JPH0267559A - 干渉露光装置 - Google Patents
干渉露光装置Info
- Publication number
- JPH0267559A JPH0267559A JP63221109A JP22110988A JPH0267559A JP H0267559 A JPH0267559 A JP H0267559A JP 63221109 A JP63221109 A JP 63221109A JP 22110988 A JP22110988 A JP 22110988A JP H0267559 A JPH0267559 A JP H0267559A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- lens
- luminous fluxes
- pitch
- refractive index
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光の干渉を利用して特定のピッチの明暗の
縞をフォトレジストに感光させる干渉露光装置に関する
。
縞をフォトレジストに感光させる干渉露光装置に関する
。
第2図は従来の短いピッチを切る干渉露光装置を示す模
式断面図である。図において、filは光源となる紫外
線レーザ、(21、(sa)、(sb)はミラー(3a
)、(3b)はレンズ、(4)はビームスプリッタ、(
6)は光束、(7)は露光されるフォトレジストが塗布
されたウェハ、(8)はフォトレジストを侵さないよう
な液体で例えば水、 (9a)、(9b)は液体(8)
を押し除けるための枠、(10す、(xob)は光束(
6)が大気中から液体(8)に垂直に入射するように取
り付けた光透過窓である。
式断面図である。図において、filは光源となる紫外
線レーザ、(21、(sa)、(sb)はミラー(3a
)、(3b)はレンズ、(4)はビームスプリッタ、(
6)は光束、(7)は露光されるフォトレジストが塗布
されたウェハ、(8)はフォトレジストを侵さないよう
な液体で例えば水、 (9a)、(9b)は液体(8)
を押し除けるための枠、(10す、(xob)は光束(
6)が大気中から液体(8)に垂直に入射するように取
り付けた光透過窓である。
次に動作について説明する。紫外線レーザ(11から出
射した光は、ミラー(2]で反射され、レンズ(3a)
、(3b)を通過することによりビームの径が広げられ
、ビームスブリック(4)で2方回に分割される。更1
7: < 5− (5a)、(5b)で反射さ第1′C
1光束(6)はウェハ(”、) ニ2 方向から照射し
、フォトレジストを感光する。このとき、液体(8)の
屈折率11は1より大きいので、液体(8)中での光束
(6)の波長は、大気中に比べて1/nに短くなる。し
たがって、大気中で露光する場合に比べて、1/n倍の
短い周期でフォトレジストを感光させることができる。
射した光は、ミラー(2]で反射され、レンズ(3a)
、(3b)を通過することによりビームの径が広げられ
、ビームスブリック(4)で2方回に分割される。更1
7: < 5− (5a)、(5b)で反射さ第1′C
1光束(6)はウェハ(”、) ニ2 方向から照射し
、フォトレジストを感光する。このとき、液体(8)の
屈折率11は1より大きいので、液体(8)中での光束
(6)の波長は、大気中に比べて1/nに短くなる。し
たがって、大気中で露光する場合に比べて、1/n倍の
短い周期でフォトレジストを感光させることができる。
このとき、液体(8)を押し除ける枠(9す、(9b)
に付属している光透過窓(10す、(xob)は光束(
6)に対して常に垂直になるようにしてあり、光束(6
)の進行方向を大気と液体(8)の境界で変えないよう
になっている。
に付属している光透過窓(10す、(xob)は光束(
6)に対して常に垂直になるようにしてあり、光束(6
)の進行方向を大気と液体(8)の境界で変えないよう
になっている。
しかしながら、従来の短いピッチを切る干渉露光装置は
、光透過窓(1oa)、(1ob)が常に光束(6)ト
直交するように位置する必要があり、ピッチを変えるた
めにミラー(5λ)、(5b)を回転させると、それに
応じて液体(8)を押し除ける枠(91)、(9b)も
移動させなけわばならなかった。
、光透過窓(1oa)、(1ob)が常に光束(6)ト
直交するように位置する必要があり、ピッチを変えるた
めにミラー(5λ)、(5b)を回転させると、それに
応じて液体(8)を押し除ける枠(91)、(9b)も
移動させなけわばならなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、通常の干渉露光装置程度の可動部分があれば
露光できる装置を得ることを目的とする。
たもので、通常の干渉露光装置程度の可動部分があれば
露光できる装置を得ることを目的とする。
この発明に係る干渉露光装置は、クエへを浸した液体の
上部に、その液体と同じ屈折率を有する球状のレンズを
設けたものである。
上部に、その液体と同じ屈折率を有する球状のレンズを
設けたものである。
この発明における球状のレンズは、ウェハに光束がどの
方向から入射しても、その進行方向は、大気からとレン
ズに入射してからとで変化しないようになっている。ま
た1球状レンズの効果を利用して集光も行う。
方向から入射しても、その進行方向は、大気からとレン
ズに入射してからとで変化しないようになっている。ま
た1球状レンズの効果を利用して集光も行う。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は干渉露光装置を示す模式断面図である。
図において、(1)〜(3す、(4)〜(8)は第2図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。
αυは球状の固体で、例えばガラス又は球状の外殻例え
ば、ガラスでおおった液体列えば、水から成るレンズで
ある。
ば、ガラスでおおった液体列えば、水から成るレンズで
ある。
久に動作について説明する。紫外線レーザ(1)から出
射した光は、ミラー(2)で反射され、レンズ(3りを
違った後にビームが広がりながらビームスプリッタ(4
)で2方向lζ分割されるc、2方向に分割された光束
(6)はミラー(sa)、(5b)で反射され、レンズ
αυに入射して平行光線になり、2方向からウェハ(7
)に液体(8)の中で照射する。このとき、干渉は自由
空間に比べて液体(8)中ではピッチが1/n(nは液
体(8)の屈折率)になるので、非常に短ピツチの干渉
を得ることができる。また、ピッチを変えるために、
ミラー(5a)、(5b)を動かし光束(6)の角度を
変えても、レンズ(9)に必ず垂直に入射するので、従
来の露光装置のように液体(8)に垂直に入射させるた
めの可動部分を必要としない。
射した光は、ミラー(2)で反射され、レンズ(3りを
違った後にビームが広がりながらビームスプリッタ(4
)で2方向lζ分割されるc、2方向に分割された光束
(6)はミラー(sa)、(5b)で反射され、レンズ
αυに入射して平行光線になり、2方向からウェハ(7
)に液体(8)の中で照射する。このとき、干渉は自由
空間に比べて液体(8)中ではピッチが1/n(nは液
体(8)の屈折率)になるので、非常に短ピツチの干渉
を得ることができる。また、ピッチを変えるために、
ミラー(5a)、(5b)を動かし光束(6)の角度を
変えても、レンズ(9)に必ず垂直に入射するので、従
来の露光装置のように液体(8)に垂直に入射させるた
めの可動部分を必要としない。
以上のように、この発明によれば液体に光が入射する部
分をレンズ状にしたので、可動部分が一部省略でき、ま
た他のレンズが一枚省略可能で、装置が安価にできる効
果がある。
分をレンズ状にしたので、可動部分が一部省略でき、ま
た他のレンズが一枚省略可能で、装置が安価にできる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例による干渉露光装置を示す
模式断面図、第2図は従来の干渉露光装置を示す模式断
面図である。図において(1)は紫外線レーザ、(2J
、(5す、(5b)はミy −(3a)*(11) j
! L/ンズ、(4)はビームスプリッタ、(6)は光
束、(7)はウェハ、(81は液体、(51り、(9b
)は枠、(10す、(xob)は光透過窓である。なお
図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 I紫外線」−ブ 2、5a、5b:ミラー 3a、III/ン又 チに一瓜又フ゛ソッタ ≦tL 7ウエハ It:”7資:イ本
模式断面図、第2図は従来の干渉露光装置を示す模式断
面図である。図において(1)は紫外線レーザ、(2J
、(5す、(5b)はミy −(3a)*(11) j
! L/ンズ、(4)はビームスプリッタ、(6)は光
束、(7)はウェハ、(81は液体、(51り、(9b
)は枠、(10す、(xob)は光透過窓である。なお
図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 I紫外線」−ブ 2、5a、5b:ミラー 3a、III/ン又 チに一瓜又フ゛ソッタ ≦tL 7ウエハ It:”7資:イ本
Claims (1)
- 液体中で露光する干渉露光装置において、大気中から上
記液体中へ紫外線が入射する境界面を、球状に構成した
ことを特徴とする干渉露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221109A JPH0267559A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 干渉露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221109A JPH0267559A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 干渉露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267559A true JPH0267559A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16761623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221109A Pending JPH0267559A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 干渉露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267559A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210923A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 基板上にパターンを製作するシステムおよびその方法 |
| JP2007324590A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Asml Holding Nv | リソグラフィシステムにおけるピッチを有する干渉パターンを印刷するためのシステムおよび方法 |
| US11131929B2 (en) * | 2018-11-07 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
| US11131934B2 (en) | 2019-10-29 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63221109A patent/JPH0267559A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8110345B2 (en) | 2002-12-04 | 2012-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High resolution lithography system and method |
| JP2006210923A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 基板上にパターンを製作するシステムおよびその方法 |
| JP2007324590A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Asml Holding Nv | リソグラフィシステムにおけるピッチを有する干渉パターンを印刷するためのシステムおよび方法 |
| US8934084B2 (en) | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
| US11131929B2 (en) * | 2018-11-07 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
| US11994802B2 (en) | 2018-11-07 | 2024-05-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
| US11131934B2 (en) | 2019-10-29 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
| US11520236B2 (en) | 2019-10-29 | 2022-12-06 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
| US11868050B2 (en) | 2019-10-29 | 2024-01-09 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
| US12174547B2 (en) | 2019-10-29 | 2024-12-24 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
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