JPH0269997A - セラミック超伝導磁気シールド体およびその製造方法 - Google Patents
セラミック超伝導磁気シールド体およびその製造方法Info
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- JPH0269997A JPH0269997A JP63222680A JP22268088A JPH0269997A JP H0269997 A JPH0269997 A JP H0269997A JP 63222680 A JP63222680 A JP 63222680A JP 22268088 A JP22268088 A JP 22268088A JP H0269997 A JPH0269997 A JP H0269997A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック超伝導体を用いた磁気シールド体お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
本発明は、セラミック超伝導体層が一層以上積層された
セラミック超伝導磁気シールド体において、 基材表面にセラミック超伝導体層を形成することにより
、 液体窒素温度で磁気シールド効果を示し、しかも大型ま
たは複雑な形状のものでも製造可能な磁気シールド体お
よびその製造方法を提供するものである。
セラミック超伝導磁気シールド体において、 基材表面にセラミック超伝導体層を形成することにより
、 液体窒素温度で磁気シールド効果を示し、しかも大型ま
たは複雑な形状のものでも製造可能な磁気シールド体お
よびその製造方法を提供するものである。
近年になって種々の磁気発生装置、特に超伝導磁石を使
用した医療機器が広く使用されている。
用した医療機器が広く使用されている。
このような装置では、人体の保護のために、磁気シール
ドが必要とされる。また、ディジタル電子機器による不
要電磁波の発生およびこの電磁波による機器の誤動作を
防止するためにも磁気シールドが必要とされている。
ドが必要とされる。また、ディジタル電子機器による不
要電磁波の発生およびこの電磁波による機器の誤動作を
防止するためにも磁気シールドが必要とされている。
磁気シールド材料としては、従来から、透磁率ノ高イパ
ーマロイ、ケイ素鋼板などの金属磁性材料が用いられて
いる。
ーマロイ、ケイ素鋼板などの金属磁性材料が用いられて
いる。
しかし、これらの磁性材料は有限の透磁率をもつことか
ら、例えば脳や心臓などから発生する生体の微弱な磁界
を計測する生体磁気計測の分野その他で使用される超伝
導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）用の磁気シールドに
は不十分であった。
ら、例えば脳や心臓などから発生する生体の微弱な磁界
を計測する生体磁気計測の分野その他で使用される超伝
導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）用の磁気シールドに
は不十分であった。
そこで、金属超伝導材料を用いた５ＱＵＩＤ用の磁気シ
ールド材が実用化されている。超伝導材料のマイスナ効
果を利用することにより、理論的には完全な磁気シール
ドが可能である。
ールド材が実用化されている。超伝導材料のマイスナ効
果を利用することにより、理論的には完全な磁気シール
ドが可能である。
しかし、金属超伝導材料では冷却用に液体ヘリウムが必
要となり、液体窒素温度で動作する５ＱＵＩＤの磁気シ
ールドは不可能であった。そこで、セラミック超伝導材
料を用いた磁気シールド材が検討されている。
要となり、液体窒素温度で動作する５ＱＵＩＤの磁気シ
ールドは不可能であった。そこで、セラミック超伝導材
料を用いた磁気シールド材が検討されている。
５ＱＵＩＤ用の磁気シールド体は、基本的に、周囲から
の磁界をシールドするためにパイプ状の形をしている。
の磁界をシールドするためにパイプ状の形をしている。
セラミック超伝導体で磁気シールド体を製造するには、
超伝導体粉末をパイプ状に焼結することが考えられる。
超伝導体粉末をパイプ状に焼結することが考えられる。
しかし、この方法では焼結時に一部液相が生じやすいた
め、変形してしまう欠点があった。また、加工性も劣り
、大型のものを製造できない欠点がある。さらに、磁気
シールド効果は一層構造で厚い場合よりも多層構造の方
が優れているのに対し、バルク材ではこの構造を作るこ
とが困難である。超伝導薄膜を用いることも考えられる
が、薄膜では大型のもの、または複雑な形状のものは製
造が難しい欠点がある。
め、変形してしまう欠点があった。また、加工性も劣り
、大型のものを製造できない欠点がある。さらに、磁気
シールド効果は一層構造で厚い場合よりも多層構造の方
が優れているのに対し、バルク材ではこの構造を作るこ
とが困難である。超伝導薄膜を用いることも考えられる
が、薄膜では大型のもの、または複雑な形状のものは製
造が難しい欠点がある。
本発明は、以上の問題点を解決し、セラミック超伝導体
を使用した超伝導磁気シールド体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
を使用した超伝導磁気シールド体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のセラミック超伝導磁気シールド体は、支持基材
の表面にセラミック超伝導体の層が形成されたことを特
徴とする。
の表面にセラミック超伝導体の層が形成されたことを特
徴とする。
超伝導体層を構成するセラミック超伝導体物質としては
、 ■ アルカリ土類元素、イツトリウムとランクニド元素
との一方または双方、および銅を構成成分とする酸化物
、 ■ ビスマスと釦との一方または双方、ストロンチウム
、カルシウムおよび銅を構成成分とする酸化物、 ■ カリウム、バリウム、カルシウムおよび銅を構成成
分とする酸化物、 ■ バリウム、カリウムと鉛との一方または双方、およ
びビスマスを構成成分とする酸化物その他を用いること
ができる。
、 ■ アルカリ土類元素、イツトリウムとランクニド元素
との一方または双方、および銅を構成成分とする酸化物
、 ■ ビスマスと釦との一方または双方、ストロンチウム
、カルシウムおよび銅を構成成分とする酸化物、 ■ カリウム、バリウム、カルシウムおよび銅を構成成
分とする酸化物、 ■ バリウム、カリウムと鉛との一方または双方、およ
びビスマスを構成成分とする酸化物その他を用いること
ができる。
超伝導体層は、セラミック超伝導体物質１００に対して
０．１〜５０重量部の金属またはその酸化物を含むこと
が望ましい。これにより、緻密で、支持基体との接着密
度が高く、しかも臨界温度および臨界電流密度の高い超
伝導体層が得られる。これにより、金属またはその酸化
物を含まない場合に比べて磁気シールド効果が大幅に改
善される。
０．１〜５０重量部の金属またはその酸化物を含むこと
が望ましい。これにより、緻密で、支持基体との接着密
度が高く、しかも臨界温度および臨界電流密度の高い超
伝導体層が得られる。これにより、金属またはその酸化
物を含まない場合に比べて磁気シールド効果が大幅に改
善される。
また、超伝導体層の表面には、水分および炭酸水との反
応を防止する保護皮膜を設けることが望ましい。セラミ
ック超伝導体、特に酸素欠損ペロブスカイト型の３ａ２
ＹＣｕ３０７−ｙ超伝導体（ｙは酸素欠損量）は、水分
や炭酸水を吸着すると分解して超伝導特性が大きく劣化
する。特に、塗布またはスクリーン印刷にりよ形成した
厚膜の場合には、バルクに比べて緻密化が困難であり、
水分や炭酸水の吸着による劣化が大きい。しかし、その
表面に皮膜を設けることにより、繰り返し使用しても特
性に変化のないセラミック超伝導磁気シールド体が得ら
れる。
応を防止する保護皮膜を設けることが望ましい。セラミ
ック超伝導体、特に酸素欠損ペロブスカイト型の３ａ２
ＹＣｕ３０７−ｙ超伝導体（ｙは酸素欠損量）は、水分
や炭酸水を吸着すると分解して超伝導特性が大きく劣化
する。特に、塗布またはスクリーン印刷にりよ形成した
厚膜の場合には、バルクに比べて緻密化が困難であり、
水分や炭酸水の吸着による劣化が大きい。しかし、その
表面に皮膜を設けることにより、繰り返し使用しても特
性に変化のないセラミック超伝導磁気シールド体が得ら
れる。
保護皮膜としては、硼ケイ酸ガラス、結晶化ガラスなど
のガラス材料、あるいは金、銀、白金、パラジウムなど
の金属や合金、ワックス、フェス、ポリエステル樹脂、
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ
ソ樹脂などの有機材料など、超伝導物質と反応が小さく
、気密性があり、液体窒素温度と室温との間の温度変化
に対してクラックが生じない材料が適している。皮膜を
形成する方法としては、その材料を塗布、印刷または含
浸してもよく、蒸着、スパッタリンクなどの物理蒸着や
メツキ法を用いてもよい。また、ガラスを皮膜として用
いる場合には熱処理を施すこともある。皮膜の厚さとし
ては１〜１００μ０程度が適しているが、クラックが生
じなければこれより厚くてもよい。
のガラス材料、あるいは金、銀、白金、パラジウムなど
の金属や合金、ワックス、フェス、ポリエステル樹脂、
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ
ソ樹脂などの有機材料など、超伝導物質と反応が小さく
、気密性があり、液体窒素温度と室温との間の温度変化
に対してクラックが生じない材料が適している。皮膜を
形成する方法としては、その材料を塗布、印刷または含
浸してもよく、蒸着、スパッタリンクなどの物理蒸着や
メツキ法を用いてもよい。また、ガラスを皮膜として用
いる場合には熱処理を施すこともある。皮膜の厚さとし
ては１〜１００μ０程度が適しているが、クラックが生
じなければこれより厚くてもよい。
超伝導体層の表面、保護皮膜を設けた場合には超伝導体
層と保護皮膜との間または保護皮膜の表面に、磁性体層
を設けることが望ましい。この磁性体層は、超伝導体層
に含まれるセラミック超伝導体が超伝導特性を示す温度
において磁気シールド効果を示す磁性材料、すなわち高
透磁率および高飽和磁束密度を有する磁性材料であるこ
とが望ましい。さらに、超伝導体層の臨界温度以上でも
磁気シールド効果を示す磁性材料であることが望ましい
。このような材料としては、パーマロイ組成を含むＦｅ
−Ｎｉ合金、ケイ素鋼板その他の金属材料、あるいはフ
ェライト材料を用いる。これらの材料の膜を超伝導体層
の表面に形成するには、蒸着、スパッタリングその他の
物理成膜や、メツキ法を用いる。
層と保護皮膜との間または保護皮膜の表面に、磁性体層
を設けることが望ましい。この磁性体層は、超伝導体層
に含まれるセラミック超伝導体が超伝導特性を示す温度
において磁気シールド効果を示す磁性材料、すなわち高
透磁率および高飽和磁束密度を有する磁性材料であるこ
とが望ましい。さらに、超伝導体層の臨界温度以上でも
磁気シールド効果を示す磁性材料であることが望ましい
。このような材料としては、パーマロイ組成を含むＦｅ
−Ｎｉ合金、ケイ素鋼板その他の金属材料、あるいはフ
ェライト材料を用いる。これらの材料の膜を超伝導体層
の表面に形成するには、蒸着、スパッタリングその他の
物理成膜や、メツキ法を用いる。
超伝導体層の支持基材としては、超伝導体層に含まれる
セラミック超伝導体に対する反応性が小さいものが望ま
しく、酸化ジルコニウム、ｉ１２化マグネシウム、チタ
ン酸ストロンチウム、あるいはこれらの少なくともひと
つを主成分とするセラミックス材料が適している。また
、これらのセラミックス材料の皮膜をアルミナその他の
セラミックス基板表面に形成したものを用いることもで
きる。
セラミック超伝導体に対する反応性が小さいものが望ま
しく、酸化ジルコニウム、ｉ１２化マグネシウム、チタ
ン酸ストロンチウム、あるいはこれらの少なくともひと
つを主成分とするセラミックス材料が適している。また
、これらのセラミックス材料の皮膜をアルミナその他の
セラミックス基板表面に形成したものを用いることもで
きる。
さらにアルミナその他のセラミックス基板表面に銀、金
、白金、パラジウムその他の金属皮膜を形成したものを
用いることもできる。
、白金、パラジウムその他の金属皮膜を形成したものを
用いることもできる。
また、支持基材は、磁性体層を含むことが望ましい。こ
の磁性体層は、超伝導体層に含まれるセラミック超伝導
体が超伝導特性を示す温度において高い磁性率を示す磁
性材料であることが望ましい。磁性体層と超伝導体層と
の間には、磁性体とセラミック超伝導体との反応を防止
するため、上述したセラミック材料の皮膜や金属皮膜を
設けることが必要である。
の磁性体層は、超伝導体層に含まれるセラミック超伝導
体が超伝導特性を示す温度において高い磁性率を示す磁
性材料であることが望ましい。磁性体層と超伝導体層と
の間には、磁性体とセラミック超伝導体との反応を防止
するため、上述したセラミック材料の皮膜や金属皮膜を
設けることが必要である。
このようなセラミック超伝導磁気シールド体を製造する
には、セラミック超伝導体物質の粉末、有機結合材およ
び溶剤を混合したセラミック超伝導体ペーストを支持基
材に塗布あるいは印刷し、このセラミック超伝導体ペー
ストを焼成する。また、支持基材の表面に超伝導体粉末
を溶射し、例えば酸化性雰囲気中で熱処理してもよい。
には、セラミック超伝導体物質の粉末、有機結合材およ
び溶剤を混合したセラミック超伝導体ペーストを支持基
材に塗布あるいは印刷し、このセラミック超伝導体ペー
ストを焼成する。また、支持基材の表面に超伝導体粉末
を溶射し、例えば酸化性雰囲気中で熱処理してもよい。
セラミック超伝導体物質の粉末には、金属またはその酸
化物の粉末を混合することが望ましい。
化物の粉末を混合することが望ましい。
この粉末は、酸素を含む雰囲気中においてセラミック超
伝導体物質の焼成温度で溶融する金属、合金、これらを
含む混合物、これらの酸化物、あるいは酸素を脱離する
金属酸化物またはその混合物であればよい。このような
金属、金属酸化物としては、金、銀、白金、パラジウム
または水銀、これらを含む合金、混合物、これらの酸化
物、酸化物の混合物、金属と酸化物との混合物その他を
用いることができる。金属または金属酸化物の混合割合
としては、セラミック超伝導体物質１００に対して０．
１〜５０重量部の範囲が望ましい。この範囲であれば、
基板との密着性に優れ、かつ十分に緻密で臨界温度およ
び臨界電流密度の高い超伝導体層が得られる。
伝導体物質の焼成温度で溶融する金属、合金、これらを
含む混合物、これらの酸化物、あるいは酸素を脱離する
金属酸化物またはその混合物であればよい。このような
金属、金属酸化物としては、金、銀、白金、パラジウム
または水銀、これらを含む合金、混合物、これらの酸化
物、酸化物の混合物、金属と酸化物との混合物その他を
用いることができる。金属または金属酸化物の混合割合
としては、セラミック超伝導体物質１００に対して０．
１〜５０重量部の範囲が望ましい。この範囲であれば、
基板との密着性に優れ、かつ十分に緻密で臨界温度およ
び臨界電流密度の高い超伝導体層が得られる。
有機結合材としては、エチルセルローズ、ニトロセルロ
ーズその他のセルローズ系樹脂、ポリメチルメタクリレ
ートその他のアクリル系樹脂、アルキッドフェノール系
樹脂、ビニール系樹脂、エポキシ系樹脂その他の焼成雰
囲気中で容易に熱分解が進行するものであれば、どのよ
うな材料を使用してもよい。
ーズその他のセルローズ系樹脂、ポリメチルメタクリレ
ートその他のアクリル系樹脂、アルキッドフェノール系
樹脂、ビニール系樹脂、エポキシ系樹脂その他の焼成雰
囲気中で容易に熱分解が進行するものであれば、どのよ
うな材料を使用してもよい。
ペースト化に用いる溶剤としては、カルピトールアセテ
ート、テルピネオール、トルエン、キシレンその他の芳
香族溶媒、酢酸エチルその他のエステル系溶媒、メチル
エチルケトンその他のケトン系溶媒、あるいはそれらの
混合溶媒を任意に使用できる。
ート、テルピネオール、トルエン、キシレンその他の芳
香族溶媒、酢酸エチルその他のエステル系溶媒、メチル
エチルケトンその他のケトン系溶媒、あるいはそれらの
混合溶媒を任意に使用できる。
セラミック超伝導体を支持基材の表面に形成することに
より、支持基材の形状で磁気シールド体を製造できる。
より、支持基材の形状で磁気シールド体を製造できる。
したがって、大型の磁気シールド体を容易に製造できる
とともに、複雑な形状のものも容易に製造できる。また
、容易に多層構造の磁気シールド体を製造できる。
とともに、複雑な形状のものも容易に製造できる。また
、容易に多層構造の磁気シールド体を製造できる。
（実施例１）
出発原料として炭酸バリウムＢａＣ０＋ 、三酸化二イ
ツトリウムＹ２０゜および酸化第二銅ＣｕＯを用い、こ
れらを混合し、通常のセラミックス製造の手順、すなわ
ち仮焼、粉砕、造粒・成形および焼成を行ってセラミッ
ク超伝導体を得た。仮焼および焼成は大気中で行い、９
２５℃で２０時間加熱した後に、５０℃／時の速度で冷
却した。
ツトリウムＹ２０゜および酸化第二銅ＣｕＯを用い、こ
れらを混合し、通常のセラミックス製造の手順、すなわ
ち仮焼、粉砕、造粒・成形および焼成を行ってセラミッ
ク超伝導体を得た。仮焼および焼成は大気中で行い、９
２５℃で２０時間加熱した後に、５０℃／時の速度で冷
却した。
このようにして得られたセラミック超伝導体について、
ジルコニアボールを用い、乾燥窒素ガス雲囲気下のエタ
ノール中でｌＯ時時間式粉砕した。
ジルコニアボールを用い、乾燥窒素ガス雲囲気下のエタ
ノール中でｌＯ時時間式粉砕した。
これにより、平均粒径が１μｍのセラミック超伝導体物
質の粉末を得た。この粉末を二つに分け、その一方に酸
化銀粉（粒径０．５μｍ）を３０重量部混合した。
質の粉末を得た。この粉末を二つに分け、その一方に酸
化銀粉（粒径０．５μｍ）を３０重量部混合した。
次に、得られた粉末にエチルセルローズ、プチルベンジ
ルフクレートおよびテルピネオールを混合し、儒潰機に
より、乾燥しないように留意しながら乾燥窒素雰囲気中
で攪拌混合し、ペースト化してセラミック超伝導体ペー
ストを得た。
ルフクレートおよびテルピネオールを混合し、儒潰機に
より、乾燥しないように留意しながら乾燥窒素雰囲気中
で攪拌混合し、ペースト化してセラミック超伝導体ペー
ストを得た。
このセラミック超伝導体ペーストを用いたセラミック超
伝導磁気シールド体の一例を図に示す。
伝導磁気シールド体の一例を図に示す。
この例では、セラミック超伝導体ペーストを内径２０ｍ
ｍ、外径２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのジルコニアセラミ
ック製パイプ１の内面に塗布し、９８５℃で３分間、酸
素中で焼成し、厚さ１００μｍの超伝導体層２を形成し
た。
ｍ、外径２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのジルコニアセラミ
ック製パイプ１の内面に塗布し、９８５℃で３分間、酸
素中で焼成し、厚さ１００μｍの超伝導体層２を形成し
た。
このセラミック超伝導磁気シールド体を液体窒素に浸し
、パイプ内部に極低温用のホール素子を配置し、外部か
らパイプに垂直に磁場を印加して内部の磁場の大きさを
測定した。その結果を第１表に示す。
、パイプ内部に極低温用のホール素子を配置し、外部か
らパイプに垂直に磁場を印加して内部の磁場の大きさを
測定した。その結果を第１表に示す。
（以下本頁余白）
第
表
第１表に示したように、超伝導体層により磁気シールド
効果が得られる。このとき、超伝導体層に酸化銀を添加
すると、磁気シールド効果がさらに改善される。
効果が得られる。このとき、超伝導体層に酸化銀を添加
すると、磁気シールド効果がさらに改善される。
（実施例２）
内径２０ｍｍ、外径２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのパイプ
状に加工されたＮｉ−Ｚｎフェライト磁性材料の内面に
、有１属アルコキシドのジルコニアアルコキシド２ｒ
（ＤＣ２Ｈ５） ４液体を塗布し、温度５０℃の大気中
で５分間にわたり熱風乾燥した。次に、これを１２００
℃で１時間焼成し、ジルコニアの酸化物膜が内面に形成
されたパイプを得た。
状に加工されたＮｉ−Ｚｎフェライト磁性材料の内面に
、有１属アルコキシドのジルコニアアルコキシド２ｒ
（ＤＣ２Ｈ５） ４液体を塗布し、温度５０℃の大気中
で５分間にわたり熱風乾燥した。次に、これを１２００
℃で１時間焼成し、ジルコニアの酸化物膜が内面に形成
されたパイプを得た。
このパイプを支持基体とし、この支持基体の内面に、実
施例１で得られた酸化銀を混入したセラミック超伝導体
ペーストを塗布した。さらに、これを９８５℃で３分間
にわたり酸素中で焼成し、厚さ１００μｍの超伝導体層
を形成した。さらに、超伝導体層の表面に、フッソ樹脂
で保護皮膜を形成した。
施例１で得られた酸化銀を混入したセラミック超伝導体
ペーストを塗布した。さらに、これを９８５℃で３分間
にわたり酸素中で焼成し、厚さ１００μｍの超伝導体層
を形成した。さらに、超伝導体層の表面に、フッソ樹脂
で保護皮膜を形成した。
このセラミック超伝導磁気シールド体を液体窒素に浸し
、パイプ内部に極低温用のホール素子を配置し、外部か
らパイプに垂直に磁場を印加して内部の磁場の大きさを
測定した。その結果を第２表に示す。この表には、超伝
導体層を設けない場合の測定値を比較例として示す。
、パイプ内部に極低温用のホール素子を配置し、外部か
らパイプに垂直に磁場を印加して内部の磁場の大きさを
測定した。その結果を第２表に示す。この表には、超伝
導体層を設けない場合の測定値を比較例として示す。
（以下不貞余白）
第 ２ 表
第２表に示した測定値を第１表に示した測定値と比較す
ると、実施例２の方が高い磁場まで大きな磁気シールド
効果を示すことがわかる。
ると、実施例２の方が高い磁場まで大きな磁気シールド
効果を示すことがわかる。
いずれの実施例についても、液体窒素と室温とで繰り返
し測定したが、超伝導体層表面の塗布状態、ひび割れ、
クラックその他の変化は目視では観測されなかった。
し測定したが、超伝導体層表面の塗布状態、ひび割れ、
クラックその他の変化は目視では観測されなかった。
以上説明したように、本発明のセラミック超伝導磁気シ
ールド体は、微弱な磁場だけでなく比較的大きな磁場に
対しても磁気シールド効果を示す。
ールド体は、微弱な磁場だけでなく比較的大きな磁場に
対しても磁気シールド効果を示す。
本発明により、大型の磁気シールド体を容易に製造でき
るとともに、複雑な形状のものも容易に製造できる。ま
た、多層構造の磁気シールド体を容易に製造できる。し
たがって、本発明は、液体窒素温度で使用する機器の磁
気シールド体として大きな効果がある。
るとともに、複雑な形状のものも容易に製造できる。ま
た、多層構造の磁気シールド体を容易に製造できる。し
たがって、本発明は、液体窒素温度で使用する機器の磁
気シールド体として大きな効果がある。
図は本発明実施例セラミック超伝導磁気シールド体の斜
視図。 ■・・・ジルコニアセラミック製パイプ、２・・・超伝
導体層。 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理士
井 出 直 孝
視図。 ■・・・ジルコニアセラミック製パイプ、２・・・超伝
導体層。 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理士
井 出 直 孝
Claims (13)
- １．セラミック超伝導体層が一層以上積層されたセラミ
ック超伝導磁気シールド体において、上記超伝導体層は
支持基材の表面に形成されたことを特徴とするセラミッ
ク超伝導磁気シールド体。 - ２．超伝導体層は、セラミック超伝導体物質１００に対
して０．１〜５０重量部の金属またはその酸化物を含む
請求項１記載のセラミック超伝導磁気シールド体。 - ３．超伝導体層の表面に水分および炭酸水との反応を防
止する保護皮膜が設けられた請求項１記載のセラミック
超伝導磁気シールド体。 - ４．超伝導体層の表面に磁性体層が設けられた請求項１
記載のセラミック超伝導磁気シールド体。 - ５．磁性体層は、超伝導体層に含まれるセラミック超伝
導体が超伝導特性を示す温度において磁気シールド効果
を示す磁性材料である請求項４記載のセラミック超伝導
磁気シールド体。 - ６．支持基材は磁性体層を含む請求項１記載のセラミッ
ク超伝導磁気シールド体。 - ７．磁性体層は、超伝導体層に含まれるセラミック超伝
導体が超伝導特性を示す温度において磁気シールド効果
を示す磁性材料を含む請求項６記載のセラミック超伝導
磁気シールド体。 - ８．支持基材は、超伝導体層と接する界面に、超伝導体
層に含まれるセラミック超伝導体に対する反応性が小さ
い膜が設けられた請求項１記載のセラミック超伝導磁気
シールド体。 - ９．反応性の小さい膜は、酸化ジルコニウム、酸化マグ
ネシウム、チタン酸ストロンチウム、銀、パラジウムま
たは白金のいずれかを含む請求項８記載のセラミック超
伝導磁気シールド体。 - １０．セラミック超伝導体物質の粉末、有機結合材およ
び溶剤を混合したセラミック超伝導体ペーストを支持基
材に塗布し、 このセラミック超伝導体ペーストを焼成するセラミック
超伝導磁気シールドの製造方法。 - １１．セラミック超伝導体物質の粉末は、セラミック超
伝導体物質１００に対して０．１〜５０重量部の金属ま
たはその酸化物の粉末を含む請求項１０記載のセラミッ
ク超伝導磁気シールドの製造方法。 - １２．セラミック超伝導体ペーストを支持基材に塗布す
る前に、この支持基材の表面に、セラミック超伝導体ペ
ーストに含まれるセラミック超伝導体物質との反応性の
小さい膜を形成する請求項１０記載のセラミック超伝導
磁気シールドの製造方法。 - １３．セラミック超伝導体ペーストを焼成した後に、そ
の表面に磁性体層を形成する請求項１０記載のセラミッ
ク超伝導磁気シールドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222680A JPH0269997A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | セラミック超伝導磁気シールド体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222680A JPH0269997A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | セラミック超伝導磁気シールド体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269997A true JPH0269997A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16786239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63222680A Pending JPH0269997A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | セラミック超伝導磁気シールド体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269997A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722822A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Nec Corp | マイクロストリップライン共振器及びマイクロストリップライン共振器用シールドの製造方法 |
| JPH07283586A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 磁気シールド体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63258098A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Fujikura Ltd | 超電導電磁シ−ルド体 |
| JPS6444098A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Fujikura Ltd | Superconducting electromagnetic shielding material |
| JPS6460913A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Furukawa Electric Co Ltd | Ceramic superconductive base board |
| JPH01110799A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導磁気遮蔽材の製造方法 |
| JPH01260895A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 積層磁気シールド材 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63222680A patent/JPH0269997A/ja active Pending
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| JPH01110799A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導磁気遮蔽材の製造方法 |
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