JPH0269938A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0269938A JPH0269938A JP22280688A JP22280688A JPH0269938A JP H0269938 A JPH0269938 A JP H0269938A JP 22280688 A JP22280688 A JP 22280688A JP 22280688 A JP22280688 A JP 22280688A JP H0269938 A JPH0269938 A JP H0269938A
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- JP
- Japan
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- wafer
- resist
- semiconductor device
- resist film
- film
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ハーの裏面を研削するためのレジスト保護膜の形成方法
に関する。
ハーの裏面を研削するためのレジスト保護膜の形成方法
に関する。
従来、半導体ウェハー（以下単にウェハーという）の表
面に素子を形成したのちその裏面を研削する場合は、ウ
ェハー表面へレジストを塗布して行なわれるが、この塗
布は、スピン・コーターによる滴下方式で行なわれてい
た。
面に素子を形成したのちその裏面を研削する場合は、ウ
ェハー表面へレジストを塗布して行なわれるが、この塗
布は、スピン・コーターによる滴下方式で行なわれてい
た。
第３図は従来のスピン・コーターによって形成されたレ
ジスト膜を有するウェハ一端部の断面図である。
ジスト膜を有するウェハ一端部の断面図である。
第３図に示したように、スピン・コーターにより形成さ
れたレジスト膜２はウェハー１の端部において厚くなり
、しかもその一部はウェハー１の表面から裏面へまわり
込んで形成されていた。
れたレジスト膜２はウェハー１の端部において厚くなり
、しかもその一部はウェハー１の表面から裏面へまわり
込んで形成されていた。
前述した従来の半導体装置の製造方法におけるスピン・
コーターによるレジスト膜の形成方法ては、第３図に示
した様に、回転中の遠心力によりウェハー１の周辺にレ
ジス１〜が溜った状態で形成されるため、ウェハー１の
周辺か盛り上ったり、ウェハー裏面にレジストが回り込
んだりする為、後工程の裏面研削において、回り込んだ
レジストにより砥石が目つまりしてウェハーが割れたり
、盛り」二つなレジストによりウェハーが歪んで、割れ
や、クラックが発生ずる欠点がある。
コーターによるレジスト膜の形成方法ては、第３図に示
した様に、回転中の遠心力によりウェハー１の周辺にレ
ジス１〜が溜った状態で形成されるため、ウェハー１の
周辺か盛り上ったり、ウェハー裏面にレジストが回り込
んだりする為、後工程の裏面研削において、回り込んだ
レジストにより砥石が目つまりしてウェハーが割れたり
、盛り」二つなレジストによりウェハーが歪んで、割れ
や、クラックが発生ずる欠点がある。
この対策としてレジスト膜を薄く形成する方法が用いら
れているが、レジスト膜が薄い場合は付着するごみ等の
粒子による割れやクラックが発生したり、さらにウェハ
ーの素子側表面の凹凸の激１〜いものはレシス１〜方式
では研削出来ないという欠点があった。
れているが、レジスト膜が薄い場合は付着するごみ等の
粒子による割れやクラックが発生したり、さらにウェハ
ーの素子側表面の凹凸の激１〜いものはレシス１〜方式
では研削出来ないという欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハーの表
面に素子を形成したのち該ウェハーの裏面を研削するた
めにウェハー表面にレジスト膜を形成する半導体装置の
製造方法であって、前記ウェハ〜の周縁部に形成された
レジスト膜を除去したのちウェハーの裏面を研削するも
のである。
面に素子を形成したのち該ウェハーの裏面を研削するた
めにウェハー表面にレジスト膜を形成する半導体装置の
製造方法であって、前記ウェハ〜の周縁部に形成された
レジスト膜を除去したのちウェハーの裏面を研削するも
のである。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めのウェハ一端部の断面図、第２図は本発明の一実施例
に用いるスピン コーターの断面図である。
めのウェハ一端部の断面図、第２図は本発明の一実施例
に用いるスピン コーターの断面図である。
第２図において、チャンバー３内には下部がらウェハー
１の裏面端部に当る様に有機溶剤のスプレーノズル５か
取り付けられている。表面に素子が形成されたウェハー
１をスピンチャック６て真空固定し、チャック６を回転
させ、上方の、ノズル５によりレジス１〜を滴下し、そ
の後下方のスプレーノズル７から有機溶剤をスプレーし
、ウェハー１の裏面に回り込んだレジス１〜を除去する
。このようにして形成されたウェハー１の端部を第１図
（ａ）に示ず。
１の裏面端部に当る様に有機溶剤のスプレーノズル５か
取り付けられている。表面に素子が形成されたウェハー
１をスピンチャック６て真空固定し、チャック６を回転
させ、上方の、ノズル５によりレジス１〜を滴下し、そ
の後下方のスプレーノズル７から有機溶剤をスプレーし
、ウェハー１の裏面に回り込んだレジス１〜を除去する
。このようにして形成されたウェハー１の端部を第１図
（ａ）に示ず。
次に第１図（ｂ）に示ずように、コンタク１〜方式の露
光機によりウェハー１の周辺部を露光し、レジスト膜２
の露光部２Ａを形成する。
光機によりウェハー１の周辺部を露光し、レジスト膜２
の露光部２Ａを形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、現像を行なう事により
ウェハー１の端部に形成されたレシス１−Ｍ２を除去す
る。以下従来と同様の操作によりウェハー１の裏面研削
を行なう。
ウェハー１の端部に形成されたレシス１−Ｍ２を除去す
る。以下従来と同様の操作によりウェハー１の裏面研削
を行なう。
このように本実施例によれは、スピン・コーターでウェ
ハー１上に形成されるレジス）−膜のうち、裏面に回り
込んだレジスト膜はスプレーノズル７からの有機溶剤に
より除去し、更にウェハー１の端部に厚く形成されたレ
ジスト膜２を露光・現象により除去できる。従って保護
膜としてのレジスｌ−ＩＩ！ ２をウェハー１の表面に
厚くしかも均一に形成することができるため、ウェハー
１の表面に大きな凹凸が形成されていたり、またごみ等
の粒子が付着した場合でもウェハーに割れやクラックが
発生することはなくなる。
ハー１上に形成されるレジス）−膜のうち、裏面に回り
込んだレジスト膜はスプレーノズル７からの有機溶剤に
より除去し、更にウェハー１の端部に厚く形成されたレ
ジスト膜２を露光・現象により除去できる。従って保護
膜としてのレジスｌ−ＩＩ！ ２をウェハー１の表面に
厚くしかも均一に形成することができるため、ウェハー
１の表面に大きな凹凸が形成されていたり、またごみ等
の粒子が付着した場合でもウェハーに割れやクラックが
発生することはなくなる。
以」−説明した様に本発明は、ウェハーの周縁部に形成
さたレジスト膜を除去したのちウェハーの裏面研削を行
うことにより、ごみや素子表面の凹凸に起因する半導体
ウェハーのクラックや割れの発生をなくすことができる
。従って半導体装置の製造歩留りは向上する。
さたレジスト膜を除去したのちウェハーの裏面研削を行
うことにより、ごみや素子表面の凹凸に起因する半導体
ウェハーのクラックや割れの発生をなくすことができる
。従って半導体装置の製造歩留りは向上する。
発明の一実施例て用いるスピン・コーターの断面図、第
３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するためのウ
ェハ一端部の断面図である。
３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するためのウ
ェハ一端部の断面図である。
１・・・ウェハー、２・・・レジス）〜膜、２Ａ・・露
光部、３・・・チャンバー、４・・ダクト、５・・・ノ
ズル、６・・・スピンチャック、７・・スプレーノズル
。
光部、３・・・チャンバー、４・・ダクト、５・・・ノ
ズル、６・・・スピンチャック、７・・スプレーノズル
。
Claims (1)
- 半導体ウェハーの表面に素子を形成したのち該ウェハ
ーの裏面を研削するためにウェハー表面にレジスト膜を
形成する半導体装置の製造方法において、前記ウェハー
の周縁部に形成されたレジスト膜を除去したのちウェハ
ーの裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22280688A JPH0269938A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22280688A JPH0269938A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269938A true JPH0269938A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16788189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22280688A Pending JPH0269938A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269938A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258323A (en) * | 1992-12-29 | 1993-11-02 | Honeywell Inc. | Single crystal silicon on quartz |
| US7037758B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board and electronic apparatus |
| WO2014188879A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110890281A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-03-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22280688A patent/JPH0269938A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258323A (en) * | 1992-12-29 | 1993-11-02 | Honeywell Inc. | Single crystal silicon on quartz |
| US7037758B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board and electronic apparatus |
| WO2014188879A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN105190844A (zh) * | 2013-05-24 | 2015-12-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JPWO2014188879A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9972521B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-05-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device to facilitate peeling of a supporting substrate bonded to a semiconductor wafer |
| CN110890281A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-03-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2020043216A (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110890281B (zh) * | 2018-09-11 | 2023-08-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
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