JPH0264193A - 光刺戟しうるりん光体及びラジオグラフイにおける使用 - Google Patents
光刺戟しうるりん光体及びラジオグラフイにおける使用Info
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- JPH0264193A JPH0264193A JP1148238A JP14823889A JPH0264193A JP H0264193 A JPH0264193 A JP H0264193A JP 1148238 A JP1148238 A JP 1148238A JP 14823889 A JP14823889 A JP 14823889A JP H0264193 A JPH0264193 A JP H0264193A
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- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の光刺戟しうるりん光体（ｐｈｏｔｏ−ｓｔｉｍ
ｕｌａｂｌｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ）及びスクリーン又
はパネル中で前記りん光体を含有するバインダー層によ
ってＸ線パターンを記録し、再現する方法に関する。
ｕｌａｂｌｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ）及びスクリーン又
はパネル中で前記りん光体を含有するバインダー層によ
ってＸ線パターンを記録し、再現する方法に関する。
Ｘ線は適切な物質に発光を生ぜしめることができること
が良く知られている。Ｘ線の影響下で発光の現象を示す
物質はりん光体と称される。
が良く知られている。Ｘ線の影響下で発光の現象を示す
物質はりん光体と称される。
Ｘ線パターンを記録し、再現する古典的な方法によれば
、発光された蛍光に対して高度に敏感である写真ハロゲ
ン化銀乳剤材料と組合せて放射線写真を形成するためり
ん光体が使用されている。
、発光された蛍光に対して高度に敏感である写真ハロゲ
ン化銀乳剤材料と組合せて放射線写真を形成するためり
ん光体が使用されている。
前記スクリーンに使用されるりん光体は発光性であるべ
きであるが、Ｘ線源を切った後認めつる長い寿命の発光
を示してはならない、著しく長い寿命の発光を有するス
クリーンを使用すると、それはＸ線ビームを止めた後も
その像を保有し、それと接触させた新しいフィルムは、
作られる次の像を妨害するいわゆるゴーストを与えるで
あろう。蛍光Ｘ線変換スクリーンと接触露光することに
よる放射線写真の製造において望ましくないこの現象は
残光（ａｆｔｅｒ−ｇｌｏｗ）及び遅れ（ｌａｇ）なる
語で知られている。
きであるが、Ｘ線源を切った後認めつる長い寿命の発光
を示してはならない、著しく長い寿命の発光を有するス
クリーンを使用すると、それはＸ線ビームを止めた後も
その像を保有し、それと接触させた新しいフィルムは、
作られる次の像を妨害するいわゆるゴーストを与えるで
あろう。蛍光Ｘ線変換スクリーンと接触露光することに
よる放射線写真の製造において望ましくないこの現象は
残光（ａｆｔｅｒ−ｇｌｏｗ）及び遅れ（ｌａｇ）なる
語で知られている。
例えば米国特許第３８５９５２７号に記載されたＸ線パ
ターンを記録し、再現する別の方法によれば、パネルに
組入れられる光刺戟しうるりん光体として知られている
特殊なりん光体を使用し、入射するパターンに従って変
調されたＸ線に対し露光し、その結果としてＸ線パター
ンで含有されたエネルギーをその中に一時的に貯蔵する
。露光後しばらくの間、可視光又は赤外線のビームがパ
ネルを走査して、光として貯蔵されたエネルギーの放出
を刺戟し、上記光を検出し、可視像を作るために処理で
きる逐次電気信号に変換する。
ターンを記録し、再現する別の方法によれば、パネルに
組入れられる光刺戟しうるりん光体として知られている
特殊なりん光体を使用し、入射するパターンに従って変
調されたＸ線に対し露光し、その結果としてＸ線パター
ンで含有されたエネルギーをその中に一時的に貯蔵する
。露光後しばらくの間、可視光又は赤外線のビームがパ
ネルを走査して、光として貯蔵されたエネルギーの放出
を刺戟し、上記光を検出し、可視像を作るために処理で
きる逐次電気信号に変換する。
このため、りん光体は入射Ｘ線エネルギーをできる限り
多く貯蔵すべきであり、走査ビームによって刺戟される
までエネルギーをできる限り少なく放出すべきである。
多く貯蔵すべきであり、走査ビームによって刺戟される
までエネルギーをできる限り少なく放出すべきである。
米国特許第４２３９９６８号には、下記実験式％式％：
（式中ＭＩＩはＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｚｎ及びＣｄ
の１種以上であり、ＸはＢｒ、 ＣＩ又はＩの１種以上
であり、ＡはＥｕ、 Ｔｂ、 Ｃｅ、 Ｔｍ、 Ｄｙ、
Ｐｒ、 Ｈ０． Ｎｄ、 Ｙｂ及びＢｒからなる群の
少なくとも１員であり、Ｘは０≦ｘ≦０．６の範囲であ
り、ｙは０≦ｙ≦０．２の範囲である）を有する光刺戟
しうるユーロピウムドープしたフルオロハロゲン化バリ
ウムが記載されている。これらのりん光体はＨｅ−Ｎｅ
レーザビーム（６３３ｎｍ）の刺戟光に対する高度の感
度を有する刺戟しうるりん光体として応用するために特
に有用であり、最良の刺戟は５００〜７００ｎｍの範囲
にある。刺戟時に発する光（刺戟光と称される）は主極
大値が３９０ｎｍで、３５０〜４５０ｎｍの波長範囲に
位置する（定期刊行物Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ 、 １９
８３年９月号、８３４頁参照）。
の１種以上であり、ＸはＢｒ、 ＣＩ又はＩの１種以上
であり、ＡはＥｕ、 Ｔｂ、 Ｃｅ、 Ｔｍ、 Ｄｙ、
Ｐｒ、 Ｈ０． Ｎｄ、 Ｙｂ及びＢｒからなる群の
少なくとも１員であり、Ｘは０≦ｘ≦０．６の範囲であ
り、ｙは０≦ｙ≦０．２の範囲である）を有する光刺戟
しうるユーロピウムドープしたフルオロハロゲン化バリ
ウムが記載されている。これらのりん光体はＨｅ−Ｎｅ
レーザビーム（６３３ｎｍ）の刺戟光に対する高度の感
度を有する刺戟しうるりん光体として応用するために特
に有用であり、最良の刺戟は５００〜７００ｎｍの範囲
にある。刺戟時に発する光（刺戟光と称される）は主極
大値が３９０ｎｍで、３５０〜４５０ｎｍの波長範囲に
位置する（定期刊行物Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ 、 １９
８３年９月号、８３４頁参照）。
前記定期刊行物に記載されている如く、刺戟しうるりん
光体を含有する像形成板は、含有されている残存エネル
ギーを消すためそれを光でフラッドして、簡単にＸ線像
を貯蔵するため繰返して使用できる。
光体を含有する像形成板は、含有されている残存エネル
ギーを消すためそれを光でフラッドして、簡単にＸ線像
を貯蔵するため繰返して使用できる。
特開昭６０−２１７２８７号には、下記一般式％式％：
（式中ＸはＣＩ、 Ｂｒ及びＩの少なくとも１種であり
ｘ、ｙ及びａはＯ＜ｘ≦１０−’； Ｏ＜ｙ＜２Ｘ１０
−’、０．９≦ａ＜１を満足する値である）の範囲内に
入る２価ユーロピウムドープした光刺戟しうるりん光体
が記載されている。
ｘ、ｙ及びａはＯ＜ｘ≦１０−’； Ｏ＜ｙ＜２Ｘ１０
−’、０．９≦ａ＜１を満足する値である）の範囲内に
入る２価ユーロピウムドープした光刺戟しうるりん光体
が記載されている。
公開されたヨーロッパ特許出願（ＥＰ−Ａ）第２１３４
２号には、式 ％式％： （式中Ｘは塩素、臭素及び沃素からなる群から選択した
少なくとも１種のハロゲンであり、ＭｅＩはリチウム及
びナトリウムからなる群から選択した少なくとも１種の
アルカリ金属であり、Ｍｅ■はベリリウム、カルシウム
及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも
１種の２価金属であり、Ｍｅ■はアルミニウム、ガリウ
ム、イツトリウム及びランタンからなる群から選択した
少なくとも１種の３価金属であり、ＬｎはＥｕ、 Ｃｅ
及びＴｂからなる群から選択した少なくとも１種の稀土
類元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０．９０≦
ａ≦１．０５；Ｏ≦ｂ≦１．２．０≦Ｃ≦０．９．０≦
ｄ≦１゜２．０≦ｅ≦０．０３． ｌ Ｏ−’≦ｆ≦０
．０３ 、及びＣ＋ｄ＋ｅ≠０の条件を満足する数であ
る）によって表わされる稀土類元素活性化錯体ハライド
りん光体が記載されている。
２号には、式 ％式％： （式中Ｘは塩素、臭素及び沃素からなる群から選択した
少なくとも１種のハロゲンであり、ＭｅＩはリチウム及
びナトリウムからなる群から選択した少なくとも１種の
アルカリ金属であり、Ｍｅ■はベリリウム、カルシウム
及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも
１種の２価金属であり、Ｍｅ■はアルミニウム、ガリウ
ム、イツトリウム及びランタンからなる群から選択した
少なくとも１種の３価金属であり、ＬｎはＥｕ、 Ｃｅ
及びＴｂからなる群から選択した少なくとも１種の稀土
類元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０．９０≦
ａ≦１．０５；Ｏ≦ｂ≦１．２．０≦Ｃ≦０．９．０≦
ｄ≦１゜２．０≦ｅ≦０．０３． ｌ Ｏ−’≦ｆ≦０
．０３ 、及びＣ＋ｄ＋ｅ≠０の条件を満足する数であ
る）によって表わされる稀土類元素活性化錯体ハライド
りん光体が記載されている。
本発明の目的は、光刺戟したとき光への貯蔵されたＸ線
エネルギーの非常に良好な変換効率を有する新規な光刺
戟しうるりん光体を提供することにある。
エネルギーの非常に良好な変換効率を有する新規な光刺
戟しうるりん光体を提供することにある。
本発明の別の目的はバインダー層中に分散させた前記光
刺戟しうるりん光体を含有するＸ線スクリーン又はパネ
ルを提供することにある。
刺戟しうるりん光体を含有するＸ線スクリーン又はパネ
ルを提供することにある。
本発明の別の目的は、前記りん光体を前記Ｘ線中に含有
されたエネルギーを貯蔵するため使用し、光刺戟に当っ
て使用した光よりも短い波長の電子的に検出しうる光子
の形で光刺戟によって再び高収率で前記エネルギーを放
出するＸ線パターンを記録し、再現する方法を提供する
ことにある。
されたエネルギーを貯蔵するため使用し、光刺戟に当っ
て使用した光よりも短い波長の電子的に検出しうる光子
の形で光刺戟によって再び高収率で前記エネルギーを放
出するＸ線パターンを記録し、再現する方法を提供する
ことにある。
本発明の他の目的及び利点は以下の説明から明らかにな
るであろう。
るであろう。
本発明によれば光刺載しうる稀土類金属ドープした弗化
バリウムストロンチウムりん光体を提供し、前記りん光
体は下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣｌ及びＩからなる群から選択した少なくと
も１員であり、ＸはＯ＜ｘ＜０．１５、好ましくは０．
０５≦ｘ≦０．１０の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦
０．９６、好ましくは０．７５≦ａ≦０．９３の範囲で
あり、ｂはＯ≦ｂ ＜ ０．１５の範囲であり、Ｚは１
０−’＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ”、 Ｔ
ｍ、 Ｄｙ、 Ｐｒ、 Ｈａ、 Ｎｄ、 Ｙｂ、 Ｅｒ
、 Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した共ドープ剤の
１種以上と一緒のＥｕ”またはＥｕ”であり、弗素は臭
素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも大
なる原子％で前記りん光体中に理論量的に存在する）の
範囲内にあることを特徴とする。
バリウムストロンチウムりん光体を提供し、前記りん光
体は下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣｌ及びＩからなる群から選択した少なくと
も１員であり、ＸはＯ＜ｘ＜０．１５、好ましくは０．
０５≦ｘ≦０．１０の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦
０．９６、好ましくは０．７５≦ａ≦０．９３の範囲で
あり、ｂはＯ≦ｂ ＜ ０．１５の範囲であり、Ｚは１
０−’＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ”、 Ｔ
ｍ、 Ｄｙ、 Ｐｒ、 Ｈａ、 Ｎｄ、 Ｙｂ、 Ｅｒ
、 Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した共ドープ剤の
１種以上と一緒のＥｕ”またはＥｕ”であり、弗素は臭
素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも大
なる原子％で前記りん光体中に理論量的に存在する）の
範囲内にあることを特徴とする。
好ましい共ドープ剤はＧｄ、 Ｌｕ及びＥｕ’°からな
る群から選択し、これは前記共ドープ剤の組合せを含む
。
る群から選択し、これは前記共ドープ剤の組合せを含む
。
前記実験式（Ｉ）の前記りん光体において、他のハロゲ
ンに対し理論量的に過剰の弗素と一緒にＳｒが存在する
と、Ｘ線変換効率において実質的な増大をもたらす。
ンに対し理論量的に過剰の弗素と一緒にＳｒが存在する
と、Ｘ線変換効率において実質的な増大をもたらす。
本発明による好ましい光刺戟しうるりん光体において、
Ｘは０．０５≦ｘ≦０．１０の範囲であり、ａは０．７
５≦ａｒＯ，９３の範囲であり、ｂが０≦ｂ＜０．１５
の範囲であり、Ｚは１０−’≦ｚ≦１０−２の範囲であ
り、ＡはＥｕ２＋″単独はＥｕ”、 Ｌｕ及びＧｄから
なる群から選択した少なくとも１員との混合物の形での
Ｅｕ”である。
Ｘは０．０５≦ｘ≦０．１０の範囲であり、ａは０．７
５≦ａｒＯ，９３の範囲であり、ｂが０≦ｂ＜０．１５
の範囲であり、Ｚは１０−’≦ｚ≦１０−２の範囲であ
り、ＡはＥｕ２＋″単独はＥｕ”、 Ｌｕ及びＧｄから
なる群から選択した少なくとも１員との混合物の形での
Ｅｕ”である。
本発明による特に好ましい光刺戟しうるりん光体におい
てはＡはＹ及び／又はＥｕ”と組合せた又は組合せない
Ｅｕ”である。
てはＡはＹ及び／又はＥｕ”と組合せた又は組合せない
Ｅｕ”である。
本発明による光刺戟しうるりん光体は、出発材料として
： （１）弗化バリウム； （２）ハロゲン化バリウム（弗化バリウムを除く）（３
）ハロゲン化ストロンチウム； （４）所望によってＴｍ、 Ｄｙ、 Ｐｒ、 ）ｔ０．
Ｎｄ、 Ｙｂ、 Ｅｒ。
： （１）弗化バリウム； （２）ハロゲン化バリウム（弗化バリウムを除く）（３
）ハロゲン化ストロンチウム； （４）所望によってＴｍ、 Ｄｙ、 Ｐｒ、 ）ｔ０．
Ｎｄ、 Ｙｂ、 Ｅｒ。
Ｇｄ及びＬｕ酸化物又は塩、好ましくは弗化物の少なく
とも１種との混合物の形で、ハロゲン化ユーロピウム、
酸化ユーロピウム、硝酸ユーロピウム及び硫酸ユーロピ
ウムからなる群から選択した化合物を含有する少なくと
も１種のＡ を使用することによって製造することができる。
とも１種との混合物の形で、ハロゲン化ユーロピウム、
酸化ユーロピウム、硝酸ユーロピウム及び硫酸ユーロピ
ウムからなる群から選択した化合物を含有する少なくと
も１種のＡ を使用することによって製造することができる。
前記りん光体の製造は例えば下記の如く行う：弗化バリ
ウム又は他のハロゲン物と１４以上のＡ弗化物とＮＨ，
Ｘ及びＮＨＪｒの均質混合物を還元性雰囲気中で７００
〜１０００’Ｃの温度で約２時間焼成することによって
溶融して行い、Ｘ及びＢｒの全ｇ原子が、理論量的に言
って、最終生成物におけるＦの濃度がＢｒ及び他のハロ
ゲンの濃度を越えるようにすることを特徴としている。
ウム又は他のハロゲン物と１４以上のＡ弗化物とＮＨ，
Ｘ及びＮＨＪｒの均質混合物を還元性雰囲気中で７００
〜１０００’Ｃの温度で約２時間焼成することによって
溶融して行い、Ｘ及びＢｒの全ｇ原子が、理論量的に言
って、最終生成物におけるＦの濃度がＢｒ及び他のハロ
ゲンの濃度を越えるようにすることを特徴としている。
臭素不足弗化臭化バリウムストロンチウムの形成を促進
するため不活性フラックスを加えることができる。
するため不活性フラックスを加えることができる。
還元性雰囲気は、水素と不活性ガス例えばアルゴン又は
窒素との混合物であり、又は水素及び−酸化炭素の混合
物又は水素及び二酸化炭素の混合物を形成するため、木
炭と水蒸気の反応によってその場で形成させる。
窒素との混合物であり、又は水素及び−酸化炭素の混合
物又は水素及び二酸化炭素の混合物を形成するため、木
炭と水蒸気の反応によってその場で形成させる。
還元性雰囲気は存在する３価ユーロピウムの大部分又は
全部を２価ユーロピウムに還元する。
全部を２価ユーロピウムに還元する。
焼成完了後、得られた生成物を粉末化する。粉末化生成
物を更に焼成してもよい。多段焼成はりん光体の均質性
及び刺戟性質を改良するために有利でありうる。
物を更に焼成してもよい。多段焼成はりん光体の均質性
及び刺戟性質を改良するために有利でありうる。
本発明による好適な混合ドープされたりん光体は、Ｂａ
＋−ｘｓｒＪｚ−ａ−ｂＢｒａＸｂ ： ｚＥｕ化合物
（式中ＸはＣＩ及び■からなる群から選択した少なくと
も１員であり、ＸはＯ＜ ｘ ＜ ０．１５の範囲であ
り、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂはＯ
≦ｂ＜０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜ｚ≦０．
１５の範囲である）を共ドープ剤Ａハライドと還元性雰
囲気中で７００〜１０００℃の温度で約２時間溶融する
ことによって得ることができる。
＋−ｘｓｒＪｚ−ａ−ｂＢｒａＸｂ ： ｚＥｕ化合物
（式中ＸはＣＩ及び■からなる群から選択した少なくと
も１員であり、ＸはＯ＜ ｘ ＜ ０．１５の範囲であ
り、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂはＯ
≦ｂ＜０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜ｚ≦０．
１５の範囲である）を共ドープ剤Ａハライドと還元性雰
囲気中で７００〜１０００℃の温度で約２時間溶融する
ことによって得ることができる。
本発明によればＸ線像を記録し、再現する方法を提供し
、この方法は、 （１）光刺戟しうるりん光体をＸ線に対して像に従って
露光し、 （２）前記りん光体を可視光及び赤外線から選択した刺
戟性電磁放射線で光刺戟し、前記りん光体から吸収され
たＸ線に従って、光刺戟に使用した放射線と波長特性に
おいて異なる電磁放射線を放出させ、 （３）工程（２）で用いた光刺戟によって発光せしめら
れた光を検出する 工程を含み、前記工程（１）及び（２）の処理を受ける
りん光体が下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣＩ及びＩからなる群から選択した少なぐと
もｌ員であり、ＸはＯ＜ｘ＜０．１５の範囲であり、ａ
は０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂはＯ≦ｂ
＜ ０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜ｚ≦０．１
５の範囲であり、ＡはＥｕ”又はＥｕ”、 Ｔｍ、 Ｄ
ｙ、 Ｐｒ、 ）ｔ。
、この方法は、 （１）光刺戟しうるりん光体をＸ線に対して像に従って
露光し、 （２）前記りん光体を可視光及び赤外線から選択した刺
戟性電磁放射線で光刺戟し、前記りん光体から吸収され
たＸ線に従って、光刺戟に使用した放射線と波長特性に
おいて異なる電磁放射線を放出させ、 （３）工程（２）で用いた光刺戟によって発光せしめら
れた光を検出する 工程を含み、前記工程（１）及び（２）の処理を受ける
りん光体が下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣＩ及びＩからなる群から選択した少なぐと
もｌ員であり、ＸはＯ＜ｘ＜０．１５の範囲であり、ａ
は０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂはＯ≦ｂ
＜ ０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜ｚ≦０．１
５の範囲であり、ＡはＥｕ”又はＥｕ”、 Ｔｍ、 Ｄ
ｙ、 Ｐｒ、 ）ｔ。
、 Ｎｄ、 Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｇｄ及びＬｕからなる群
から選択した共ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ２＋で
あり、弗素は臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せ
た臭素よりも大なる原子％で前記りん光体中に理論量的
に存在する）の範囲内にあることを特徴とする本発明に
よる方法において、光刺戟しうるりん光体は支持されて
いる又は自己支持性であるバインダー層中に分散した状
態で使用するのが好ましく、Ｘ線像貯蔵パネルと称され
るスクリーン又はパネルを形成する。
から選択した共ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ２＋で
あり、弗素は臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せ
た臭素よりも大なる原子％で前記りん光体中に理論量的
に存在する）の範囲内にあることを特徴とする本発明に
よる方法において、光刺戟しうるりん光体は支持されて
いる又は自己支持性であるバインダー層中に分散した状
態で使用するのが好ましく、Ｘ線像貯蔵パネルと称され
るスクリーン又はパネルを形成する。
分散した形で前記りん光体を混入するバインダー層を形
成するのに好適なバインダーには、フィルム形成性有機
重合体例えばセルロースアセテートブチレート、ポリア
ルキル（メタ）アクリレート例えばポリ（メチルメタク
リレート）、ポリビニル−ｎ−ブチラール（例えば米国
特許第３０４３７１０号に記載されている）、コポリ（
ビニルアセテート／ビニルクロライド）及びコポリ（ア
クリロニトリル／ブタジェン／スチレン）又はコポリ
（ビニルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコ
ール）又はそれらの混合物がある。
成するのに好適なバインダーには、フィルム形成性有機
重合体例えばセルロースアセテートブチレート、ポリア
ルキル（メタ）アクリレート例えばポリ（メチルメタク
リレート）、ポリビニル−ｎ−ブチラール（例えば米国
特許第３０４３７１０号に記載されている）、コポリ（
ビニルアセテート／ビニルクロライド）及びコポリ（ア
クリロニトリル／ブタジェン／スチレン）又はコポリ
（ビニルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコ
ール）又はそれらの混合物がある。
高Ｘ線エネルギー吸収を得るため最少量のバインダーを
使用するのが好ましい。しかしながら非常に少ない量の
バインダーは脆すぎる層を生ぜしめることがある、よっ
て妥協をしなければならない。りん光体の被覆率は約３
００〜１５００ｇ／ゴの範囲であるのが好ましい。
使用するのが好ましい。しかしながら非常に少ない量の
バインダーは脆すぎる層を生ぜしめることがある、よっ
て妥協をしなければならない。りん光体の被覆率は約３
００〜１５００ｇ／ゴの範囲であるのが好ましい。
好ましい実施態様によれば、りん光体層は支持体シート
上の支持体Ｍとして使用する。好適な支持体材料はフィ
ルム形成性有機樹脂例えばポリエチレンテレフタレート
から作る、しかし場合によってはα−オレフィン樹脂層
の如き樹脂Ｍで被覆した紙支持体及びカードボード支持
体も特に有用である。ガラス及び金属支持体も使用でき
る。りん光体層の厚さは０．０５〜０．５ｍｍの範囲で
あるのが好ましい。
上の支持体Ｍとして使用する。好適な支持体材料はフィ
ルム形成性有機樹脂例えばポリエチレンテレフタレート
から作る、しかし場合によってはα−オレフィン樹脂層
の如き樹脂Ｍで被覆した紙支持体及びカードボード支持
体も特に有用である。ガラス及び金属支持体も使用でき
る。りん光体層の厚さは０．０５〜０．５ｍｍの範囲で
あるのが好ましい。
刺戟しうるりん光体スクリーンの製造のため、りん光体
粒子はバインダーの溶液中に均質に分散させ、次いで支
持体上に被覆し、乾燥する。本発明のりん光体バインダ
ー層の被覆は、任意の通常の方法、例えばスプレー、浸
漬被覆又はドクターブレード被覆によって行うことがで
きる。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発例えば熱（６０
℃）空気流中で乾燥することにより除去する。
粒子はバインダーの溶液中に均質に分散させ、次いで支
持体上に被覆し、乾燥する。本発明のりん光体バインダ
ー層の被覆は、任意の通常の方法、例えばスプレー、浸
漬被覆又はドクターブレード被覆によって行うことがで
きる。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発例えば熱（６０
℃）空気流中で乾燥することにより除去する。
超音波処理を充填密度を改良するため及びりん光体バイ
ンダー組合せの脱泡を行うために適用できる。場合によ
って付与する保護被覆する前に、充填密度（即ち乾燥被
覆１ ａｍ’についてりん光体のｇ数）を改良するため
りん光体バインダー層をカレンダー処理するとよい。
ンダー組合せの脱泡を行うために適用できる。場合によ
って付与する保護被覆する前に、充填密度（即ち乾燥被
覆１ ａｍ’についてりん光体のｇ数）を改良するため
りん光体バインダー層をカレンダー処理するとよい。
場合によっては、光刺戟によって発光する光の出力を増
強するため、りん光体含有層とその支持体の間に光反射
Ｍを付与する。かかる光反射層はバインダー中に分散さ
せた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有すると
よい、或はそれは蒸着金属層例えばアルミニウム層から
作ってもよく、或は例えば米国特許第４３８０７０２号
に記載されている如き刺戟性放射線を吸収するが発光し
た光を反射する着色顔料層であることができる。
強するため、りん光体含有層とその支持体の間に光反射
Ｍを付与する。かかる光反射層はバインダー中に分散さ
せた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有すると
よい、或はそれは蒸着金属層例えばアルミニウム層から
作ってもよく、或は例えば米国特許第４３８０７０２号
に記載されている如き刺戟性放射線を吸収するが発光し
た光を反射する着色顔料層であることができる。
所望によっては、りん光体含有層−支持体界面での光の
反射を避け、これによって光刺戟しうるりん光体スクリ
ーンの解像力を増大させるため、りん光体含有層とその
支持体の間に、又は支持体自体に光吸収性層を付与する
。
反射を避け、これによって光刺戟しうるりん光体スクリ
ーンの解像力を増大させるため、りん光体含有層とその
支持体の間に、又は支持体自体に光吸収性層を付与する
。
一実施態様によれば、Ｘ線で像に従って又はパターンに
従って露光されたりん光体バインダー層の光刺戟は、走
査光ビーム、好ましくはレーザー光ビーム例えば）Ｉｅ
−Ｎｅ又はアルゴンイオンレーザ−のビームで行う。
従って露光されたりん光体バインダー層の光刺戟は、走
査光ビーム、好ましくはレーザー光ビーム例えば）Ｉｅ
−Ｎｅ又はアルゴンイオンレーザ−のビームで行う。
光刺戟によって発光した光は．デイジタル化し、貯蔵で
きる逐次電気信号を提供する光電管（増倍型光電管）の
如き光エネルギーを電気エネルギーに変換する変換器で
検出するのが好ましい。貯蔵後これらの信号はディジタ
ル処理を受けることができる。ディジタル処理には例え
ば像コントラスト増強、立体周波数増強、像サブトラク
ション、像アデイション及び個々の像部分の輪郭鮮鋭化
を含む。
きる逐次電気信号を提供する光電管（増倍型光電管）の
如き光エネルギーを電気エネルギーに変換する変換器で
検出するのが好ましい。貯蔵後これらの信号はディジタ
ル処理を受けることができる。ディジタル処理には例え
ば像コントラスト増強、立体周波数増強、像サブトラク
ション、像アデイション及び個々の像部分の輪郭鮮鋭化
を含む。
記録されたＸ線像の再現のための一実施態様によれば、
例えば音響−光学変調器によって、書き込みレーザービ
ームを変調するために使用されるアナログ信号に所望に
よって処理されたディジタル信号を変換する。次に変調
されたレーザービームを使用して写真材料例えばハロゲ
ン化銀乳剤フィルムを走査し、これによって所望によっ
て像処理された状態でＸ線像を再生する。上記実施態様
及びそれに使用する装置については例えば定期刊行物Ｒ
ａｄｉｏｌｏｇｙ １９８３年９月号、８３３〜８３８
頁を参照され度い。
例えば音響−光学変調器によって、書き込みレーザービ
ームを変調するために使用されるアナログ信号に所望に
よって処理されたディジタル信号を変換する。次に変調
されたレーザービームを使用して写真材料例えばハロゲ
ン化銀乳剤フィルムを走査し、これによって所望によっ
て像処理された状態でＸ線像を再生する。上記実施態様
及びそれに使用する装置については例えば定期刊行物Ｒ
ａｄｉｏｌｏｇｙ １９８３年９月号、８３３〜８３８
頁を参照され度い。
別の実施態様によれば、光刺戟によって得られた光に相
当する電気信号のアナログ−デイジタル変換から得られ
たディジタル信号は陰極線管上に表示される。表示前に
信号はコンビ１−ターで処理するとよい０通常の像処理
法を、像の信号対ノイズ比を減するため、及びラジオグ
ラフの粗又は微細像特長の備品質を増強するために用い
ることができる。
当する電気信号のアナログ−デイジタル変換から得られ
たディジタル信号は陰極線管上に表示される。表示前に
信号はコンビ１−ターで処理するとよい０通常の像処理
法を、像の信号対ノイズ比を減するため、及びラジオグ
ラフの粗又は微細像特長の備品質を増強するために用い
ることができる。
本発明のりん光体について、それらの光物理的性質を測
定するために測定を行った。
定するために測定を行った。
最初は、Ｘ線励起下りん光体゛の即発（ｐｒｏｍｐｔ）
発光スペクトルと同じである発光スペクトルを測定する
。測定はＸ線照射による励起を１００ ｋＶｐで操作す
るＸ線源で行う分光蛍光計（５ｐｅｃｔｒｏ −ｆｌｕ
ｏｒｉｍｅｔｅｒ）で行う。連続Ｘ線励起中発光した光
は増倍型光電管と組合せたモノクロメータ−で走査する
。この発光スペクトルは光励起時に得られるそれと同じ
であり、他の全ての測定においてフィルターが使用され
るべきである測定に使用される。第一のフィルターは光
励起によって得られる発光した光を透過するが、刺戟性
光の殆ど全てを濾過する。Ｈｅ−Ｎｅレーザー刺戟に対
しては例えば２．５ ！Ｔ１ｍ ５ｃｈｏｔｔ ＢＧ
３フイルターを使用す、このものの透過スペクトルは
、西ドイツ国マインツの５ＣＨＯＴＴ ＧＬＡＳＷＥＲ
ＫＥによって発行された色及びフィルターガラス・カタ
ログＮａ３５３１／４ｄに発表されている。アルゴンイ
オンレーザ−刺戟のためには、例えば２．５ ｍｍ ５
ｃｈｏｔｔ ＢＧ ３フイルターを使用する。
発光スペクトルと同じである発光スペクトルを測定する
。測定はＸ線照射による励起を１００ ｋＶｐで操作す
るＸ線源で行う分光蛍光計（５ｐｅｃｔｒｏ −ｆｌｕ
ｏｒｉｍｅｔｅｒ）で行う。連続Ｘ線励起中発光した光
は増倍型光電管と組合せたモノクロメータ−で走査する
。この発光スペクトルは光励起時に得られるそれと同じ
であり、他の全ての測定においてフィルターが使用され
るべきである測定に使用される。第一のフィルターは光
励起によって得られる発光した光を透過するが、刺戟性
光の殆ど全てを濾過する。Ｈｅ−Ｎｅレーザー刺戟に対
しては例えば２．５ ！Ｔ１ｍ ５ｃｈｏｔｔ ＢＧ
３フイルターを使用す、このものの透過スペクトルは
、西ドイツ国マインツの５ＣＨＯＴＴ ＧＬＡＳＷＥＲ
ＫＥによって発行された色及びフィルターガラス・カタ
ログＮａ３５３１／４ｄに発表されている。アルゴンイ
オンレーザ−刺戟のためには、例えば２．５ ｍｍ ５
ｃｈｏｔｔ ＢＧ ３フイルターを使用する。
第二の実施態様においては、一定のＸ線量に露光した時
貯蔵された全光刺戟しうるエネルギーを測定する。Ｘ線
励起前に、りん光体スクリーン中になお存在する残存エ
ネルギーは照射によって除く。消去中米励起を避けるた
め、４３５ｎｍ以下の全波長を除去するカットオフ５ｃ
ｈｏｔｔ ＧＧ ４３５フイルターを、光刺戟性光を発
光するランプとりん光体スクリーンの間に置く。次にり
ん光体スクリーンを８０ ｋＶｐ及び２０ｍＡで操作す
るＸ線源で励起する。このために西ドイツ国のシーメン
ス・アーグーのＭＯＮＯＤＯＲＸ線源を使用できる。低
エネルギーＸ線は厚さ２１ｍｍのアルミニウム板で濾過
してＸ線スペクトルを硬化する。Ｘ線励起後りん光体ス
クリーンは暗所で測定装置に移す。この装置で、Ｘ線照
射りん光体スクリーンを光刺戟するためレーザー光を使
用する。かかる測定において使用するレーザーは例えば
Ｈｅ−Ｎｅ（６３３ｎｍ）又はアルゴンイオン（５１４
Ωｍ）レーザーであることができる。
貯蔵された全光刺戟しうるエネルギーを測定する。Ｘ線
励起前に、りん光体スクリーン中になお存在する残存エ
ネルギーは照射によって除く。消去中米励起を避けるた
め、４３５ｎｍ以下の全波長を除去するカットオフ５ｃ
ｈｏｔｔ ＧＧ ４３５フイルターを、光刺戟性光を発
光するランプとりん光体スクリーンの間に置く。次にり
ん光体スクリーンを８０ ｋＶｐ及び２０ｍＡで操作す
るＸ線源で励起する。このために西ドイツ国のシーメン
ス・アーグーのＭＯＮＯＤＯＲＸ線源を使用できる。低
エネルギーＸ線は厚さ２１ｍｍのアルミニウム板で濾過
してＸ線スペクトルを硬化する。Ｘ線励起後りん光体ス
クリーンは暗所で測定装置に移す。この装置で、Ｘ線照
射りん光体スクリーンを光刺戟するためレーザー光を使
用する。かかる測定において使用するレーザーは例えば
Ｈｅ−Ｎｅ（６３３ｎｍ）又はアルゴンイオン（５１４
Ωｍ）レーザーであることができる。
レーザー−光学装置は、電子シャッター、ビーム拡大器
及び二つのフィルターを有する。増倍型光電管（ハママ
ツＲ１３９８）は光刺戟によって発光された光を集め、
相当する電流を与える。測定法はＨＦ２９４４多重プロ
グラマーに接続したヒユーレット・パラカード）ＩＦ５
８２６コンピユーターによって制御する。電流電圧変換
器で増幅後、ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ ７ Ｄ ２０デイジ
タルオツシロスコープが得られる光電流を可視化する。
及び二つのフィルターを有する。増倍型光電管（ハママ
ツＲ１３９８）は光刺戟によって発光された光を集め、
相当する電流を与える。測定法はＨＦ２９４４多重プロ
グラマーに接続したヒユーレット・パラカード）ＩＦ５
８２６コンピユーターによって制御する。電流電圧変換
器で増幅後、ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ ７ Ｄ ２０デイジ
タルオツシロスコープが得られる光電流を可視化する。
電子シャッターを開いたとき、レーザービームはりん光
体スクリーンの刺戟を開始し、デイジタルオツシロスコ
ープがトリガーされる。スクリーンと接触させ置いたピ
ンホールを用いて、１．７７ ｍｍ”のみの領域を露光
する。レーザー力の半分のみ（５ｍＷ）がスクリーン面
に到達する。この方法で刺戟性ビームの強度はより均一
になる。レーザーのすぐ前に置いた赤色フィルター（３
ｍｍ ５Ｃ）ＩＯＴＴ ＯＧ ５９０）はレーザー発
光中の弱い紫外成分を除去する。増倍型光電管からの信
号振幅は光刺戟性光の強度及び放出される光刺戟しうる
エネルギーと直線状にある。信号は指数的に減少する。
体スクリーンの刺戟を開始し、デイジタルオツシロスコ
ープがトリガーされる。スクリーンと接触させ置いたピ
ンホールを用いて、１．７７ ｍｍ”のみの領域を露光
する。レーザー力の半分のみ（５ｍＷ）がスクリーン面
に到達する。この方法で刺戟性ビームの強度はより均一
になる。レーザーのすぐ前に置いた赤色フィルター（３
ｍｍ ５Ｃ）ＩＯＴＴ ＯＧ ５９０）はレーザー発
光中の弱い紫外成分を除去する。増倍型光電管からの信
号振幅は光刺戟性光の強度及び放出される光刺戟しうる
エネルギーと直線状にある。信号は指数的に減少する。
信号曲線がオツシロスコープに入ったとき、第２回をト
リガーして、一定で入力に依存するエラーの成分として
規定されるオフセットを測定する。このオフセットを減
じた後、信号が最大値の１／ｅに達した点を計算する１
曲線下の面積を開始から１／ｅ点まで積分する、関数は
ｆ （ｔ）・Ａ−ｅ−”τで数学的に表わす。式中Ａは
振幅であり、では時間定数であり、ｔは刺戟時間であり
、ｅは自然対数の底である。
リガーして、一定で入力に依存するエラーの成分として
規定されるオフセットを測定する。このオフセットを減
じた後、信号が最大値の１／ｅに達した点を計算する１
曲線下の面積を開始から１／ｅ点まで積分する、関数は
ｆ （ｔ）・Ａ−ｅ−”τで数学的に表わす。式中Ａは
振幅であり、では時間定数であり、ｔは刺戟時間であり
、ｅは自然対数の底である。
貯蔵エネルギーの半分がｔ＝τｔｎ２で放出された。上
記結果を得るため、コンピューターは積分を装置の感度
と乗する。増倍型光電管と増幅器の感度は従って増倍型
光電管の陽極−陰極電圧の関数として測定されなければ
ならず、りん光体の発光スペクトルのたたみ込み（ｃｏ
ｎｖｏ ｌｕｔ １ｏｎ）及び分離フィルターの透過ス
ペクトルを計算しなければならない。
記結果を得るため、コンピューターは積分を装置の感度
と乗する。増倍型光電管と増幅器の感度は従って増倍型
光電管の陽極−陰極電圧の関数として測定されなければ
ならず、りん光体の発光スペクトルのたたみ込み（ｃｏ
ｎｖｏ ｌｕｔ １ｏｎ）及び分離フィルターの透過ス
ペクトルを計算しなければならない。
発光した光はあらゆる方向に散乱されるため、発光した
光の一部のみが増倍型光電管によって検出される。増倍
型光電管及びパネルの位置は、全発光の１０％が増倍型
光電管によって検出されるようにする。
光の一部のみが増倍型光電管によって検出される。増倍
型光電管及びパネルの位置は、全発光の１０％が増倍型
光電管によって検出されるようにする。
これらの全ての修正がなされた後、変換効率（Ｃ，Ｅ、
）の値が得られ、ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲで表わされるこ
の値はスクリーンの厚さと共に変化する、従って匹敵し
うる測定のためにそれらは一定のりん光体被覆率で実施
しなければならない。
）の値が得られ、ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲで表わされるこ
の値はスクリーンの厚さと共に変化する、従って匹敵し
うる測定のためにそれらは一定のりん光体被覆率で実施
しなければならない。
光刺戟エネルギー（Ｓ、 Ｅ、 ）は貯蔵されたエネル
ギーの半分を刺戟するのに必要なエナルギーとして定義
され、μＪ／ｍｍ２で表わされる。
ギーの半分を刺戟するのに必要なエナルギーとして定義
され、μＪ／ｍｍ２で表わされる。
第三の測定において、応答時間を測定する。これは短い
光パルスでりん光体スクリーンを刺戟することによって
測定される。刺戟光の立ち上り時間は１５ｎｓである。
光パルスでりん光体スクリーンを刺戟することによって
測定される。刺戟光の立ち上り時間は１５ｎｓである。
発光した光は広いバンド幅（１０ＭＨｚ）を得るため小
さい陽極レジスター（１５０Ω）を有する増倍型光電管
（ハママツＲ１３９８）で測定する。測定装置自体の立
ち上り時間は３５ｎｓである。応答時間は発光された光
の最大強度の半分に達する時間であり、ｔ１／２で表わ
される。
さい陽極レジスター（１５０Ω）を有する増倍型光電管
（ハママツＲ１３９８）で測定する。測定装置自体の立
ち上り時間は３５ｎｓである。応答時間は発光された光
の最大強度の半分に達する時間であり、ｔ１／２で表わ
される。
第四の測定において、刺戟スペクトルを測定する。タン
グステン（石英−沃素）ランプの光をモノクロメータ−
（西ドイツ国のＢａｕｓｃｈ ａｎｄ Ｌｏｍｂ）に供
給し、次いで単一孔を有する回転ホーイールで機械的に
細断する。ランプは近紫外から可視スペクトルを通って
赤外へと拡がる連続スペクトルを提供する。 Ｂａｕｓ
ｃｈ ａｎｄ Ｌｏｍｂからの３３−８６−０２格
子は第一オーダーで３５０Ωｍ〜８００ｎｍの可視範囲
をカバーする１３５０ライン／ｍｍの格子であり、５０
０ ｎｍでブレーズする。刺戟性光の波長は、コンピュ
ーターの制御下にモノクロメータ−に接続されたステッ
ピングモーターを介してセットできる。モノクロメータ
−の第二高調波は、りん光体スクリーンの前に４ｎｍの
ＳｃｈｏｔｔＧＧ４３５フイルターを置くことによって
除く。刺戟性光をチョッピングすることによって（デユ
ー、ティサイクル１／２００）、りん光体に吸収された
エネルギーの小さい画分が放出される０例えば増倍型光
電管の暗電流によって生じたオフセットを除くためＡＣ
信号のみを測定する。幾つかのパルスを平均することに
よって、良好な信号対ノズル比が得られる。測定が完了
したとき、コンピューターは、タングステンランプによ
る強度波長に対して曲線を補正する。測定は、刺戟スペ
クトルの発生が１５時間までの間にわたって続きつるよ
うに繰返すことができる。
グステン（石英−沃素）ランプの光をモノクロメータ−
（西ドイツ国のＢａｕｓｃｈ ａｎｄ Ｌｏｍｂ）に供
給し、次いで単一孔を有する回転ホーイールで機械的に
細断する。ランプは近紫外から可視スペクトルを通って
赤外へと拡がる連続スペクトルを提供する。 Ｂａｕｓ
ｃｈ ａｎｄ Ｌｏｍｂからの３３−８６−０２格
子は第一オーダーで３５０Ωｍ〜８００ｎｍの可視範囲
をカバーする１３５０ライン／ｍｍの格子であり、５０
０ ｎｍでブレーズする。刺戟性光の波長は、コンピュ
ーターの制御下にモノクロメータ−に接続されたステッ
ピングモーターを介してセットできる。モノクロメータ
−の第二高調波は、りん光体スクリーンの前に４ｎｍの
ＳｃｈｏｔｔＧＧ４３５フイルターを置くことによって
除く。刺戟性光をチョッピングすることによって（デユ
ー、ティサイクル１／２００）、りん光体に吸収された
エネルギーの小さい画分が放出される０例えば増倍型光
電管の暗電流によって生じたオフセットを除くためＡＣ
信号のみを測定する。幾つかのパルスを平均することに
よって、良好な信号対ノズル比が得られる。測定が完了
したとき、コンピューターは、タングステンランプによ
る強度波長に対して曲線を補正する。測定は、刺戟スペ
クトルの発生が１５時間までの間にわたって続きつるよ
うに繰返すことができる。
本発明を実施例によって示す、これら実施例は第１図〜
第５図に示した曲線を参照する。実施例は如何なる方法
おいても限定するものではない。
第５図に示した曲線を参照する。実施例は如何なる方法
おいても限定するものではない。
実施例中百分率及び比は他に特記せぬ限り重量である。
原子重量百分率（原子％）は本発明による光刺戟しうる
りん光体の実験式に定義したＡ及びＢａ 、 Ｓｒの全
ｇ原子に対するＡのｇ原子に関する第１図はそれぞれ比
較例１に記載したりん光体の即発（ｐｒｏｍｐｔ）発光
スペクトルを表わす。図において蛍光発光の相対強度（
Ｐ、１．Ｅｆ）は縦軸にｎｍでの波長範囲は横軸に示す
。
りん光体の実験式に定義したＡ及びＢａ 、 Ｓｒの全
ｇ原子に対するＡのｇ原子に関する第１図はそれぞれ比
較例１に記載したりん光体の即発（ｐｒｏｍｐｔ）発光
スペクトルを表わす。図において蛍光発光の相対強度（
Ｐ、１．Ｅｆ）は縦軸にｎｍでの波長範囲は横軸に示す
。
第２図〜第５図は相関する実施例に示したりん光体の刺
戟スペクトルを表わす。図において、刺戟された発光の
相対強度（Ｐ、 １． Ｅｓ）は縦軸にｎｍでの波長範
囲は横軸に示す。
戟スペクトルを表わす。図において、刺戟された発光の
相対強度（Ｐ、 １． Ｅｓ）は縦軸にｎｍでの波長範
囲は横軸に示す。
比較例 ｌ
ドイツ公開特許（ＤＥ−Ｏ３）第２９２８２４５の比較
例に置ける如く、下記の通りにしてＢａＦ２及びＮＨＪ
ｒ等モル量からＢａＦＢｒ ： ０．００１ Ｅｕを作
った２６、７９３５０ ｇのＢａＦ２．０．０３１５０
ｇのＥｕＦ３及び１５ｍ１のエタノールをめのうボー
ルミル 合した。エタノールを蒸発させ、理論量にＮＨ４Ｂｒ１
４、９８３０ ｇを加え、その後形成された混合物を１
０分間混合した。この混合物２０ｇを酸化アルミニウム
製坩堝中に入れ、これを７７ｇの木炭及び３３ｍｌの水
を含有する更に大きい坩堝中に入れた。この二重坩堝配
置を８５０℃で炉中で２時間焼成した。この坩堝は炉へ
の出入れは８５０℃で行った。０．１原子％のＥｕ２″
″でドープしたＢａＦＢｒを形成した、これはＸ線回折
（ＸＲＤ）分析で確認した。
例に置ける如く、下記の通りにしてＢａＦ２及びＮＨＪ
ｒ等モル量からＢａＦＢｒ ： ０．００１ Ｅｕを作
った２６、７９３５０ ｇのＢａＦ２．０．０３１５０
ｇのＥｕＦ３及び１５ｍ１のエタノールをめのうボー
ルミル 合した。エタノールを蒸発させ、理論量にＮＨ４Ｂｒ１
４、９８３０ ｇを加え、その後形成された混合物を１
０分間混合した。この混合物２０ｇを酸化アルミニウム
製坩堝中に入れ、これを７７ｇの木炭及び３３ｍｌの水
を含有する更に大きい坩堝中に入れた。この二重坩堝配
置を８５０℃で炉中で２時間焼成した。この坩堝は炉へ
の出入れは８５０℃で行った。０．１原子％のＥｕ２″
″でドープしたＢａＦＢｒを形成した、これはＸ線回折
（ＸＲＤ）分析で確認した。
この試料を次いでＸ線励起を受けさせ、即発発光スブク
トルを測定した。これは７０の相対極大強度及びＥｕ”
発光を示す第１図に示されている如く、約２８ｎｍの半
値幅で、３９０℃で単一発光極大を特長としている。
トルを測定した。これは７０の相対極大強度及びＥｕ”
発光を示す第１図に示されている如く、約２８ｎｍの半
値幅で、３９０℃で単一発光極大を特長としている。
粉砕した粉末を次いでメチルエチルケトンに溶解したセ
ルロースアセトブチレートを含有するパイグー溶液中に
分散させた。得られた分散液をポリエチレンテレフタレ
ートの厚さ１００μｍの透明シート上に被覆し、約１０
００ｇ／ｍ２の被覆重量を与えた。このスクリーンを次
にりん光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使用
した。
ルロースアセトブチレートを含有するパイグー溶液中に
分散させた。得られた分散液をポリエチレンテレフタレ
ートの厚さ１００μｍの透明シート上に被覆し、約１０
００ｇ／ｍ２の被覆重量を与えた。このスクリーンを次
にりん光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使用
した。
紫外成分を除去するため炉光した白色光で照射すること
によって残存貯蔵エネルギーを消した後、スクリーンを
Ｘ線の一定線量で照射し、次いで前述した如（Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー光（６３３ｎｍ）で刺戟した．光刺戟によっ
て得られた光を濾過して発光した光を減衰することなく
残存判戟性光を．除去し、増倍型光電管で検出した。
によって残存貯蔵エネルギーを消した後、スクリーンを
Ｘ線の一定線量で照射し、次いで前述した如（Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー光（６３３ｎｍ）で刺戟した．光刺戟によっ
て得られた光を濾過して発光した光を減衰することなく
残存判戟性光を．除去し、増倍型光電管で検出した。
３、 ０ ｐＪ／ ｍｍ”／ ＋ｎＲの変換効率及び１
５ ｕ Ｊ／ｍ１の刺戟エネルギーが測定された。
５ ｕ Ｊ／ｍ１の刺戟エネルギーが測定された。
このりん光体スクリーンの応答時間を次に前述した如く
アルゴンイオンレーザ−からの短いレーザー光パルスで
照射したスクリーンを刺戟することによって測定した。
アルゴンイオンレーザ−からの短いレーザー光パルスで
照射したスクリーンを刺戟することによって測定した。
発光した光の最大強度の半分に達する時間であり、を坏
と表示する応答時間は０．６μｓであった。
と表示する応答時間は０．６μｓであった。
最後にこのりん光体の刺戟スペクトルを前述した如く測
定した。これを第２図に示す、そして約５５０ｎｍで極
大を示す。
定した。これを第２図に示す、そして約５５０ｎｍで極
大を示す。
比較例 ２〜４
種々の理論量以下のＮＩＩＪｒを用いて、比較例１の方
法と同じ方法を用いて比較例２〜４のりん光体を作った
。
法と同じ方法を用いて比較例２〜４のりん光体を作った
。
これらのりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ”発光を
示す比較例１のそれと類似していた、但し相対極大発光
強度（ＰＲ．Ｅ．１． ）を、焼成混合物中のＮＨ４Ｂ
ｒの理論量の％及び形成されたりん光体中の分析測定し
た臭素の原子％値と共に表１に示す。理論量ハロゲン含
有率の残余は弗素である。これらのりん光体のＸＲＤス
ペクトルは比較例１のりん光体のそれと類似していた。
示す比較例１のそれと類似していた、但し相対極大発光
強度（ＰＲ．Ｅ．１． ）を、焼成混合物中のＮＨ４Ｂ
ｒの理論量の％及び形成されたりん光体中の分析測定し
た臭素の原子％値と共に表１に示す。理論量ハロゲン含
有率の残余は弗素である。これらのりん光体のＸＲＤス
ペクトルは比較例１のりん光体のそれと類似していた。
スクリーンをこれらのりん光体を用いて比較例１に示し
た如くしてキャストした。ｐＪ／ｍｍ”／ｍＲで表示し
た変換効率（Ｃ，Ｅ、）及び６３３ｎｍ刺戟に対するμ
Ｊ／ｍｍ２で表示した刺戟エネルギー（Ｓ、Ｅ、）を比
較例１に記載した如くして測定し、これも表１に示す。
た如くしてキャストした。ｐＪ／ｍｍ”／ｍＲで表示し
た変換効率（Ｃ，Ｅ、）及び６３３ｎｍ刺戟に対するμ
Ｊ／ｍｍ２で表示した刺戟エネルギー（Ｓ、Ｅ、）を比
較例１に記載した如くして測定し、これも表１に示す。
２ ９７．８ ０．９６３７
１９２．６ ２．３ １５３ ９５．
９ ０．９２５０ １３６．３
＋、５５ １３４ ９４．２
０．８７２１ １３３．０ １．９ １４実
施例 １ ２２、２７３８９ ｇのＢａＦｚ、１．３２００１ ｇ
のＳｒＦ２．０．０３１６０ｇのＥＩＪＦ３．３．２０
７６０ ｇのＧｄＦ、及び１５ｍ１のエタノールなめの
うボールミルで１５分間混合した。
１９２．６ ２．３ １５３ ９５．
９ ０．９２５０ １３６．３
＋、５５ １３４ ９４．２
０．８７２１ １３３．０ １．９ １４実
施例 １ ２２、２７３８９ ｇのＢａＦｚ、１．３２００１ ｇ
のＳｒＦ２．０．０３１６０ｇのＥＩＪＦ３．３．２０
７６０ ｇのＧｄＦ、及び１５ｍ１のエタノールなめの
うボールミルで１５分間混合した。
エタノールを蒸発させ、１４．１１９４０ ｇのＮＨ４
Ｂｒ （理論量の９４．２％）を加え、その後形成さ
れた混合物を１０分間混合した。この混合物２０ｇを酸
化アルミニウム製坩堝中に入れ、これを前記比較例にお
ける如く、７７ｇの木炭及び３３ｍ１の水を含有するよ
り大きい坩堝中に入れた。この２重坩堝配置を比較例１
における如く、８５０℃で炉中で２時間焼成した。０．
１原子％のＥｕでドープされたＢａａ、 ａｓｓｒ０．
ｏａｓＦＧｄ０． ＋ｏＦ （２−ａｌ ｅｒａが形
成された、これはＸＲＤ分析で確認した、但し３．７Ｏ
Ａ極大は、格子歪を示す２．８６Ａ極大と比較して異常
に強力であった。
Ｂｒ （理論量の９４．２％）を加え、その後形成さ
れた混合物を１０分間混合した。この混合物２０ｇを酸
化アルミニウム製坩堝中に入れ、これを前記比較例にお
ける如く、７７ｇの木炭及び３３ｍ１の水を含有するよ
り大きい坩堝中に入れた。この２重坩堝配置を比較例１
における如く、８５０℃で炉中で２時間焼成した。０．
１原子％のＥｕでドープされたＢａａ、 ａｓｓｒ０．
ｏａｓＦＧｄ０． ＋ｏＦ （２−ａｌ ｅｒａが形
成された、これはＸＲＤ分析で確認した、但し３．７Ｏ
Ａ極大は、格子歪を示す２．８６Ａ極大と比較して異常
に強力であった。
このりん光体の即発発光スペクトルを、Ｅｕ”発光を示
す比較例１に記載した如くして測定した。
す比較例１に記載した如くして測定した。
相対極大強度は５６．２であり、線拡大は観察されなか
った。別の極大がＧｄ３“発光を示す３１３ｎｍで観察
された。
った。別の極大がＧｄ３“発光を示す３１３ｎｍで観察
された。
比較例１に記載した如く、このりん光体を用いてスクリ
ーンをキャストした。比較例１に記載した如く、Ｈｅ−
Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）での刺戟に対する刺戟エネ
ルギー及び変換効率を測定し、それぞれ３５０ ＬＬＪ
／ｍｍ”及び１８．３ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲであったｃ表
２参照）。
ーンをキャストした。比較例１に記載した如く、Ｈｅ−
Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）での刺戟に対する刺戟エネ
ルギー及び変換効率を測定し、それぞれ３５０ ＬＬＪ
／ｍｍ”及び１８．３ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲであったｃ表
２参照）。
このりん光体に対する刺戟スペクトルを比較例１に記載
した如く測定し、第３図に示す。約５７０ｎｍでの通常
の極大は観察されなかった。
した如く測定し、第３図に示す。約５７０ｎｍでの通常
の極大は観察されなかった。
実施例 ２
本実施例２のりん光体は、バリウム及びストロンチウム
の同じ原子比を用いたが、１０原子％のガドリニウムの
代りに１原子％のガドリニウムを用いて前述した方法と
同様の方法を用いて作った、又外側坩堝中の木炭及び水
は混合しなかった。
の同じ原子比を用いたが、１０原子％のガドリニウムの
代りに１原子％のガドリニウムを用いて前述した方法と
同様の方法を用いて作った、又外側坩堝中の木炭及び水
は混合しなかった。
Ｅｕの０．１原子％でドープした
Ｂａａ９□ａｓｒ０． ｏｔａＧｄ０． ０．Ｆ（２−
ａ） Ｂｒａが形成された、これはＸＲＤ分析で確認し
た。
ａ） Ｂｒａが形成された、これはＸＲＤ分析で確認し
た。
このりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ”発光を示す
比較例１のそれと類似していた、しかし４２．６の相対
強度（ＰＲ，Ｅ、１． ）を有していた。
比較例１のそれと類似していた、しかし４２．６の相対
強度（ＰＲ，Ｅ、１． ）を有していた。
比較例１に記載した如くして、このりん光体を用いてス
クリーンをキャストした。Ｈｅ／Ｎｅレーザ（６３３ｎ
ｍ）での刺戟に対する刺戟エネルギー及び変換効率を比
較例１に記載した如く測定し、それぞれ２６ μＪ／ｍ
ｍ２及び２０ ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲであった。
クリーンをキャストした。Ｈｅ／Ｎｅレーザ（６３３ｎ
ｍ）での刺戟に対する刺戟エネルギー及び変換効率を比
較例１に記載した如く測定し、それぞれ２６ μＪ／ｍ
ｍ２及び２０ ｐＪ／ｍｍ２／ｍＲであった。
比較例１に記載した如く、得られたりん光体に対する刺
激スペクトルを測定した、これを第４図に示す。これは
約５８０ｎｍで通常の極大を示す。
激スペクトルを測定した、これを第４図に示す。これは
約５８０ｎｍで通常の極大を示す。
実施例 ３
本実施例３のりん光体は、バリウム及びストロンチウム
の同じ原子比を用いたが、１０原子％のガドリニウムの
代りに０．１原子％のルテチウムを用いて前述した方法
と同様の方法を用いて作ったＥｕの０，１原子％でドー
プした Ｂａａ、 ５ｚ３ｓｒ０． ｏｔｓＬｕ０． ｏｏ＋Ｆ
（２−ａｌ ａｒｍが形成された、これはＸＲＤ分析
で確認した。
の同じ原子比を用いたが、１０原子％のガドリニウムの
代りに０．１原子％のルテチウムを用いて前述した方法
と同様の方法を用いて作ったＥｕの０，１原子％でドー
プした Ｂａａ、 ５ｚ３ｓｒ０． ｏｔｓＬｕ０． ｏｏ＋Ｆ
（２−ａｌ ａｒｍが形成された、これはＸＲＤ分析
で確認した。
このりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ２＋発光を示
す比較例１のそれと類似していたが、９０．４の相対強
度（ＰＲ，Ｅ、１． ）を有していた。
す比較例１のそれと類似していたが、９０．４の相対強
度（ＰＲ，Ｅ、１． ）を有していた。
比較例１に記載した如く、このりん光体を用いてスクリ
ーンをキャストした。比較例１に記載した如くして、Ｈ
ｅ／Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）での刺戟に対する刺戟
エネルギー及び変換効率を測定し、それぞれ２３ μＪ
／ｍｍ”及び１２ ｐＪ／ｍｍ”／ｍＲであった。
ーンをキャストした。比較例１に記載した如くして、Ｈ
ｅ／Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）での刺戟に対する刺戟
エネルギー及び変換効率を測定し、それぞれ２３ μＪ
／ｍｍ”及び１２ ｐＪ／ｍｍ”／ｍＲであった。
比較例１に記載した如くして得られたりん光体に対する
刺激スペクトルを測定した、これを第５図に示す。これ
は約５７０ｎｍで極大を示す。
刺激スペクトルを測定した、これを第５図に示す。これ
は約５７０ｎｍで極大を示す。
第１図は比較例１に記載したりん光体の即発発光スペク
トルを示す、図中蛍光発光の相対強度（Ｒ，１，Ｅｆ）
は縦軸に、ｎｍでの波長を横軸に示す。 第２図〜第５図は各実施例に記載したりん光体刺戟スペ
クトルを示し、図において刺戟された発光の相対強度（
Ｒ，１，Ｅｓ）は縦軸に、ｎｍでの波長を横軸に示す。
トルを示す、図中蛍光発光の相対強度（Ｒ，１，Ｅｆ）
は縦軸に、ｎｍでの波長を横軸に示す。 第２図〜第５図は各実施例に記載したりん光体刺戟スペ
クトルを示し、図において刺戟された発光の相対強度（
Ｒ，１，Ｅｓ）は縦軸に、ｎｍでの波長を横軸に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．光刺戟しうる稀土類金属ドープした弗化バリウムス
トロンチウムりん光体において、前記りん光体が下記実
験式 （Ｉ） Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ−＿
ｂＢｒ＿ａＸ＿ｂ ：ｚＡ（式中ＸはＣｌ及びＩからな
る群から選択した少なくとも１員であり、ｘは０＜ｘ＜
０．１５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の
範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは
１０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ＾
３＾＋，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ．Ｅｒ，
Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した共ドープ剤の１種
以上と一緒のＥｕ＾２＾＋またはＥｕ＾２＾＋であり、
弗素は前記りん光体中で、臭素単独又は塩素及び／又は
沃素と組合せた臭素よりも大なる原子％で理論量的に存
在する）の範囲内にあることを特徴とする光刺戟しうる
りん光体。 ２．共ドープ剤がＥｕ＾３＾＋．Ｌｕ及びＧｄからなる
群から選択した少なくとも１員である請求項１記載の光
刺戟しうるりん光体。 ３．ｘが０．０５≦ｘ≦０．１０の範囲であり、ａが０
．７５≦ａ≦０．９３の範囲であり、ｂが０≦ｂ≦０．
１５の範囲であり、ｚが１０＾−＾６≦ｚ≦１０＾−＾
２の範囲であり、ＡがＥｕ＾２＾＋単独又はＥｕ＾３＾
＋，Ｙ，Ｌｕ及びＧｄからなる群から選択した少なくと
も１員との混合物の形であるＥｕ＾２＾＋である請求項
１記載の光刺戟しうるりん光体． ４．前記りん光体が、 Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ−＿ｂＢｒ＿
ａＸ＿ｂ：ｚＥｕ（式中ｘはＣｌ及びＩからなる群から
選択した少なくとも１員であり、ｘが０＜ｘ＜０．１５
の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であ
り、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは１０＾−
＾７＜ｚ≦０．１５である）を、Ａハライド（Ａは請求
項１に定義した共ドープ剤である）と還元性雰囲気中で
、７００〜１０００℃の温度で約２時間溶融して作った
混合ドープしたりん光体である請求項１記載の光刺戟し
うるりん光体。 ５． バインダー層中に光刺戟しうるりん光体を含有す
る放射線像貯蔵パネルにおいて、前記りん光体が下記実
験式 （Ｉ） Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ＿−
＿ｂＢｒ＿ａＸ＿ｂ：ｚＡ（式中ｘはＣｌ及びＩからな
る群から選択した少なくとも１員であり、ｘが０＜ｘ＜
０．１５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の
範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは
１０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ＾
３＾＋，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，
Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した共ドープ剤の１種
以上と一緒のＥｕ＾２＾＋又はＥｕ＾２＾＋であり、弗
素は前記りん光体中に、臭素単独又は塩素及び／又は臭
素と組合せた臭素よりも大なる原子％で理論量的に存在
する）の範囲内にあることを特徴とする放射線像貯蔵パ
ネル。 ６． 前記りん光体において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．
１０の範囲であり、ａが０．７５≦ａ≦０．９３の範囲
であり、ｂが０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚが１０
＾−＾６≦ｚ≦１０＾−＾２の範囲であり、ＡがＥｕ＾
２＾＋単独又はＥｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｌｕ及びＧｄからな
る群から選択した少なくとも１員との混合物の形でのＥ
ｕ＾２＾＋である請求項５記載の放射線像貯蔵パネル。 ７． 前記りん光体を３００〜１５００ｇ／ｍ＾２の範
囲の被覆率で付与する請求項５又は６の何れかに記載の
放射線像貯蔵パネル。 ８． （１） 光刺戟しうるりん光体をＸ線に対して像
に従って露光し、 （２） 上記りん光体を可視光及び赤外線から選択した
刺戟性電磁放射線で光刺戟し、光刺戟に使用した放射線
とは波長特性において異なる電磁放射線を吸収されたＸ
線に従って上記りん光体より放出させ、 （３） 工程（２）で付与した光刺戟によって発光した
光を検出する 工程を含むＸ線像を記録し、再現する方法において、前
記工程（１）及び（２）の処理を受けるりん光体が、下
記実験式 （Ｉ） Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ＿−
＿ｂＢｒ＿ａＸ＿ｂ：ｚＡ（式中ｘはＣｌ及びＩからな
る群から選択した少なくとも１員であり、ｘは０＜ｘ＜
０．１５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の
範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは
１０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ＾
２＾＋又はＥｕ＾３＾＋，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した
共ドープ剤の１種以上と一緒にしたＥｕ＾２＾＋であり
、弗素は臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭
素よりも大なる原子％で前記りん光体中に理論量的に存
在する）の範囲内にあることを特徴とする方法。 ９． 前記りん光体において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．
１０の範囲であり、ａが０．７５≦ａ≦０．９３の範囲
であり、ｂが０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚが１０
＾−＾６≦ｚ≦１０＾−＾２の範囲であり、ＡがＥｕ＾
２＾＋単独又はＥｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｌｕ及びＧｄからな
る群から選択した少なくとも１員との混合物の形でのＥ
ｕ＾２＾＋である請求項９記載の方法。 １０． 光刺戟を走査レーザビームで行う請求項８又は
９記載の方法。 １１． 光刺戟により発光される光の検出をデイジタル
化される電気信号を与える光電管で行う請求項８又は９
記載の方法。 １２． 貯蔵後前記信号がデイジタル処理を受ける請求
項１１記載の方法。 １３． 光刺戟によって得られた光に相当する電気信号
のアナログ−デイジタル変換から得られたデイジタル信
号を陰極線管上に表示する請求項１１記載の方法。 １４． デイジタル信号が、書き込みレーザビームを変
調するために使用されるアナログ信号に変換される請求
項１１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20489888A | 1988-06-10 | 1988-06-10 | |
| US204898 | 1988-06-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP1148238A Pending JPH0264193A (ja) | 1988-06-10 | 1989-06-09 | 光刺戟しうるりん光体及びラジオグラフイにおける使用 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14823689A Pending JPH0297587A (ja) | 1988-06-10 | 1989-06-09 | 光刺戟しうるりん光体 |
| JP1148237A Expired - Fee Related JP2741405B2 (ja) | 1988-06-10 | 1989-06-09 | 光刺戟しうるりん光体及びラジオグラフでの応用 |
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| EP0533236B1 (en) * | 1991-09-17 | 1995-11-08 | Agfa-Gevaert N.V. | Radiation image recording and reproducing method |
| CA2095666A1 (en) * | 1992-05-08 | 1993-11-09 | Junichi Ohwaki | Infrared-to-visible up-conversion material |
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| DE69217940T2 (de) * | 1992-09-07 | 1997-09-11 | Agfa Gevaert Nv | Verfahren zum Auslöschen der gespeicherten Energie bei einem photostimulierbaren Phosphormittel |
| DE69304888T2 (de) * | 1993-03-09 | 1997-04-03 | Agfa Gevaert Nv | Herstellung von Metallhalogenidephosphorpartikeln mit definierter Korngrössenverteilung mit verbesserter Pulverfliessfähigkeit |
| EP0704511B1 (en) * | 1994-09-27 | 1999-06-16 | Agfa-Gevaert N.V. | A radiation image recording and reproducing method |
| DE69506384T2 (de) | 1995-06-01 | 1999-07-15 | Agfa-Gevaert N.V., Mortsel | Neue Klasse von stabilisierenden Verbindungen für Phosphorschirme |
| EP0745657B1 (en) | 1995-06-01 | 1998-09-30 | Agfa-Gevaert N.V. | A novel class of stabilizing compounds for phosphor screens |
| EP0752782A1 (en) | 1995-07-07 | 1997-01-08 | Agfa-Gevaert N.V. | Adjustment of the position of a scan line in a light beam scanning apparatus |
| DE69627334T2 (de) * | 1996-10-10 | 2003-12-11 | Agfa-Gevaert, Mortsel | Neuer Photostimulierbarer Leuchtstoff |
| DE69613131T2 (de) | 1996-12-04 | 2001-11-22 | Agfa-Gevaert N.V., Mortsel | Röntgenbilddetektor und Bildauslesevorrichtung |
| KR20010110408A (ko) | 1998-11-25 | 2001-12-13 | 추후제출 | 단일 헤드를 갖는 형광 스크린 스캐닝 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3988252A (en) * | 1974-11-11 | 1976-10-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of Ba(Sr)FCl:Eu phosphors |
| GB1501267A (en) * | 1975-04-04 | 1978-02-15 | Ciba Geigy Ag | X-ray screens |
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