JPH027173B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH027173B2 JPH027173B2 JP55064818A JP6481880A JPH027173B2 JP H027173 B2 JPH027173 B2 JP H027173B2 JP 55064818 A JP55064818 A JP 55064818A JP 6481880 A JP6481880 A JP 6481880A JP H027173 B2 JPH027173 B2 JP H027173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron
- electron beam
- sample current
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置に関し、特に試料
電流を自動的に制御することを可能とした電子ビ
ーム露光装置に関する。
電流を自動的に制御することを可能とした電子ビ
ーム露光装置に関する。
表面に電子レジスト膜を有する半導体基板或い
はマスク基板等の試料に電子ビーム露光を行なう
に際し、上記試料面に到達する試料電流（電子ビ
ーム量）を使用する電子レジストの感度等に応じ
て露光前に予め所望の値に制御しておかねばなら
ない。
はマスク基板等の試料に電子ビーム露光を行なう
に際し、上記試料面に到達する試料電流（電子ビ
ーム量）を使用する電子レジストの感度等に応じ
て露光前に予め所望の値に制御しておかねばなら
ない。
従来の電子ビーム露光装置において上述の試料
電流の調整を行なうには、試料を載置するステー
ジに取り付けられたフアラデーケージに接続する
試料電流計を見ながら、試料電流を調整するため
の２個の電子レンズの励磁電流を手動操作で適宜
選択することにより行なつていた。即ち電子レン
ズの強度を手動操作で調整していた。そのため試
料電流の調整に長時間を要するのみならず、電子
ビームのクロスオーバ（最小断面）像の結像位置
とブランキング偏向器の主面の位置とが常に一致
するとは限らない。この両者が一致していない場
合にはブランキングの際電子ビームの位置が試料
面上をシフトする。このシフト速度は非常に速い
ので、低感度の電子レジストを用いる場合には殆
んど問題はないが、高感度の電子レジストを使用
する場合には上述の電子ビームがシフトした軌跡
部分が感光してしまいパターンの乱れを生じる恐
れがある。従つて試料電流の調整に際してクロス
オーバ像の結像位置をブランキング偏向器の主面
の位置と一致させようとすると更に長時間を要
し、しかもその操作は容易ではない。
電流の調整を行なうには、試料を載置するステー
ジに取り付けられたフアラデーケージに接続する
試料電流計を見ながら、試料電流を調整するため
の２個の電子レンズの励磁電流を手動操作で適宜
選択することにより行なつていた。即ち電子レン
ズの強度を手動操作で調整していた。そのため試
料電流の調整に長時間を要するのみならず、電子
ビームのクロスオーバ（最小断面）像の結像位置
とブランキング偏向器の主面の位置とが常に一致
するとは限らない。この両者が一致していない場
合にはブランキングの際電子ビームの位置が試料
面上をシフトする。このシフト速度は非常に速い
ので、低感度の電子レジストを用いる場合には殆
んど問題はないが、高感度の電子レジストを使用
する場合には上述の電子ビームがシフトした軌跡
部分が感光してしまいパターンの乱れを生じる恐
れがある。従つて試料電流の調整に際してクロス
オーバ像の結像位置をブランキング偏向器の主面
の位置と一致させようとすると更に長時間を要
し、しかもその操作は容易ではない。
本発明の目的は試料電流を自動的に制御し得る
電子ビーム露光装置を提供することにある。
電子ビーム露光装置を提供することにある。
本発明の目的は、試料面に到達する試料電流を
制御するための第１及び第２の電子レンズと、試
料電流を検出するためのフアラデーケージと、電
子ビームをブランキングするためのブランキング
偏向器とを具備する電子ビーム露光装置におい
て、所望の試料電流値を指定する手段と、前記フ
アラデーケージにより検出する試料電流と、前記
試料電流値を指定する手段により指定する電流値
との差を算出する比較器と、該比較器の算出結果
を受けて前記第１、第２の電子レンズの励磁電流
を制御する駆動電流制御器と、所定の試料電流値
において電子ビームのクロスオーバ像をブランキ
ング偏向器主面の位置に結像せしめる前記第１、
第２の電子レンズの強度に対するデータを記憶し
た記憶装置を少なくとも備えている前記第１、第
２の電子レンズの強度制御手段を有し、前記指定
された試料電流値に応答して読出された記憶装置
からのデータに基いて前記第１、第２の電子レン
ズの強度が制御されるようにした電子ビーム露光
装置の提供により達成できる。
制御するための第１及び第２の電子レンズと、試
料電流を検出するためのフアラデーケージと、電
子ビームをブランキングするためのブランキング
偏向器とを具備する電子ビーム露光装置におい
て、所望の試料電流値を指定する手段と、前記フ
アラデーケージにより検出する試料電流と、前記
試料電流値を指定する手段により指定する電流値
との差を算出する比較器と、該比較器の算出結果
を受けて前記第１、第２の電子レンズの励磁電流
を制御する駆動電流制御器と、所定の試料電流値
において電子ビームのクロスオーバ像をブランキ
ング偏向器主面の位置に結像せしめる前記第１、
第２の電子レンズの強度に対するデータを記憶し
た記憶装置を少なくとも備えている前記第１、第
２の電子レンズの強度制御手段を有し、前記指定
された試料電流値に応答して読出された記憶装置
からのデータに基いて前記第１、第２の電子レン
ズの強度が制御されるようにした電子ビーム露光
装置の提供により達成できる。
以下本発明の電子ビームの露光装置を実施例に
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
第１図は本発明に係る電子ビーム露光装置の第
一の実施例のシステム構成を示す要部ブロツク図
である。同図において１は電子銃、２は電子ビー
ム、３及び４は試料面５に到達する試料電流を制
御する第１及び第２の電子レンズ、６及び７は
夫々該第１及び第２の電子レンズの駆動電源、８
はブランキング偏向器、９は電子ビームのクロス
オーバ像、１０は電子ビーム２を試料面上に結像
させる対物レンズ、１１は前記試料面５の位置に
合せてステージ（図示せず）に設けられ検出器１
２を介して試料面５に到達する試料電流を検出す
るためのフアラデーケージである。以上の構成は
従来の電子ビーム露光装置と何ら変る所はない。
一の実施例のシステム構成を示す要部ブロツク図
である。同図において１は電子銃、２は電子ビー
ム、３及び４は試料面５に到達する試料電流を制
御する第１及び第２の電子レンズ、６及び７は
夫々該第１及び第２の電子レンズの駆動電源、８
はブランキング偏向器、９は電子ビームのクロス
オーバ像、１０は電子ビーム２を試料面上に結像
させる対物レンズ、１１は前記試料面５の位置に
合せてステージ（図示せず）に設けられ検出器１
２を介して試料面５に到達する試料電流を検出す
るためのフアラデーケージである。以上の構成は
従来の電子ビーム露光装置と何ら変る所はない。
本実施例ではこれに加えて更に試料電流の所望
値を設定する試料電流設定器１３と前記第１及び
第２の電子レンズの強度制御装置１４を具備せし
めた。該強度制御装置１４は例えば比較器１５と
駆動電源制御回路１６とで構成することができ
る。
値を設定する試料電流設定器１３と前記第１及び
第２の電子レンズの強度制御装置１４を具備せし
めた。該強度制御装置１４は例えば比較器１５と
駆動電源制御回路１６とで構成することができ
る。
次に上述のごとく構成した電子ビーム露光装置
において試料電流を調整する際の該装置の動作に
ついて説明する。
において試料電流を調整する際の該装置の動作に
ついて説明する。
露光作業開始時、電子レジストの種類を変更し
た時、或いは電子銃のフイラメントを交換した時
等、試料電流の調整を必要とする場合には、先ず
ステージ（図示せず）を移動させてフアラデーケ
ージ１１を電子ビームの照射位置に持つて来ると
共に、試料電流設定器１３に所望の試料電流値Ｉ
を設定する。
た時、或いは電子銃のフイラメントを交換した時
等、試料電流の調整を必要とする場合には、先ず
ステージ（図示せず）を移動させてフアラデーケ
ージ１１を電子ビームの照射位置に持つて来ると
共に、試料電流設定器１３に所望の試料電流値Ｉ
を設定する。
次いで電子ビーム露光装置を作動せしめ、試料
面に到達した電子ビームをフアラデーケージ１１
で受け検出器１２により試料電流ｉを検出する。
比較器１５は上記ｉとＩとを比較し、両者の差△
Ｉを算出する。駆動電源制御回路１６は上記△Ｉ
を受けて駆動電源６及び７を制御し、△Ｉが零に
なるよう第１及び第２の電子レンズ３，４の励磁
電流C1，C2を選択せしめる。
面に到達した電子ビームをフアラデーケージ１１
で受け検出器１２により試料電流ｉを検出する。
比較器１５は上記ｉとＩとを比較し、両者の差△
Ｉを算出する。駆動電源制御回路１６は上記△Ｉ
を受けて駆動電源６及び７を制御し、△Ｉが零に
なるよう第１及び第２の電子レンズ３，４の励磁
電流C1，C2を選択せしめる。
第２図の曲線群Ｉは、所定の試料電流Ｉを与え
る励磁電流C1とC2との関係を示す曲線であつて、
例えば試料電流の所望値をI0とするには図のI0な
る曲線を満足するようC1とC2を選択すればよい。
従つて励磁電流C1，C2の選択に当つてはC1とC2
を共に変化させる必要はなく、先ずC1（または
C2）は固定しておき、C2（またはC1）を変えて△
Ｉが零になる点を探す。もしC2の可変範囲内で
△Ｉが零になる点が求められない場合はC1（また
はC2）を前とは異なる値とし再びC2を変えて△
Ｉが零になる点を求める。この操作はすべて駆動
電流制御回路１６からの指令によつて行なわれ
る。
る励磁電流C1とC2との関係を示す曲線であつて、
例えば試料電流の所望値をI0とするには図のI0な
る曲線を満足するようC1とC2を選択すればよい。
従つて励磁電流C1，C2の選択に当つてはC1とC2
を共に変化させる必要はなく、先ずC1（または
C2）は固定しておき、C2（またはC1）を変えて△
Ｉが零になる点を探す。もしC2の可変範囲内で
△Ｉが零になる点が求められない場合はC1（また
はC2）を前とは異なる値とし再びC2を変えて△
Ｉが零になる点を求める。この操作はすべて駆動
電流制御回路１６からの指令によつて行なわれ
る。
このようにして試料面に到達する試料電流ｉを
所望の値に設定することができた。あとは２個の
電子レンズの励磁電流を固定したまゝ電子ビーム
露光を行なえばよい。
所望の値に設定することができた。あとは２個の
電子レンズの励磁電流を固定したまゝ電子ビーム
露光を行なえばよい。
第３図は前記第２図を書き直したもので、横軸
は試料電流Ｉ、縦軸は励磁電流C1を示し、曲線
群C2は励磁電流C2を夫々C20，C21，C22とした時
のＩとC1との関係を示す。
は試料電流Ｉ、縦軸は励磁電流C1を示し、曲線
群C2は励磁電流C2を夫々C20，C21，C22とした時
のＩとC1との関係を示す。
第２図の例では試料電流を所望の値に調整する
のに２つの電子レンズ３，４の励磁電流C1，C2
を広範囲に変化させて△Ｉを零にする組み合せを
探さねばならない。そこで試料電流の可変範囲を
幾つかの領域例えば第３図に示すようにI0±ａ、
I1±ａ、I2±ａなる３つの領域に区分し、夫々の
領域に対して電子レンズ３の励磁電流C2をC20，
C21，C22と選ぶ。そして前記第１図に示すように
第１の実施例に用いた電子ビーム露光装置の電子
レンズ強度制御装置１４に記憶装置１７を付設
し、上記試料電流の区分領域とその夫々に対応す
る励磁電流を記憶させる。
のに２つの電子レンズ３，４の励磁電流C1，C2
を広範囲に変化させて△Ｉを零にする組み合せを
探さねばならない。そこで試料電流の可変範囲を
幾つかの領域例えば第３図に示すようにI0±ａ、
I1±ａ、I2±ａなる３つの領域に区分し、夫々の
領域に対して電子レンズ３の励磁電流C2をC20，
C21，C22と選ぶ。そして前記第１図に示すように
第１の実施例に用いた電子ビーム露光装置の電子
レンズ強度制御装置１４に記憶装置１７を付設
し、上記試料電流の区分領域とその夫々に対応す
る励磁電流を記憶させる。
このようなシステム構成とすることにより、所
望の試料電流値、例えばI1′を試料電流設定器１
３により設定すれば、該I1′なる信号は上記記憶
装置１７に送られ、該記憶装置１７はこれを受け
てI1′はI1±ａの領域内にあるのでその領域に対応
して励磁電流C2をC21と指定する信号を送出する。
駆動電源制御回路１６はこれを受けて先ず励磁電
流C2をC21に固定し、次いで励磁電流C1を変えて
△Ｉ＝０となる値C11を探し出す。
望の試料電流値、例えばI1′を試料電流設定器１
３により設定すれば、該I1′なる信号は上記記憶
装置１７に送られ、該記憶装置１７はこれを受け
てI1′はI1±ａの領域内にあるのでその領域に対応
して励磁電流C2をC21と指定する信号を送出する。
駆動電源制御回路１６はこれを受けて先ず励磁電
流C2をC21に固定し、次いで励磁電流C1を変えて
△Ｉ＝０となる値C11を探し出す。
本実施例によれば所望の試料電流値Ｉに応じて
励磁電流C2を予め指定するので、△Ｉ＝０とな
る励磁電流C1を容易に定めることができる。
励磁電流C2を予め指定するので、△Ｉ＝０とな
る励磁電流C1を容易に定めることができる。
次に本発明の第２の実施例を第１図及び第４図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
前述のごとくブランキング偏向器８の主面の位
置とクロスオーバ像の位置が一致していない場合
（第１図の９′）にはブランキングの際試料面上を
電子ビームがシフトするという問題がある。高感
度の電子レジストを用いる場合にはこのシフトを
極力無くすことが必要で、そのためには第１図の
９に示すごとくクロスオーバ像をブランキング偏
向器８の主面に一致させねばならない。第３の実
施例はクロスオーバ像の位置制御即ち上記電子ビ
ームのシフト量制御の機能を付加したものであ
る。
置とクロスオーバ像の位置が一致していない場合
（第１図の９′）にはブランキングの際試料面上を
電子ビームがシフトするという問題がある。高感
度の電子レジストを用いる場合にはこのシフトを
極力無くすことが必要で、そのためには第１図の
９に示すごとくクロスオーバ像をブランキング偏
向器８の主面に一致させねばならない。第３の実
施例はクロスオーバ像の位置制御即ち上記電子ビ
ームのシフト量制御の機能を付加したものであ
る。
第４図は第２図に試料面上の電子ビームのシフ
ト量を示す曲線群Ｓを加えた図である。曲線S0，
S1，S2は夫々試料電流I0，I1，I2の曲線に対応す
る。例えばC1，C2を変えて試料電流ＩをI0とした
時のシフト量Ｓは曲線S0のごとく変化する。なお
この２つの曲線は同一C1上の各点が対応するよ
う描いてある。
ト量を示す曲線群Ｓを加えた図である。曲線S0，
S1，S2は夫々試料電流I0，I1，I2の曲線に対応す
る。例えばC1，C2を変えて試料電流ＩをI0とした
時のシフト量Ｓは曲線S0のごとく変化する。なお
この２つの曲線は同一C1上の各点が対応するよ
う描いてある。
同図に見られるごとく励磁電流C1，C2の組み
合せには、試料電流Ｉの値に対してシフト量Ｓを
最小にする最適値が存在する。曲線Ｑはこの最適
の組合せを示す各点を結んだものである。
合せには、試料電流Ｉの値に対してシフト量Ｓを
最小にする最適値が存在する。曲線Ｑはこの最適
の組合せを示す各点を結んだものである。
本実施例のシステム構成は前述の第２の実施例
と異なる点はないが、記憶装置１７に上記曲線Ｑ
を示すデータを記憶せしめる点が異なる。従つて
本実施例においては記憶装置１７は試料電流の所
望値例えばI0を受けてシフト量Ｓを最小とする励
磁電流C1，C2の組合せC10，C21を指定する。駆動
電源制御回路１６はこれを受けて駆動電源C1，
C2を夫々C10，C11とする。これにより試料電流ｉ
はほぼ所望値I0となつているので、あと僅かの誤
差を△Ｉ＝ＯとなるようC1またはC2を微細調整
を行なう。
と異なる点はないが、記憶装置１７に上記曲線Ｑ
を示すデータを記憶せしめる点が異なる。従つて
本実施例においては記憶装置１７は試料電流の所
望値例えばI0を受けてシフト量Ｓを最小とする励
磁電流C1，C2の組合せC10，C21を指定する。駆動
電源制御回路１６はこれを受けて駆動電源C1，
C2を夫々C10，C11とする。これにより試料電流ｉ
はほぼ所望値I0となつているので、あと僅かの誤
差を△Ｉ＝ＯとなるようC1またはC2を微細調整
を行なう。
以上のごとく第３の実施例では試料電流の制御
とシフト量の制御即ちクロスオーバ像の位置制御
を容易且つ再現性良く行なうことができる。
とシフト量の制御即ちクロスオーバ像の位置制御
を容易且つ再現性良く行なうことができる。
以上説明したごとく本発明によれば励磁電流
C1，C2を自動的に制御して第１及び第２の電子
レンズ３，４の強度を調整することにより試料電
流を制御するので、試料電流を短時間で容易且つ
精度よく調整することが可能となる。更に付設し
た記憶装置にシフト量が最小となる電子レンズ強
度の組合せに関するデータを蓄えることにより、
クロスオーバ像の位置を常にブランキング偏向器
の主面とほぼ一致させることができる。
C1，C2を自動的に制御して第１及び第２の電子
レンズ３，４の強度を調整することにより試料電
流を制御するので、試料電流を短時間で容易且つ
精度よく調整することが可能となる。更に付設し
た記憶装置にシフト量が最小となる電子レンズ強
度の組合せに関するデータを蓄えることにより、
クロスオーバ像の位置を常にブランキング偏向器
の主面とほぼ一致させることができる。
第１図は本発明の第１ないし第３の実施例のシ
ステム構成を示す要部ブロツク図、第２図、第３
図、第４図は夫々第１ないし第３の実施例の説明
のための曲線図である。 １……電子銃、２……電子ビーム、３……第１
の電子レンズ、４……第２の電子レンズ、５……
試料面、６，７……駆動電源、８……ブランキン
グ偏向器、９，９′……クロスオーバ像、１１…
…フアラデーケージ、１２……検出器、１３……
試料電流設定器、１４……電子レンズ強度制御装
置、１５……比較器、１６……駆動電源制御回
路、１７……記憶装置。
ステム構成を示す要部ブロツク図、第２図、第３
図、第４図は夫々第１ないし第３の実施例の説明
のための曲線図である。 １……電子銃、２……電子ビーム、３……第１
の電子レンズ、４……第２の電子レンズ、５……
試料面、６，７……駆動電源、８……ブランキン
グ偏向器、９，９′……クロスオーバ像、１１…
…フアラデーケージ、１２……検出器、１３……
試料電流設定器、１４……電子レンズ強度制御装
置、１５……比較器、１６……駆動電源制御回
路、１７……記憶装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料面に到達する試料電流を制御するための
第１及び第２の電子レンズと、試料電流を検出す
るためのフアラデーケージと、電子ビームをブラ
ンキングするためのブランキング偏向器とを具備
する電子ビーム露光装置において、 所望の試料電流値を指定する手段と、 前記フアラデーケージにより検出する試料電流
と、前記試料電流値を指定する手段により指定す
る電流値との差を算出する比較器と、該比較器の
算出結果を受けて前記第１、第２の電子レンズの
励磁電流を制御する駆動電流制御器と、所定の試
料電流値において電子ビームのクロスオーバ像を
ブランキング偏向器主面の位置に結像せしめる前
記第１、第２の電子レンズの強度に対するデータ
を記憶した記憶装置を少なくとも備えている前記
第１、第２の電子レンズの強度制御手段を有し、
前記指定された試料電流値に応答して読出された
記憶装置からのデータに基いて前記第１、第２の
電子レンズの強度が制御されるようにしたことを
特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481880A JPS56161641A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Exposure apparatus to electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481880A JPS56161641A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Exposure apparatus to electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56161641A JPS56161641A (en) | 1981-12-12 |
| JPH027173B2 true JPH027173B2 (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=13269203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6481880A Granted JPS56161641A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Exposure apparatus to electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56161641A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145122A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Jeol Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPH0715874B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632655A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Toshiba Corp | Electron beam device |
-
1980
- 1980-05-16 JP JP6481880A patent/JPS56161641A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56161641A (en) | 1981-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100237098B1 (ko) | 하전빔 노광 시스템 및 하전빔 노광방법 | |
| EP0421695B1 (en) | Electron beam exposuring device and exposuring method using the same | |
| JP3697810B2 (ja) | 電子線を用いた転写装置 | |
| US4572956A (en) | Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism | |
| JPS6134221B2 (ja) | ||
| TWI384216B (zh) | Checking method of charged particle line and inspection method of charged particle | |
| US4933553A (en) | Focusing apparatus of electron microscope | |
| JPH08212951A (ja) | 走査電子顕微鏡における自動軸調整装置 | |
| JPH03183118A (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JP3101089B2 (ja) | 走査電子顕微鏡における輝度補正方法 | |
| JP3157968B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH0323617A (ja) | イオンビーム描画方法 | |
| JP2948242B2 (ja) | 収束電子線回析装置 | |
| Giergiel et al. | A video‐based spin‐polarized LEED data‐acquisition system | |
| JPS589545B2 (ja) | デンシケンビキヨウニオケルタイブツレンズノ ヒテンシユウサホセイホウホウ | |
| JPS60146441A (ja) | 透過型電子顕微鏡 | |
| JP3123861B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPH03226951A (ja) | 電子線装置の自動ティルト調整装置 | |
| JPH0234750Y2 (ja) | ||
| JPS5834679Y2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JPH073772B2 (ja) | 電子ビ−ム収束装置 | |
| JPH051585B2 (ja) | ||
| JPS59169132A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS6025060Y2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JPS58119146A (ja) | 電子顕微鏡 |