JPH026654Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH026654Y2 JPH026654Y2 JP1984124293U JP12429384U JPH026654Y2 JP H026654 Y2 JPH026654 Y2 JP H026654Y2 JP 1984124293 U JP1984124293 U JP 1984124293U JP 12429384 U JP12429384 U JP 12429384U JP H026654 Y2 JPH026654 Y2 JP H026654Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- oscillator
- delay
- temperature
- Prior art date
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- Expired
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、同一基板上に基準用及び温度測定用
の各発振器として用いられる弾性表面波遅延素子
をそれぞれ設定した弾性表面波発振器に関する。
の各発振器として用いられる弾性表面波遅延素子
をそれぞれ設定した弾性表面波発振器に関する。
（従来の技術）
第１図は、弾性表面波発振器のブロツク構成図
を示し、１は弾性表面波遅延素子、２は増幅器で
あり、該増幅器の利得をＧ、位相遅延量をφAと
し、前記弾性表面波遅延素子の損失をIL、位相
遅延量をφSとしたとき、つぎの(1)式で発振する。
を示し、１は弾性表面波遅延素子、２は増幅器で
あり、該増幅器の利得をＧ、位相遅延量をφAと
し、前記弾性表面波遅延素子の損失をIL、位相
遅延量をφSとしたとき、つぎの(1)式で発振する。
ＧIL
φA＋φS＝2nπ（ｎ：整数） ……(1)
(1)式において、発振周波数をとし、温度によ
る発振周波数の変化量△は、(2)式によつて表わ
される。
る発振周波数の変化量△は、(2)式によつて表わ
される。
△＝×（−TCD）×△Ｔ ……(2)
ここで、TCDは弾性表面波遅延素子の遅延量
温度係数 △Ｔは温度差である。
温度係数 △Ｔは温度差である。
（考案が解決しようとする問題点）
一般の弾性表面波遅延素子の場合、前記遅延量
温度係数TCDは、使用する圧電基板材料、カツ
ト角、弾性表面波の伝播方向によつて決定され、
層状構造弾性表面波素子の場合、その表面層の膜
厚にも依存することが知られている。従来、この
弾性表面波の遅延量温度係数TCDが比較的大き
いことを利用して、弾性表面波発振器による温度
測定が行われてきた。しかし、発振周波数の変化
量△を測定するため、比較すべき基準発振器の
精度によつて温度測定の精度が決定されるため、
基準発振器は高精度のものが必要となり、比較
的、高価になるという欠点があつた。
温度係数TCDは、使用する圧電基板材料、カツ
ト角、弾性表面波の伝播方向によつて決定され、
層状構造弾性表面波素子の場合、その表面層の膜
厚にも依存することが知られている。従来、この
弾性表面波の遅延量温度係数TCDが比較的大き
いことを利用して、弾性表面波発振器による温度
測定が行われてきた。しかし、発振周波数の変化
量△を測定するため、比較すべき基準発振器の
精度によつて温度測定の精度が決定されるため、
基準発振器は高精度のものが必要となり、比較
的、高価になるという欠点があつた。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、このような欠点を除去するため、基
準発振器用遅延線を、温度測定用発振器の弾性表
面波遅延素子の同一基板上に設け、該弾性表面波
遅延線を層状構造とし、前記基板上に２つの遅延
素子の表面層の膜厚を異ならせることによつて、
遅延量温度係数TCDに差をもたせるように構成
したものである。以下、図面により詳細に説明す
る。
準発振器用遅延線を、温度測定用発振器の弾性表
面波遅延素子の同一基板上に設け、該弾性表面波
遅延線を層状構造とし、前記基板上に２つの遅延
素子の表面層の膜厚を異ならせることによつて、
遅延量温度係数TCDに差をもたせるように構成
したものである。以下、図面により詳細に説明す
る。
（実施例）
第２図は本考案の一実施例の斜視図で、１１は
圧電基板、１２は基準発振器用入出力すだれ電
極、１３は温度測定用発振器用入出力すだれ電極
で、図示のとおり同一の圧電基板１１上に設けら
れている。また１４及び１５はそれぞれ基準発振
器及び温度測定用発振器のための増幅器である。
圧電基板、１２は基準発振器用入出力すだれ電
極、１３は温度測定用発振器用入出力すだれ電極
で、図示のとおり同一の圧電基板１１上に設けら
れている。また１４及び１５はそれぞれ基準発振
器及び温度測定用発振器のための増幅器である。
また、前記圧電基板１１上の層１６はSiO2膜
で、入出力すだれ状電極１２及び１３はその膜厚
を異にし、遅延量温度係数TCDをそれぞれ異な
るようにしてある。
で、入出力すだれ状電極１２及び１３はその膜厚
を異にし、遅延量温度係数TCDをそれぞれ異な
るようにしてある。
いま、入出力すだれ状電極１２及び１３の遅延
量温度係数をTCDRe及びTCDtnpとすると、基準
発振器は、入出力すだれ状電極１２及び増幅器１
４によつて、(1)式の条件のもとに発振する。
量温度係数をTCDRe及びTCDtnpとすると、基準
発振器は、入出力すだれ状電極１２及び増幅器１
４によつて、(1)式の条件のもとに発振する。
また温度測定用発振器は、入出力すだれ状電極
１３及び増幅器１５によつて同じく(1)式の条件の
もとに発振する。これら２つの発振器の発振周波
数Re，tnpの温度差△Ｔによる発振周波数の変
化量△Re，△tnpは、(2)式によつて、 △Re＝Re×（−TCDRe）×△Ｔ ……(3) △tnp＝tnp×（−TCDtnp）×△Ｔ ……(4) となる。また(4)及び(3)式より △tnp−△Re＝｛tnp× （−TCDtnp）−Re× （−TCDRe）｝×△Ｔ ……(5) となり、基準発振器と温度測定用発振器の発振周
波数の変化量の差は、温度差△Ｔに比例している
ことがわかる。
１３及び増幅器１５によつて同じく(1)式の条件の
もとに発振する。これら２つの発振器の発振周波
数Re，tnpの温度差△Ｔによる発振周波数の変
化量△Re，△tnpは、(2)式によつて、 △Re＝Re×（−TCDRe）×△Ｔ ……(3) △tnp＝tnp×（−TCDtnp）×△Ｔ ……(4) となる。また(4)及び(3)式より △tnp−△Re＝｛tnp× （−TCDtnp）−Re× （−TCDRe）｝×△Ｔ ……(5) となり、基準発振器と温度測定用発振器の発振周
波数の変化量の差は、温度差△Ｔに比例している
ことがわかる。
本考案は上述したように２つの発振器の遅延線
が同一基板上に設けられているため、２つの遅延
線の温度差は極めて小さいので、基準発振器自体
の温度安定度によらず、正確な温度測定が可能と
なる。
が同一基板上に設けられているため、２つの遅延
線の温度差は極めて小さいので、基準発振器自体
の温度安定度によらず、正確な温度測定が可能と
なる。
一実施例として、Ｚカツト、Ｙ方向伝播ニオブ
酸リチウム酸基板上にSiO2膜を付着した場合、
膜厚がkh＝2.1（ｋ：弾性表面波の波数、ｈ：
SiO2膜厚）のとき、TCD＝０となり、△Re＝
０となるので、特に基準発振器の遅延線に適す
る。また、kh＝０の基板自体のTCDは、TCD＝
76ppm／℃であり、温度測定用発振器の遅延線と
して、kh＝０〜2.1に選ぶことにより、△／
／△Ｔ＝−76ppm／℃〜0ppm／℃、kh＝2.1以
上とすることにより、△／／△Ｔを正の値に
とることもできる。従つてSiO2膜厚を適当に選
べば比較的自由に測定温度の感度を得ることがで
きる。
酸リチウム酸基板上にSiO2膜を付着した場合、
膜厚がkh＝2.1（ｋ：弾性表面波の波数、ｈ：
SiO2膜厚）のとき、TCD＝０となり、△Re＝
０となるので、特に基準発振器の遅延線に適す
る。また、kh＝０の基板自体のTCDは、TCD＝
76ppm／℃であり、温度測定用発振器の遅延線と
して、kh＝０〜2.1に選ぶことにより、△／
／△Ｔ＝−76ppm／℃〜0ppm／℃、kh＝2.1以
上とすることにより、△／／△Ｔを正の値に
とることもできる。従つてSiO2膜厚を適当に選
べば比較的自由に測定温度の感度を得ることがで
きる。
なお、遅延素子の製作は、１回のフオト・リン
グラフイー工程及びSiO2エツチング工程を加え
ることで、基準発振器用及びある範囲内で任意の
温度感度の発振器用弾性表面波遅延線を同時に簡
単に製作できる。
グラフイー工程及びSiO2エツチング工程を加え
ることで、基準発振器用及びある範囲内で任意の
温度感度の発振器用弾性表面波遅延線を同時に簡
単に製作できる。
（考案の効果）
以上説明したように本考案は、膜厚の異なる少
くとも２つの層状構造弾性表面波素子を同一基板
上に設定し、その遅延時間温度係数TCDが膜厚
により差異があることを利用して、基準用及び温
度測定用の各発振器としたものであるから、高価
な高精度の基準発振器を別途に用いることなく温
度測定ができ、さらに２つの遅延性の温度差が極
めて小さいので正確な温度測定が可能である。
くとも２つの層状構造弾性表面波素子を同一基板
上に設定し、その遅延時間温度係数TCDが膜厚
により差異があることを利用して、基準用及び温
度測定用の各発振器としたものであるから、高価
な高精度の基準発振器を別途に用いることなく温
度測定ができ、さらに２つの遅延性の温度差が極
めて小さいので正確な温度測定が可能である。
第１図は従来の弾性表面波発振器のブロツク構
成図、第２図は本考案の一実施例にかかる弾性表
面波発振器の構成を示す斜視図である。 １１……圧電基板、１２……基準発振器用入出
力すだれ状電極、１３……温度測定用発振器の入
出力すだれ状電極、１４及び１５……増幅器、１
６……SiO2薄膜。
成図、第２図は本考案の一実施例にかかる弾性表
面波発振器の構成を示す斜視図である。 １１……圧電基板、１２……基準発振器用入出
力すだれ状電極、１３……温度測定用発振器の入
出力すだれ状電極、１４及び１５……増幅器、１
６……SiO2薄膜。
Claims (1)
- 圧電体上にすだれ状電極を対向配置し、圧電体
表面に非圧電体（例えばSiO2）の膜を付着した
層状構造弾性表面波素子を遅延素子に利用する弾
性表面波発振器において、層状構造弾性表面波素
子の遅延時間温度係数が前記膜の膜厚に依存する
ことを利用して前記膜厚の異なる少なくとも２つ
の層状構造弾性表面波素子を同一基板上に形成し
て基準用及び温度測定用の各発振器の遅延素子と
したことを特徴とする弾性表面波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12429384U JPS6140021U (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 弾性表面波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12429384U JPS6140021U (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 弾性表面波発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140021U JPS6140021U (ja) | 1986-03-13 |
| JPH026654Y2 true JPH026654Y2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=30683020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12429384U Granted JPS6140021U (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 弾性表面波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140021U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011142380A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
| JP5652343B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-01-14 | 株式会社デンソー | 弾性表面波デバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55112043A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Standard signal generator |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP12429384U patent/JPS6140021U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140021U (ja) | 1986-03-13 |
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