JPH0272365A - 写真処理装置 - Google Patents

写真処理装置

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Publication number
JPH0272365A
JPH0272365A JP63222302A JP22230288A JPH0272365A JP H0272365 A JPH0272365 A JP H0272365A JP 63222302 A JP63222302 A JP 63222302A JP 22230288 A JP22230288 A JP 22230288A JP H0272365 A JPH0272365 A JP H0272365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
optical system
exposure
light
mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP63222302A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuzo Tsuboi
壺井 裕三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63222302A priority Critical patent/JPH0272365A/ja
Publication of JPH0272365A publication Critical patent/JPH0272365A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、写真処理装置、例えば(薄膜トランジスタ)
TPT等のガラス基板を用いた製品の製造工程の一つで
あるフォトリソグラフィ工程に使用される露光装置のア
ライメント検出方式に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の装置は、アライメント光学系をマスクと照明系の
間に配置しており、露光の際には露光領域からアライメ
ント光学系を逃す(はずす)機構が必要であった。なお
、X線を用いた透過光をアライメントに用いる露光装置
は、特開昭61−42915号に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術では、露光の際にアライメント光学系を露
光領域外に移動する必要があり、スループット低下、異
物発生、アライメント精度低下等の問題があった。
本発明の目的は、アライメント光学系の露光時の移動を
なくシ、また、露光用の光源をアライメント照明光に利
用することで、アライメント精度の向上あるいは、スル
ープット向上、異物発生率の低減を果たすことにある。
〔課題を解決するため手段〕
本発明の一実施例によれば、露光用光源にフォトレジス
トの感光波長をカットするフィルタ付シャッタを用い、
アライメント照明光としてこれを使用し、マスクとガラ
ス基板を透過した光をアライメント光学系で受けるよう
にした写真処理′4A置が提供される。
〔作用〕
露光用光源をアライメント照明光として利用できるため
、露光光とアライメント照明光の光軸ずれが少ない。ま
た、透過光を使用するので、高コントラストのアライメ
ント光を得ることができ、アライメント光学系の焦点位
置をガラス基板面のみにすることができるため光学的精
度の向上を図れる。また、実際の露光中のアライメント
精度がモニタすることが可能である。
アライメント検出光学系が、基板下部にあるため、露光
領域を遮ることがない。したがって、露光時にアライメ
ント光学系を移動する必要がない。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図により説明
する。
第1図において、6は被処理物であり、被加工面上にフ
ォトレジストが塗布されている。この被処理物6は周辺
部にアライメント用パターンが形成されており、少なく
ともアライメントマーク近傍部は透光性とされる。この
被処理物は、具体例としては、ガラス基板上に種々の層
を写真処理技術でパターニングする液晶表示装置用薄膜
回路である。6は感光性栖脂を所望のパターンで露光す
るための写真処理用マスクであり、ガラス基板との位置
合わせをするためのアライメントパターンも有す。
次に、本発明の光学系の構成を説明する。水銀ランプ1
6より出た光は、凹面鏡15.第1平面鏡14.ミキサ
ーレンズ13.第2平面鏡10゜コリメータレンズ9を
通ってマスク6上面より、ガラス基板に入るこの間、°
光は、メインシャッタ12及びフィルタ付シャッタ11
の開閉により、露光、アライメント、遮光と切換えられ
る。写真処理用マスク6は、マスクホルダ8に吸着され
る。
ガラス基板5は、基板ホルダ7に吸着固定される。
アライメント検出光学系は、ガラス基板下部に位置し、
撮像素子1.接眼レンズ2、対物レンズ3感度可変フィ
ルタ4より構成する6本アライメント検出光学系は、ガ
ラス基板の回転方向のアライメントずれを検出できるよ
うに左右1対設置し。
アライメントマークの位置により任意に移動できる。
第2図に本光学系をシステムとして装置に組み込んだ場
合の構成を示す。
次に本実施例の動作について説明する。まず、基板ロー
ダより、ガラス基板5を基板ステージに供給し、上下方
向の位置決めを行った後マスク6とのアライメントを行
う。アライメントは、メインシャッタ12を開き、フィ
ルタ付シャッタ11により、ホトレジストの感光波長(
例えば紫外線)以外の光を使用して行う。このとき、ア
ライメント検出光学系側では、感度可変フィルタ4は使
用せず、検出を行い、制御系にフィードバックをかける
ことにより、被処理物5とマスク6とのアライメント動
作を行う。この後、フィルタ付シャッタ11を開き、露
光を行う。このとき、アライメント検出光学系側では、
感度可変フィルタ4により、光の強度を下げ、検出を行
う。
本実施例によれば、露光中にも、アライメントの状態を
監視することができる効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、アライメント用の照明光を特に設ける
必要がないので装置の簡略化の効果がある。また、本発
明によれば、従来の露光装置の様に、アライメント検出
光学系を、露光領域外に逃がす必要がないので、スルー
プット・アップの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光学系構成図、第2図は第
1図の光学系を用いてガラス基板用露光装置として構成
した場合の構成図である。 1・・・撮像素子、2・・・接眼レンズ、3・・・対物
レンズ、4・・・感度可変フィルタ、5・・・ガラス基
板、6・・・マスク、11・・・フィルタ付シャッタ、 ・メインシャッタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被加工物を基準にして、露光用光学系と、マスクと
    被加工物とのアライメント用光学系とを反対側に配置し
    たことを特徴とする写真処理装置。 2、アライメント用光学系に入る光は露光用光学系及び
    被加工物を通過するものであるように構成されて成るこ
    とを特徴とする写真処理装置。 3、上記被加工物と露光用光源との間にフィルターを選
    択的に挿入できる手段を設けたことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項または第2項記載の写真処理装置。
JP63222302A 1988-09-07 1988-09-07 写真処理装置 Pending JPH0272365A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63222302A JPH0272365A (ja) 1988-09-07 1988-09-07 写真処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63222302A JPH0272365A (ja) 1988-09-07 1988-09-07 写真処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0272365A true JPH0272365A (ja) 1990-03-12

Family

ID=16780231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63222302A Pending JPH0272365A (ja) 1988-09-07 1988-09-07 写真処理装置

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JP (1) JPH0272365A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001337462A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001337462A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法

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