JPH0897118A - レジストの塗布方法 - Google Patents
レジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPH0897118A JPH0897118A JP6228193A JP22819394A JPH0897118A JP H0897118 A JPH0897118 A JP H0897118A JP 6228193 A JP6228193 A JP 6228193A JP 22819394 A JP22819394 A JP 22819394A JP H0897118 A JPH0897118 A JP H0897118A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- nozzle
- periphery
- center
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- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来方法に比して、少ないレジスト吐出量で
も、塗布ムラのないレジストの塗布方法を提供し、半導
体装置の製造工程におけるコストダウンを図ること。 【構成】 レジスト塗布装置のノズル３を回転中のウェ
ハ２の周辺から中心へ向けて移動させながらレジスト４
の吐出を行うようにした。
も、塗布ムラのないレジストの塗布方法を提供し、半導
体装置の製造工程におけるコストダウンを図ること。 【構成】 レジスト塗布装置のノズル３を回転中のウェ
ハ２の周辺から中心へ向けて移動させながらレジスト４
の吐出を行うようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
におけるレジストの塗布方法に関するものであり、回転
塗布によるレジストの塗布ムラを抑止し、レジストの使
用量を節減したレジストの塗布方法に関する。
におけるレジストの塗布方法に関するものであり、回転
塗布によるレジストの塗布ムラを抑止し、レジストの使
用量を節減したレジストの塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＬＳＩ等の半導体装置の製造工
程において、ホトリソグラフィー工程が繰り返し行わ
れ、微細な配線等のレジストパターンがパターニングさ
れる。そのレジストパターンにゆがみがなく、また線巾
を精度よく形成するためには、ウェハ上に、塗布ムラの
ない均一なレジスト膜を形成する必要がある。そこで、
従来より、回転塗布という方法が使用されている。
程において、ホトリソグラフィー工程が繰り返し行わ
れ、微細な配線等のレジストパターンがパターニングさ
れる。そのレジストパターンにゆがみがなく、また線巾
を精度よく形成するためには、ウェハ上に、塗布ムラの
ない均一なレジスト膜を形成する必要がある。そこで、
従来より、回転塗布という方法が使用されている。
【０００３】その方法は、例えば図２に示すように、ウ
ェハ２をレジスト塗布装置のスピンチャック１に真空吸
着し、回転中のウェハ２の約５ｍｍ上方から、ノズル３
によりウェハ２へのレジスト４の吐出を行っていた。ウ
ェハ２の中心に吐出されたレジスト４は、回転による遠
心力を受けて、周辺部へ拡がり、ウェハ２の全面を覆う
レジスト膜が形成される。この場合、レジスト膜の膜厚
の均一性は、主としてウェハ２の回転数とレジスト４の
吐出量に依存する。
ェハ２をレジスト塗布装置のスピンチャック１に真空吸
着し、回転中のウェハ２の約５ｍｍ上方から、ノズル３
によりウェハ２へのレジスト４の吐出を行っていた。ウ
ェハ２の中心に吐出されたレジスト４は、回転による遠
心力を受けて、周辺部へ拡がり、ウェハ２の全面を覆う
レジスト膜が形成される。この場合、レジスト膜の膜厚
の均一性は、主としてウェハ２の回転数とレジスト４の
吐出量に依存する。
【０００４】上記方法を直径６インチのウェハに適用し
た場合、均一な膜厚を得るための条件として、ウェハ２
の回転数は１０００ｒｐｍ乃至２０００ｒｐｍ、吐出量
は３ｃｃ乃至４ｃｃが必要とされていた。
た場合、均一な膜厚を得るための条件として、ウェハ２
の回転数は１０００ｒｐｍ乃至２０００ｒｐｍ、吐出量
は３ｃｃ乃至４ｃｃが必要とされていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来方
法では、ノズル３はウェハ２の中心上に固定されたまま
の状態でレジストが吐出されていたので、吐出量がある
程度少なくなるとウェハ２の周辺までレジスト４が行き
届かなくなり、塗布ムラが生じるという問題があった。
そこで、上記のように、吐出量は３ｃｃ乃至４ｃｃとさ
れていたが、これは当然、半導体装置のコストアップを
招いていた。
法では、ノズル３はウェハ２の中心上に固定されたまま
の状態でレジストが吐出されていたので、吐出量がある
程度少なくなるとウェハ２の周辺までレジスト４が行き
届かなくなり、塗布ムラが生じるという問題があった。
そこで、上記のように、吐出量は３ｃｃ乃至４ｃｃとさ
れていたが、これは当然、半導体装置のコストアップを
招いていた。
【０００６】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、従来より少ないレジスト吐出量でも、塗布ム
ラのないレジストの塗布方法を提供し、半導体装置の製
造工程におけるコストダウンを図ることを目的としてい
る。
のであり、従来より少ないレジスト吐出量でも、塗布ム
ラのないレジストの塗布方法を提供し、半導体装置の製
造工程におけるコストダウンを図ることを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、ノズル３を回転中のウェハ２の周辺か
ら中心へ向けて移動させながらレジスト４の吐出を行う
ようにしたことを特徴としている。
解決するために、ノズル３を回転中のウェハ２の周辺か
ら中心へ向けて移動させながらレジスト４の吐出を行う
ようにしたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】上記の手段によれば、ノズル３を回転中のウェ
ハ２の周辺から中心へ向けて移動させながらレジスト４
の吐出を行っているので、従来に比して、ウェハ２の周
辺でも、十分なレジスト４が行き届くようになるので、
少ないレジスト吐出量でも、塗布ムラのないレジスト膜
を形成することができる。本願発明者の実験によれば、
約２ｃｃのレジスト吐出量でも約１ミクロンの、塗布ム
ラがない均一なレジスト膜が得られた。
ハ２の周辺から中心へ向けて移動させながらレジスト４
の吐出を行っているので、従来に比して、ウェハ２の周
辺でも、十分なレジスト４が行き届くようになるので、
少ないレジスト吐出量でも、塗布ムラのないレジスト膜
を形成することができる。本願発明者の実験によれば、
約２ｃｃのレジスト吐出量でも約１ミクロンの、塗布ム
ラがない均一なレジスト膜が得られた。
【０００９】したがって、従来に比して、４０％乃至５
０％のレジストを節減でき、半導体製造工程におけるコ
ストダウンに寄与することができた。なお、ノズル３を
逆にウェハ２の中心から周辺へ移動させた場合には、塗
布ムラが生じるため、改善効果が得られなかった。この
原因は、ウェハ２の周辺でのレジスト４の量が減少して
いるためと考えられる。
０％のレジストを節減でき、半導体製造工程におけるコ
ストダウンに寄与することができた。なお、ノズル３を
逆にウェハ２の中心から周辺へ移動させた場合には、塗
布ムラが生じるため、改善効果が得られなかった。この
原因は、ウェハ２の周辺でのレジスト４の量が減少して
いるためと考えられる。
【００１０】
【実施例】以下で、本発明のレジストの塗布方法に係る
一実施例を図１を参照しながら説明する。本発明は、図
１に示すように、レジスト３を回転中のウェハ２の周辺
から中心へ向けて移動させながらレジスト４の吐出を行
うことを特徴としている。かかる方法によれば、従来に
比して、ウェハ２の周辺でも、すばやく十分なレジスト
４が行き届くようになるので、少ないレジスト吐出量で
も、塗布ムラのないレジスト膜を形成することができ
る。
一実施例を図１を参照しながら説明する。本発明は、図
１に示すように、レジスト３を回転中のウェハ２の周辺
から中心へ向けて移動させながらレジスト４の吐出を行
うことを特徴としている。かかる方法によれば、従来に
比して、ウェハ２の周辺でも、すばやく十分なレジスト
４が行き届くようになるので、少ないレジスト吐出量で
も、塗布ムラのないレジスト膜を形成することができ
る。
【００１１】以下で、本願発明者が行った実験について
説明する。まず、直径６インチのウェハ２を準備し、そ
れをレジスト塗布装置のスピンチャック１に真空吸着さ
せる。そして、そのスピンチャック１を回転数１０００
ｒｐｍ乃至２０００ｒｐｍで回転させる。ノズル３はあ
らかじめ、その先端をウェハ２の周辺の上方、約５ｍｍ
の位置に置く。次いで約４０ｍｍ／秒の一定速度で、ノ
ズル３をウェハ２の中心へ向けて移動させながら、１ｃ
ｃ／秒 の割合でレジストを吐出させる。ここで、レジ
ストとしては、一般的なポジ型レジストであるＯＦＰＲ
８００（商品名）を使用した。移動開始約２秒後、ノズ
ル３は約８０ｍｍ移動し、ウェハ２の中心に至る。この
間のレジスト吐出量は約２ｃｃであった。
説明する。まず、直径６インチのウェハ２を準備し、そ
れをレジスト塗布装置のスピンチャック１に真空吸着さ
せる。そして、そのスピンチャック１を回転数１０００
ｒｐｍ乃至２０００ｒｐｍで回転させる。ノズル３はあ
らかじめ、その先端をウェハ２の周辺の上方、約５ｍｍ
の位置に置く。次いで約４０ｍｍ／秒の一定速度で、ノ
ズル３をウェハ２の中心へ向けて移動させながら、１ｃ
ｃ／秒 の割合でレジストを吐出させる。ここで、レジ
ストとしては、一般的なポジ型レジストであるＯＦＰＲ
８００（商品名）を使用した。移動開始約２秒後、ノズ
ル３は約８０ｍｍ移動し、ウェハ２の中心に至る。この
間のレジスト吐出量は約２ｃｃであった。
【００１２】次いで、ウェハ２上に形成されたレジスト
膜の均一性を調べるために、光の回折を応用した光学的
膜厚測定器を使用して、ウェハ２の中心部と周辺部との
膜厚を比較した。その結果、従来と同様の均一性が得ら
れることが確認された。また、目視観察でもウェハ２の
全面にレジストの塗布ムラ（しわ、色の薄い部分）が全
くないことが確認された。
膜の均一性を調べるために、光の回折を応用した光学的
膜厚測定器を使用して、ウェハ２の中心部と周辺部との
膜厚を比較した。その結果、従来と同様の均一性が得ら
れることが確認された。また、目視観察でもウェハ２の
全面にレジストの塗布ムラ（しわ、色の薄い部分）が全
くないことが確認された。
【００１３】したがって、本実施例によれば、レジスト
吐出量は約２ｃｃで足り、従来方法に比して、４０％乃
至５０％のレジストを節減するとともに、作業時間を１
秒乃至２秒短縮することが可能となる。これは、大量の
ウェハを処理するウェハ・プロセスにおいては大幅な節
減効果を奏する。なお、上記の実施例では、ノズル３を
ウェハ２の周辺から中心へ向けて移動させる場合につい
て説明したが、逆にウェハ２の中心から周辺へ移動させ
た場合にも、一見同様の作用効果が得られるのではない
かとも考えられる。しかしながら、本願発明者の実験に
よれば、この場合には塗布ムラが発生してしまい、実用
性に乏しいことがわかった。この原因は、ウェハ２の周
辺でのレジスト４の量が減少しているためと考えられ
る。
吐出量は約２ｃｃで足り、従来方法に比して、４０％乃
至５０％のレジストを節減するとともに、作業時間を１
秒乃至２秒短縮することが可能となる。これは、大量の
ウェハを処理するウェハ・プロセスにおいては大幅な節
減効果を奏する。なお、上記の実施例では、ノズル３を
ウェハ２の周辺から中心へ向けて移動させる場合につい
て説明したが、逆にウェハ２の中心から周辺へ移動させ
た場合にも、一見同様の作用効果が得られるのではない
かとも考えられる。しかしながら、本願発明者の実験に
よれば、この場合には塗布ムラが発生してしまい、実用
性に乏しいことがわかった。この原因は、ウェハ２の周
辺でのレジスト４の量が減少しているためと考えられ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノズル３を回転中のウェハ２の周辺から中心へ向けて移
動させながらレジスト４の吐出を行っているので、ウェ
ハ２の周辺でも、十分なレジスト４が行き届くようにな
るので、従来方法に比して少ないレジスト吐出量で、塗
布ムラのないレジスト膜を形成することができる。本願
発明者の実験によれば、約２ｃｃのレジスト吐出量で
も、約１ミクロンの均一なレジスト膜が得られた。
ノズル３を回転中のウェハ２の周辺から中心へ向けて移
動させながらレジスト４の吐出を行っているので、ウェ
ハ２の周辺でも、十分なレジスト４が行き届くようにな
るので、従来方法に比して少ないレジスト吐出量で、塗
布ムラのないレジスト膜を形成することができる。本願
発明者の実験によれば、約２ｃｃのレジスト吐出量で
も、約１ミクロンの均一なレジスト膜が得られた。
【００１５】したがって、本発明によれば、従来に比し
て、４０％乃至５０％のレジストを節減でき、半導体製
造工程におけるコストダウンに寄与することができた。
て、４０％乃至５０％のレジストを節減でき、半導体製
造工程におけるコストダウンに寄与することができた。
【図１】本発明のレジストの塗布方法に係る一実施例を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図２】従来例に係るレジストの塗布方法を説明する断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 回転中のウェハの上方から、ノズルによ
るウェハへのレジストの吐出を行うレジストの塗布方法
において、ノズルを回転中のウェハの周辺から中心へ向
けて移動させながらレジストの吐出を行うことを特徴と
するレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228193A JPH0897118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228193A JPH0897118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | レジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897118A true JPH0897118A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16872668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6228193A Pending JPH0897118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897118A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
| JP2008016708A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 処理液塗布装置 |
| JP2010114328A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | レジスト塗布方法 |
| JP2012104602A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP6228193A patent/JPH0897118A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
| JP2008016708A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 処理液塗布装置 |
| JP2010114328A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | レジスト塗布方法 |
| JP2012104602A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
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