JPH0268955A - 冷却プラグイン・モジュール - Google Patents
冷却プラグイン・モジュールInfo
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- JPH0268955A JPH0268955A JP1164118A JP16411889A JPH0268955A JP H0268955 A JPH0268955 A JP H0268955A JP 1164118 A JP1164118 A JP 1164118A JP 16411889 A JP16411889 A JP 16411889A JP H0268955 A JPH0268955 A JP H0268955A
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- JP
- Japan
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- housing
- cooling
- low thermal
- thermal conductance
- plug
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/30—Arrangements for thermal protection or thermal control wherein the packaged device is completely immersed in a fluid other than air, e.g. immersed in a cryogenic fluid
- H10W40/305—Arrangements for thermal protection or thermal control wherein the packaged device is completely immersed in a fluid other than air, e.g. immersed in a cryogenic fluid the fluid being a liquefied gas, e.g. liquid nitrogen
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は空冷印刷回路ボードに対し冷却された半導体
装置を接続するプラグイン・モジュールに関する。
装置を接続するプラグイン・モジュールに関する。
冷却温度から冷却温度まで集積回路の温度を下げる理由
は知られている。ある型の集積回路において、動作温度
が絶対温度Ｏに近づくと抵抗が下がシ、スイッチング速
度が上る。例えば、液体窒素の冷却温度、−１９６℃が
集積回路に加えられると、スイッチング速度は上昇する
。
は知られている。ある型の集積回路において、動作温度
が絶対温度Ｏに近づくと抵抗が下がシ、スイッチング速
度が上る。例えば、液体窒素の冷却温度、−１９６℃が
集積回路に加えられると、スイッチング速度は上昇する
。
ＶＬＳＩを冷却する場合の問題の１つは、冷却ＶＬＳ１
回路と室温の電子回路との間を接続するリードに付着す
る水分である。霜がつくと、それはその外面が空中の他
の水分を氷らせる容量を失うまで厚くなる。しかし、霜
の表面温度が周囲の室温の結露点より低くなると（それ
は常に近くなる）。
回路と室温の電子回路との間を接続するリードに付着す
る水分である。霜がつくと、それはその外面が空中の他
の水分を氷らせる容量を失うまで厚くなる。しかし、霜
の表面温度が周囲の室温の結露点より低くなると（それ
は常に近くなる）。
水分は続けて水滴になる。そのような霜の発生は各成分
に望ましくない物理的ストレスをひきおこし、リード線
の間で漏洩や漏話を発生する。水たまシは腐植や短絡の
原因となる。そのような状態は高速電子システムにおい
ては好ましいものではない。
に望ましくない物理的ストレスをひきおこし、リード線
の間で漏洩や漏話を発生する。水たまシは腐植や短絡の
原因となる。そのような状態は高速電子システムにおい
ては好ましいものではない。
この発明の目的は水分や霜を付着しない室温システムに
冷却ＶＬＳＩ回路を接続するシステムを提供することで
ある。
冷却ＶＬＳＩ回路を接続するシステムを提供することで
ある。
更に、この発明の目的は接続システムから電線リードの
出口付近に必要なヒータを持つ接続システムを提供する
ことである。
出口付近に必要なヒータを持つ接続システムを提供する
ことである。
更に、この発明の目的は電気リードの温度を制御する装
置を有する接続システムを提供することである。
置を有する接続システムを提供することである。
この発明は上記の問題を解決するだめに下記のように構
成した。それは絶縁されたハウジング内に半導体回路用
取付装置を持つようにした絶縁ハウジングを含む半導体
回路用冷却システムである。
成した。それは絶縁されたハウジング内に半導体回路用
取付装置を持つようにした絶縁ハウジングを含む半導体
回路用冷却システムである。
電気導通装置は半導体回路からハウジングの外のコネク
タまで信号を電気的に接続する。この電気導通装置は低
い熱コンダクタンスを有する。このシステムは絶縁ハウ
ジング内にある半導体回路を冷却する装置を持つ。
タまで信号を電気的に接続する。この電気導通装置は低
い熱コンダクタンスを有する。このシステムは絶縁ハウ
ジング内にある半導体回路を冷却する装置を持つ。
この発明の他の面によると、絶縁ハウジング内に半導体
回路用取付装置を有する絶縁ハウジングを含む半導体回
路冷却システムを提供する。低温コンダクタンスの電気
導通装置は半導体回路からハウジング外部のコネクタま
で信号を電気的に接続する。このシステムは熱的に接続
された絶縁ハウジング内に取付けられた半導体回路を冷
却する装置を持つ、その上、この電気導通装置は絶縁ノ
・ウジング内の低温コンダクタンス電気導通装置の温度
を上昇する。
回路用取付装置を有する絶縁ハウジングを含む半導体回
路冷却システムを提供する。低温コンダクタンスの電気
導通装置は半導体回路からハウジング外部のコネクタま
で信号を電気的に接続する。このシステムは熱的に接続
された絶縁ハウジング内に取付けられた半導体回路を冷
却する装置を持つ、その上、この電気導通装置は絶縁ノ
・ウジング内の低温コンダクタンス電気導通装置の温度
を上昇する。
第１図はこの発明の冷却プラグイン・モジール１０の簡
単な断面図である。プラグイン・モジュール１０はその
下側１４に沿って多数の電気導体１２を持つ。それは印
刷回路ポード１８に取付けられている外部コネクタ１６
に接続するよう構成される。
単な断面図である。プラグイン・モジュール１０はその
下側１４に沿って多数の電気導体１２を持つ。それは印
刷回路ポード１８に取付けられている外部コネクタ１６
に接続するよう構成される。
プラグイン・モジュール１０はチャンバ２２を取囲み、
上絶縁部２４及び下絶縁部、２６を有する絶縁ハウジン
グ２０を持つ。上下絶縁部２４．２６はポリスチレン（
ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ）プラスチック０ホームのよ
うな低温コンダクタンス材料で作られる。この実施例に
おける各絶縁部２４，２６は夫夫のライナ２８，２９を
持ち、それは商標テフロンの名でＥ、 Ｉ 、Ｄｕ Ｐ
ｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏ 、で売
られているようなサーモプラスチック・フルオロカーが
ン・ポリマで作られたものでよい。上ライナ２８は下ラ
イナ２９に堅く嵌められ、チャンバ２２が液体窒素又は
液体ヘリウムのような冷却剤３０で満たすことができ、
そのとき緩んで漏れることなくその間を耐漏洩密封する
。
上絶縁部２４及び下絶縁部、２６を有する絶縁ハウジン
グ２０を持つ。上下絶縁部２４．２６はポリスチレン（
ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ）プラスチック０ホームのよ
うな低温コンダクタンス材料で作られる。この実施例に
おける各絶縁部２４，２６は夫夫のライナ２８，２９を
持ち、それは商標テフロンの名でＥ、 Ｉ 、Ｄｕ Ｐ
ｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏ 、で売
られているようなサーモプラスチック・フルオロカーが
ン・ポリマで作られたものでよい。上ライナ２８は下ラ
イナ２９に堅く嵌められ、チャンバ２２が液体窒素又は
液体ヘリウムのような冷却剤３０で満たすことができ、
そのとき緩んで漏れることなくその間を耐漏洩密封する
。
ハウジング１０の上部はチューブ３３を通して冷却剤を
供給し、第２のチューブ３４を通して沸騰した冷却剤を
排出するという２つの目的を持つ冷却液転送管３２に接
続される。この管は米国特許筒４，７４５，７６０号に
記載されている。
供給し、第２のチューブ３４を通して沸騰した冷却剤を
排出するという２つの目的を持つ冷却液転送管３２に接
続される。この管は米国特許筒４，７４５，７６０号に
記載されている。
集積回路コネクタ３６はチャンバ２２内の下ライナ２９
に取付けられる。集積回路３８はコネクタ３６に挿入さ
れたリード３９を有する。
に取付けられる。集積回路３８はコネクタ３６に挿入さ
れたリード３９を有する。
第２図は第１図のコネクタ３６を示し、それは集積回路
のリード３９が挿入され、下ライナ２９を通して穴４２
に設けられている多数のリセプタクル４０を持つ、コネ
クタ３６及びリセプタクル４０は下ライナ２９及び（又
は）穴４２と共に耐漏洩シールを形成する。これは穴４
２とリセプタクル４０との間の圧嵌によって行われる。
のリード３９が挿入され、下ライナ２９を通して穴４２
に設けられている多数のリセプタクル４０を持つ、コネ
クタ３６及びリセプタクル４０は下ライナ２９及び（又
は）穴４２と共に耐漏洩シールを形成する。これは穴４
２とリセプタクル４０との間の圧嵌によって行われる。
この圧嵌による堅さに対し、冷却剤３０を入れることに
より、リセプタクル４０の周囲で下ライナ２９及び穴４
２を縮めることによって更に堅くする。ライナ２９の下
の各リセプタクル４０は下絶縁部２６を通る夫々の通路
４３内におかれる。
より、リセプタクル４０の周囲で下ライナ２９及び穴４
２を縮めることによって更に堅くする。ライナ２９の下
の各リセプタクル４０は下絶縁部２６を通る夫々の通路
４３内におかれる。
各リセプタクル４０はリード３９０１つが挿入される空
洞４４を持つ、空洞４４内のりセグタクル４０にはスプ
リングクリップ４６が取付けられる。クリップ４６は２
つの重要な作用を持つ、その第１は、各スプリング・ク
リ、ｆ４６はリード３９とリセプタクル４０との間の電
気接続を行う。
洞４４を持つ、空洞４４内のりセグタクル４０にはスプ
リングクリップ４６が取付けられる。クリップ４６は２
つの重要な作用を持つ、その第１は、各スプリング・ク
リ、ｆ４６はリード３９とリセプタクル４０との間の電
気接続を行う。
その第２は、各スプリングクリソ：７°４６はリード３
９とリセプタクル４０との間にごくわずかな物理的接触
が発生したとき空洞４４内にリード３９を保持するとい
うことである。この後者は各り一ド３９と夫々のりセグ
タクル４０との間の熱コンダクタンスをこの構造につい
ては最小に下げる機能を持つ。
９とリセプタクル４０との間にごくわずかな物理的接触
が発生したとき空洞４４内にリード３９を保持するとい
うことである。この後者は各り一ド３９と夫々のりセグ
タクル４０との間の熱コンダクタンスをこの構造につい
ては最小に下げる機能を持つ。
各リセプタクル４０の底部には、低温コンダクタンス電
気導体５０が挿入された第２の空洞４８を有する。各導
体５０は通常の銅合金固体導体よシ本質的に低い熱コン
ダクタンスを有するステンレス鋼のような薄壁管金属で
作られる。しかし、良い電気接触を保証するため、各導
体５０は金のような良電導材料の薄膜がメツキされる。
気導体５０が挿入された第２の空洞４８を有する。各導
体５０は通常の銅合金固体導体よシ本質的に低い熱コン
ダクタンスを有するステンレス鋼のような薄壁管金属で
作られる。しかし、良い電気接触を保証するため、各導
体５０は金のような良電導材料の薄膜がメツキされる。
第２図の実施例における各導体５０は縮らせ、熔接し、
又は他の同様な処理によって各リセプタクル４０に取付
けられる。熱は導体５０の外面からその重複するリセプ
タクル４０の隣シ合う内面に伝達されるので、重複の量
が実現できる限シ低く保たれるべきである。
又は他の同様な処理によって各リセプタクル４０に取付
けられる。熱は導体５０の外面からその重複するリセプ
タクル４０の隣シ合う内面に伝達されるので、重複の量
が実現できる限シ低く保たれるべきである。
第３図は変更したリセプタクル４０Ａを使用したこの発
明の第２の実施例の一部断面図である。
明の第２の実施例の一部断面図である。
リセプタクル４０Ａはその上部に空洞４４を、又下部に
第２の空洞４８Ａを持つ、スプリング・クリップ４６は
空洞４４内のリセプタクル４０Ａに取付けられ、下スプ
リング・クリップ４６Ａは第２の空洞４８Ａ内に同様に
取付けられる。この実施例の各集積回路リード３９は第
２図のスプリング・クリソｆ４６によってその夫々のリ
セプタクル４０Ａに接続される。第２の実施例に対し、
各低温コンダクタンス電気導体５０は縮み、熔接又はそ
の他の同様な処理の代シに下スプリング・クリ、プ４６
Ａによってその各リセプタクル４０Ａに同様に接続され
る。
第２の空洞４８Ａを持つ、スプリング・クリップ４６は
空洞４４内のリセプタクル４０Ａに取付けられ、下スプ
リング・クリップ４６Ａは第２の空洞４８Ａ内に同様に
取付けられる。この実施例の各集積回路リード３９は第
２図のスプリング・クリソｆ４６によってその夫々のリ
セプタクル４０Ａに接続される。第２の実施例に対し、
各低温コンダクタンス電気導体５０は縮み、熔接又はそ
の他の同様な処理の代シに下スプリング・クリ、プ４６
Ａによってその各リセプタクル４０Ａに同様に接続され
る。
第２図の各導体５０は夫々のリセプタクル４０から通路
４３を通）、チャンネル５２に延びる。
４３を通）、チャンネル５２に延びる。
チャンネル５２は、最初絶縁部２６の最期タイプにチャ
ンネルを含み、その後チャンネル５２を切取るようにし
たチャンネル５２を含む多数の公知のどれで形成しても
よい、チャンネル５２は合成シリコン・ゴムのような電
気絶縁熱伝導材料で一部満たされる。熱伝導材料５４は
導体５０の各々とシール５５を形成する。動作において
、熱伝導材料５４は室温から熱を導入し、各導体５０に
流れるような通路を形成する。この通路は本来シール５
５までのチャンネル５２の長さを有する。この加熱作用
及びシール５５は、各導体５０の温度は本質的にリセプ
タクル４０と接続されるところの冷却温度から、導体５
０が夫々のシール５５から外部環境に現われる前の結露
点の温度以上までその長さに沿って遷移するために、導
体５０の下部５８を霜及び湿気から防止する。従って、
導体５０の下部５８は外部コネクタ１６の各リセプタク
ル６０にプラグされているときには大体室温である。第
５図で下達するよう、ヒータ５９は下部５８を室温に維
持するように作用する。ヒータ５９は各導体５０の近く
に置かれ、熱伝導材料５４によってその場に固定される
。熱伝導材料５４は外部から熱を導入する方法と大体同
じ方法でヒータ５９から導体５０に熱を導入し保持する
。
ンネルを含み、その後チャンネル５２を切取るようにし
たチャンネル５２を含む多数の公知のどれで形成しても
よい、チャンネル５２は合成シリコン・ゴムのような電
気絶縁熱伝導材料で一部満たされる。熱伝導材料５４は
導体５０の各々とシール５５を形成する。動作において
、熱伝導材料５４は室温から熱を導入し、各導体５０に
流れるような通路を形成する。この通路は本来シール５
５までのチャンネル５２の長さを有する。この加熱作用
及びシール５５は、各導体５０の温度は本質的にリセプ
タクル４０と接続されるところの冷却温度から、導体５
０が夫々のシール５５から外部環境に現われる前の結露
点の温度以上までその長さに沿って遷移するために、導
体５０の下部５８を霜及び湿気から防止する。従って、
導体５０の下部５８は外部コネクタ１６の各リセプタク
ル６０にプラグされているときには大体室温である。第
５図で下達するよう、ヒータ５９は下部５８を室温に維
持するように作用する。ヒータ５９は各導体５０の近く
に置かれ、熱伝導材料５４によってその場に固定される
。熱伝導材料５４は外部から熱を導入する方法と大体同
じ方法でヒータ５９から導体５０に熱を導入し保持する
。
第４図は２つの導体５１に取付けられている温度センサ
６６を示し、熱伝導材料５４に支えられる。２つの導体
５１には、アクティブでない回路（第２図）３８のり−
ド３９（第２図）に接続するようセンサ６６が取付けら
れる。導体５１は熱的に導体５０と大体同様に応答する
。導体５１はセンサ６６に接続されて第５図のヒータ制
御回路７０にセンサ信号を供給する。
６６を示し、熱伝導材料５４に支えられる。２つの導体
５１には、アクティブでない回路（第２図）３８のり−
ド３９（第２図）に接続するようセンサ６６が取付けら
れる。導体５１は熱的に導体５０と大体同様に応答する
。導体５１はセンサ６６に接続されて第５図のヒータ制
御回路７０にセンサ信号を供給する。
第５図はヒータ制御回路７０の配線図である。
温度センサ６６は温度と逆に変化する信号を供給する普
通の装置でよい、従って、センサ６６の温度が下がると
、その抵抗が減少し、センサ６６を通して流れる電流は
増加する。ＱｌのエミッタはトランジスタＱ２のエミッ
タに接続され、ＱｌのコレクタはＱ２のベースに接続さ
れる。その接続はシュミット・トリガ構造を形成し、そ
のＱ２はセンサ６６が高抵抗（冷いとき）のときに導通
し、センサが低抵抗（温かいとき）のときに導通しない
、シュミット・トリが回路の上及び下トリが点はＱ２の
ベースに対するＱｌのコレクタの直接接続によるものと
同一点に置かれる。この伴合されたトリガ点は抵抗Ｒ１
，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を変えて、必要に応じ上又は下に調
節することができる。
通の装置でよい、従って、センサ６６の温度が下がると
、その抵抗が減少し、センサ６６を通して流れる電流は
増加する。ＱｌのエミッタはトランジスタＱ２のエミッ
タに接続され、ＱｌのコレクタはＱ２のベースに接続さ
れる。その接続はシュミット・トリガ構造を形成し、そ
のＱ２はセンサ６６が高抵抗（冷いとき）のときに導通
し、センサが低抵抗（温かいとき）のときに導通しない
、シュミット・トリが回路の上及び下トリが点はＱ２の
ベースに対するＱｌのコレクタの直接接続によるものと
同一点に置かれる。この伴合されたトリガ点は抵抗Ｒ１
，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を変えて、必要に応じ上又は下に調
節することができる。
トランジスタＱ３ 、Ｑ４は電流ドライバとして、Ｑ２
のコレクタに電流ドライバの入力として接続され、電流
ドライバ出力としてＱ４のコレクタが接続される。
のコレクタに電流ドライバの入力として接続され、電流
ドライバ出力としてＱ４のコレクタが接続される。
ヒータ５９は回路７０の＋Ｖ端子と電流ドライバ・トラ
ンジスタＱ４のコレクタ・リードとの間に接続される。
ンジスタＱ４のコレクタ・リードとの間に接続される。
電流ドライバ・トランジスタＱ４のエミッタ・リードは
回路７０の−Ｖに接続される。この共通エミッタ構造に
おいて、ヒータ５９を流れる電流は抵抗Ｒ６を通シＱ４
のベースに流れる電流の作用である。
回路７０の−Ｖに接続される。この共通エミッタ構造に
おいて、ヒータ５９を流れる電流は抵抗Ｒ６を通シＱ４
のベースに流れる電流の作用である。
動作において、センサ６６の温度がコールド状態から増
加し抵抗が減少すると、そしてそのトリが点に達したと
きに、ヒータ５９を通る電流はスイッチオフされ、リー
ド５０．５１を温める熱の量を減少する。同様に、セン
サ６６の温度がその温かい状態から減少してその抵抗が
増加すると、そのトリが点に達するまで、ヒータ５９の
電流がスイッチオンしてリード５０．５１に対する熱の
量を増加する。この動作によシヒータ５９はリード５０
，５１を温め、リード５０．５１が電気絶縁熱伝導材料
５４（第４図）から現われた後霜又は水分が付着しない
、その上、ヒータ５９は加熱し過ぎないよう制御され、
半導体回路３８（第１図）の速度低下又は破損を防止す
る・ 発光ダイオードのようなデイスプレィ表示ＤＳＬはヒー
タ５９と並列に接続され、ヒータ５９に電流が流れたと
きを表示する。
加し抵抗が減少すると、そしてそのトリが点に達したと
きに、ヒータ５９を通る電流はスイッチオフされ、リー
ド５０．５１を温める熱の量を減少する。同様に、セン
サ６６の温度がその温かい状態から減少してその抵抗が
増加すると、そのトリが点に達するまで、ヒータ５９の
電流がスイッチオンしてリード５０．５１に対する熱の
量を増加する。この動作によシヒータ５９はリード５０
，５１を温め、リード５０．５１が電気絶縁熱伝導材料
５４（第４図）から現われた後霜又は水分が付着しない
、その上、ヒータ５９は加熱し過ぎないよう制御され、
半導体回路３８（第１図）の速度低下又は破損を防止す
る・ 発光ダイオードのようなデイスプレィ表示ＤＳＬはヒー
タ５９と並列に接続され、ヒータ５９に電流が流れたと
きを表示する。
第６図はこの発明の代替実施例を表わす。そのプラグイ
ン・モジュールＩＯＤは上及び下絶縁部２４Ｄ 、 ２
６Ｄを持つ絶縁ハウジング２０Ｄを有する。両絶縁部２
４Ｄ 、 ２６Ｄともポリスチレン・プラスチック・ホ
ームのような低温コンダクタンス材料で作られる。各絶
縁部２４Ｄ、２６Ｄはテフロンのような恒久性のプラス
チックから成る夫夫のシェル２８Ｄ、２９Ｄによって外
側が包囲される。上シェル２８Ｄの下部は上シェル２８
Ｄ及び上絶縁部２４Ｄを下シェル２９Ｄ及び下絶縁部２
６Ｄに堅く密封するようロックリング２７Ｄを入れてね
じ込まれる。
ン・モジュールＩＯＤは上及び下絶縁部２４Ｄ 、 ２
６Ｄを持つ絶縁ハウジング２０Ｄを有する。両絶縁部２
４Ｄ 、 ２６Ｄともポリスチレン・プラスチック・ホ
ームのような低温コンダクタンス材料で作られる。各絶
縁部２４Ｄ、２６Ｄはテフロンのような恒久性のプラス
チックから成る夫夫のシェル２８Ｄ、２９Ｄによって外
側が包囲される。上シェル２８Ｄの下部は上シェル２８
Ｄ及び上絶縁部２４Ｄを下シェル２９Ｄ及び下絶縁部２
６Ｄに堅く密封するようロックリング２７Ｄを入れてね
じ込まれる。
集積回路コネクタ３６Ｄは下絶縁部２６Ｄの上に取付け
られる。多数の導体５０Ｄがコネクタ３６Ｄに接続され
、下絶縁部２６Ｄをチャンネル５２Ｄに通す、チャンネ
ルは一部第１図及び第２図と同様な方法で電気絶縁熱伝
導材料５４Ｄで満たされる。導体５０Ｄは下シェル２６
Ｄを通って外に出、外部コネクタ１６Ｄにプラグインさ
れる。
られる。多数の導体５０Ｄがコネクタ３６Ｄに接続され
、下絶縁部２６Ｄをチャンネル５２Ｄに通す、チャンネ
ルは一部第１図及び第２図と同様な方法で電気絶縁熱伝
導材料５４Ｄで満たされる。導体５０Ｄは下シェル２６
Ｄを通って外に出、外部コネクタ１６Ｄにプラグインさ
れる。
集積回路３８Ｄはコネクタ３６Ｄにそのリード（図に示
していない）が挿入されるよう取付けられる。上絶縁部
２４Ｄの上から冷却装置２６Ｄが入シ、それはフェーズ
・チェンジ・クーリング装置、冷却液クーリング装置又
はペルチア（Ｐｅ ｌ ｔｉｅｒ）効果クーリング装置
でよい。冷却装置６２Ｄは集積回路３８Ｄの上面を受け
るような形にしたコールド板６４Ｄを持つ、集積回路３
８とコールド板６４Ｄとの間の十分な熱交換を保証する
ため、その間に正角ライナ６６Ｄを置く。正角ライナ６
６Ｄはインジュームのような良い熱コンダクタンス特性
を有する柔軟な材料で作られる。ライナ６６Ｄはコール
ド板６４Ｄと集積回路３８Ｄとの間のすべての空間を満
たして熱伝導を最大にする。
していない）が挿入されるよう取付けられる。上絶縁部
２４Ｄの上から冷却装置２６Ｄが入シ、それはフェーズ
・チェンジ・クーリング装置、冷却液クーリング装置又
はペルチア（Ｐｅ ｌ ｔｉｅｒ）効果クーリング装置
でよい。冷却装置６２Ｄは集積回路３８Ｄの上面を受け
るような形にしたコールド板６４Ｄを持つ、集積回路３
８とコールド板６４Ｄとの間の十分な熱交換を保証する
ため、その間に正角ライナ６６Ｄを置く。正角ライナ６
６Ｄはインジュームのような良い熱コンダクタンス特性
を有する柔軟な材料で作られる。ライナ６６Ｄはコール
ド板６４Ｄと集積回路３８Ｄとの間のすべての空間を満
たして熱伝導を最大にする。
第６図の実施例の動作は前の実施例と同じであるが、こ
のプラグイン・モジュールは第１図の冷却剤３０の代シ
にコールド板６４Ｄによる冷却が異なる。
のプラグイン・モジュールは第１図の冷却剤３０の代シ
にコールド板６４Ｄによる冷却が異なる。
以上説明したところかられかるように、特別な電気導体
と共にパッシブ及びアクティブ温度制御成分の組合わせ
によって外部コネクタに接続される半導体回路の冷却用
の新規な冷却プラグイン・モジュールを開示した。
と共にパッシブ及びアクティブ温度制御成分の組合わせ
によって外部コネクタに接続される半導体回路の冷却用
の新規な冷却プラグイン・モジュールを開示した。
第１図はこの発明によるプラグイン・モジュルの断面図
、 第２図は低温コンダクタンス電気導体を示す第１図の２
−２線一部所面図、 第３図はＶＬＳＩ回路リード線と低温コンダクタンス電
気導体との間の代替接続機構の詳細図、第４図は第１図
のプラグイン・モジュールの温度センサとヒータの導体
を示す第１図の一部断面詳細図、 第５図は第１図のプラグイン・モジュールの熱絶縁ハウ
ジングから出る前に電気導体の温度を制御する電子回路
の配線図、 第６図は回路クーラとして冷却された板を持つ第２の絶
縁タイプの第２の実施例を示す断面図である。 図中、１０・・・プラグイン・モジュール、１２・・・
電気導体、１８・・・印刷回路ボード、２０・・・絶縁
ハウジング、２２・・・チャンバ、３２・・・冷却液転
送管、３３・・・チューブ、３６・・・集積回路コネク
タ、３８・・・集積回路、４０・・・リセプタクル。 出願代理人 斉 藤 勲 ＦＩＧ、２
、 第２図は低温コンダクタンス電気導体を示す第１図の２
−２線一部所面図、 第３図はＶＬＳＩ回路リード線と低温コンダクタンス電
気導体との間の代替接続機構の詳細図、第４図は第１図
のプラグイン・モジュールの温度センサとヒータの導体
を示す第１図の一部断面詳細図、 第５図は第１図のプラグイン・モジュールの熱絶縁ハウ
ジングから出る前に電気導体の温度を制御する電子回路
の配線図、 第６図は回路クーラとして冷却された板を持つ第２の絶
縁タイプの第２の実施例を示す断面図である。 図中、１０・・・プラグイン・モジュール、１２・・・
電気導体、１８・・・印刷回路ボード、２０・・・絶縁
ハウジング、２２・・・チャンバ、３２・・・冷却液転
送管、３３・・・チューブ、３６・・・集積回路コネク
タ、３８・・・集積回路、４０・・・リセプタクル。 出願代理人 斉 藤 勲 ＦＩＧ、２
Claims (2)
- （１）絶縁されたハウジングと、 前記ハウジング内に半導体装置を取付ける 半導体装置取付手段と、 前記半導体装置から前記ハウジングの外部 に接続するプラグイン・コネクタに対し信号を電気的に
接続する低熱コンダクタンスの電気導体手段と、 前記ハウジング内で前記半導体を冷却する 手段とを含む半導体装置を冷却するプラグイン・モジュ
ール。 - （２）半導体装置のリードと印刷回路ボードに取付けら
れたコネクタのリセプタクルとの間に使用する低熱コン
ダクタンス電気接続装置であって、前記半導体装置の前
記リードを受ける第１ 端のリセプタクルと前記第１端に対向する第２端とを有
する第１の部材と、 前記第１の部材の前記第２端に接続された 第１端を有する低熱コンダクタンスの電気導体部材と、 印刷回路ボード・コネクタのリセプタクル に接続された前記低熱コンダクタンス電気導体部材の第
２端とを含む低熱コンダクタンス電気接続装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US225,126 | 1988-07-28 | ||
| US07/225,126 US4950181A (en) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | Refrigerated plug-in module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268955A true JPH0268955A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=22843643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1164118A Pending JPH0268955A (ja) | 1988-07-28 | 1989-06-28 | 冷却プラグイン・モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4950181A (ja) |
| JP (1) | JPH0268955A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| FR2671230B1 (fr) * | 1990-12-28 | 1993-04-16 | Telecommunications Sa | Doigt de refroidissement d'un circuit semi-conducteur et dispositif cryogenique pourvu d'un tel doigt. |
| US5239261A (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-24 | Tektronix, Inc. | Probe apparatus for testing electronic circuits immersed in a liquid cryogen |
| GB2268751B (en) * | 1992-07-14 | 1996-01-24 | Suk Jae Oho | Refrigerant comprising liquid nitrogen, polyhydroxy alcohol, aqueous sodium chloride and surfactant |
| US5436793A (en) * | 1993-03-31 | 1995-07-25 | Ncr Corporation | Apparatus for containing and cooling an integrated circuit device having a thermally insulative positioning member |
| US5343360A (en) * | 1993-03-31 | 1994-08-30 | Ncr Corporation | Containing and cooling apparatus for an integrated circuit device having a thermal insulator |
| JP2953273B2 (ja) * | 1993-10-22 | 1999-09-27 | 住友電気工業株式会社 | 低温に冷却する素子の接続方法 |
| DE4415200C1 (de) * | 1994-04-30 | 1995-08-03 | Gundokar Braumann | Packelement und Vorrichtung mit diesem Element |
| WO1997043840A1 (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-20 | The Regents Of The University Of California | Improved detector for quantum cryptography |
| US6144553A (en) * | 1998-09-09 | 2000-11-07 | Sun Microsystems, Inc. | Refrigeration cooled disk storage assembly |
| JP3470612B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2003-11-25 | 株式会社日立製作所 | 電子機器 |
| US6192701B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Sealed multi-chip module cooling system |
| US6246581B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Heated PCB interconnect for cooled IC chip modules |
| DE10032050A1 (de) * | 2000-07-05 | 2002-01-17 | Porextherm Daemmstoffe Gmbh | Kühlvorrichtung für Computer |
| SG105459A1 (en) * | 2000-07-24 | 2004-08-27 | Micron Technology Inc | Mems heat pumps for integrated circuit heat dissipation |
| US20050123418A1 (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-09 | Manole Dan M. | Compact compressors and refrigeration systems |
| US7478541B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-01-20 | Tecumseh Products Company | Compact refrigeration system for providing multiple levels of cooling |
| US7617696B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-11-17 | Tecumseh Products Company | Compact refrigeration system and power supply unit including dynamic insulation |
| GB2449917A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Fortunatus Holdings Ltd | A System to Reduce the External Power Supply to an Electrically Powered Device and also to Reduce its Operating Temperature by Cooling with a Cryogenic Fluid |
| WO2009130436A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Mccoy Drilling Fluids Limited | Method and apparatus for cooling a flow of gas |
| DK3124943T3 (da) * | 2015-07-31 | 2021-08-30 | Kistler Holding Ag | Piezoelektrisk tryksensor og fremgangsmåde til fremstilling af den piezoelektriske tryksensor |
| DE102020104336A1 (de) * | 2020-02-19 | 2021-08-19 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Leistungselektronische Einrichtung sowie leistungselektronisches Funktionssystem |
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|---|---|---|---|---|
| US3289046A (en) * | 1964-05-19 | 1966-11-29 | Gen Electric | Component chip mounted on substrate with heater pads therebetween |
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| US3740839A (en) * | 1971-06-29 | 1973-06-26 | Raychem Corp | Cryogenic connection method and means |
| US4138183A (en) * | 1976-06-21 | 1979-02-06 | G&H Technology, Inc. | Cryogenic connector |
| US4118947A (en) * | 1977-05-19 | 1978-10-10 | Selenia-Industrie Elettroniche Associate S.P.A. | Low thermal loss cryogenic containers for infrared radiation detecting devices, with integrated feed-through connections |
| US4279292A (en) * | 1978-09-29 | 1981-07-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Charge coupled device temperature gradient and moisture regulator |
| US4233645A (en) * | 1978-10-02 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package with improved conduction cooling structure |
| US4341432A (en) * | 1979-08-06 | 1982-07-27 | Cutchaw John M | Liquid cooled connector for integrated circuit packages |
| US4402185A (en) * | 1982-01-07 | 1983-09-06 | Ncr Corporation | Thermoelectric (peltier effect) hot/cold socket for packaged I.C. microprobing |
| US4464005A (en) * | 1982-05-24 | 1984-08-07 | Precision Connector Designs, Inc. | Temperature stabilized electrical connector |
| DE3321321A1 (de) * | 1982-06-19 | 1983-12-22 | Ferranti plc, Gatley, Cheadle, Cheshire | Elektrische schaltungsanordnung |
| US4734820A (en) * | 1987-04-16 | 1988-03-29 | Ncr Corporation | Cryogenic packaging scheme |
| US4800422A (en) * | 1987-05-07 | 1989-01-24 | Ncr Corporation | Frostless interface supercooled VLSI system |
| US4805420A (en) * | 1987-06-22 | 1989-02-21 | Ncr Corporation | Cryogenic vessel for cooling electronic components |
| JPH09372A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-07 | Yamamoto Senshoku Kk | 家具類の転倒防止具 |
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1988
- 1988-07-28 US US07/225,126 patent/US4950181A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1164118A patent/JPH0268955A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4950181A (en) | 1990-08-21 |
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