JPH0269978A - 積層型固体撮像装置 - Google Patents
積層型固体撮像装置Info
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- JPH0269978A JPH0269978A JP63221627A JP22162788A JPH0269978A JP H0269978 A JPH0269978 A JP H0269978A JP 63221627 A JP63221627 A JP 63221627A JP 22162788 A JP22162788 A JP 22162788A JP H0269978 A JPH0269978 A JP H0269978A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像装置に係わり、特に固体撮像素子チ
ップ上に光導電膜を積層した積層型固体撮像装置に関す
る。
ップ上に光導電膜を積層した積層型固体撮像装置に関す
る。
（従来の技術）
近年、固体撮像装置の多画素化の進展に伴い、光を受光
するフォトダイオードの面積が益々小さくなり、取扱う
信号電荷量も少なくなっている。
するフォトダイオードの面積が益々小さくなり、取扱う
信号電荷量も少なくなっている。
このことは、必然的にＳＮ比の低下を招き、深刻な問題
となっている。これを解決する一手段として、感光部を
ＣＣＤ撮像素子チップ上に立体的に配置する光導電膜積
層型固体撮像装置が提案されている。
となっている。これを解決する一手段として、感光部を
ＣＣＤ撮像素子チップ上に立体的に配置する光導電膜積
層型固体撮像装置が提案されている。
この積層型固体撮像装置は、従来の固体撮像装置に比し
て感度が高い。従来装置では］画素当りのフォトダイオ
ードの開口率は２５〜３０％であるか、積層型面体撮像
装置では開口率は１００％となり、従来装置よりも感度
的に３〜４倍高いのか特徴である。
て感度が高い。従来装置では］画素当りのフォトダイオ
ードの開口率は２５〜３０％であるか、積層型面体撮像
装置では開口率は１００％となり、従来装置よりも感度
的に３〜４倍高いのか特徴である。
しかしながら、固体撮像装置に共通なスミア現象を考慮
すると、必ずしも積層型か有効であるとは言えない。即
ち、固体撮像装置ではスミア現象を抑えるために、不要
な光入射を防止する光ンルド層が設けられる。従来の撮
像装置では、電荷転送部の直上に光シールド層を設ける
ため、転送電極との電気的な短絡の問題があるか、これ
はＣＣＤの構造的な簡便さにより十分阻止できるもので
ある。
すると、必ずしも積層型か有効であるとは言えない。即
ち、固体撮像装置ではスミア現象を抑えるために、不要
な光入射を防止する光ンルド層が設けられる。従来の撮
像装置では、電荷転送部の直上に光シールド層を設ける
ため、転送電極との電気的な短絡の問題があるか、これ
はＣＣＤの構造的な簡便さにより十分阻止できるもので
ある。
これに対して積層型固体撮１象装置では、光ンルド層の
配置は基本的に２通りある。以下、光シルト層の配置例
を第５図を参照して説明する。
配置は基本的に２通りある。以下、光シルト層の配置例
を第５図を参照して説明する。
第５図は、光シールド層が平滑化層内部と光導電膜上に
形成されている場合であり、図中１１はＳｉ基板、１２
は蓄聞ダイオードとなるｎ＋層、１８は第１電極（信号
入力電極）、］９は平滑化層、２０は第２電極（画素電
極）、２］は第１の光シールド層、３］は光導電膜、３
３は透明電極、３４′は第２の光シールド層、３５′は
マイクロレンズを示している。
形成されている場合であり、図中１１はＳｉ基板、１２
は蓄聞ダイオードとなるｎ＋層、１８は第１電極（信号
入力電極）、］９は平滑化層、２０は第２電極（画素電
極）、２］は第１の光シールド層、３］は光導電膜、３
３は透明電極、３４′は第２の光シールド層、３５′は
マイクロレンズを示している。
光シールド層が平滑化層］９の内部に埋め込まれている
場合は、従来装置（積層型でない一般的な固体撮像装置
）の場合と異なり、画素電極２゜との電気的な短絡を防
ぐのは容易ではない。従って、４Ｍ構造的は光シールド
層２］と各電極］８２０との間を余裕ある間隙にする必
要がある。ところが、間隙（こ余裕がある場合、例えば
光導電膜３１内を通過した光が画素間隙内に漏れ込むと
、図に示したように光導波効果によって、光が転送部に
達し易くなり、これがスミア発生の要因となる。
場合は、従来装置（積層型でない一般的な固体撮像装置
）の場合と異なり、画素電極２゜との電気的な短絡を防
ぐのは容易ではない。従って、４Ｍ構造的は光シールド
層２］と各電極］８２０との間を余裕ある間隙にする必
要がある。ところが、間隙（こ余裕がある場合、例えば
光導電膜３１内を通過した光が画素間隙内に漏れ込むと
、図に示したように光導波効果によって、光が転送部に
達し易くなり、これがスミア発生の要因となる。
このようなスミア発生を防止する手段として、光導電膜
３］上に更なる光シールド層３４′を積層する方法か採
用されている。光シールド層２］。
３］上に更なる光シールド層３４′を積層する方法か採
用されている。光シールド層２］。
３４′は厚さは約３０００人のＭｏで形成されており、
これら２つの光シールド層２１．３４’ の効果により
スミア■は実質的に無視できる程まで低減できる。しか
しながら、このような構造においては、光シールド層３
４′の存在のため感光部面積が狭くなり、例えば光シー
ルド層３４′がない場合と比較して６５〜７０％と小さ
くなり、感度の低下を招く。
これら２つの光シールド層２１．３４’ の効果により
スミア■は実質的に無視できる程まで低減できる。しか
しながら、このような構造においては、光シールド層３
４′の存在のため感光部面積が狭くなり、例えば光シー
ルド層３４′がない場合と比較して６５〜７０％と小さ
くなり、感度の低下を招く。
なお、光シールド層３４′による感度の低下を抑制する
手段として、ＣＣＤ撮像素子で従来がら知られているよ
うに凸型のマイクロレンズ３５′を設けることか考えら
れる。この方法によれば、開口率は実質的に増加し、１
．２倍程度となる。しかしながら、これでもマイクロレ
ンズ３５′に入射した光の一部は光シールド層３４′で
遮断されることになり、光導電膜積層型固体撮像装置の
感度か高いという特徴を十分に生かしきれないと言う問
題かあった。
手段として、ＣＣＤ撮像素子で従来がら知られているよ
うに凸型のマイクロレンズ３５′を設けることか考えら
れる。この方法によれば、開口率は実質的に増加し、１
．２倍程度となる。しかしながら、これでもマイクロレ
ンズ３５′に入射した光の一部は光シールド層３４′で
遮断されることになり、光導電膜積層型固体撮像装置の
感度か高いという特徴を十分に生かしきれないと言う問
題かあった。
（発明か解決しようとする課題）
このように従来、光導電膜積層型固体撮像装置において
は、スミア防止のために透明電極上に光シールド層を設
けるか、この光シールド層の設置に伴い感度か低下する
問題があった。
は、スミア防止のために透明電極上に光シールド層を設
けるか、この光シールド層の設置に伴い感度か低下する
問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その１
」的とするところは、光シールド層の設置に伴う感度の
低下を抑えることができ、スミア防止と共に感度の向上
をはかり得る積層型固体撮像装置を提供することにある
。
」的とするところは、光シールド層の設置に伴う感度の
低下を抑えることができ、スミア防止と共に感度の向上
をはかり得る積層型固体撮像装置を提供することにある
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の切子は、光導電膜上に形成する光シールド層及
びマイクロレンズの改良により、開口率の増大をはかる
ことにある。
びマイクロレンズの改良により、開口率の増大をはかる
ことにある。
即ち本発明は、半導体基板上に信号電荷蓄積ダイオード
及び信号電荷読出し部が配列され、且つ最上部に信号電
荷蓄積ダイオードに電気的に接続された画素電極が形成
された固体撮像素子チップと、このチップ上に形成され
た先導？８膜と、この光導電膜上に形成された透明電極
と、この透明電極」二の前記画素電極の間隙に対応する
位置に形成された光シールド層と、前記透明電極」二に
前記光シールド層を覆うように形成された凸型形状のマ
イクロレンズとを備えた積層型固体撮像装置において、
前記光シールド層を光入射側対して凸型形状に形成する
ようにしたものである。
及び信号電荷読出し部が配列され、且つ最上部に信号電
荷蓄積ダイオードに電気的に接続された画素電極が形成
された固体撮像素子チップと、このチップ上に形成され
た先導？８膜と、この光導電膜上に形成された透明電極
と、この透明電極」二の前記画素電極の間隙に対応する
位置に形成された光シールド層と、前記透明電極」二に
前記光シールド層を覆うように形成された凸型形状のマ
イクロレンズとを備えた積層型固体撮像装置において、
前記光シールド層を光入射側対して凸型形状に形成する
ようにしたものである。
（作 用）
本発明によれば、光シールド層を光入射側に対して凸型
形状としているので、光ンールト層上でマイクロレンズ
に入射した光は、光ンールト層で遮られることなく光導
電膜内に入射する。このため、開口率を略１００％にす
ることができ、光シールド層の設置に伴う感度の低下を
防止することが可能となる。
形状としているので、光ンールト層上でマイクロレンズ
に入射した光は、光ンールト層で遮られることなく光導
電膜内に入射する。このため、開口率を略１００％にす
ることができ、光シールド層の設置に伴う感度の低下を
防止することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる積層型固体撮像装置
の概略構成を示す断面図である。図中］］はＳｉ基板で
あり、この基板１１の表面層には電荷蓄積ダイオードと
なるｒ）“層１２．ＣＣＤチャネルとなるｎ＋層１３及
びチャネルストッパとしての９４層１４か形成されてい
る。基板１１上には絶縁膜１５．第１ゲート１６．第２
ゲート］７．第］電極（信号人力電極）１８．ＢＰＳＧ
（ボロンリンシリケートガラス）等の平滑化層１９及び
第２電極（画素電極）２０が形成され、さらに平滑化層
１９内にはＭｏ等の高融点金属からなる第１の光シール
ド層２１が形成されている。
の概略構成を示す断面図である。図中］］はＳｉ基板で
あり、この基板１１の表面層には電荷蓄積ダイオードと
なるｒ）“層１２．ＣＣＤチャネルとなるｎ＋層１３及
びチャネルストッパとしての９４層１４か形成されてい
る。基板１１上には絶縁膜１５．第１ゲート１６．第２
ゲート］７．第］電極（信号人力電極）１８．ＢＰＳＧ
（ボロンリンシリケートガラス）等の平滑化層１９及び
第２電極（画素電極）２０が形成され、さらに平滑化層
１９内にはＭｏ等の高融点金属からなる第１の光シール
ド層２１が形成されている。
そして、これらの要素１１〜，２］からＣＣＤ撮像素子
チップが構成されている。
チップが構成されている。
撮像素子チップ上には、光導電膜３１．バッファ層３２
及びＩＴＯ等の透明電極３３が順次積層されている。光
導電膜３１は、水素化アモルファスンリコンからなるも
ので、シランガスのグロー放電分解法により厚さ３μｍ
程度に形成されている。この水素化アモルファスシリコ
ンの比抵抗は１０１１〜１０１２Ωａｍであり、画素間
リークが少ないので、素子全面に形成することか可能で
ある。バッファ層３２は、厚さ ２００人程変形水素化
アモルファスンリコンカーバイトてあり、上部に積層さ
れる透明電極３３からの電子の注入を阻止するものであ
る。
及びＩＴＯ等の透明電極３３が順次積層されている。光
導電膜３１は、水素化アモルファスンリコンからなるも
ので、シランガスのグロー放電分解法により厚さ３μｍ
程度に形成されている。この水素化アモルファスシリコ
ンの比抵抗は１０１１〜１０１２Ωａｍであり、画素間
リークが少ないので、素子全面に形成することか可能で
ある。バッファ層３２は、厚さ ２００人程変形水素化
アモルファスンリコンカーバイトてあり、上部に積層さ
れる透明電極３３からの電子の注入を阻止するものであ
る。
また、透明電極３３上には、前記画素電極２０の間隙に
対応する位置に光入射側に対して凸型形状（ここでは断
面３角形状）の第２の光シールド層３４か形成されてい
る。そして、透明電極３３上には、光シールド層３４の
珀点に溝を有するようにマイクロレンズ３５が形成され
ている。ここで、光シールド層３４はＭｏ膜からなるも
ので、マイクロレンズ３５は有機材料であるカゼインか
らなるものである。
対応する位置に光入射側に対して凸型形状（ここでは断
面３角形状）の第２の光シールド層３４か形成されてい
る。そして、透明電極３３上には、光シールド層３４の
珀点に溝を有するようにマイクロレンズ３５が形成され
ている。ここで、光シールド層３４はＭｏ膜からなるも
ので、マイクロレンズ３５は有機材料であるカゼインか
らなるものである。
なお、光シールド層３４及びマイクロレンズ３５は、−
例として次のように形成される。まず、第２図（ａ）に
示す如く、前記透明電極３３上に光シールド材料となる
ＭＯ膜３４ａを厚さ１μｍ程度被着する。そして、Ｍｏ
膜３４ａの上に、Ｍ。
例として次のように形成される。まず、第２図（ａ）に
示す如く、前記透明電極３３上に光シールド材料となる
ＭＯ膜３４ａを厚さ１μｍ程度被着する。そして、Ｍｏ
膜３４ａの上に、Ｍ。
膜３４ａを残すべき形状に応じてマスク３６を形成する
。次いて、第２図（ｂ）に示す如く、ＭＯ膜３４ａを選
択エツチングする。このエツチングにサイドエツチング
を生じるようなエツチング方法、例えば溶液エツチング
を用いると、Ｍｏ膜３４ａはテーパエツチングされて３
角形状に残ることになり、これか光シールド層３４とな
る。つまり、透明電極２０の間隙を覆うように光シール
ド層３４か形成されることになる。また、上記Ｍｏ膜３
４ａの加工に、反応性イオンエツチングでマスク３６の
後退を利用したテーパエツチングを行ってもよい。
。次いて、第２図（ｂ）に示す如く、ＭＯ膜３４ａを選
択エツチングする。このエツチングにサイドエツチング
を生じるようなエツチング方法、例えば溶液エツチング
を用いると、Ｍｏ膜３４ａはテーパエツチングされて３
角形状に残ることになり、これか光シールド層３４とな
る。つまり、透明電極２０の間隙を覆うように光シール
ド層３４か形成されることになる。また、上記Ｍｏ膜３
４ａの加工に、反応性イオンエツチングでマスク３６の
後退を利用したテーパエツチングを行ってもよい。
次いで、第２図（Ｃ）に示す々目＜、全面にレンズ材料
となる有機膜、例えばカゼイン３５ａをスピンコードで
約１μｍ塗布し、その上にマスク３７を形成する。そし
て、上方から光を照射し、カゼイン３５ ａを露光する
。この光照射により、カゼイン３５ａのマスク直下以外
は光照射により感光することになる。次いで、マスク３
７を除去した後に現像を行うと、マスク３７の存在した
位置に相当する部分が早くエツチングされることになり
、第２図（ｄ）に示す如くマイクロレンズ３５が形成さ
れることになる。ここで、有機材料であるカゼインはネ
ガタイプレジストであることから、露光］０ された領域は現像しても除去され難く、露光されていな
い領域は除去され易い。さらに、カセインは露光感度か
悪いものである。従って、現１象した段階では図に示し
た如く満の端部か丸められており、凸型のマイクロレン
ズ３５か自動的に形成されることになる。
となる有機膜、例えばカゼイン３５ａをスピンコードで
約１μｍ塗布し、その上にマスク３７を形成する。そし
て、上方から光を照射し、カゼイン３５ ａを露光する
。この光照射により、カゼイン３５ａのマスク直下以外
は光照射により感光することになる。次いで、マスク３
７を除去した後に現像を行うと、マスク３７の存在した
位置に相当する部分が早くエツチングされることになり
、第２図（ｄ）に示す如くマイクロレンズ３５が形成さ
れることになる。ここで、有機材料であるカゼインはネ
ガタイプレジストであることから、露光］０ された領域は現像しても除去され難く、露光されていな
い領域は除去され易い。さらに、カセインは露光感度か
悪いものである。従って、現１象した段階では図に示し
た如く満の端部か丸められており、凸型のマイクロレン
ズ３５か自動的に形成されることになる。
このような構成であれば、光シールド層１３４に向かっ
て入射した光はマイクロレンズ３５により光路を曲げら
れ、光シールド層３４に当たることなく光導電膜３］に
照射される。このため、光シールド層３４を設置したこ
とによる感度低下を防止することかでき、積層型固体撮
像装置の利点を有効に発揮させることができる。また、
２つの光シールド層２１．３４の存在により、画素電極
２０の間隙を通してＣＣＤ転送領域側に人ｎ・ｊする光
をなくすことができ、スミアの発生を防止することがで
きる。つまり、スミアの発生防１にと共に感度低下の防
止をはかることができ、今後の多画素化にも十分対処す
ることかできる。
て入射した光はマイクロレンズ３５により光路を曲げら
れ、光シールド層３４に当たることなく光導電膜３］に
照射される。このため、光シールド層３４を設置したこ
とによる感度低下を防止することかでき、積層型固体撮
像装置の利点を有効に発揮させることができる。また、
２つの光シールド層２１．３４の存在により、画素電極
２０の間隙を通してＣＣＤ転送領域側に人ｎ・ｊする光
をなくすことができ、スミアの発生を防止することがで
きる。つまり、スミアの発生防１にと共に感度低下の防
止をはかることができ、今後の多画素化にも十分対処す
ることかできる。
本実施例による効果を、第３図を参照して詳し］ ］
く説明する。第３図は、透明電極３３上に光シールド層
及びマイクロレンズが形成されている状態である。従来
構造は、光ンールト層３４′はＡＢＣＤの平坦＋Ｍ造て
あり、マイクロレンズ３５′はｌ＋’ｌＥ’ｃＢＪで形
成されている。このとき、光シールド層３４′に向かっ
て入射した光はＧ゛→０’−Ｉ＋’−１’なる経路を通
り、光シールド層３４′の１１’部で反射され、光導電
膜３１には到達しない。
及びマイクロレンズが形成されている状態である。従来
構造は、光ンールト層３４′はＡＢＣＤの平坦＋Ｍ造て
あり、マイクロレンズ３５′はｌ＋’ｌＥ’ｃＢＪで形
成されている。このとき、光シールド層３４′に向かっ
て入射した光はＧ゛→０’−Ｉ＋’−１’なる経路を通
り、光シールド層３４′の１１’部で反射され、光導電
膜３１には到達しない。
従って、開口率か低くなり感度か低下する。
一方、本実施例構造では、光シールド層３４はＡＢＥな
る凸型テーパ構造を有する。また、これに応じてマイク
ロレンズ３５はＦＥＢＪて形成される。この結果、前述
した光シールド領域に入射した光はＧ−＋Ｏ−Ｈなる経
路を通るので、直接光導電膜３］に到達することか可能
である。この結果、感度か従来例に比較して大幅に高く
なる。実際、第５図の従来構造ては感度の低下は２０％
程度であったが、本実施例構造により感度の低下は８％
程度まで抑えることができた。
る凸型テーパ構造を有する。また、これに応じてマイク
ロレンズ３５はＦＥＢＪて形成される。この結果、前述
した光シールド領域に入射した光はＧ−＋Ｏ−Ｈなる経
路を通るので、直接光導電膜３］に到達することか可能
である。この結果、感度か従来例に比較して大幅に高く
なる。実際、第５図の従来構造ては感度の低下は２０％
程度であったが、本実施例構造により感度の低下は８％
程度まで抑えることができた。
ここで、第３図からも判るように従来装置と本実施例装
置との開口率の違いは、マイクロレンズの端部形状の違
いによるものである。従来）ｌ、ｉ造てもマイクロレン
ズ３５′をマイクロレンズ゛３５のように形成すれば本
実施例と同し開口率か得られると考えられる。しかしな
から、平坦形状の光ンルド層３４′を用いている限り端
部形状を本実施例のようにすることはできない。つまり
、本実施例は、凸型形状の光シールド層３４を用いてい
るので、マイクロレンズ３５の端部形状を開口率が高く
なるように形成できるのである。また、本実施例では、
光シールド層３４のテーパ角及びマイクロレンズ３５の
曲率を低化させて組Ａ ４っせることかでき、更なる感
度上昇を達成することもてきる。
置との開口率の違いは、マイクロレンズの端部形状の違
いによるものである。従来）ｌ、ｉ造てもマイクロレン
ズ３５′をマイクロレンズ゛３５のように形成すれば本
実施例と同し開口率か得られると考えられる。しかしな
から、平坦形状の光ンルド層３４′を用いている限り端
部形状を本実施例のようにすることはできない。つまり
、本実施例は、凸型形状の光シールド層３４を用いてい
るので、マイクロレンズ３５の端部形状を開口率が高く
なるように形成できるのである。また、本実施例では、
光シールド層３４のテーパ角及びマイクロレンズ３５の
曲率を低化させて組Ａ ４っせることかでき、更なる感
度上昇を達成することもてきる。
なお、本発明は」二連した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記光シールド層の断面形状は３角形に
限るものではなく、第４図（ａ）（１））に示す如く、
３角錐或いは階段状の凸部であってもよい。また、光シ
ールド層、マイクロレンズの＋」料や形成方法等は、実
施例に１１１等限定されるものてはなく、仕様に応じて
適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
ない。例えば、前記光シールド層の断面形状は３角形に
限るものではなく、第４図（ａ）（１））に示す如く、
３角錐或いは階段状の凸部であってもよい。また、光シ
ールド層、マイクロレンズの＋」料や形成方法等は、実
施例に１１１等限定されるものてはなく、仕様に応じて
適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
「発明の効果コ
以」二詳述したように本発明によれば、光シールド層を
凸型形状として開口率を１００％近くにすることができ
、光シールド層の設置に伴う感度の低下を防止すること
かｉｉＪ能となる。従って、スミア防止と共に感度の向
」二をはかり得る積層型固体撮像装置を実現することが
可能となる。
凸型形状として開口率を１００％近くにすることができ
、光シールド層の設置に伴う感度の低下を防止すること
かｉｉＪ能となる。従って、スミア防止と共に感度の向
」二をはかり得る積層型固体撮像装置を実現することが
可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係わる積層型固体撮像装置
の概略構成を示す断面図、第２図は同実施例における光
シールド層及びマイクロレンズの形成工程を示す断面図
、第３図は同実施例の効果を説明するための模式図、第
４図は本発明の詳細な説明するための断面図、第５図は
従来装置の概略構成を示す断面図である。 １１ ・Ｓｉ基板、］２・・・ｎ”層（電荷蓄積ダイオ
ード）、１８・・第１の電極（信号入力電極）、］４ ］ 平滑化層、 ・・第２の電極 （画素電極） ・・・第 １の光シ ル ト層、 ・・光導電膜、 透明電極、 第２の光シ ルト層、 ５ ・・ マイクロレンズ。
の概略構成を示す断面図、第２図は同実施例における光
シールド層及びマイクロレンズの形成工程を示す断面図
、第３図は同実施例の効果を説明するための模式図、第
４図は本発明の詳細な説明するための断面図、第５図は
従来装置の概略構成を示す断面図である。 １１ ・Ｓｉ基板、］２・・・ｎ”層（電荷蓄積ダイオ
ード）、１８・・第１の電極（信号入力電極）、］４ ］ 平滑化層、 ・・第２の電極 （画素電極） ・・・第 １の光シ ル ト層、 ・・光導電膜、 透明電極、 第２の光シ ルト層、 ５ ・・ マイクロレンズ。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に信号電荷蓄積ダイオード及び信号
電荷読出し部が配列され、且つ最上部に信号電荷蓄積ダ
イオードに電気的に接続された画素電極が形成された固
体撮像素子チップと、このチップ上に形成された光導電
膜と、この光導電膜上に形成された透明電極と、この透
明電極上の前記画素電極の間隙に対応する位置に形成さ
れ、且つ光入射側に対して凸型形状を有するように形成
された光シールド層と、前記透明電極上に前記光シール
ド層を覆うように形成された凸型形状のマイクロレンズ
とを具備してなることを特徴とする積層型固体撮像装置
。 - （２）前記光シールド層は、前記透明電極上に被着した
金属膜をテーパエッチングして３角形形状に形成された
ものであることを特徴とする請求項１記載の積層型固体
撮像装置。 - （３）前記マイクロレンズは、前記透明電極及び光シー
ルド層上に被着した有機材料膜に対し、選択的な露光及
び現像により前記光シールド層の頂部上の位置に溝を設
けて形成されたものであることを特徴とする請求項１記
載の積層型固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221627A JPH0269978A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 積層型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221627A JPH0269978A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 積層型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269978A true JPH0269978A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16769728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221627A Pending JPH0269978A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 積層型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269978A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132251A (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a color filter |
| US5172206A (en) * | 1990-07-30 | 1992-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image pickup device with mirrors |
| US5396090A (en) * | 1993-02-17 | 1995-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device having partition wall for partitioning bottom portions of micro lenses |
| EP0640850A3 (en) * | 1993-08-30 | 1996-07-31 | Toray Industries | Arrangement of microlenses for a liquid crystal display device, method for fixing it, and liquid crystal display device using it. |
| EP1494290A3 (en) * | 2003-06-24 | 2005-09-28 | OmniVision International Holding Ltd | Image sensor having micro-lens array separated with ridge structures and method of making |
| JP2009212377A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63221627A patent/JPH0269978A/ja active Pending
Cited By (8)
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| CN100405607C (zh) * | 2003-06-24 | 2008-07-23 | 华微半导体（上海）有限责任公司 | 具有用脊结构隔开的微透镜的图象传感器及其制造方法 |
| US8031253B2 (en) | 2003-06-24 | 2011-10-04 | Omnivision International Holding, Ltd. | Image sensor having micro-lens array separated with ridge structures and method of making |
| JP2009212377A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 |
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