ープまたはシートの開発が要望されている。これを解決
する方法として、フッ素系基材の表面を金属Ｎａ−ＮＨ
，溶液で処理する方法が提案され、これは特に密着性に
問題のあるＰＴＦＥ系基材の表面処理に利用されている
。
しかしながら、金属Ｎａ−ＮＨ４処理は、表面に炭化暦
が出来る欠点があり、着色する上に表面電気特性がそこ
なわれると云う問題点を有すると共に、公害上、安全上
の問題もあり、よりすぐれた密着性の改良手段が要望さ
れている。
が出来る欠点があり、着色する上に表面電気特性がそこ
なわれると云う問題点を有すると共に、公害上、安全上
の問題もあり、よりすぐれた密着性の改良手段が要望さ
れている。
（問題解決のための手段）
本発明者等は、この問題解決について、鋭意研究を重ね
た結果、フッ素系基材を圧力０．００１〜１０トルの無
機ガスの低温プラズマにさらし、表面ＮＯ，（１（１５
〜０．５μｍのフッ素含有量を基材の持つフッ素含有量
の１５〜６５％迄減じ、かつ表面層の０．００５〜０．
５μｍの酸素含有量をＣ原子１００個当り１０個以上に
３０個以内になる様に改質した後、これにシリコーン系
表面処理剤を塗布硬化せしめ、しかる後に粘着剤を塗布
加工することにより、基材との密着性にすぐれ、なおか
つ耐熱性にすぐれた粘着テープまたはシートが得られる
ことを見出して本発明に到達した。
た結果、フッ素系基材を圧力０．００１〜１０トルの無
機ガスの低温プラズマにさらし、表面ＮＯ，（１（１５
〜０．５μｍのフッ素含有量を基材の持つフッ素含有量
の１５〜６５％迄減じ、かつ表面層の０．００５〜０．
５μｍの酸素含有量をＣ原子１００個当り１０個以上に
３０個以内になる様に改質した後、これにシリコーン系
表面処理剤を塗布硬化せしめ、しかる後に粘着剤を塗布
加工することにより、基材との密着性にすぐれ、なおか
つ耐熱性にすぐれた粘着テープまたはシートが得られる
ことを見出して本発明に到達した。
本発明におけるフッ素系基材としては、ＰＴＦＥ。
ＣＴＦＥ、 ＰＶＤＦ、 ＰＶＦ、 ＥＴＦＥ、 ＦＥ
Ｐ、 ＰＦＡ等の各種フィルムまたはシート及びＰＴＦ
Ｅ等のフッ素樹脂を含浸したガラスクロス、ケブラーク
ロス等の基材が例示される。これ等の基材は本発明の提
案するガス圧０．００１〜ｌＯトルの低温プラズマ処理
に供され、表面のフッ素含有量を基材のフッ素含有量の
１５〜６５％、酸素含有量をＣ原子１００ケ当り１０〜
３０個含有せしめる様に改質される。
Ｐ、 ＰＦＡ等の各種フィルムまたはシート及びＰＴＦ
Ｅ等のフッ素樹脂を含浸したガラスクロス、ケブラーク
ロス等の基材が例示される。これ等の基材は本発明の提
案するガス圧０．００１〜ｌＯトルの低温プラズマ処理
に供され、表面のフッ素含有量を基材のフッ素含有量の
１５〜６５％、酸素含有量をＣ原子１００ケ当り１０〜
３０個含有せしめる様に改質される。
プラズマ処理の方法としては、アルゴン、酸素、窒素、
空気、ヘリウム等無機ガスの流通下、ガス圧０．００１
〜１０）ルの真空容器内の陽陰電極間に１０ｋ）Ｉｚ〜
１００ＭＨｚの高周波電力を印加することによって行わ
れる。
空気、ヘリウム等無機ガスの流通下、ガス圧０．００１
〜１０）ルの真空容器内の陽陰電極間に１０ｋ）Ｉｚ〜
１００ＭＨｚの高周波電力を印加することによって行わ
れる。
フッ素基材表面のフッ素及び酸素含有量を上記範囲内に
保つためには、両電極間に１，０ＯＯＶ以上の電圧、１
０Ａ以上の電流を生じさせ、なおかつ陽電極に単位面積
当り０．６Ｗ／ｃｍ”以上の高周波電力を印加すること
が必要である。
保つためには、両電極間に１，０ＯＯＶ以上の電圧、１
０Ａ以上の電流を生じさせ、なおかつ陽電極に単位面積
当り０．６Ｗ／ｃｍ”以上の高周波電力を印加すること
が必要である。
陽陰電極間距離については２〜２０μｍが適当であり、
陽電極については耐電圧１０．０ＯＯＶ以上のガラス、
ホーロー、セラミックコートされた金属棒状電極を使用
するのが、電圧、電流のバランスを取る上で有効である
。
陽電極については耐電圧１０．０ＯＯＶ以上のガラス、
ホーロー、セラミックコートされた金属棒状電極を使用
するのが、電圧、電流のバランスを取る上で有効である
。
表面のフッ素含有量が、基材のフッ素含有量の６５％以
上、酸素含有量がＣ原子１００個当り１０個以下の場合
には基材と粘着剤の密着性は不十分なものとなり、本発
明の目的は達せられない。また、フッ素含有量を１５％
以下迄低下せしめた場合には、酸素含有量も低下し、基
材と粘着剤との密着力も低下してしまう０表面のフッ素
含有量を減することのみを優先して、高い印加電力を与
えたり、あるいはプラズマ中での曝露時間を長くした場
合には、フィルムの変形、収縮、着色等を生じ好ましく
ない。陽電極に印加する高周波電力としては、陽電極の
単位面積当り０．６〜６Ｗ／ｃｍ”が適当である。
上、酸素含有量がＣ原子１００個当り１０個以下の場合
には基材と粘着剤の密着性は不十分なものとなり、本発
明の目的は達せられない。また、フッ素含有量を１５％
以下迄低下せしめた場合には、酸素含有量も低下し、基
材と粘着剤との密着力も低下してしまう０表面のフッ素
含有量を減することのみを優先して、高い印加電力を与
えたり、あるいはプラズマ中での曝露時間を長くした場
合には、フィルムの変形、収縮、着色等を生じ好ましく
ない。陽電極に印加する高周波電力としては、陽電極の
単位面積当り０．６〜６Ｗ／ｃｍ”が適当である。
次いで、プラズマ処理されたフッ素基材表面にシリコー
ン表面処理剤が塗布され、これを乾燥、硬化することに
より、０．５〜１０μｍの強固な薄膜が形成される。
ン表面処理剤が塗布され、これを乾燥、硬化することに
より、０．５〜１０μｍの強固な薄膜が形成される。
シリコーン系表面処理剤としては、１〜４官能性シロキ
サン単位より選択されたワニス形状のシソコーンが適し
ており、これは基材と密着して、後で塗布されるシリコ
ーン系粘着剤とのぬれ性、密着性を向上せしめる。
サン単位より選択されたワニス形状のシソコーンが適し
ており、これは基材と密着して、後で塗布されるシリコ
ーン系粘着剤とのぬれ性、密着性を向上せしめる。
本発明の方法による限定されたフッ素及び酸素を含有す
るプラズマ処理表面処理層は、このシリコーン表面処理
剤と強固に密着するものであり、結果として基材と強固
に密着した粘着テープまたはシートが得られる。
るプラズマ処理表面処理層は、このシリコーン表面処理
剤と強固に密着するものであり、結果として基材と強固
に密着した粘着テープまたはシートが得られる。
つぎに粘着テープまたはシートを製造するため、シリコ
ーン表面処理剤コート面に、粘着剤が塗布される。粘着
剤としては、シリコーン系、アクリル系、天然ゴム系、
合成ゴム系等が例示されるが、シリコーン表面処理剤コ
ート面との密着性にすぐれている点から、シリコーン系
粘着剤が好ましい。
ーン表面処理剤コート面に、粘着剤が塗布される。粘着
剤としては、シリコーン系、アクリル系、天然ゴム系、
合成ゴム系等が例示されるが、シリコーン表面処理剤コ
ート面との密着性にすぐれている点から、シリコーン系
粘着剤が好ましい。
粘着剤層の膜厚としては１０〜１５０μｍ、好ましくは
２０〜７０μｍが適当であり、塗布の方法としてはドク
ター法、リバースロール法等の手段によれば良い。この
様に製造された粘着テープ、またはシートは、そのまま
巻取るか、あるいは離型紙を介在させることによって巻
き取られる。
２０〜７０μｍが適当であり、塗布の方法としてはドク
ター法、リバースロール法等の手段によれば良い。この
様に製造された粘着テープ、またはシートは、そのまま
巻取るか、あるいは離型紙を介在させることによって巻
き取られる。
本発明の方法による粘着テープ、またはシートは、下記
の構成よりなる多層構造を有するものである。
の構成よりなる多層構造を有するものである。
第−層 フッ素基材層
第二層 低温プラズマ処理層（０，００５〜０．５μｍ
）フッ素含有量は基材の１５〜６５％、酸素含有量はＣ
原子１００個当り１０〜３０個。
）フッ素含有量は基材の１５〜６５％、酸素含有量はＣ
原子１００個当り１０〜３０個。
第二層 シリコーン表面処理剤よりなる薄膜層（０，５
〜ＩＯμｍ） １〜４官能性シロキサン処理単位より選択されたシリコ
ーン樹脂層。
〜ＩＯμｍ） １〜４官能性シロキサン処理単位より選択されたシリコ
ーン樹脂層。
第四層 シリコーン粘着剤Ｍ
（発明の効果）
本発明による上記粘着テープまたはシートは、フッ素系
基材と粘着剤層が、プラズマ処理層及びシリコーン表面
処理剤よりなる薄膜層を介在して結合し、かつプラズマ
処理層とシリコーン表面処理剤よりなる薄膜層との密着
力が非常に強固であるが故に、密着力、耐熱性等にすぐ
れた特徴を示すものである。
基材と粘着剤層が、プラズマ処理層及びシリコーン表面
処理剤よりなる薄膜層を介在して結合し、かつプラズマ
処理層とシリコーン表面処理剤よりなる薄膜層との密着
力が非常に強固であるが故に、密着力、耐熱性等にすぐ
れた特徴を示すものである。
また、金属Ｎａ−ＮＨ４処理の様なカーボン層が形成さ
れず、着色のないかつ電気変性のすぐれた粘着テープま
たはシートが得られる。
れず、着色のないかつ電気変性のすぐれた粘着テープま
たはシートが得られる。
次ぎに、本発明を具体例を挙げて説明するが、本発明は
これらに限定されるものではない。
これらに限定されるものではない。
（実施例１）
プラズマ処理装置内に厚み１１００ｕのＰＴＦＥフィル
ム（ヨドフロンＦ４、淀川化成）をセットし、真空度を
０．０２Ｔｏｒｒ迄減圧した。ついでアルゴンガスを０
．２ Ｉ２／ｍｉｎの流量で流し、圧力を０．０４Ｔｏ
ｒｒに保持したのち、１１０ｋＨｚ、 ７０ｋｗの高周
波電力を印加し、２０秒間処理した。
ム（ヨドフロンＦ４、淀川化成）をセットし、真空度を
０．０２Ｔｏｒｒ迄減圧した。ついでアルゴンガスを０
．２ Ｉ２／ｍｉｎの流量で流し、圧力を０．０４Ｔｏ
ｒｒに保持したのち、１１０ｋＨｚ、 ７０ｋｗの高周
波電力を印加し、２０秒間処理した。
この時の電圧は２，１００Ｖ、電流は２ＯＡであった。
さらにＥＳＣＡによる表面の改質状態を観察したところ
、フッ素含有量は基材のフッ素含有量の４５％迄減少し
、酸素原子はＣ原子１００個当り１５個の値を示した。
、フッ素含有量は基材のフッ素含有量の４５％迄減少し
、酸素原子はＣ原子１００個当り１５個の値を示した。
次いで、このプラズマ処理面にシリコーン表面処理剤（
Ｘ−４０−８１９−７、信越化学工業）゛を乾燥後の膜
厚が２μｍになる様に塗布し、１８０’Ｃで２分間加熱
し硬化させた。
Ｘ−４０−８１９−７、信越化学工業）゛を乾燥後の膜
厚が２μｍになる様に塗布し、１８０’Ｃで２分間加熱
し硬化させた。
このシリコーン表面処理剤コート面にシリコーン系粘着
剤（ＫＲ−１００、信越化学工業）を乾燥後の膜厚が５
０μｍになる様に塗布し、８０’Ｃで３分間乾燥後１５
５℃で１５分加熱、キュアさせた。
剤（ＫＲ−１００、信越化学工業）を乾燥後の膜厚が５
０μｍになる様に塗布し、８０’Ｃで３分間乾燥後１５
５℃で１５分加熱、キュアさせた。
これをサンプルＡとする。
また、未処理のテフロンフィルムを用いて、同様に作成
した粘着テープをサンプルＢ（比較例）とする。
した粘着テープをサンプルＢ（比較例）とする。
（実施例２）
プラズマ処理装置内に、厚み８０ｇｍのＰＴＦＥフィル
ム（ヨドフロンＦ４、淀川化成）をセットし、真空度を
０．０２Ｔｏｒｒ迄減圧した０次いで空気ガスを０．５
Ｉ２／ｍｉｎの流量で流し、圧力を０．０６Ｔｏｒｒに
保持したのち、１１０ＫＨ２，６０ｋｗの高周波電力を
印加し２分間処理した。この時の電圧は１，８００ｖ１
電流は１５Ａであった。ＥＳＣＡによる表面改質状態を
観察したところ、フッ素含有量は基材の２５％迄減少し
、酸素含有量はＣ原子１００ケ当り１２ケの値を示した
。
ム（ヨドフロンＦ４、淀川化成）をセットし、真空度を
０．０２Ｔｏｒｒ迄減圧した０次いで空気ガスを０．５
Ｉ２／ｍｉｎの流量で流し、圧力を０．０６Ｔｏｒｒに
保持したのち、１１０ＫＨ２，６０ｋｗの高周波電力を
印加し２分間処理した。この時の電圧は１，８００ｖ１
電流は１５Ａであった。ＥＳＣＡによる表面改質状態を
観察したところ、フッ素含有量は基材の２５％迄減少し
、酸素含有量はＣ原子１００ケ当り１２ケの値を示した
。
次いでこのフィルムのプラズマ処理面に、シリコーン表
面処理剤（にＤ−１０８−６０，信越化学工業）を乾燥
後の膜厚で３μｍになる様に塗布し、１５５℃、１０分
加熱しキュアさせた。これをサンプルＣとする。
面処理剤（にＤ−１０８−６０，信越化学工業）を乾燥
後の膜厚で３μｍになる様に塗布し、１５５℃、１０分
加熱しキュアさせた。これをサンプルＣとする。
また、未処理テフロンフィルムを用いて同様に作成した
粘着テープをサンプルＤ（比較例）とする。
粘着テープをサンプルＤ（比較例）とする。
サンプルＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄについて密着性、及び耐熱性の
評価結果を第１表に示す。また、特性評価方法を下記に
示す。
評価結果を第１表に示す。また、特性評価方法を下記に
示す。
髭豆左脛冗恭
粘着剤塗布面どうしを貼り合せ２ｋｇ圧着ローラーで３
往復圧着する０次いで、１５５℃で１５分間加熱キュア
後支持板で固定した状態で、１８ｏ０剥離強度を測定し
た。なお、引張スピードは５０ｍｍ／ｍｉｎで行った。
往復圧着する０次いで、１５５℃で１５分間加熱キュア
後支持板で固定した状態で、１８ｏ０剥離強度を測定し
た。なお、引張スピードは５０ｍｍ／ｍｉｎで行った。
１８０° はがし 力の
５ｔｌＳ ３０４板に幅２０ｍｍの粘着テープをはりっ
け１８０°で引きはがした時の粘着力を測定した。
け１８０°で引きはがした時の粘着力を測定した。
所定の温度に設定した恒温槽に入れ、
ズレ量を測定した。
３０分後の
第１表
なお、引張スピードは、３００ ｍｍ／ｍｉｎで行った
。
。
酊然立凰思
Claims (1)
- １、フッ素系基材の表面を、圧力０．００１〜１０トル
の無機ガスの低温プラズマにさらし、表面層０．００５
〜０．５μｍのフッ素含有量を基材のそれの１５〜６５
％に減じ、かつ酸素含有量をＣ原子１００個当り１０個
以上３０個以内になる様に改質したのち、これにシリコ
ーン系表面処理剤を塗布硬化せしめ、ついで粘着剤を塗
布加工することを特徴とするフッ素系粘着テープまたは
シートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21548688A JPH0264185A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッ素系粘着テープまたはシートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21548688A JPH0264185A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッ素系粘着テープまたはシートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264185A true JPH0264185A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16673182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21548688A Pending JPH0264185A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッ素系粘着テープまたはシートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0264185A (ja) |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP21548688A patent/JPH0264185A/ja active Pending
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