JPS6230237B2 - - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 107
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 34
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 25
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 18
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- -1 barium fluoride halide Chemical class 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 9
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical class [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 241001289141 Babr Species 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L barium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Ba+2] NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Description
本発明は放射線像変換方法、さらに詳しくは輝
尽性螢光体を利用した放射線像変換方法に関す
る。 従来放射線像を画像として得るのには、銀塩感
光材料からなる乳剤層を有する写真フイルムとＸ
線増感紙を用いる、いわゆる放射線写真法が利用
されているが、この方法で得られる放射線像より
も画像の鮮鋭度や解像力が優れた放射線像を得る
ことのできる放射線像変換方法の１つとして、米
国特許第3859527号、同4236264号明細書、特開昭
55−163472号、同55−116340号公報等に記載され
ている方法が注目されている。この放射線像変換
方法は蓄積性螢光体（放射線を照射した後、可視
光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起する
と発光を示す螢光体。ここで放射線とはＸ線、α
線、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子
線、真空紫外線、紫外線等の電極波あるいは粒子
線をいう。）を利用するもので、被写体を透過し
た放射線を蓄積性螢光体に吸収せしめ、しかる後
蓄積性螢光体を可視光線および赤外線から選ばれ
る電磁波で励起し、輝尽性螢光体が蓄積している
放射線エネルギーを螢光（輝尽発光）として放出
せしめ、この螢光を検出して画像化するものであ
る。 従来、弗化ハロゲン化物螢光体の１種として次
式、 BaFX：aEu2+ （但しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくとも１
種であり、ａは０＜ａ≦0.2なる条件を満たす数
である。） で表される２価のユーロピウム付活弗化ハロゲン
化バリウム螢光体が知られている。この螢光体は
Ｘ線、紫外線、電子線等で励起されると高輝度の
近紫外発光（瞬時発光）を示し、特にＸ線増感紙
用螢光体として実用に供されているが、この螢光
体はまた高輝度の揮尽発光を示す。すらわち、こ
の螢光体は放射線の照射を受けた後450乃至
1100nｍの波長領域の電磁波で励起されると高輝
度の近紫外発光を示す。従つてこの螢光体は上記
放射線像変換方法に使用することができる（米国
特許第4239968号参照）。 ところで上記放射線像変換方法が医療診断を目
的とするＸ線像変換に用いられる場合には、患者
の被曝線量を少なくするためにその方法はできる
だけ高感度であるのが望ましく、従つてその方法
に用いられる蓄積性螢光体は輝尽による発光輝度
ができるだけ高いのが望ましい。このような点か
ら、上記BaFX：Eu2+螢光体を使用する放射線像
変換方法についてもその感度の向上が望まれてお
り、従つてBaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光
輝度の向上が望まれている。 本発明は上述のような状況の下で行われたもの
であり、上記BaFX：Eu2+螢光体よりも輝尽によ
る発光輝度の高い螢光体を蓄積性螢光体として使
用することにより、BaFX：Eu2+螢光体を使用す
る放射線像変換方法よりも感度の高い放射線像変
換方法を提供することを目的とする。 本発明者等は上記目的を達成するために
BaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光輝度の改良
について種々の研究を行つてきた。その結果、
BaFX：Eu2+螢光体の母体である弗化ハロゲン化
バリウム（BaFX）と、ハロゲン化ナトリウム
（NaX′、但しX′はCl、BrおよびＩのうちの少なく
とも１種である）とからなる複合ハロゲン化物を
母体とし、この母体を２価のユーロピウムで付活
した新規な螢光体は、放射線の照射を受けた後
450乃至1100nｍの波長領域の電磁波で励起され
ると従来のBaFX：Eu2+螢光体よりも高輝度の近
紫外発光を示すことを見出し本発明を完成させる
に至つた。 本発明の放射線像変換方法は、次式、 BaFX・xNaX′：aEu2+ （但しＸおよびX′はいずれもCl、BrおよびＩのう
ちの少なくとも１種であり、ｘおよびａはそれぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ａ≦0.2なる条件を満た
す数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン
化物螢光体を含む蓄積性螢光体に被写体を透過し
た放射線を吸収せしめ、しかる後この螢光体を
450乃至1100nｍの波長領域の電磁波で励起して
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光体
として放出せしめ、この螢光体を検出することを
特徴とする。 本発明の放射線像変換方法に使用される上記２
価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体は
従来BaFX：Eu2+螢光体と同様にＸ線等の放射線
の照射を受けた後450乃至1100nｍの波長領域の
電磁波で励起されると近紫外発光を示すが、この
輝尽による発光の輝度はBaFX：Eu2+螢光体より
も高い。 従つて本発明の放射線像変換方法はBaFX：
Eu2+螢光体を使用する放射線像変換方法よりも
高感度である。なお上記２価のユーロピウム付活
複合ハロゲン化物螢光体のうちでも上記式のｘ値
が10-5≦ｘ≦５×10-1の範囲にある螢光体は輝尽
による発光輝度が特に高く、従つてｘ値がこの範
囲にある螢光体を使用する本発明の放射線像変換
方法は特に高感度である。また、NaX′のうちで
はNaIとNaBrが輝尽による発光輝度を特に高く、
更にNaIを用いれば蓄積された放射線エネルギー
が励起前の経時によつて減少する度合（以下フエ
ーデイングという）が少なくできるので特に好ま
しい。 また上記式の好ましいａ値の範囲は10-5≦ａ≦
10-1である。 以下本発明を詳細に説明する。 本発明の放射線像変換方法に使用される２価の
ユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体は例え
ば以下に述べる製造方法によつて製造される。 まず螢光体原料としては (i) 弗化バリウム（BaF2）、 (ii) 塩化バリウム（BaCl2）、臭化バリウム
（BaBr2）および沃化バリウム（BaI2）のうちの
少なくとも１種、 (iii) 塩化ナトリウム（NaCl）、臭化ナトリウム
（NaBr）および沃化ナトリウム（NaI）のうち
の少なくとも１種、および (iv) ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩等の
３価ユーロピウムの化合物 が用いられる。この４つの螢光体原料を用いて化
学量論的に BaFX・xNaX′：aEu3+ （但しＸ、X′、ｘおよびａは前述と同じ意義を有
する） なる式で表わされる螢光体原料混合物を調製す
る。螢光体原料混合物は上記４つの螢光体原料を
単に混合することによつて調製してもよいし、あ
るいは上記(i)のBaF2と上記(ii)のハロゲン化バリ
ウムを用いてあらかじめBaFXを生成せしめ、し
かる後このBaFXに上記(iii)のハロゲン化ナトリウ
ムおよび上記(iv)の付活剤原料を混合することによ
つて調製してもよい。後者の螢光体原料混合物調
製方法において、BaF2とハロゲン化バリウムか
らBaFXを生成せしめるのには公知の種々の方法
が採用される。例えばBaFXはBaF2とハロゲン化
バリウムとを混合し、得られる混合物を100℃以
上の温度で数時間加熱することによつて容易に生
成せしめることができる（乾式法、特公昭51−
28591号参照）。またBaFXはBaF2の懸濁液にハロ
ゲン化バリウムの溶液を加え、好ましくは減圧
下、加温しながら撹拌し、水分を徐々に蒸発乾固
せしめる操作によつても容易に生成せしめること
ができる（湿式法、特開昭51−61499号参照）。な
お上記乾式法および湿式法のいずれにおいても、
反応系中に付活剤原料を介在させることによつて
BaFXの生成と同時にBaFXと付活剤原料との均
一な混合をも達成することができる。いずれの螢
光体原料混合物調製方法においても、BaF2、ハ
ロゲン化バリウム、ハロゲン化ナトリウムおよび
付活剤原料、あるいはBaFX、ハロゲン化ナトリ
ウムおよび付活剤原料は充分に混合される。混合
は乳鉢、ボールミル、ロツドミル等の通常の混合
機によつて行われる。 次に得られた螢光体原料混合物を石英ボート、
アルミナルツボ、石英ルツボ等の耐熱性容器に充
填して電気炉中で焼成を行なう。焼成温度は600
乃至1000℃が適当である。焼成時間は螢光体原料
混合物の充填量、焼成温度等によつて異なるが、
一般には１乃至６時間が適当である。焼成雰囲気
として少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少
量の一酸化炭素を含む二酸化炭素雰囲気等の弱還
元性雰囲気を使用し、それによつて焼成過程にお
いて３価のユーロピウムを２価のユーロピウムに
還元する。なお、上記の焼成条件で一度焼成した
後、焼成物を電気炉から取り出して放冷後粉砕
し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填
して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で再焼成
を行なつてもよい。この場合、焼成雰囲気として
弱還元性雰囲気の代わりに窒素ガス雰囲気、アル
ゴンガス雰囲気等の中性雰囲気を使用してもよ
い。焼成後、得られる焼成物をほぐし、篩分け等
螢光体製造において一般に採用される各種操作に
よつて処理して本発明の螢光体を得る。 以上説明した製造方法などによつて得られる次
式、 BaFX・xNaX′：aEu2+ （但しＸおよびX′はいずれもCl、BrおよびＩのう
ちの少なくとも１種であり、ｘおよびａはそれぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ａ≦0.2なる条件を満た
す数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン
化物螢光体は、従来のBaFX：Eu2+螢光体と同様
にＸ線等の放射線の照射を受けた後450乃至
1100nｍの波長領域の電磁波で励起されると近紫
外線発光を示す。そしてその輝尽による発光の輝
度はBaFX：Eu2+螢光体よりも高い。従つてこの
螢光体を使用する本発明の放射線像変換方法は
BaFX：Eu2+螢光体を使用する放射線像変換方法
よりも高感度である。第１図は本発明の放射線像
変換方法に使用される２価のユーロピウム付活複
合ハロゲン化物螢光体の励起スペクトルを例示す
るものであり、管電圧80KVpのＸ線が照射され
た試料を用いて測定したBaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起スペクトルである。第１
図から明らかなように、BaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起可能な波長範囲は450乃至
1100nｍであり、特に450乃至750nｍが最適励起
波長範囲である。本発明の放射線像変換方法に使
用される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化
物螢光体の励起可能な波長範囲は螢光体の組成に
よつても若干異なるが、一般には第１図に示され
た結果とほぼ同じ450乃至1100nｍであり、最適
励起波長範囲は450乃至750nｍである。この範囲
では螢光体の温度を実質的に上昇させることなく
励起できる。この励起可能な波長範囲および最適
励起波長範囲はBaFX：Eu2+螢光体の励起可能な
波長範囲および最適励起波長範囲にほぼ一致す
る。 第２図は本発明の放射線像変換方法に使用され
る２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光
体の輝尽による発光スペクトルを例示するもので
あり、BaFBr・10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体に管
電圧80KVpのＸ線を照射した後、該螢光体をHe
−Neレーザー光（633nｍ）で励起することによ
つて測定した発光スペクトルである。螢光体の組
成によつても若干異なるが、本発明の放射線像変
換方法に使用される２価のユーロピウム付活複合
ハロゲン化物螢光体は輝尽によつて第２図に示さ
れるような近紫外発光を示す。そして該複合ハロ
ゲン化物螢光体の輝尽による発光スペクトルは
BaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光スペクトル
とほぼ同じである。 第３図および第４図はそれぞれBaFBr・
xNaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・xNaBr：
10-3Eu2+螢光体に管電圧80KVpのＸ線を照射し
た後、それら螢光体をHe−Neレーザー（633n
ｍ）で励起した時の螢光体の母体構成成分である
NaBrの量ｘ値（横軸）と輝尽による発光輝度
（縦軸）との関係を示すグラフであり、第３図の
縦軸はBaFBr：10-3Eu2+螢光体の輝尽による発光
輝度を100としたときの相対値で表わし、第４図
の縦軸はBaFCl：10-3Eu2+螢光体の輝尽による発
光輝度を100としたときの相対値で表している。
第３図および第４図から明らかなように、ｘ値が
０＜ｘ≦２の範囲にある本発明の放射線像変換方
法に使用されるBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢光体
およびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体はそれぞ
れｘ値が０であるBaFBr：10-3Eu2+螢光体および
BaFCl：10-3Eu2+螢光体よりも高輝度の輝尽発光
を示す。またBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢光体お
よびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体のいずれに
おいてもｘ値が10-5≦ｘ≦５×10-1の範囲にある
螢光体は特に発光輝度が高い。なお、第３図およ
び第４図はそれぞれBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢
光体およびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体につ
いてのｘ値と輝尽による発光輝度との関係を示す
ものであるが、母体構成成分であるハロゲン化ナ
トリウムの異なるBaFBr・xNaI：10-3Eu2+螢光
体BaFCl・xNaI：10-3Eu2+螢光体についてもｘ
値と輝尽による発光輝度との関係はそれぞれ第３
図および第４図とほぼ同じであつた。また
BBaFBr・xNaCl：10-3Eu2+、BaFCl・xNaCl：
10-3Eu2+螢光体のｘ値と輝尽による発光輝度と
の関係は第３図または第４図の各曲線ほど上に凸
ではないが、10-5〜２で輝尽発光輝度が改良され
る関係を示した。さらに第３図および第４図はい
ずれもEu2+量ａ値が10-3である螢光体について
のｘ値と輝尽による発光輝度との関係を示すもの
であるが、ａ値が変化した螢光体についてもｘ値
と輝尽による発光輝度との関係は第３図および第
４図と同様の傾向にあることが確認された。 本発明の放射線像変換方法を概略図を用いて具
体的に説明する。第５図において１１は放射線発
生装置、１２は被写体、１３は上記２価のユーロ
ピウム付活複合ハロゲン化物螢光体を含有する蓄
積性螢光体層を有する放射線像変換パネル、１４
は該放射線像変換パネル中に蓄積された放射線潜
像を螢光として放射させるための励起源としての
光源、１５は該放射線像変換パネルより放射され
た螢光を検出する光電電変換装置、１６は１５で
検出された光電変換信号を画像として再生する装
置、１７は再生された画像を表示する装置、１８
は光源１４からの反射光をカツトし、放射線像変
換パネル１３より放射された光のみを透過させる
ためのフイルターである。１５以降は１３からの
光情報を何らかの形で画線として再生できるもの
であればよく、上記に限定されるものではない。 第５図に示されるように、被写体１２を放射線
発生装置１１と放射線像変換パネル１３の間に配
置し、放射線を照射すると、放射線は被写体１２
の各部の放射線透過率の変化に従つて透過し、そ
の透過像（すなわち放射線の強弱の像）が放射線
像変換パネル１３に入射する。この入射した透過
像は放射線像変換パネル１３の蓄積性螢光体層に
吸収され、これによつて該螢光体層中に吸収した
放射線量に比例した数の電子または正孔が発生
し、これが蓄積性螢光体のトラツプレベルに蓄積
される。すなわち放射線透過像の蓄積像（一種の
潜像）が形成される。次にこの潜像を光エネルギ
ーで励起して顕在化する。 すなわち、光源１４から放射される励起光で放
射線像変換パネル１３の蓄積性螢光体を走査して
トラツプレベルに蓄積された電子または正孔を追
出し、蓄積像を螢光として放射せしめる。先に述
べたように、放射線像変換パネル３の蓄積性螢光
体層に用いられる２価のユーロピウム付活複合ハ
ロゲン化物螢光体の励起可能な波長範囲は450乃
至1100nｍであり、最適励起波長範囲は150乃至
750nｍであるので、励起光としては450乃至
1100nｍ、好ましくは450乃至750nｍの波長を有
する電磁波が用いられる。この範囲（450〜750n
ｍ）ならば蓄積性螢光体層の温度を実質的に上昇
させることなく励起できるので螢光体および螢光
体層の温度変化による劣化が未然に防止できる。 上記励起光による励起によつて蓄積性螢光体層
から放射される螢光の強弱は蓄積された電子また
は正孔の数すなわち放射線像変換パネル１３の蓄
積性螢光体層に吸収された放射線エネルギーの強
弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増
倍管等の光電変換装置１５で電気信号に変換し、
画像再生装置１６によつて画像として再生し画像
表示装置１７によつてこの画像を表示する。 上記本発明の放射線像変換方法において用いら
れる放射線像変換パネルは上記２価のユーロピウ
ム付活複合ハロゲン化物螢光体を適当な結合剤中
に分散して含有する蓄積性螢光体層を有する。蓄
積性螢光体層が自己支持性のものである場合には
蓄積性螢光体層自体が放射線像変換パネルとなり
得るが、一般には蓄積性螢光体層は適当な支持体
上に設けられて放射線像変換パネルが構成され
る。さらに通常は蓄積性ち螢光体層の片面（支持
体が設けられる面とは反対側の面）に該螢光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護
膜が設けられる。また蓄積性螢光体層と支持体と
をより密接に接着させる目的で螢光体層と支持体
との間に下塗り層が設けられる場合もある。な
お、上記のような構造を有する放射線像変換方法
パネルは特開昭55−163500号に開示されているよ
うに着色剤によつて着色されていてもよい（蓄積
性螢光体層が着色される場合には励起光入射側か
らその反対側に向つて着色度が次第に高くなるよ
うに着色されるのが好ましい） また放射線像変換パネルの蓄積性螢光体層には
本発明の式BaFX・xNaX′：aEu2+螢光体の他
に、所望により公知の蓄積性螢光体のうちで450
〜1100nｍの波長領域の電磁波で輝尽による発光
を示す蓄積性螢光体が併用されてもよい。併用さ
れるに好ましい公知の蓄積性螢光体としては特開
昭55−12144号に記されている希土類付活ランタ
ンオキシハライド螢光体、米国特許第4236078
号、特開昭55−12143号、同55−12145号、同55−
84389号、同56−2385号、同56−2386号、同56−
74175号等に記されている希土類付活アルカリ土
類金属フルオロハライド螢光体などがある。 また放射線像変換パネルの蓄積性螢光体層中に
特開昭55−146447号に開示されているように白色
粉体が分散されていてもよい。さらに、放射線像
変換パネルは特開昭56−11393号あるいは特開昭
56−12600号に開示されているように蓄積性螢光
体層の励起光入射側とは反対の側に金属反射層あ
るいは白色顔料反射層が設けられていてもよい。
このように着色剤あるいは白色粉末を使用するこ
とによつて、また光反射層を設けることによつ
て、鮮鋭度の高い画像を与える放射線像変換パネ
ルを得ることができる。 本発明の放射線像変換方法において上記放射線
像変換パネルの蓄積性螢光体層を励起する光エネ
ルギーの光源としては、450乃至1100nｍの波長
領域にバントスペクトル分布をもつた光を放射す
る光源の他にHe−Neレーザー光（633nｍ）、
YAGレーザー光（1064nｍ）、ルビーレーザー光
（694nｍ）、アルゴンレーザー（488nｍ）等の単
一波長の光を放射する光源が使用される。特にレ
ーザー光を用いる場合には高い励起エネルギーを
得ることができる。レーザー光の中でも特にHe
−Neレーザー光を用いるのがより好ましい。 先に説明したように、本発明の放射線像変換方
法に使用される２価のユーロピウム付活複合ハロ
ゲン化物螢光体は従来のBaFX：Eu2+螢光体より
も輝尽による発光輝度が高い。従つて本発明の放
射線像変換方法はBaFX：Eu2+螢光体のみを使用
する放射線像変換方法よりも高感度である。 次に実施例によつて本発明を説明する。 実施例 １ BaF2175.5ｇ（１モル）、BaBr2297.1ｇ（１モ
ル）、NaBr0.206ｇ（２×10-3モル）および
EuBr30.783ｇ（２×10-3モル）を秤取し、ボール
ミルを用いて充分に混合した。得られた螢光体原
料混合物を石英ボートに充填してチユーブ炉に入
れ焼成を行なつた。焼成は１容量％の水素ガスを
含む窒素ガスを流速280c.c.／分で流しながら900℃
で２時間行なつた。焼成後、石英ボートをチユー
ブ炉から取り出し室温まで放冷した。得られた焼
成物をボールミルを用いて粉砕した後、焼成物粉
末を再び石英ボートに充填してチユーブ炉に入れ
て２次焼成を行なつた。２次焼成は窒素ガスを流
速280c.c.／分で流しながら700℃で１時間行なつ
た。２次焼成後、石英ボートをチユーブ炉から取
り出して室温まで放冷し、得られた焼成物をほぐ
して篩にかけた。このようにしてBaFBr・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体を得た。 また、NaBrの代わりにNaCl0.117ｇ（２×10-3
モル）およびNaI0.30ｇ（２×10-3モル）をそれ
ぞれ使用すること以外は上述と同様にして
BaFBr・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体および
BaFBr・10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を製造した。
さらにNaBrを使用しないこと以外は上述と同様
にしてBaFBr・10-3Eu2+螢光体を製造した。 次に上記４種類の螢光体を用いて放射線像変換
パネルを製造した。いずれの放射線像変換パネル
も以下のようにして製造した。 まず螢光体８重量部と硝化綿（結合剤）１重量
部とを溶剤（アセトン、酢酸エチルおよび酢酸ブ
チルの混液）を用いて混合し、粘度がおよそ50セ
ンチストークスの塗布液を調製した。次にこの塗
布液を水平に置いたポリエチレンテレフタレート
フイルム（支持体）上に均一塗布し、一昼夜放置
して自然乾燥することによつて層厚が約300μの
螢光体層を形成し、放射線像変換パネルとした。 次に得られた４種類の放射線像変換パネルの輝
尽による発光輝度を測定した。この輝尽による発
光輝度の測定は放射線像変換パネルに管電圧
80KVpのＸ線を照射した後、これをHe−Neレー
ザー光（633nｍ）で励起し、その螢光体層から
放射される螢光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電
子増倍管）で受光することによつて行なつた。 BaFBr・10-3NaBr：10-3EU2+螢光体、
BaFBr・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体および
BaFBr・10-3NaI螢光体を用いた放射線像変換パ
ネルはいずれも輝尽による発光輝度がBaFBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線変換パネルの約
２倍であつた。なお、詳しい数値を下記第１表に
示す。従つてそれら放射線像変換パネルを使用す
る本発明の放射線像変換方法はBaFBr：10-3Eu2+
螢光体のみを用いた放射線変換パネルを使用する
放射線像変換方法に比べて約２倍高感度である。 実施例 ２ 螢光体原料としてBaF2175.3ｇ（１モル）、
BaCl2208.2ｇ（１モル）、NaCl0.117ｇ（２×10-3
モル）およびEuCl30.517ｇ（２×10-3モル）を用
いること以外は実施例１と同様にしてBaFCl・
10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体を製造した。また
NaClの代わりにNaBr0.206ｇ（２×10-3モル）お
よびNaI0.30ｇ（２×10-3モル）をそれぞれもち
いること以外は上記と同様にしてBaFCl・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・
10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を製造した。さらに
NaClを使用しないこと以外は上記と同様にして
BaFCl：10-3Eu25螢光体を製造した。 次に得られた４種類の螢光体を用いて実施例１
と同様にして放射線像変換パネルを製造した。そ
の後得られた４種類の放射線像変換パネルの輝尽
による発光輝度を実施例１と同様にして測定し
た。 BaFCl・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体、BaFCl・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・
10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を用た放射線像変換パ
ネルはいずれｇも輝尽による発光輝度がBaFCl：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルの
２倍強であつた。なお、詳しい数値は下記第１表
に示す。従つてそれら放射線像変換パネルを使用
する本発明の放射線像変換方法はBaFCl：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射線像変換パネ
ルを使用する放射線像変換方法に比べて２倍強高
感度である。 実施例 ３ NaBrをそれぞれ61.7ｇ（0.6モル）、247.0ｇ
（2.4モル）および493.9ｇ（4.8モル）用いること
以外は実施例１と同様にしてBaFBr・0.3NaBr：
10-3Eu2+螢光体、BaFBr・1.2NaBr：10-3Eu2+螢
光体およびBaFBr・2.4NaBr：10-3Eu2+螢光体を
製造した。 次に得られた３種類の螢光体を用いて実施例１
と同様にして放射線像変換パネルを製造した。そ
の後得られた３種類の放射線像変換パネルの輝尽
による発光輝度を実施例１と同様にして測定し
た。 下記第１表に示されるように、BaFBr・
0.3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFBr・
1.2NaBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換
パネルは輝尽による発光輝度が実施例１の
BaFBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パ
ネルのそれぞれ約1.7倍および約1.2倍であつた
が、NaBr量がより多いBaFBr・2.4NaBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルは
輝尽による発光輝度が実施例１のBaFBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルの
約0.7倍であつた。従つてBaFBr・0.3NaBr：
10-3Eu2+螢光体およびBaFBr・1.2NaBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルを
使用する本発明の放射線像変換方法はBaFBr：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射像変換パネル
を使用する放射線像変換方法に比べてそれぞれ約
1.7倍および約1.2倍高感度であるが、BaFBr・
2.4NaBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換
パネルを使用する放射線像変換方法はBaFBr：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射線像変換パネ
ルを使用する放射線像変換方法に比べて約30％感
度が低い。
尽性螢光体を利用した放射線像変換方法に関す
る。 従来放射線像を画像として得るのには、銀塩感
光材料からなる乳剤層を有する写真フイルムとＸ
線増感紙を用いる、いわゆる放射線写真法が利用
されているが、この方法で得られる放射線像より
も画像の鮮鋭度や解像力が優れた放射線像を得る
ことのできる放射線像変換方法の１つとして、米
国特許第3859527号、同4236264号明細書、特開昭
55−163472号、同55−116340号公報等に記載され
ている方法が注目されている。この放射線像変換
方法は蓄積性螢光体（放射線を照射した後、可視
光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起する
と発光を示す螢光体。ここで放射線とはＸ線、α
線、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子
線、真空紫外線、紫外線等の電極波あるいは粒子
線をいう。）を利用するもので、被写体を透過し
た放射線を蓄積性螢光体に吸収せしめ、しかる後
蓄積性螢光体を可視光線および赤外線から選ばれ
る電磁波で励起し、輝尽性螢光体が蓄積している
放射線エネルギーを螢光（輝尽発光）として放出
せしめ、この螢光を検出して画像化するものであ
る。 従来、弗化ハロゲン化物螢光体の１種として次
式、 BaFX：aEu2+ （但しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくとも１
種であり、ａは０＜ａ≦0.2なる条件を満たす数
である。） で表される２価のユーロピウム付活弗化ハロゲン
化バリウム螢光体が知られている。この螢光体は
Ｘ線、紫外線、電子線等で励起されると高輝度の
近紫外発光（瞬時発光）を示し、特にＸ線増感紙
用螢光体として実用に供されているが、この螢光
体はまた高輝度の揮尽発光を示す。すらわち、こ
の螢光体は放射線の照射を受けた後450乃至
1100nｍの波長領域の電磁波で励起されると高輝
度の近紫外発光を示す。従つてこの螢光体は上記
放射線像変換方法に使用することができる（米国
特許第4239968号参照）。 ところで上記放射線像変換方法が医療診断を目
的とするＸ線像変換に用いられる場合には、患者
の被曝線量を少なくするためにその方法はできる
だけ高感度であるのが望ましく、従つてその方法
に用いられる蓄積性螢光体は輝尽による発光輝度
ができるだけ高いのが望ましい。このような点か
ら、上記BaFX：Eu2+螢光体を使用する放射線像
変換方法についてもその感度の向上が望まれてお
り、従つてBaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光
輝度の向上が望まれている。 本発明は上述のような状況の下で行われたもの
であり、上記BaFX：Eu2+螢光体よりも輝尽によ
る発光輝度の高い螢光体を蓄積性螢光体として使
用することにより、BaFX：Eu2+螢光体を使用す
る放射線像変換方法よりも感度の高い放射線像変
換方法を提供することを目的とする。 本発明者等は上記目的を達成するために
BaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光輝度の改良
について種々の研究を行つてきた。その結果、
BaFX：Eu2+螢光体の母体である弗化ハロゲン化
バリウム（BaFX）と、ハロゲン化ナトリウム
（NaX′、但しX′はCl、BrおよびＩのうちの少なく
とも１種である）とからなる複合ハロゲン化物を
母体とし、この母体を２価のユーロピウムで付活
した新規な螢光体は、放射線の照射を受けた後
450乃至1100nｍの波長領域の電磁波で励起され
ると従来のBaFX：Eu2+螢光体よりも高輝度の近
紫外発光を示すことを見出し本発明を完成させる
に至つた。 本発明の放射線像変換方法は、次式、 BaFX・xNaX′：aEu2+ （但しＸおよびX′はいずれもCl、BrおよびＩのう
ちの少なくとも１種であり、ｘおよびａはそれぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ａ≦0.2なる条件を満た
す数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン
化物螢光体を含む蓄積性螢光体に被写体を透過し
た放射線を吸収せしめ、しかる後この螢光体を
450乃至1100nｍの波長領域の電磁波で励起して
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光体
として放出せしめ、この螢光体を検出することを
特徴とする。 本発明の放射線像変換方法に使用される上記２
価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体は
従来BaFX：Eu2+螢光体と同様にＸ線等の放射線
の照射を受けた後450乃至1100nｍの波長領域の
電磁波で励起されると近紫外発光を示すが、この
輝尽による発光の輝度はBaFX：Eu2+螢光体より
も高い。 従つて本発明の放射線像変換方法はBaFX：
Eu2+螢光体を使用する放射線像変換方法よりも
高感度である。なお上記２価のユーロピウム付活
複合ハロゲン化物螢光体のうちでも上記式のｘ値
が10-5≦ｘ≦５×10-1の範囲にある螢光体は輝尽
による発光輝度が特に高く、従つてｘ値がこの範
囲にある螢光体を使用する本発明の放射線像変換
方法は特に高感度である。また、NaX′のうちで
はNaIとNaBrが輝尽による発光輝度を特に高く、
更にNaIを用いれば蓄積された放射線エネルギー
が励起前の経時によつて減少する度合（以下フエ
ーデイングという）が少なくできるので特に好ま
しい。 また上記式の好ましいａ値の範囲は10-5≦ａ≦
10-1である。 以下本発明を詳細に説明する。 本発明の放射線像変換方法に使用される２価の
ユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体は例え
ば以下に述べる製造方法によつて製造される。 まず螢光体原料としては (i) 弗化バリウム（BaF2）、 (ii) 塩化バリウム（BaCl2）、臭化バリウム
（BaBr2）および沃化バリウム（BaI2）のうちの
少なくとも１種、 (iii) 塩化ナトリウム（NaCl）、臭化ナトリウム
（NaBr）および沃化ナトリウム（NaI）のうち
の少なくとも１種、および (iv) ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩等の
３価ユーロピウムの化合物 が用いられる。この４つの螢光体原料を用いて化
学量論的に BaFX・xNaX′：aEu3+ （但しＸ、X′、ｘおよびａは前述と同じ意義を有
する） なる式で表わされる螢光体原料混合物を調製す
る。螢光体原料混合物は上記４つの螢光体原料を
単に混合することによつて調製してもよいし、あ
るいは上記(i)のBaF2と上記(ii)のハロゲン化バリ
ウムを用いてあらかじめBaFXを生成せしめ、し
かる後このBaFXに上記(iii)のハロゲン化ナトリウ
ムおよび上記(iv)の付活剤原料を混合することによ
つて調製してもよい。後者の螢光体原料混合物調
製方法において、BaF2とハロゲン化バリウムか
らBaFXを生成せしめるのには公知の種々の方法
が採用される。例えばBaFXはBaF2とハロゲン化
バリウムとを混合し、得られる混合物を100℃以
上の温度で数時間加熱することによつて容易に生
成せしめることができる（乾式法、特公昭51−
28591号参照）。またBaFXはBaF2の懸濁液にハロ
ゲン化バリウムの溶液を加え、好ましくは減圧
下、加温しながら撹拌し、水分を徐々に蒸発乾固
せしめる操作によつても容易に生成せしめること
ができる（湿式法、特開昭51−61499号参照）。な
お上記乾式法および湿式法のいずれにおいても、
反応系中に付活剤原料を介在させることによつて
BaFXの生成と同時にBaFXと付活剤原料との均
一な混合をも達成することができる。いずれの螢
光体原料混合物調製方法においても、BaF2、ハ
ロゲン化バリウム、ハロゲン化ナトリウムおよび
付活剤原料、あるいはBaFX、ハロゲン化ナトリ
ウムおよび付活剤原料は充分に混合される。混合
は乳鉢、ボールミル、ロツドミル等の通常の混合
機によつて行われる。 次に得られた螢光体原料混合物を石英ボート、
アルミナルツボ、石英ルツボ等の耐熱性容器に充
填して電気炉中で焼成を行なう。焼成温度は600
乃至1000℃が適当である。焼成時間は螢光体原料
混合物の充填量、焼成温度等によつて異なるが、
一般には１乃至６時間が適当である。焼成雰囲気
として少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少
量の一酸化炭素を含む二酸化炭素雰囲気等の弱還
元性雰囲気を使用し、それによつて焼成過程にお
いて３価のユーロピウムを２価のユーロピウムに
還元する。なお、上記の焼成条件で一度焼成した
後、焼成物を電気炉から取り出して放冷後粉砕
し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填
して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で再焼成
を行なつてもよい。この場合、焼成雰囲気として
弱還元性雰囲気の代わりに窒素ガス雰囲気、アル
ゴンガス雰囲気等の中性雰囲気を使用してもよ
い。焼成後、得られる焼成物をほぐし、篩分け等
螢光体製造において一般に採用される各種操作に
よつて処理して本発明の螢光体を得る。 以上説明した製造方法などによつて得られる次
式、 BaFX・xNaX′：aEu2+ （但しＸおよびX′はいずれもCl、BrおよびＩのう
ちの少なくとも１種であり、ｘおよびａはそれぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ａ≦0.2なる条件を満た
す数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン
化物螢光体は、従来のBaFX：Eu2+螢光体と同様
にＸ線等の放射線の照射を受けた後450乃至
1100nｍの波長領域の電磁波で励起されると近紫
外線発光を示す。そしてその輝尽による発光の輝
度はBaFX：Eu2+螢光体よりも高い。従つてこの
螢光体を使用する本発明の放射線像変換方法は
BaFX：Eu2+螢光体を使用する放射線像変換方法
よりも高感度である。第１図は本発明の放射線像
変換方法に使用される２価のユーロピウム付活複
合ハロゲン化物螢光体の励起スペクトルを例示す
るものであり、管電圧80KVpのＸ線が照射され
た試料を用いて測定したBaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起スペクトルである。第１
図から明らかなように、BaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起可能な波長範囲は450乃至
1100nｍであり、特に450乃至750nｍが最適励起
波長範囲である。本発明の放射線像変換方法に使
用される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化
物螢光体の励起可能な波長範囲は螢光体の組成に
よつても若干異なるが、一般には第１図に示され
た結果とほぼ同じ450乃至1100nｍであり、最適
励起波長範囲は450乃至750nｍである。この範囲
では螢光体の温度を実質的に上昇させることなく
励起できる。この励起可能な波長範囲および最適
励起波長範囲はBaFX：Eu2+螢光体の励起可能な
波長範囲および最適励起波長範囲にほぼ一致す
る。 第２図は本発明の放射線像変換方法に使用され
る２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光
体の輝尽による発光スペクトルを例示するもので
あり、BaFBr・10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体に管
電圧80KVpのＸ線を照射した後、該螢光体をHe
−Neレーザー光（633nｍ）で励起することによ
つて測定した発光スペクトルである。螢光体の組
成によつても若干異なるが、本発明の放射線像変
換方法に使用される２価のユーロピウム付活複合
ハロゲン化物螢光体は輝尽によつて第２図に示さ
れるような近紫外発光を示す。そして該複合ハロ
ゲン化物螢光体の輝尽による発光スペクトルは
BaFX：Eu2+螢光体の輝尽による発光スペクトル
とほぼ同じである。 第３図および第４図はそれぞれBaFBr・
xNaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・xNaBr：
10-3Eu2+螢光体に管電圧80KVpのＸ線を照射し
た後、それら螢光体をHe−Neレーザー（633n
ｍ）で励起した時の螢光体の母体構成成分である
NaBrの量ｘ値（横軸）と輝尽による発光輝度
（縦軸）との関係を示すグラフであり、第３図の
縦軸はBaFBr：10-3Eu2+螢光体の輝尽による発光
輝度を100としたときの相対値で表わし、第４図
の縦軸はBaFCl：10-3Eu2+螢光体の輝尽による発
光輝度を100としたときの相対値で表している。
第３図および第４図から明らかなように、ｘ値が
０＜ｘ≦２の範囲にある本発明の放射線像変換方
法に使用されるBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢光体
およびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体はそれぞ
れｘ値が０であるBaFBr：10-3Eu2+螢光体および
BaFCl：10-3Eu2+螢光体よりも高輝度の輝尽発光
を示す。またBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢光体お
よびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体のいずれに
おいてもｘ値が10-5≦ｘ≦５×10-1の範囲にある
螢光体は特に発光輝度が高い。なお、第３図およ
び第４図はそれぞれBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+螢
光体およびBaFCl・xNaBr：10-3Eu2+螢光体につ
いてのｘ値と輝尽による発光輝度との関係を示す
ものであるが、母体構成成分であるハロゲン化ナ
トリウムの異なるBaFBr・xNaI：10-3Eu2+螢光
体BaFCl・xNaI：10-3Eu2+螢光体についてもｘ
値と輝尽による発光輝度との関係はそれぞれ第３
図および第４図とほぼ同じであつた。また
BBaFBr・xNaCl：10-3Eu2+、BaFCl・xNaCl：
10-3Eu2+螢光体のｘ値と輝尽による発光輝度と
の関係は第３図または第４図の各曲線ほど上に凸
ではないが、10-5〜２で輝尽発光輝度が改良され
る関係を示した。さらに第３図および第４図はい
ずれもEu2+量ａ値が10-3である螢光体について
のｘ値と輝尽による発光輝度との関係を示すもの
であるが、ａ値が変化した螢光体についてもｘ値
と輝尽による発光輝度との関係は第３図および第
４図と同様の傾向にあることが確認された。 本発明の放射線像変換方法を概略図を用いて具
体的に説明する。第５図において１１は放射線発
生装置、１２は被写体、１３は上記２価のユーロ
ピウム付活複合ハロゲン化物螢光体を含有する蓄
積性螢光体層を有する放射線像変換パネル、１４
は該放射線像変換パネル中に蓄積された放射線潜
像を螢光として放射させるための励起源としての
光源、１５は該放射線像変換パネルより放射され
た螢光を検出する光電電変換装置、１６は１５で
検出された光電変換信号を画像として再生する装
置、１７は再生された画像を表示する装置、１８
は光源１４からの反射光をカツトし、放射線像変
換パネル１３より放射された光のみを透過させる
ためのフイルターである。１５以降は１３からの
光情報を何らかの形で画線として再生できるもの
であればよく、上記に限定されるものではない。 第５図に示されるように、被写体１２を放射線
発生装置１１と放射線像変換パネル１３の間に配
置し、放射線を照射すると、放射線は被写体１２
の各部の放射線透過率の変化に従つて透過し、そ
の透過像（すなわち放射線の強弱の像）が放射線
像変換パネル１３に入射する。この入射した透過
像は放射線像変換パネル１３の蓄積性螢光体層に
吸収され、これによつて該螢光体層中に吸収した
放射線量に比例した数の電子または正孔が発生
し、これが蓄積性螢光体のトラツプレベルに蓄積
される。すなわち放射線透過像の蓄積像（一種の
潜像）が形成される。次にこの潜像を光エネルギ
ーで励起して顕在化する。 すなわち、光源１４から放射される励起光で放
射線像変換パネル１３の蓄積性螢光体を走査して
トラツプレベルに蓄積された電子または正孔を追
出し、蓄積像を螢光として放射せしめる。先に述
べたように、放射線像変換パネル３の蓄積性螢光
体層に用いられる２価のユーロピウム付活複合ハ
ロゲン化物螢光体の励起可能な波長範囲は450乃
至1100nｍであり、最適励起波長範囲は150乃至
750nｍであるので、励起光としては450乃至
1100nｍ、好ましくは450乃至750nｍの波長を有
する電磁波が用いられる。この範囲（450〜750n
ｍ）ならば蓄積性螢光体層の温度を実質的に上昇
させることなく励起できるので螢光体および螢光
体層の温度変化による劣化が未然に防止できる。 上記励起光による励起によつて蓄積性螢光体層
から放射される螢光の強弱は蓄積された電子また
は正孔の数すなわち放射線像変換パネル１３の蓄
積性螢光体層に吸収された放射線エネルギーの強
弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増
倍管等の光電変換装置１５で電気信号に変換し、
画像再生装置１６によつて画像として再生し画像
表示装置１７によつてこの画像を表示する。 上記本発明の放射線像変換方法において用いら
れる放射線像変換パネルは上記２価のユーロピウ
ム付活複合ハロゲン化物螢光体を適当な結合剤中
に分散して含有する蓄積性螢光体層を有する。蓄
積性螢光体層が自己支持性のものである場合には
蓄積性螢光体層自体が放射線像変換パネルとなり
得るが、一般には蓄積性螢光体層は適当な支持体
上に設けられて放射線像変換パネルが構成され
る。さらに通常は蓄積性ち螢光体層の片面（支持
体が設けられる面とは反対側の面）に該螢光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護
膜が設けられる。また蓄積性螢光体層と支持体と
をより密接に接着させる目的で螢光体層と支持体
との間に下塗り層が設けられる場合もある。な
お、上記のような構造を有する放射線像変換方法
パネルは特開昭55−163500号に開示されているよ
うに着色剤によつて着色されていてもよい（蓄積
性螢光体層が着色される場合には励起光入射側か
らその反対側に向つて着色度が次第に高くなるよ
うに着色されるのが好ましい） また放射線像変換パネルの蓄積性螢光体層には
本発明の式BaFX・xNaX′：aEu2+螢光体の他
に、所望により公知の蓄積性螢光体のうちで450
〜1100nｍの波長領域の電磁波で輝尽による発光
を示す蓄積性螢光体が併用されてもよい。併用さ
れるに好ましい公知の蓄積性螢光体としては特開
昭55−12144号に記されている希土類付活ランタ
ンオキシハライド螢光体、米国特許第4236078
号、特開昭55−12143号、同55−12145号、同55−
84389号、同56−2385号、同56−2386号、同56−
74175号等に記されている希土類付活アルカリ土
類金属フルオロハライド螢光体などがある。 また放射線像変換パネルの蓄積性螢光体層中に
特開昭55−146447号に開示されているように白色
粉体が分散されていてもよい。さらに、放射線像
変換パネルは特開昭56−11393号あるいは特開昭
56−12600号に開示されているように蓄積性螢光
体層の励起光入射側とは反対の側に金属反射層あ
るいは白色顔料反射層が設けられていてもよい。
このように着色剤あるいは白色粉末を使用するこ
とによつて、また光反射層を設けることによつ
て、鮮鋭度の高い画像を与える放射線像変換パネ
ルを得ることができる。 本発明の放射線像変換方法において上記放射線
像変換パネルの蓄積性螢光体層を励起する光エネ
ルギーの光源としては、450乃至1100nｍの波長
領域にバントスペクトル分布をもつた光を放射す
る光源の他にHe−Neレーザー光（633nｍ）、
YAGレーザー光（1064nｍ）、ルビーレーザー光
（694nｍ）、アルゴンレーザー（488nｍ）等の単
一波長の光を放射する光源が使用される。特にレ
ーザー光を用いる場合には高い励起エネルギーを
得ることができる。レーザー光の中でも特にHe
−Neレーザー光を用いるのがより好ましい。 先に説明したように、本発明の放射線像変換方
法に使用される２価のユーロピウム付活複合ハロ
ゲン化物螢光体は従来のBaFX：Eu2+螢光体より
も輝尽による発光輝度が高い。従つて本発明の放
射線像変換方法はBaFX：Eu2+螢光体のみを使用
する放射線像変換方法よりも高感度である。 次に実施例によつて本発明を説明する。 実施例 １ BaF2175.5ｇ（１モル）、BaBr2297.1ｇ（１モ
ル）、NaBr0.206ｇ（２×10-3モル）および
EuBr30.783ｇ（２×10-3モル）を秤取し、ボール
ミルを用いて充分に混合した。得られた螢光体原
料混合物を石英ボートに充填してチユーブ炉に入
れ焼成を行なつた。焼成は１容量％の水素ガスを
含む窒素ガスを流速280c.c.／分で流しながら900℃
で２時間行なつた。焼成後、石英ボートをチユー
ブ炉から取り出し室温まで放冷した。得られた焼
成物をボールミルを用いて粉砕した後、焼成物粉
末を再び石英ボートに充填してチユーブ炉に入れ
て２次焼成を行なつた。２次焼成は窒素ガスを流
速280c.c.／分で流しながら700℃で１時間行なつ
た。２次焼成後、石英ボートをチユーブ炉から取
り出して室温まで放冷し、得られた焼成物をほぐ
して篩にかけた。このようにしてBaFBr・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体を得た。 また、NaBrの代わりにNaCl0.117ｇ（２×10-3
モル）およびNaI0.30ｇ（２×10-3モル）をそれ
ぞれ使用すること以外は上述と同様にして
BaFBr・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体および
BaFBr・10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を製造した。
さらにNaBrを使用しないこと以外は上述と同様
にしてBaFBr・10-3Eu2+螢光体を製造した。 次に上記４種類の螢光体を用いて放射線像変換
パネルを製造した。いずれの放射線像変換パネル
も以下のようにして製造した。 まず螢光体８重量部と硝化綿（結合剤）１重量
部とを溶剤（アセトン、酢酸エチルおよび酢酸ブ
チルの混液）を用いて混合し、粘度がおよそ50セ
ンチストークスの塗布液を調製した。次にこの塗
布液を水平に置いたポリエチレンテレフタレート
フイルム（支持体）上に均一塗布し、一昼夜放置
して自然乾燥することによつて層厚が約300μの
螢光体層を形成し、放射線像変換パネルとした。 次に得られた４種類の放射線像変換パネルの輝
尽による発光輝度を測定した。この輝尽による発
光輝度の測定は放射線像変換パネルに管電圧
80KVpのＸ線を照射した後、これをHe−Neレー
ザー光（633nｍ）で励起し、その螢光体層から
放射される螢光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電
子増倍管）で受光することによつて行なつた。 BaFBr・10-3NaBr：10-3EU2+螢光体、
BaFBr・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体および
BaFBr・10-3NaI螢光体を用いた放射線像変換パ
ネルはいずれも輝尽による発光輝度がBaFBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線変換パネルの約
２倍であつた。なお、詳しい数値を下記第１表に
示す。従つてそれら放射線像変換パネルを使用す
る本発明の放射線像変換方法はBaFBr：10-3Eu2+
螢光体のみを用いた放射線変換パネルを使用する
放射線像変換方法に比べて約２倍高感度である。 実施例 ２ 螢光体原料としてBaF2175.3ｇ（１モル）、
BaCl2208.2ｇ（１モル）、NaCl0.117ｇ（２×10-3
モル）およびEuCl30.517ｇ（２×10-3モル）を用
いること以外は実施例１と同様にしてBaFCl・
10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体を製造した。また
NaClの代わりにNaBr0.206ｇ（２×10-3モル）お
よびNaI0.30ｇ（２×10-3モル）をそれぞれもち
いること以外は上記と同様にしてBaFCl・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・
10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を製造した。さらに
NaClを使用しないこと以外は上記と同様にして
BaFCl：10-3Eu25螢光体を製造した。 次に得られた４種類の螢光体を用いて実施例１
と同様にして放射線像変換パネルを製造した。そ
の後得られた４種類の放射線像変換パネルの輝尽
による発光輝度を実施例１と同様にして測定し
た。 BaFCl・10-3NaCl：10-3Eu2+螢光体、BaFCl・
10-3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFCl・
10-3NaI：10-3Eu2+螢光体を用た放射線像変換パ
ネルはいずれｇも輝尽による発光輝度がBaFCl：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルの
２倍強であつた。なお、詳しい数値は下記第１表
に示す。従つてそれら放射線像変換パネルを使用
する本発明の放射線像変換方法はBaFCl：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射線像変換パネ
ルを使用する放射線像変換方法に比べて２倍強高
感度である。 実施例 ３ NaBrをそれぞれ61.7ｇ（0.6モル）、247.0ｇ
（2.4モル）および493.9ｇ（4.8モル）用いること
以外は実施例１と同様にしてBaFBr・0.3NaBr：
10-3Eu2+螢光体、BaFBr・1.2NaBr：10-3Eu2+螢
光体およびBaFBr・2.4NaBr：10-3Eu2+螢光体を
製造した。 次に得られた３種類の螢光体を用いて実施例１
と同様にして放射線像変換パネルを製造した。そ
の後得られた３種類の放射線像変換パネルの輝尽
による発光輝度を実施例１と同様にして測定し
た。 下記第１表に示されるように、BaFBr・
0.3NaBr：10-3Eu2+螢光体およびBaFBr・
1.2NaBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換
パネルは輝尽による発光輝度が実施例１の
BaFBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パ
ネルのそれぞれ約1.7倍および約1.2倍であつた
が、NaBr量がより多いBaFBr・2.4NaBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルは
輝尽による発光輝度が実施例１のBaFBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルの
約0.7倍であつた。従つてBaFBr・0.3NaBr：
10-3Eu2+螢光体およびBaFBr・1.2NaBr：
10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換パネルを
使用する本発明の放射線像変換方法はBaFBr：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射像変換パネル
を使用する放射線像変換方法に比べてそれぞれ約
1.7倍および約1.2倍高感度であるが、BaFBr・
2.4NaBr：10-3Eu2+螢光体を用いた放射線像変換
パネルを使用する放射線像変換方法はBaFBr：
10-3Eu2+螢光体のみを用いた放射線像変換パネ
ルを使用する放射線像変換方法に比べて約30％感
度が低い。
【表】
第１図および第２図はそれぞれ本発明の放射線
像変換方法に使用されるBaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起スペクトルおよび輝尽尽
による発光スペクトルである。第３図および第４
図はBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+およびBaFCl・
xNaBr：10-3Eu2+螢光体におけるNaBr量ｘ値と
輝尽による発光輝度との関係を示すグラフであ
る。第５図は本発明の放射線像変換方法の概略説
明図である。 １１……放射線発生装置、１２……被写体、１
３……放射線像変換パネル、１４……光源、１５
……光電変換装置、１６……画像再生装置、１７
……画像表示装置、１８……フイルター。
像変換方法に使用されるBaFBr・10-3NaBr：
10-3Eu2+螢光体の励起スペクトルおよび輝尽尽
による発光スペクトルである。第３図および第４
図はBaFBr・xNaBr：10-3Eu2+およびBaFCl・
xNaBr：10-3Eu2+螢光体におけるNaBr量ｘ値と
輝尽による発光輝度との関係を示すグラフであ
る。第５図は本発明の放射線像変換方法の概略説
明図である。 １１……放射線発生装置、１２……被写体、１
３……放射線像変換パネル、１４……光源、１５
……光電変換装置、１６……画像再生装置、１７
……画像表示装置、１８……フイルター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次式 BaFX・xNaX′：aEu2+ （但しＸおよびX′はいずれもCl、BrおよびＩのう
ちの少なくとも１種であり、ｘおよびａはそれぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ａ≦0.2なる条件を満た
す数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン
化物螢光体を含む蓄積性螢光体に被写体を透過し
た放射線を吸収せしめ、しかる後この螢光体を
450乃至1100nｍの波長領域の電磁波で励起して
螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢光と
して放出せしめ、この螢光を検出することを特徴
とする放射線像変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16632082A JPS5956479A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 放射線像変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16632082A JPS5956479A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 放射線像変換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956479A JPS5956479A (ja) | 1984-03-31 |
| JPS6230237B2 true JPS6230237B2 (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=15829162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16632082A Granted JPS5956479A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 放射線像変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956479A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008297505A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子線励起用白色蛍光体および白色発光素子乃至装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0148507B1 (en) | 1983-12-28 | 1989-07-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Phosphor and radiation image storage panel employing the same |
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| JPH0625360B2 (ja) * | 1984-04-12 | 1994-04-06 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換方法 |
| JPH0616392B2 (ja) * | 1984-07-19 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録再生方法及び装置 |
| JPS61138441A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子顕微鏡像記録再生方法 |
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| US5672514A (en) * | 1995-02-01 | 1997-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemiluminescent detecting method and apparatus |
| EP1017062A3 (en) | 1998-12-28 | 2001-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image conversion panel and method of manufacturing radiation image conversion panel |
| US6531073B1 (en) | 1999-12-24 | 2003-03-11 | Konica Corporation | Rare earth activated alkali earth metal fluorohalide stimulable phosphor, preparation method thereof and radiation image conversion panel |
| EP1256794A2 (en) | 2001-05-11 | 2002-11-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Biochemical analysis data producing method and scanner used thereof |
| DE60202240T2 (de) | 2001-05-21 | 2005-12-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara | Vorrichtung zur Durchführung biochemischer Analysen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| KR100969209B1 (ko) | 2002-01-31 | 2010-07-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 생화학분석용 유니트의 제조방법 |
| DE60300424T2 (de) | 2002-01-31 | 2006-03-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara | Vorrichtung zur Durchführung biochemischer Analysen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP5376528B2 (ja) * | 2010-05-06 | 2013-12-25 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | 放射線および中性子イメージ検出器 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16632082A patent/JPS5956479A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008297505A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子線励起用白色蛍光体および白色発光素子乃至装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956479A (ja) | 1984-03-31 |
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