JPH027201B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH027201B2 JPH027201B2 JP58133723A JP13372383A JPH027201B2 JP H027201 B2 JPH027201 B2 JP H027201B2 JP 58133723 A JP58133723 A JP 58133723A JP 13372383 A JP13372383 A JP 13372383A JP H027201 B2 JPH027201 B2 JP H027201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- microwave
- millimeter wave
- wave integrated
- stud
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
Landscapes
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はマイクロ波・ミリ波集積回路構造にか
かわり特にキヤリア構造に関する。
かわり特にキヤリア構造に関する。
(b) 技術の背景
２つ以上のマイクロ波・ミリ波集積回路（以下
本明細書ではMICと略称する）を装置に実装す
るには、それぞれのMICは誘電体基板の下面に
形成された接地導体をキヤリアを介して箱形の装
置筐体の底板に電気的に接続し、機械的には固着
するとともに、それぞれの誘電体基板の上面に形
成されたマイクロストリツプパターンは接続リボ
ンで接続するのが一般的である。
本明細書ではMICと略称する）を装置に実装す
るには、それぞれのMICは誘電体基板の下面に
形成された接地導体をキヤリアを介して箱形の装
置筐体の底板に電気的に接続し、機械的には固着
するとともに、それぞれの誘電体基板の上面に形
成されたマイクロストリツプパターンは接続リボ
ンで接続するのが一般的である。
(c) 従来技術と問題点
第１図はMICが実装された従来の装置の一例
であつてイは斜視図、ロはイの点線Ｍ部分の断面
図、ハはイの正面断面図である。
であつてイは斜視図、ロはイの点線Ｍ部分の断面
図、ハはイの正面断面図である。
同図において１は例えばアルミニユームよりな
る上部が開口した箱形の装置筐体である。２ａ，
２ｂはそれぞれMICであつて誘電体基板４ａ，
４ｂの上面に所望の集積回路が構成され、下面の
全面には金属膜よりなる接地導体６ａ，６ｂがそ
れぞれ形成されている。それぞれの誘電体基板４
ａ，４ｂの対向する端面側の上面には、MIC２
ａとMIC２ｂとの入出接続路となるマイクロス
トリツプパターン５ａ，５ｂがそれぞれ形成され
ている。
る上部が開口した箱形の装置筐体である。２ａ，
２ｂはそれぞれMICであつて誘電体基板４ａ，
４ｂの上面に所望の集積回路が構成され、下面の
全面には金属膜よりなる接地導体６ａ，６ｂがそ
れぞれ形成されている。それぞれの誘電体基板４
ａ，４ｂの対向する端面側の上面には、MIC２
ａとMIC２ｂとの入出接続路となるマイクロス
トリツプパターン５ａ，５ｂがそれぞれ形成され
ている。
３ａ，３ｂは幅が誘電体基板４ａ，４ｂの幅よ
りも所望に大きい角板状の金属板例えば無酸素銅
板よりなるキヤリアである。キヤリア３ａの上面
には、誘電体基板４ａの端面とキヤリア３ａの端
面とが一致するようにMIC２ａが載置され、
MIC２ａの接地導体６ａが例えば金−錫合金よ
りなる硬鑞によつて接着固着されている。また同
様にキヤリア３ｂにはMIC２ｂが接着固着され
ている。
りも所望に大きい角板状の金属板例えば無酸素銅
板よりなるキヤリアである。キヤリア３ａの上面
には、誘電体基板４ａの端面とキヤリア３ａの端
面とが一致するようにMIC２ａが載置され、
MIC２ａの接地導体６ａが例えば金−錫合金よ
りなる硬鑞によつて接着固着されている。また同
様にキヤリア３ｂにはMIC２ｂが接着固着され
ている。
キヤリア３ａとキヤリア３ｂとは、装置筐体１
の底板１ａの内面にそれぞれの端面が対向して近
接する如くに載置されている。そしてキヤリア３
ａ，３ｂはそれぞれ誘電体基板４ａ，４ｂの両側
に穿設された挿通孔を貫通する小ねじ７によつて
装置筐体１に固着されている。またマイクロスト
リツプパターン５ａとマイクロストリツプパター
ン５ｂとは例えば金箔よりなる接続リボン８によ
つて接続されている。
の底板１ａの内面にそれぞれの端面が対向して近
接する如くに載置されている。そしてキヤリア３
ａ，３ｂはそれぞれ誘電体基板４ａ，４ｂの両側
に穿設された挿通孔を貫通する小ねじ７によつて
装置筐体１に固着されている。またマイクロスト
リツプパターン５ａとマイクロストリツプパター
ン５ｂとは例えば金箔よりなる接続リボン８によ
つて接続されている。
このようにMIC２ａ、MIC２ｂを装置筐体１
内に実装した後に、装置筐体１の開口面にカバー
１Ａを装着、密閉してシールドしている。
内に実装した後に、装置筐体１の開口面にカバー
１Ａを装着、密閉してシールドしている。
しかし上述のような従来のマイクロ波・ミリ波
集積回路にはMIC２ａ、MIC２ｂ間入出接続路
の伝送線路の不整合と、装置筐体１の空間に発生
する不要導波管モードの伝達にによるMIC間の
干渉という問題点がある。
集積回路にはMIC２ａ、MIC２ｂ間入出接続路
の伝送線路の不整合と、装置筐体１の空間に発生
する不要導波管モードの伝達にによるMIC間の
干渉という問題点がある。
MIC２ａ、MIC２ｂ間入出接続路の伝送線路
の不整合の要因は次の２点である。その１つは
MIC２ａ、MIC2間のキヤリア間隙９が、キヤリ
ア、MICなどの製造上、組立上誤差により一定
でなく、接地導体と導体パターンとにより誘電体
に構成されるマイクロストリツプ伝送路を同一の
特性インピーダンスを確保することが困難である
こと、特に接地導体のキヤリア厚さ方向での大き
な不連続が伝送線路の不整合の大きな要因となる
ことである。他の１つは半導体能動素子を搭載す
るために熱伝導率の優れた板厚の薄いキヤリア材
料とすると、キヤリアと誘電体基板を鑞材で接着
する場合に両者の熱膨脹の差によりキヤリアがロ
の点線９ａに示すように弓形に反り、筐体１の底
板１ａの内面との間に間隙が生じキヤリア間隙９
が実質的に大きくなることである。
の不整合の要因は次の２点である。その１つは
MIC２ａ、MIC2間のキヤリア間隙９が、キヤリ
ア、MICなどの製造上、組立上誤差により一定
でなく、接地導体と導体パターンとにより誘電体
に構成されるマイクロストリツプ伝送路を同一の
特性インピーダンスを確保することが困難である
こと、特に接地導体のキヤリア厚さ方向での大き
な不連続が伝送線路の不整合の大きな要因となる
ことである。他の１つは半導体能動素子を搭載す
るために熱伝導率の優れた板厚の薄いキヤリア材
料とすると、キヤリアと誘電体基板を鑞材で接着
する場合に両者の熱膨脹の差によりキヤリアがロ
の点線９ａに示すように弓形に反り、筐体１の底
板１ａの内面との間に間隙が生じキヤリア間隙９
が実質的に大きくなることである。
(d) 発明の目的
本発明の目的は上記従来の問題点が除去された
マイクロ波・ミリ波集積回路構造を提供すること
にある。
マイクロ波・ミリ波集積回路構造を提供すること
にある。
(e) 発明の構成
この目的を達成するために本発明は、誘電体基
板の一方の面にマイクロストリツプパターンを設
け、他方の面をアース面とし、該アース面を金属
キヤリアに密着してなるマイクロ波・ミリ波集積
回路において、該金属キヤリアの平面形状および
大きさを該誘電体基板の平面形状および大きさと
ほぼ等しくし、該金属キヤリア下面の他のマイク
ロ波・ミリ波集積回路と対向する端面近傍のキヤ
リアの中央近傍に該キヤリアを固定するスタツト
ねじあるいは軸心にねじ穴を形成されたスタツト
が突出て設けたものである。
板の一方の面にマイクロストリツプパターンを設
け、他方の面をアース面とし、該アース面を金属
キヤリアに密着してなるマイクロ波・ミリ波集積
回路において、該金属キヤリアの平面形状および
大きさを該誘電体基板の平面形状および大きさと
ほぼ等しくし、該金属キヤリア下面の他のマイク
ロ波・ミリ波集積回路と対向する端面近傍のキヤ
リアの中央近傍に該キヤリアを固定するスタツト
ねじあるいは軸心にねじ穴を形成されたスタツト
が突出て設けたものである。
(f) 発明の実施例
以下図示実施例を参照して本発明について詳細
に説明する。なお全図を通じて同一符号は同一対
象物を示す。
に説明する。なお全図を通じて同一符号は同一対
象物を示す。
第２図は本発明の一実施例のイはキヤリアの斜
視図、ロは入出接続路方向の断面図であり、ハは
正面断面図である。
視図、ロは入出接続路方向の断面図であり、ハは
正面断面図である。
同図においてMIC２ａ、MIC２ｂはそれぞれ
誘電体基板４ａ，４ｂの上面に所望の集積回路が
構成され、下面の全面には金属膜よりなる接地導
体６ａ，６ｂがそれぞれ形成されている。それぞ
れの誘電体基板４ａ，４ｂの対向する端面側の上
面には、MIC２ａとMIC２ｂとの入出接続路と
なるマイクロストリツプパターン５ａ，５ｂがそ
れぞれ形成されている。
誘電体基板４ａ，４ｂの上面に所望の集積回路が
構成され、下面の全面には金属膜よりなる接地導
体６ａ，６ｂがそれぞれ形成されている。それぞ
れの誘電体基板４ａ，４ｂの対向する端面側の上
面には、MIC２ａとMIC２ｂとの入出接続路と
なるマイクロストリツプパターン５ａ，５ｂがそ
れぞれ形成されている。
キヤリア１３ａ、キヤリア１３ｂはそれぞれ厚
さが等しく従来のものより極めて薄い金属板より
なり、それぞれの平面視形状はそれぞれの上面に
密着して載置される誘電体基板４ａ、誘電体基板
４ｂの形状にほぼ等しい。それぞれのキヤリア１
３ａ、キヤリア１３ｂにはマイクロストリツプパ
ターン５ａ、マイクロストリツプパターン５ｂの
直下の下面で、互いに対向して装置筐体１１の底
板１１ａに固着される端面近傍に、スタツトねじ
１４ａ、スタツトねじ１４ｂがそれぞれ突出して
設けられている。
さが等しく従来のものより極めて薄い金属板より
なり、それぞれの平面視形状はそれぞれの上面に
密着して載置される誘電体基板４ａ、誘電体基板
４ｂの形状にほぼ等しい。それぞれのキヤリア１
３ａ、キヤリア１３ｂにはマイクロストリツプパ
ターン５ａ、マイクロストリツプパターン５ｂの
直下の下面で、互いに対向して装置筐体１１の底
板１１ａに固着される端面近傍に、スタツトねじ
１４ａ、スタツトねじ１４ｂがそれぞれ突出して
設けられている。
空間１７の幅がキヤリア１３ａ（キヤリア１３
ｂとも同じ）の幅よりもわずかに大きいように構
成された装置筐体１１の底板１１ａには、キヤリ
ア間隙１６が狭くキヤリア１３ａとキヤリア１３
ｂとが実装されるように、近接してスタツトねじ
１４ａ、スタツトねじ１４ｂがそれぞれ挿入され
る一対の座ぐり孔が穿設されている。
ｂとも同じ）の幅よりもわずかに大きいように構
成された装置筐体１１の底板１１ａには、キヤリ
ア間隙１６が狭くキヤリア１３ａとキヤリア１３
ｂとが実装されるように、近接してスタツトねじ
１４ａ、スタツトねじ１４ｂがそれぞれ挿入され
る一対の座ぐり孔が穿設されている。
MIC２ａ、MIC２ｂがそれぞれに搭載された
キヤリア１３ａ、キヤリア１３ｂを底板１１ａの
内面に載置し、スタツトねじ１４ａおよびスタツ
トねじｂを対応するこの座ぐり孔に挿入し、底板
１１ａの外側よりナツト１５を螺着して、装置筐
体１１の底板１１ａにMIC２ａおよびMIC２ｂ
をキヤリアの曲がりを矯正し、密着して実装す
る。そしてその後接続リボン８にてマイクロスト
リツプパターン５ａとマイクロストリツプパター
ン５ｂとは接続され、装置筐体１１の開口面はカ
バー１２が装着されシールドされている。
キヤリア１３ａ、キヤリア１３ｂを底板１１ａの
内面に載置し、スタツトねじ１４ａおよびスタツ
トねじｂを対応するこの座ぐり孔に挿入し、底板
１１ａの外側よりナツト１５を螺着して、装置筐
体１１の底板１１ａにMIC２ａおよびMIC２ｂ
をキヤリアの曲がりを矯正し、密着して実装す
る。そしてその後接続リボン８にてマイクロスト
リツプパターン５ａとマイクロストリツプパター
ン５ｂとは接続され、装置筐体１１の開口面はカ
バー１２が装着されシールドされている。
このようにキヤリアの幅が小さく、したがつて
空間１７を小さくすることができ装置筐体の共振
周波数が高くなり、MIC２ａとMIC２ｂとの間
に不要導波管モードが伝達する恐れがない。
空間１７を小さくすることができ装置筐体の共振
周波数が高くなり、MIC２ａとMIC２ｂとの間
に不要導波管モードが伝達する恐れがない。
またキヤリア１３ａとキヤリア１３ｂとは厚さ
が殆ど等しくかつ薄いので、スタツトねじ１４ａ
とスタツトねじ１４ｂとによりそれぞれのキヤリ
ア１３ａとキヤリア１３ｂの下面が、底板１１ａ
の上面に近接しており、接地導体の不連続が小さ
くなるよう構成されている。よつてMIC２ａ、
MIC２ｂ間の入出接続路の伝送線路の整合が容
易となる。
が殆ど等しくかつ薄いので、スタツトねじ１４ａ
とスタツトねじ１４ｂとによりそれぞれのキヤリ
ア１３ａとキヤリア１３ｂの下面が、底板１１ａ
の上面に近接しており、接地導体の不連続が小さ
くなるよう構成されている。よつてMIC２ａ、
MIC２ｂ間の入出接続路の伝送線路の整合が容
易となる。
なお図示例はキヤリアにスタツトねじを設けた
ものであるが、スタツトねじでなく軸心にねじ孔
が形成されたスタツトを突出して設けても良い。
ものであるが、スタツトねじでなく軸心にねじ孔
が形成されたスタツトを突出して設けても良い。
(g) 発明の効果
以上説明したように本発明は、装置筐体に実装
された２つ以上のマイクロ波・ミリ波集積回路間
の入出接続路の伝送線路の整合が容易で、かつ装
置筐体の空間に発生する不要導波管モードの伝達
にによるマイクロ波・ミリ波集積回路間の干渉も
少ないという実用上で優れた効果のあるマイクロ
波・ミリ波集積回路構造である。
された２つ以上のマイクロ波・ミリ波集積回路間
の入出接続路の伝送線路の整合が容易で、かつ装
置筐体の空間に発生する不要導波管モードの伝達
にによるマイクロ波・ミリ波集積回路間の干渉も
少ないという実用上で優れた効果のあるマイクロ
波・ミリ波集積回路構造である。
第１図はマイクロ波・ミリ波集積回路が実装さ
れた従来の装置の一例であつてイは斜視図、ロは
イの点線Ｍ部分の断面図、ハはイの正面断面図で
あり、第２図は本発明の一実施例のイはキヤリア
の斜視図、ロは入出接続路方向の断面図、ハは正
面断面図である。 図中１，１１は装置筐体、２Ａ，２ｂはマイク
ロ波・ミリ波集積回路、３ａ，３ｂ，１３ａ，１
３ｂはキヤリア、４ａ，４ｂは誘電体基板、５ａ
と５ｂはマイクロストリツプパターン、８は接続
リボン、９，１６はキヤリア間隙、１０，１７は
空間、１４ａ，１４ｂはスタツトねじをそれぞれ
示す。
れた従来の装置の一例であつてイは斜視図、ロは
イの点線Ｍ部分の断面図、ハはイの正面断面図で
あり、第２図は本発明の一実施例のイはキヤリア
の斜視図、ロは入出接続路方向の断面図、ハは正
面断面図である。 図中１，１１は装置筐体、２Ａ，２ｂはマイク
ロ波・ミリ波集積回路、３ａ，３ｂ，１３ａ，１
３ｂはキヤリア、４ａ，４ｂは誘電体基板、５ａ
と５ｂはマイクロストリツプパターン、８は接続
リボン、９，１６はキヤリア間隙、１０，１７は
空間、１４ａ，１４ｂはスタツトねじをそれぞれ
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体基板の一方の面にマイクロストリツプ
パターンを設け、他方の面をアース面とし、該ア
ース面を金属キヤリアに密着してなるマイクロ
波・ミリ波集積回路において、 該金属キヤリアの平面形状および大きさを該誘
電体基板の平面形状および大きさとほぼ等しく
し、 該金属キヤリア下面の他のマイクロ波・ミリ波
集積回路と対向する端面近傍のキヤリアの中央近
傍に該キヤリアを固定するスタツトねじあるいは
軸心にねじ穴を形成されたスタツトが突出して設
けられてなることを特徴とするマイクロ波・ミリ
波集積回路構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133723A JPS6025301A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | マイクロ波・ミリ波集積回路構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133723A JPS6025301A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | マイクロ波・ミリ波集積回路構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025301A JPS6025301A (ja) | 1985-02-08 |
| JPH027201B2 true JPH027201B2 (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=15111400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133723A Granted JPS6025301A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | マイクロ波・ミリ波集積回路構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104980U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | 株式会社イナツクス | 洗面又は流し台 |
| JPH0715602U (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-17 | 桂子 増尾 | ごみ箱 |
| JP2004336278A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波装置 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58133723A patent/JPS6025301A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104980U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | 株式会社イナツクス | 洗面又は流し台 |
| JPH0715602U (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-17 | 桂子 増尾 | ごみ箱 |
| JP2004336278A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6025301A (ja) | 1985-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5235208A (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| JP3326528B2 (ja) | モノリシックマイクロ波／ミリメートル波集積回路の三次元パッケージ | |
| KR19980701445A (ko) | 전자 회로 구조체(electronic circuit structure) | |
| US6028497A (en) | RF pin grid array | |
| JP3252605B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| US5668509A (en) | Modified coaxial to GCPW vertical solderless interconnects for stack MIC assemblies | |
| JP3663898B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JPH05335695A (ja) | シングルインラインモジュール | |
| JPH02280502A (ja) | Ｖｈｆ集積回路用パッケージ | |
| US5214498A (en) | MMIC package and connector | |
| JPH027201B2 (ja) | ||
| JP3086717B2 (ja) | 回路基板装置 | |
| JPS634712B2 (ja) | ||
| JP2023170889A (ja) | 高周波モジュール | |
| JP2633421B2 (ja) | 高周波回路モジュール | |
| JPH02135802A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2775809B2 (ja) | 半導体チップキャリア | |
| JPH04361593A (ja) | 高周波回路モジュールの金属基台構造 | |
| CN223402637U (zh) | 固态功率放大器和通信设备 | |
| JP3137721B2 (ja) | 高周波回路装置 | |
| JP2944155B2 (ja) | 高周波回路基板装置 | |
| JP3267996B2 (ja) | ストリップ線路デバイス | |
| JPS62219801A (ja) | 超高周波回路装置 | |
| JPH06244602A (ja) | マイクロ波集積回路およびそのパッケージ | |
| JP3127645B2 (ja) | パッケージ構造 |