JPH0715874B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPH0715874B2 JPH0715874B2 JP14556984A JP14556984A JPH0715874B2 JP H0715874 B2 JPH0715874 B2 JP H0715874B2 JP 14556984 A JP14556984 A JP 14556984A JP 14556984 A JP14556984 A JP 14556984A JP H0715874 B2 JPH0715874 B2 JP H0715874B2
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- reticle
- pattern
- distortion
- electron beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電子線描画装置に関する。
〔発明の背景〕 従来、縮小露光装置を用いて、レチクルのパターンを半
導体ウエーハ面に投影する場合、第４図に示す構成を採
つている。同図において、光源１があり、この光源１に
より光が照射されたレチクル２のパターンはレンズ３を
介して半導体ウエーハからなる試料４面に1/5または1/1
0に縮小転写されるようになつている。前記試料４は試
料台５上に載置されており、この試料台５は駆動モータ
６を含む機構によつてＸ方向およびＹ方向へ移動できる
ようになつている。
導体ウエーハ面に投影する場合、第４図に示す構成を採
つている。同図において、光源１があり、この光源１に
より光が照射されたレチクル２のパターンはレンズ３を
介して半導体ウエーハからなる試料４面に1/5または1/1
0に縮小転写されるようになつている。前記試料４は試
料台５上に載置されており、この試料台５は駆動モータ
６を含む機構によつてＸ方向およびＹ方向へ移動できる
ようになつている。
一方、レーザ光源10があり、このレーザ光源10の光はハ
ーフミラー13およびミラー14、およびハーフミラー13′
を介して受光器11に投光されるようになつているととも
に、前記ハーフミラー13に反射し、ハーフミラー13′を
通過した後前記試料台５上のミラー12に反射するように
なつている。また、前記ミラー12を反射した光はハーフ
ミラー13′を反射した後前記受光器11に投光されるよう
になつている。この受光器11からの出力はレーザ干渉計
９によつて前記試料台５の位置を0.01μｍの精度で計測
するようになつている。そしてこの計測値とコンピユー
タ８からのデータに基づいて、試料台制御系７により、
前記試料台５を所定の位置に設定するため前記駆動モー
タ６を駆動させるようになつている。
ーフミラー13およびミラー14、およびハーフミラー13′
を介して受光器11に投光されるようになつているととも
に、前記ハーフミラー13に反射し、ハーフミラー13′を
通過した後前記試料台５上のミラー12に反射するように
なつている。また、前記ミラー12を反射した光はハーフ
ミラー13′を反射した後前記受光器11に投光されるよう
になつている。この受光器11からの出力はレーザ干渉計
９によつて前記試料台５の位置を0.01μｍの精度で計測
するようになつている。そしてこの計測値とコンピユー
タ８からのデータに基づいて、試料台制御系７により、
前記試料台５を所定の位置に設定するため前記駆動モー
タ６を駆動させるようになつている。
このようにレチクル２のパターンを試料４面に縮小転写
した図を第５図に示す。15は縮小パターンを示す同図は
一試料面にレチクル２の同一パターンが並設されて複数
転写されている模様を示している。
した図を第５図に示す。15は縮小パターンを示す同図は
一試料面にレチクル２の同一パターンが並設されて複数
転写されている模様を示している。
しかしながら、レチクル２のパターンを縮小転写させる
ためのレンズ３にはそれ固有でかつ除去のできない歪み
が生じており、これによりレチクルパターンが完全な正
方形であるとすると転写パターンは第５図の点線に示す
ように糸巻形状となつてしまう。このような歪みは現時
点での技術でもつてしても10mm□のパターンに対し0.1
〜0.2μｍの非直線的歪みが生ずるものである。
ためのレンズ３にはそれ固有でかつ除去のできない歪み
が生じており、これによりレチクルパターンが完全な正
方形であるとすると転写パターンは第５図の点線に示す
ように糸巻形状となつてしまう。このような歪みは現時
点での技術でもつてしても10mm□のパターンに対し0.1
〜0.2μｍの非直線的歪みが生ずるものである。
このため、半導体装置の製造過程において、レチクル変
換の手間を省くため数台の縮小投影装置を用いて露光を
行なう場合、各縮小投影装置のレンズの歪みが異なるこ
とに原因して試料４面における各パターンの重ね合せが
困難であるという問題があつた。
換の手間を省くため数台の縮小投影装置を用いて露光を
行なう場合、各縮小投影装置のレンズの歪みが異なるこ
とに原因して試料４面における各パターンの重ね合せが
困難であるという問題があつた。
本発明の目的は、パターンをレンズを介して投影する場
合にあつて、前記レンズによるパターンの歪をなくすよ
うにした上記パターンを形成する電子線描画装置を提供
するものである。
合にあつて、前記レンズによるパターンの歪をなくすよ
うにした上記パターンを形成する電子線描画装置を提供
するものである。
このような目的を達成するため、本発明は、試料面に光
学系レンズを介して投影するレクチル上のパターンを形
成するため、加速電子ビームを電子レンズを介して所望
の形状と電流密度に制御し、電子線感光剤を塗布した該
レチクル表面上にあらかじめ記憶されたデータに基づい
て図形より成るパターンを描画する電子線描画装置にお
いて、前記光学系レンズの歪の補正係数ａ〜ｉ及びａ′
〜ｉ′を記憶させた記憶手段と、光学レンズの歪の近似
式である下記（１）及び（２）式を用い、 Δｘ＝ax3＋bx2y＋cxy2＋dy3＋ex2 ＋fxy＋gy2＋hx＋iy ……（１） Δｙ＝ａ′x3＋ｂ′x2y＋ｃ′xy2＋ｄ′y3＋ｅ′x2 ＋ｆ′xy＋ｇ′y2＋ｈ′ｘ＋ｉ′ｙ ……（２） 描画しようとするパターンのある位置（x,y）に対して
式（１）及び（２）にそのx,y及び前記歪の補正係数ａ
〜ｉ及びａ′〜ｉ′を代入する手段と、レンズの歪に対
応して決まるその位置（x,y）からのずれ量Δx,Δｙを
求め、前記ずれ量に基づいて前記あらかじめ記憶された
位置データに前記ずれ量Δx,Δｙを加えた目的位置（ｘ
＋Δx,y＋Δｙ）を設定する手段と、前記光学系レンズ
を介した際に該レンズの歪が生じないようにレチクルを
保持する試料台を前記目的位置へ移動して前記パターン
をレチクルに描画する描画手段と、を備えたことを特徴
とするものである。
学系レンズを介して投影するレクチル上のパターンを形
成するため、加速電子ビームを電子レンズを介して所望
の形状と電流密度に制御し、電子線感光剤を塗布した該
レチクル表面上にあらかじめ記憶されたデータに基づい
て図形より成るパターンを描画する電子線描画装置にお
いて、前記光学系レンズの歪の補正係数ａ〜ｉ及びａ′
〜ｉ′を記憶させた記憶手段と、光学レンズの歪の近似
式である下記（１）及び（２）式を用い、 Δｘ＝ax3＋bx2y＋cxy2＋dy3＋ex2 ＋fxy＋gy2＋hx＋iy ……（１） Δｙ＝ａ′x3＋ｂ′x2y＋ｃ′xy2＋ｄ′y3＋ｅ′x2 ＋ｆ′xy＋ｇ′y2＋ｈ′ｘ＋ｉ′ｙ ……（２） 描画しようとするパターンのある位置（x,y）に対して
式（１）及び（２）にそのx,y及び前記歪の補正係数ａ
〜ｉ及びａ′〜ｉ′を代入する手段と、レンズの歪に対
応して決まるその位置（x,y）からのずれ量Δx,Δｙを
求め、前記ずれ量に基づいて前記あらかじめ記憶された
位置データに前記ずれ量Δx,Δｙを加えた目的位置（ｘ
＋Δx,y＋Δｙ）を設定する手段と、前記光学系レンズ
を介した際に該レンズの歪が生じないようにレチクルを
保持する試料台を前記目的位置へ移動して前記パターン
をレチクルに描画する描画手段と、を備えたことを特徴
とするものである。
上記構成により、すなわち光学レンズの歪の近似式
（１）及び（２）を用いるので、予めその補正係数ａ〜
ｉ及びａ′〜ｉ′を定めるのに必要な測定ポイントは少
なくて済み、更に全領域にわたって前記補正のための測
定が必要ないため、各測定点ごとの測定により生ずる検
出位置のずれ及び検出誤差が少なくて済む。そして、前
記光学系レンズを介した際に該レンズの歪が生じないよ
うに、前記ずれ量に基づいて前記あらかじめ記憶された
データに前記ずれ量Δx,Δｙ相当分の変更を加える（ｘ
＋Δx,y＋Δｙ）ようにレチクルを保持する試料台を移
動して前記パターンをレチクルに描画するので、前記レ
ンズの歪の影響を受けずに精度よく所望のパターンをレ
チクルに描画することができる。
（１）及び（２）を用いるので、予めその補正係数ａ〜
ｉ及びａ′〜ｉ′を定めるのに必要な測定ポイントは少
なくて済み、更に全領域にわたって前記補正のための測
定が必要ないため、各測定点ごとの測定により生ずる検
出位置のずれ及び検出誤差が少なくて済む。そして、前
記光学系レンズを介した際に該レンズの歪が生じないよ
うに、前記ずれ量に基づいて前記あらかじめ記憶された
データに前記ずれ量Δx,Δｙ相当分の変更を加える（ｘ
＋Δx,y＋Δｙ）ようにレチクルを保持する試料台を移
動して前記パターンをレチクルに描画するので、前記レ
ンズの歪の影響を受けずに精度よく所望のパターンをレ
チクルに描画することができる。
従って、このように形成したレチクルによりパターンを
試料面に縮小転写すると、前記レンズの歪が相殺されて
補正され、試料面には歪のないパターンを転写すること
ができる。
試料面に縮小転写すると、前記レンズの歪が相殺されて
補正され、試料面には歪のないパターンを転写すること
ができる。
第１図は本発明による電子線描画装置の一実施例を示す
構成図である。同図において、電子線16から放出される
電子線17は絞り18および電子レンズ19によつて所望の形
状および電流密度にされるようになつている。その後、
ブランカ20、絞り18′および投影レンズ19を通過し、偏
向器21を介してレチクル２面に照射されるようになつて
いる。
構成図である。同図において、電子線16から放出される
電子線17は絞り18および電子レンズ19によつて所望の形
状および電流密度にされるようになつている。その後、
ブランカ20、絞り18′および投影レンズ19を通過し、偏
向器21を介してレチクル２面に照射されるようになつて
いる。
一方、レチクル２の描画のための描画データはそれを図
示しない磁気デイスクに格納し、コンピユータ26を介し
て順次偏向制御系24に送出されるようになつており、こ
の偏向制御系24からは前記偏向器21へ偏向位置信号を入
力するとともに、ブランカ制御系23にブランカ制御信号
を入力するようになつている。ブランカ制御系23からの
出力信号はブランカ20に入力し、これにより電子線17の
オン・オフを行なつている。
示しない磁気デイスクに格納し、コンピユータ26を介し
て順次偏向制御系24に送出されるようになつており、こ
の偏向制御系24からは前記偏向器21へ偏向位置信号を入
力するとともに、ブランカ制御系23にブランカ制御信号
を入力するようになつている。ブランカ制御系23からの
出力信号はブランカ20に入力し、これにより電子線17の
オン・オフを行なつている。
また、電子線17が照射されるレチクル２面上の近傍には
二次電子検出器22が配置され、これからレチクル２上の
マークを検出して出力される信号はマーク位置検出回路
25を介して前記コンピュータ26に出力されている。さら
に、レーザ発振器31があり、このレーザ発振器31の光は
ハーフミラー32およびミラー33、およびハーフミラー3
2′を介して受光器30に投光されるようになつていると
ともに、前記ハーフミラー32に反射し、ハーフミラー3
2′を通過した後ステージ34上のミラー33に反射するよ
うになつている。また前記ミラー33を反射した光はハー
フミラー32′を反射した後前記受光器30に投光されるよ
うになつている。この受光器30からの出力はレーザ干渉
測長計28によつて前記ステージ34の位置を計測するよう
になつている。そしてこの計測値とコンピユータ26から
のデータに基づいてステージ駆動系27により、前記ステ
ージ34を所定の位置に設定するため駆動モータ29を駆動
させるようになつている。
二次電子検出器22が配置され、これからレチクル２上の
マークを検出して出力される信号はマーク位置検出回路
25を介して前記コンピュータ26に出力されている。さら
に、レーザ発振器31があり、このレーザ発振器31の光は
ハーフミラー32およびミラー33、およびハーフミラー3
2′を介して受光器30に投光されるようになつていると
ともに、前記ハーフミラー32に反射し、ハーフミラー3
2′を通過した後ステージ34上のミラー33に反射するよ
うになつている。また前記ミラー33を反射した光はハー
フミラー32′を反射した後前記受光器30に投光されるよ
うになつている。この受光器30からの出力はレーザ干渉
測長計28によつて前記ステージ34の位置を計測するよう
になつている。そしてこの計測値とコンピユータ26から
のデータに基づいてステージ駆動系27により、前記ステ
ージ34を所定の位置に設定するため駆動モータ29を駆動
させるようになつている。
このように構成したものにあつて、電子線17の偏向に伴
なう収差あるいは偏向歪を考慮すると、電子線17をレチ
クル２の全面に亘つて偏向させることは困難である。こ
のため、数mmの範囲を偏向器21による電子線の偏向でカ
バーし、それ以上の領域はステージ34を移動し、精度良
く偏向位置決めを実行することによりレチクル２の全面
における描画を行なうものである。
なう収差あるいは偏向歪を考慮すると、電子線17をレチ
クル２の全面に亘つて偏向させることは困難である。こ
のため、数mmの範囲を偏向器21による電子線の偏向でカ
バーし、それ以上の領域はステージ34を移動し、精度良
く偏向位置決めを実行することによりレチクル２の全面
における描画を行なうものである。
次に、偏向位置の位置決めに関して、ステージ34はレー
ザ干渉測長計28によつて精度良く計測されており、レー
ザ発振器31から発したレーザビームはハーフミラー32,3
2′によつて基準光と計測光に分けられ、それぞれミラ
ー33で反射した後、受光器30により干渉波の明暗をパル
ス化する。このパルスの計数を行なうことによりレーザ
干渉測長計28に位置情報として認識され、さらにコンピ
ユータ26に読み込まれるようになつている。
ザ干渉測長計28によつて精度良く計測されており、レー
ザ発振器31から発したレーザビームはハーフミラー32,3
2′によつて基準光と計測光に分けられ、それぞれミラ
ー33で反射した後、受光器30により干渉波の明暗をパル
ス化する。このパルスの計数を行なうことによりレーザ
干渉測長計28に位置情報として認識され、さらにコンピ
ユータ26に読み込まれるようになつている。
さらに、ステージ34の制御に関しては、レーザ干渉測長
計28からステージ駆動系27に目標位置が与えられ、モー
タ29に起動をかける。ステージ34が目標位置に到達する
とレーザ干渉測長計28はステージ駆動系27を停止させ
る。この際、コンピユータ26は停止誤差をレーザ干渉測
長計28から読み取り、偏向制御系24に偏向位置補正デー
タを送出する。こうすることによつて、ビーム偏向とス
テージ移動をステツプアンドリピートで実行し、レチク
ル２上に精度良く所望のパターンを描画することができ
る。
計28からステージ駆動系27に目標位置が与えられ、モー
タ29に起動をかける。ステージ34が目標位置に到達する
とレーザ干渉測長計28はステージ駆動系27を停止させ
る。この際、コンピユータ26は停止誤差をレーザ干渉測
長計28から読み取り、偏向制御系24に偏向位置補正デー
タを送出する。こうすることによつて、ビーム偏向とス
テージ移動をステツプアンドリピートで実行し、レチク
ル２上に精度良く所望のパターンを描画することができ
る。
なお、二次電子検出器22とマーク位置検出回路25はレチ
クル２上の基準マークを検出して電子ビーム17の位置の
確認に用いるようになつている。
クル２上の基準マークを検出して電子ビーム17の位置の
確認に用いるようになつている。
また、第２図に示すように、レチクル２上に描かれるパ
ターンは、実線35a内に描かれるものとなるが、本実施
例では、図中点線35b内に描かれるパターンとして設定
される。この点線35b内に描かれるパターンは、縮小露
光装置を用いて半導体ウエーハの試料上に縮小転写する
際、該縮小露光装置のレンズにおける歪みを考慮して設
定されるものであり、前記レンズを介して投影された場
合、レチクル２における点線35b内のパターンはその外
周部が直線上となつて縮小されるものとなる。したがつ
て該レチクル２を1/5〜1/10に縮小した際の歪量が0.1〜
0.2μｍであることからレチクル２は１μｍ〜２μｍの
歪補正をして形成すればよいことになる。第２図におい
てレチクル２のパターン35aの大きさは約100mm□であ
り、100mm全体を3mm□ずつ破線35bに沿つてステツプ移
動し描画フイールドを配列することにより描画を実行す
る一辺当りのフイールド数は約30であり、両端での位置
ずれが２μｍあつたとしてもフイールド接続は0.07μｍ
となり特にこのことは問題とならない。
ターンは、実線35a内に描かれるものとなるが、本実施
例では、図中点線35b内に描かれるパターンとして設定
される。この点線35b内に描かれるパターンは、縮小露
光装置を用いて半導体ウエーハの試料上に縮小転写する
際、該縮小露光装置のレンズにおける歪みを考慮して設
定されるものであり、前記レンズを介して投影された場
合、レチクル２における点線35b内のパターンはその外
周部が直線上となつて縮小されるものとなる。したがつ
て該レチクル２を1/5〜1/10に縮小した際の歪量が0.1〜
0.2μｍであることからレチクル２は１μｍ〜２μｍの
歪補正をして形成すればよいことになる。第２図におい
てレチクル２のパターン35aの大きさは約100mm□であ
り、100mm全体を3mm□ずつ破線35bに沿つてステツプ移
動し描画フイールドを配列することにより描画を実行す
る一辺当りのフイールド数は約30であり、両端での位置
ずれが２μｍあつたとしてもフイールド接続は0.07μｍ
となり特にこのことは問題とならない。
ステージ34の位置すなわちフイールド36の配列位置の補
正方法について説明する。一般に光学レンズの歪は３次
式で表わすことができる。
正方法について説明する。一般に光学レンズの歪は３次
式で表わすことができる。
ΔＸ＝ax3＋bx2y＋cxy2＋dy3＋ex2＋fxy ＋gy2＋hx＋iy ……（１） ΔＹ＝ａ′x3＋ｂ′x2y＋ｃ′xy2＋ｄ′y3＋ｅ′x2 ＋ｆ′xy＋ｇ′y2＋ｈ′ｘ＋ｉ′ｙ ……（２） 上記（１），（２）式においてx,yが目的位置、ΔX,Δ
Ｙがその位置における目的位置からのずれ量である。こ
の場合、上記係数ａ〜i,a′〜ｉ′はレンズ毎に求めて
おく値である。
Ｙがその位置における目的位置からのずれ量である。こ
の場合、上記係数ａ〜i,a′〜ｉ′はレンズ毎に求めて
おく値である。
描画する手段は、第３図に示すように、まずステツプ30
1でレンズの種類により補正係数を外部メモリより読出
す。次に、ステツプ302で描画位置（x,y）より前述した
式（１），（２）にx,yを代入しΔx,Δｙを求める。さ
らに、ステツプ303で目的位置（ｘ＋Δx,y＋Δｙ）を設
定し、これにともないステツプ304で試料台を移動す
る。次にステツプ305で停止誤差補正を行ないステツプ3
06で描画を行なう、さらに再びステツプ302に戻り描画
を行ないこの描画が全フイールドに亘つて終了したとき
は終了する。
1でレンズの種類により補正係数を外部メモリより読出
す。次に、ステツプ302で描画位置（x,y）より前述した
式（１），（２）にx,yを代入しΔx,Δｙを求める。さ
らに、ステツプ303で目的位置（ｘ＋Δx,y＋Δｙ）を設
定し、これにともないステツプ304で試料台を移動す
る。次にステツプ305で停止誤差補正を行ないステツプ3
06で描画を行なう、さらに再びステツプ302に戻り描画
を行ないこの描画が全フイールドに亘つて終了したとき
は終了する。
このように、パターンをレンズを介して投影する場合に
あつて、前記レンズによる歪み分を予め認識しておき、
その歪み分を補正しながら前記パターンを形成するよう
にしていることから、前記レンズによるパターンの歪み
をなくした正常なパターンを形成することができる。
あつて、前記レンズによる歪み分を予め認識しておき、
その歪み分を補正しながら前記パターンを形成するよう
にしていることから、前記レンズによるパターンの歪み
をなくした正常なパターンを形成することができる。
本発明によれば、光学レンズの歪の近似式（１）及び
（２）を用いるので、予めその補正係数ａ〜ｉ及びａ′
〜ｉ′を定めるのに必要な測定ポイントは少なくて済
み、更に全領域にわたって前記補正のための測定が必要
ないため、各測定点ごとの測定により生ずる検出位置の
ずれ及び検出誤差が少なくて済む。そして、光学系レン
ズの歪の前記補正係数ａ〜ｉ及びａ′〜ｉ′に基づき、
前記光学系レンズを介した際に該レンズの歪が生じない
ように、前記あらかじめ記憶されたデータに変更を加え
てパターンをレチクルに描画するので、前記レンズの歪
の影響を受けずに精度よく所望のパターンをレチクルに
描画することができる。
（２）を用いるので、予めその補正係数ａ〜ｉ及びａ′
〜ｉ′を定めるのに必要な測定ポイントは少なくて済
み、更に全領域にわたって前記補正のための測定が必要
ないため、各測定点ごとの測定により生ずる検出位置の
ずれ及び検出誤差が少なくて済む。そして、光学系レン
ズの歪の前記補正係数ａ〜ｉ及びａ′〜ｉ′に基づき、
前記光学系レンズを介した際に該レンズの歪が生じない
ように、前記あらかじめ記憶されたデータに変更を加え
てパターンをレチクルに描画するので、前記レンズの歪
の影響を受けずに精度よく所望のパターンをレチクルに
描画することができる。
第１図は本発明による電子線描画装置の一実施例を示す
構成図、第２図は本発明による電子線描画装置によりレ
チクルを形成する方法を説明する図、第３図は本発明に
よる電子線描画装置の動作フローを示すす図、第４図
は、前記レチクルを半導体ウエーハに露光させる場合の
縮小露光装置の一例を示す図、第５図は、第４図に示す
縮小露光にあつての欠点を説明するための説明図であ
る。 １…光源、２…レチクル、３…縮小レンズ、４…試料、
5,34…ステージ、6,29…モータ、7,27…ステージ制御
系、8,26…コンピユータ、9,28…レーザ測長系、10,31
…レーザ光源、11,30…受光器、12,14,33…ミラー、13,
32…ハーフミラー、15…縮小パターン、16…電子銃、17
…電子ビーム、18…絞り、19…電磁レンズ、20…ブラン
カ、21…偏向器、22…二次電子検出器、23…ブランカ制
御系、24…偏向制御系、25…マーク検出器、35…レチク
ルパターン、36…描画フイールド。
構成図、第２図は本発明による電子線描画装置によりレ
チクルを形成する方法を説明する図、第３図は本発明に
よる電子線描画装置の動作フローを示すす図、第４図
は、前記レチクルを半導体ウエーハに露光させる場合の
縮小露光装置の一例を示す図、第５図は、第４図に示す
縮小露光にあつての欠点を説明するための説明図であ
る。 １…光源、２…レチクル、３…縮小レンズ、４…試料、
5,34…ステージ、6,29…モータ、7,27…ステージ制御
系、8,26…コンピユータ、9,28…レーザ測長系、10,31
…レーザ光源、11,30…受光器、12,14,33…ミラー、13,
32…ハーフミラー、15…縮小パターン、16…電子銃、17
…電子ビーム、18…絞り、19…電磁レンズ、20…ブラン
カ、21…偏向器、22…二次電子検出器、23…ブランカ制
御系、24…偏向制御系、25…マーク検出器、35…レチク
ルパターン、36…描画フイールド。
Claims (1)
- 【請求項１】試料面に光学系レンズを介して投影するレ
チクル上のパターンを形成するため、 加速電子ビームを電子レンズを介して所望の形状と電流
密度に制御し、電子線感光剤を塗布した該レチクル表面
上にあらかじめ記憶されたデータに基づいて図形より成
るパターンを描画する電子線描画装置において、 前記光学系レンズの歪の補正係数ａ〜ｉ及びａ′〜ｉ′
を記憶させた記憶手段と、 光学レンズの歪の近似式である下記（１）及び（２）式
を用い、 Δｘ＝ax3＋bx2y＋cxy2＋dy3＋ex2 ＋fxy＋gy2＋hx＋iy ……（１） Δｙ＝ａ′x3＋ｂ′x2y＋ｃ′xy2＋ｄ′y3＋ｅ′x2 ＋ｆ′xy＋ｇ′y2＋ｈ′ｘ＋ｉ′ｙ ……（２） 描画しようとするパターンのある位置（x,y）に対して
式（１）及び（２）にそのx,y及び前記歪の補正係数ａ
〜ｉ及びａ′〜ｉ′を代入する手段と、 レンズの歪に対応して決まるその位置（x,y）からのず
れ量Δx,Δｙを求め、前記ずれ量に基づいて前記あらか
じめ記憶された位置データに前記ずれ量Δx,Δｙを加え
た目的位置（ｘ＋Δx,y＋Δｙ）を設定する手段と、 前記光学系レンズを介した際に該レンズの歪が生じない
ようにレチクルを保持する試料台を前記目的位置へ移動
して前記パターンをレチクルに描画する描画手段と、 を備えたことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14556984A JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14556984A JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124231A JPS6124231A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0715874B2 true JPH0715874B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15388145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14556984A Expired - Lifetime JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715874B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823930B2 (ja) * | 1975-10-22 | 1983-05-18 | 日本電子株式会社 | デンシビ−ムロコウソウチ |
| JPS56161641A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Fujitsu Ltd | Exposure apparatus to electron beam |
| JPS57186331A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Jeol Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59178726A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | パタ−ン転写用マスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14556984A patent/JPH0715874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124231A (ja) | 1986-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |