JPH0273524A - 光ディスク記録方法 - Google Patents
光ディスク記録方法Info
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- JPH0273524A JPH0273524A JP22439388A JP22439388A JPH0273524A JP H0273524 A JPH0273524 A JP H0273524A JP 22439388 A JP22439388 A JP 22439388A JP 22439388 A JP22439388 A JP 22439388A JP H0273524 A JPH0273524 A JP H0273524A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度記録を効率良く達成する光ディスクへ
の記録方法、特に１ビームオーバライド（ｌビームによ
る重ね書き）を可能とした光ディスクへの記録方法に関
する。
の記録方法、特に１ビームオーバライド（ｌビームによ
る重ね書き）を可能とした光ディスクへの記録方法に関
する。
第６図は結晶相とアモルファス相とに相転移する記録層
を持つ光ディスクを用いた従来の記録方法を示すための
光ビームの光量の時間変化を示す図である。咳図におい
て、１１は結晶相を記録する光量、１２はアモルファス
相を記録する光量である。即ち、アモルファス相を記録
する光量１２は結晶相を記録する光量１１より増加され
ている。
を持つ光ディスクを用いた従来の記録方法を示すための
光ビームの光量の時間変化を示す図である。咳図におい
て、１１は結晶相を記録する光量、１２はアモルファス
相を記録する光量である。即ち、アモルファス相を記録
する光量１２は結晶相を記録する光量１１より増加され
ている。
まず、結晶相の記録時には、光量１１を光ディスクの記
８３層に対して連続照射する。該光量１１で照射された
記録層部分は温度が結晶化温度まで上昇し、光ビ７ムが
通過すると、主として光ディスク基板への熱の拡散によ
って、温度が低下する。
８３層に対して連続照射する。該光量１１で照射された
記録層部分は温度が結晶化温度まで上昇し、光ビ７ムが
通過すると、主として光ディスク基板への熱の拡散によ
って、温度が低下する。
このときトラック方向の光ビーム後端部の影響による熱
の流入の影響があり、記録層の温度はゆっくりと低下す
る。よって、光量１１で照射された部分は結晶化される
。
の流入の影響があり、記録層の温度はゆっくりと低下す
る。よって、光量１１で照射された部分は結晶化される
。
一方、アモルファス相の記録時には、光量１２を記録層
に照射する。これにより、照射された記録層部分は溶融
温度を越えて上昇し、溶融状態となる。その直後、光ビ
ームが光ｆｆ１ｌｌに戻されるため該記録層は光ディス
ク基板への熱の拡散によって温度が急低下する。このよ
うに溶融状態から急冷されるため、光量１２で照射され
た部分はアモルファス化される。
に照射する。これにより、照射された記録層部分は溶融
温度を越えて上昇し、溶融状態となる。その直後、光ビ
ームが光ｆｆ１ｌｌに戻されるため該記録層は光ディス
ク基板への熱の拡散によって温度が急低下する。このよ
うに溶融状態から急冷されるため、光量１２で照射され
た部分はアモルファス化される。
このように従来の記録方式では、結晶相とアモルファス
相の記録を、光ディスクの記録層に対して照射する光ビ
ームの光量の差で実行し、これら結晶相とアモルファス
和を記録することによって光ディスクに信号を記録して
いた。
相の記録を、光ディスクの記録層に対して照射する光ビ
ームの光量の差で実行し、これら結晶相とアモルファス
和を記録することによって光ディスクに信号を記録して
いた。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、結晶相とアモルファス相の両相を隣接して高
分解能に記録するためには、両相に各々照射する光ビー
ムの光量の差を大きくしなければならない。
分解能に記録するためには、両相に各々照射する光ビー
ムの光量の差を大きくしなければならない。
しかし、アモルファス化後の結晶化過程において、上記
アモルファス相を再結晶化してしまうという問題があり
、アモルファス相を分解能良く記録できない。加えて、
結晶化を十分にさせようとすると、記！３層の結晶化速
度の速度限界が存在し、高速な１ビームオーバライドを
実現できないという問題があった。
アモルファス相を再結晶化してしまうという問題があり
、アモルファス相を分解能良く記録できない。加えて、
結晶化を十分にさせようとすると、記！３層の結晶化速
度の速度限界が存在し、高速な１ビームオーバライドを
実現できないという問題があった。
また、アモルファス相の記録を明瞭に残そうとする場合
には、結晶化のための温度を上昇できないので、既に記
録層に結晶相あるいはアモルファス相の何れかが記録さ
れているところへ重ね書き（オーバライド）しても消し
残りが大きいと言う問題もあった。
には、結晶化のための温度を上昇できないので、既に記
録層に結晶相あるいはアモルファス相の何れかが記録さ
れているところへ重ね書き（オーバライド）しても消し
残りが大きいと言う問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は分解能の高い明瞭なアモルファス相の形成を実現
可能にすること、同様に消し残しの少ない１ビームオー
バライドの実現を可能にすること、更に高速な１ビーム
オーバライドの実現を可能にすることである。
目的は分解能の高い明瞭なアモルファス相の形成を実現
可能にすること、同様に消し残しの少ない１ビームオー
バライドの実現を可能にすること、更に高速な１ビーム
オーバライドの実現を可能にすることである。
このために、本発明は、結晶相とアモルファス相とに相
転移する記録層を持つ光ディスクに対して光ビームを照
射して情報を記録する光ディスク記録方法において、 結晶相の記録時には第１の光量を連続照射し、アモルフ
ァス相の記録時には、上記第１の光■より増量した第２
の光量を照射し、該第２の光量を照射する前に上記第１
の光量より減面した第３の光量又は第４の光量を照射し
、及び／又は上記第２の光量を照射した後に上記第３の
光量又は第４゜の光量を照射するようにした。
転移する記録層を持つ光ディスクに対して光ビームを照
射して情報を記録する光ディスク記録方法において、 結晶相の記録時には第１の光量を連続照射し、アモルフ
ァス相の記録時には、上記第１の光■より増量した第２
の光量を照射し、該第２の光量を照射する前に上記第１
の光量より減面した第３の光量又は第４の光量を照射し
、及び／又は上記第２の光量を照射した後に上記第３の
光量又は第４゜の光量を照射するようにした。
上記光量は光パルス列の包絡線でも構成できる。
本発明では、結晶相の記録時よりも大きな光量を照射さ
せるアモルファス相の記録時には、その前及び／又は後
に結晶相の記録時よりも少ない光量を照射させるため、
アモルファス相として記録する部分を急冷することがで
き、明瞭なアモルファス相を記録できる。つまり、高分
解能記録が可能となる。
せるアモルファス相の記録時には、その前及び／又は後
に結晶相の記録時よりも少ない光量を照射させるため、
アモルファス相として記録する部分を急冷することがで
き、明瞭なアモルファス相を記録できる。つまり、高分
解能記録が可能となる。
また、結晶相を記録する光量とアモルファス和を記録す
るための光量との差を小さくすることができるので、記
録時間を短縮化でき、高速な１ビームオーバライドが実
現できと共に、消し残しも無くすることができる。
るための光量との差を小さくすることができるので、記
録時間を短縮化でき、高速な１ビームオーバライドが実
現できと共に、消し残しも無くすることができる。
以下、本発明の実施例の光ディスク記録方法について説
明する。
明する。
工上皇尖施Ｍ
第１図（１１、（ｂ）は第１の実施例の光ディスク記録
方法を示し、その（ａｌは記録パルスにより駆動された
光ビーム（例えばレーザビーム）の光景の時間変化を示
す図、（ｂｌは光ディスクの記録層における１トラツク
の記録状態を示す図である。また、第２図は第１図の光
ビーム照射による光ディスクの記録層温度の時間変化を
示す図であり、Ｔ、は従来の技術の項で触れた結晶化温
度を、Ｔ２は同様に溶融温度を各々示している。
方法を示し、その（ａｌは記録パルスにより駆動された
光ビーム（例えばレーザビーム）の光景の時間変化を示
す図、（ｂｌは光ディスクの記録層における１トラツク
の記録状態を示す図である。また、第２図は第１図の光
ビーム照射による光ディスクの記録層温度の時間変化を
示す図であり、Ｔ、は従来の技術の項で触れた結晶化温
度を、Ｔ２は同様に溶融温度を各々示している。
第１図（ａ）において、２１は記録層を溶融点前後の温
度に上昇させる第１の光量、２２は記録層を溶融する温
度まで上昇させる第゛２の光量、２３は第１の光■２１
より低下した第３の光量である。
度に上昇させる第１の光量、２２は記録層を溶融する温
度まで上昇させる第゛２の光量、２３は第１の光■２１
より低下した第３の光量である。
また、第１図（ｂｌにおいて、３１は記録層のトラック
上に記録された結晶相、３２はアモルファス相である。
上に記録された結晶相、３２はアモルファス相である。
さて、結晶相３１の記録時には、第１の光量２１を光デ
ィスクの記録層に連続照射する。この結果、該記録層部
分は、第２図の曲線４１で示すように、結晶化温度Ｔ、
を越えて溶融温度Ｔ２手前まで上昇する。そして、光ビ
ームが通過すると主として光ビームの後端、即ちトラッ
ク方向の後からの熱の流入の効果と光ディスク基板への
遅い熱の拡散により、その記録層部分の温度がゆっくり
と低下する。
ィスクの記録層に連続照射する。この結果、該記録層部
分は、第２図の曲線４１で示すように、結晶化温度Ｔ、
を越えて溶融温度Ｔ２手前まで上昇する。そして、光ビ
ームが通過すると主として光ビームの後端、即ちトラッ
ク方向の後からの熱の流入の効果と光ディスク基板への
遅い熱の拡散により、その記録層部分の温度がゆっくり
と低下する。
このようにゆっ（りと温度が低下するため、第１の光量
２１で照射された部分は結晶化される。
２１で照射された部分は結晶化される。
このとき、光ディスクの記録層に結晶相あるいはアモル
ファス相の何れの相が形成されていても、それらを消し
去って結晶相３１の十分な記録ができる。
ファス相の何れの相が形成されていても、それらを消し
去って結晶相３１の十分な記録ができる。
次に、アモルファス相３２の記録時には、第２の光量２
２を記録層に対して照射し、直後に当該光ビームを第３
の光１２３に若干時間だけ低下させる。よって、該記録
層は第２図の曲線４２に示すように温度変化する。即ち
、光ビームが照射されると温度が上昇し、結晶化温度Ｔ
Ｉ 、溶融温度Ｔ２を越えて、記録層は溶融状態となる
。そして光ビームが通過すると同時に当該ビームの光量
が第３の光景２３に低下するので、トラック方向からの
熱の流入の減少と光ディスク基板への熱の拡散によって
温度が急激に低下する。
２を記録層に対して照射し、直後に当該光ビームを第３
の光１２３に若干時間だけ低下させる。よって、該記録
層は第２図の曲線４２に示すように温度変化する。即ち
、光ビームが照射されると温度が上昇し、結晶化温度Ｔ
Ｉ 、溶融温度Ｔ２を越えて、記録層は溶融状態となる
。そして光ビームが通過すると同時に当該ビームの光量
が第３の光景２３に低下するので、トラック方向からの
熱の流入の減少と光ディスク基板への熱の拡散によって
温度が急激に低下する。
このように温度が急激に低下するため、第２の光ｆｆ１
２２で照射された部分はアモルファス化される。即ち、
記！、Ａ層が完全に溶融する温度まで上昇した直後に照
射光層が低下することにより、アモルファス相を記録す
べき記録層の温度低下が促進され、明瞭なアモルファス
相３２を記録することができるのである。
２２で照射された部分はアモルファス化される。即ち、
記！、Ａ層が完全に溶融する温度まで上昇した直後に照
射光層が低下することにより、アモルファス相を記録す
べき記録層の温度低下が促進され、明瞭なアモルファス
相３２を記録することができるのである。
なお、第３の光量２３で照射された部分は、その部分の
前のアモルファス相を記録した部分からの熱拡散とその
部分の後部に結晶相を記録する時の熱拡散とによって温
度が上昇し結晶化される。
前のアモルファス相を記録した部分からの熱拡散とその
部分の後部に結晶相を記録する時の熱拡散とによって温
度が上昇し結晶化される。
このようにして、光ディスクの記録層に結晶相３１とア
モルファス相３２が記録できる。従って、既に記録層に
結晶相とアモルファス相の何れかが記録されていても、
記録を望む情報を結晶化記録しつつ記録パルスに応じた
新しいアモルファス相を記録できるため、−回の走査で
オーバライドができる。
モルファス相３２が記録できる。従って、既に記録層に
結晶相とアモルファス相の何れかが記録されていても、
記録を望む情報を結晶化記録しつつ記録パルスに応じた
新しいアモルファス相を記録できるため、−回の走査で
オーバライドができる。
実験例では、１．６μｍピッチの溝が形成されたポリカ
ーボネート基板の上に硫化亜鉛（ＺｎＳ）の下地層を１
００１１１ＩＩ１１テルル化アンチモン（ＳｂＴｅ）の
記録膜を１００１ＩＩＩＩ＋、その上に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の保護膜を１００１形成した光ディスクを用いた。
ーボネート基板の上に硫化亜鉛（ＺｎＳ）の下地層を１
００１１１ＩＩ１１テルル化アンチモン（ＳｂＴｅ）の
記録膜を１００１ＩＩＩＩ＋、その上に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の保護膜を１００１形成した光ディスクを用いた。
そして周速を約１５１１１／ｓ、信号のくり返し周波数
を４ＭＩＩｚとし、第１の光ｆｆ１２１を１８ｍＷ、第
２の光ｆｆ１２２を２５１、第３の光量２３を１１とし
て記録を行い、これを再生したところ、Ｃ／Ｎ＝４９ｄ
Ｂ、オーバーライド消去率３６ｄＢ以上の結果が得られ
た。
を４ＭＩＩｚとし、第１の光ｆｆ１２１を１８ｍＷ、第
２の光ｆｆ１２２を２５１、第３の光量２３を１１とし
て記録を行い、これを再生したところ、Ｃ／Ｎ＝４９ｄ
Ｂ、オーバーライド消去率３６ｄＢ以上の結果が得られ
た。
ここでは、第２の光量２２で記録層に対して照射した直
後に、光量を第３の光ｆｆ１２３に低下させているが、
第３図に示すように、第２の光量２２にする直前の光量
を、第４の光１２３Ａに低下させてもよい。
後に、光量を第３の光ｆｆ１２３に低下させているが、
第３図に示すように、第２の光量２２にする直前の光量
を、第４の光１２３Ａに低下させてもよい。
なお、第３の光量２３や第４の光ｌ１２３Ａは零にする
こともできる。
こともできる。
耶」ｊすに１桝
第４図（ａ）、（ｂ）は第２の実施例の光ディスク記録
方法を示し、その（ａ）は記録ノクルスにより駆動され
た光ビームの光量の時間変化を示す図、（ｂ）は記録層
における１トラツクの記録状態を示す図である。
方法を示し、その（ａ）は記録ノクルスにより駆動され
た光ビームの光量の時間変化を示す図、（ｂ）は記録層
における１トラツクの記録状態を示す図である。
第４図＋ａｌ中の符号２４は第１の光量２１より低下し
た第４の光量を示している。第１図の場合と同様なもの
には同じ符号を附した。
た第４の光量を示している。第１図の場合と同様なもの
には同じ符号を附した。
本実施例での結晶相３１の記録は、第１の実施例の場合
と同様である。
と同様である。
アモルファス相３２の記録時には、第２の光量２２を光
ディスクの記録層に対して照射する直前にその光ビーム
の光量を第４の光ｉ２４にまで低下させ、その後部２の
光量２２に増加させ、その直後に第３の光ｆｆ１２３に
低下させる。
ディスクの記録層に対して照射する直前にその光ビーム
の光量を第４の光ｉ２４にまで低下させ、その後部２の
光量２２に増加させ、その直後に第３の光ｆｆ１２３に
低下させる。
この場合の温度変化は第２図の一部破線で示す曲線４２
°のようになる。つまり、結晶）ユ度Ｔ、、溶融温度Ｔ
ｔを越えて溶融状態となった記録層は、光ビームが通過
すると同時に光量が第３の光量２３に低下するので、ト
ラック前後両方向からの熱の流入が減少し、光ディスク
基板への熱の拡散によって温度が急激に低下するのであ
る。
°のようになる。つまり、結晶）ユ度Ｔ、、溶融温度Ｔ
ｔを越えて溶融状態となった記録層は、光ビームが通過
すると同時に光量が第３の光量２３に低下するので、ト
ラック前後両方向からの熱の流入が減少し、光ディスク
基板への熱の拡散によって温度が急激に低下するのであ
る。
この場合、温度が第１の実施例の場合より急激に低下す
るため、第２の光量２２で照射された部分はより明瞭に
アモルファス化される。即ち、記ｔ！層が完全に溶融す
る温度まで上昇する前後において、照射する光量を低下
することにより、アモルファス相を記録すべき記録層の
急激な温度低下が促進され、明瞭なアモルファス相３２
が記録できる。
るため、第２の光量２２で照射された部分はより明瞭に
アモルファス化される。即ち、記ｔ！層が完全に溶融す
る温度まで上昇する前後において、照射する光量を低下
することにより、アモルファス相を記録すべき記録層の
急激な温度低下が促進され、明瞭なアモルファス相３２
が記録できる。
なお、この例でも第３の光１２３と第４の光量２４の一
方あるいは両方を零にすることができる。
方あるいは両方を零にすることができる。
このようにして、記録層に結晶相３１とアモルファス相
３２が記録できる。従って、この例でも既に記１１１に
結晶相とアモルファス相の何れかが記録されていても、
記録を望む情報を結晶化記録しつつ記録パルスに応じた
新しいアモルファス相を記録できるため、−回の走査で
オーバライドができることは勿論である。
３２が記録できる。従って、この例でも既に記１１１に
結晶相とアモルファス相の何れかが記録されていても、
記録を望む情報を結晶化記録しつつ記録パルスに応じた
新しいアモルファス相を記録できるため、−回の走査で
オーバライドができることは勿論である。
工主■尖旌斑
第５図は第３の実施例の光ディスク記録方法を示す図で
ある。本例では、第１図で示した第１の実施例での光量
変化を、光パルス列の包路線で構成している。図中５１
は記録層を溶融点前後の温度に上界させる第１の光量（
上記実施例の光ｆｆ１２１に相当する。）、５２は記録
層が溶融する温度まで上界させる第２の光量（上記実施
例の第２の光ｆｆ１２２に相当する。）、５３は第１の
光量５１より低下した第３の光量（上記実施例の第３の
光量２３に相当する。）である。このような光■を記録
層に照射すことによっても、結晶相とアモルファス相と
を記録することができる。
ある。本例では、第１図で示した第１の実施例での光量
変化を、光パルス列の包路線で構成している。図中５１
は記録層を溶融点前後の温度に上界させる第１の光量（
上記実施例の光ｆｆ１２１に相当する。）、５２は記録
層が溶融する温度まで上界させる第２の光量（上記実施
例の第２の光ｆｆ１２２に相当する。）、５３は第１の
光量５１より低下した第３の光量（上記実施例の第３の
光量２３に相当する。）である。このような光■を記録
層に照射すことによっても、結晶相とアモルファス相と
を記録することができる。
この例でも既に記録層に結晶相とアモルファス相の何れ
かが記録されていても、記録を望む情報を一回の走査で
オーバライドができる。また、パルス列の包路線を第３
図ｆａ）、或いは第４図（ａｌに示した光量の変化に合
わせるようにすることもできる。
かが記録されていても、記録を望む情報を一回の走査で
オーバライドができる。また、パルス列の包路線を第３
図ｆａ）、或いは第４図（ａｌに示した光量の変化に合
わせるようにすることもできる。
以上から本発明によれば、従来の技術と比較して、アモ
ルファス相の記録において、記録層が溶融温度まで上昇
する光量を加えると共に、アモルファス相を記録する部
分への前及び／又は後からの熱の拡散流入を抑圧してい
るので、アモルファス相を記録する部分の温度を急激に
低下させ、結果としてアモルファス化のための急冷条件
を達成させることができ、従って信号ジッタの少ない明
瞭なアモルファス相を記録することができる。
ルファス相の記録において、記録層が溶融温度まで上昇
する光量を加えると共に、アモルファス相を記録する部
分への前及び／又は後からの熱の拡散流入を抑圧してい
るので、アモルファス相を記録する部分の温度を急激に
低下させ、結果としてアモルファス化のための急冷条件
を達成させることができ、従って信号ジッタの少ない明
瞭なアモルファス相を記録することができる。
また、本発明ではアモルファス相を明瞭に形成するよう
光量を変調して記録することも可能で、ジッタの極めて
少ない記録、とりわけ１ビームオーバライドが達成でき
る。
光量を変調して記録することも可能で、ジッタの極めて
少ない記録、とりわけ１ビームオーバライドが達成でき
る。
また、このことはアモルファスマークを制御性良く記録
することと等価であるため、従来結晶化速度で制御され
ていたｌビームオーバライドの速度限界を打ち破り、高
速な１ビームオーバライドが達成できる。
することと等価であるため、従来結晶化速度で制御され
ていたｌビームオーバライドの速度限界を打ち破り、高
速な１ビームオーバライドが達成できる。
第１図（ａ）、（ｂ）は第１の実施例の光ディスク記録
方法を示し、＋ａｌは記録パルスにより駆動された光ビ
ームの光量の時間変化を示す説明図、（ｂ）は光ディス
ク記録層におけるｌトラックの記録状態を示す説明図、
第２図は第１図の光ビーム照射による光ディスク記録層
温度の時間変化を示す説明図、第３図は第１の実施例の
変形例の光ディスク記録方法を示す説明図、第４図（ａ
）、（ｂｌは第２の実施例の光ディスク記録方法を示し
、＋ａｌは記録パルスにより駆動された光ビームの光量
の時間変化を示す説明図、山）は光ディスク記録層にお
ける１トランクの記録状態を示す説明図、第５図は第３
の実施例の光ディスク記録方法を示す光ビームパルス列
の時間変化の説明図、第６図は従来の光ディスク記録方
法を示す説明図である。 ２１・・・第１の光量、２２・・・第２の光量、２３・
・・第３の光量、２３Ａ、２４・・・第４の光量、３１
・・・結晶相、３２・・・アモルファス化、４１．４２
．４２・・・曲’ＫＭ、５１・・・第１の光量の光ビー
ムパルス、５２・・第２の光量の光ビームパルス、５３
・・・第３の光量の光ビームパルス、Ｔ１・・・結晶化
温度、Ｔ２・・・溶融温度。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 第３ 図 第４ 図 第１ 時開 第２ ｇ！開 時間 吟！、５
方法を示し、＋ａｌは記録パルスにより駆動された光ビ
ームの光量の時間変化を示す説明図、（ｂ）は光ディス
ク記録層におけるｌトラックの記録状態を示す説明図、
第２図は第１図の光ビーム照射による光ディスク記録層
温度の時間変化を示す説明図、第３図は第１の実施例の
変形例の光ディスク記録方法を示す説明図、第４図（ａ
）、（ｂｌは第２の実施例の光ディスク記録方法を示し
、＋ａｌは記録パルスにより駆動された光ビームの光量
の時間変化を示す説明図、山）は光ディスク記録層にお
ける１トランクの記録状態を示す説明図、第５図は第３
の実施例の光ディスク記録方法を示す光ビームパルス列
の時間変化の説明図、第６図は従来の光ディスク記録方
法を示す説明図である。 ２１・・・第１の光量、２２・・・第２の光量、２３・
・・第３の光量、２３Ａ、２４・・・第４の光量、３１
・・・結晶相、３２・・・アモルファス化、４１．４２
．４２・・・曲’ＫＭ、５１・・・第１の光量の光ビー
ムパルス、５２・・第２の光量の光ビームパルス、５３
・・・第３の光量の光ビームパルス、Ｔ１・・・結晶化
温度、Ｔ２・・・溶融温度。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 第３ 図 第４ 図 第１ 時開 第２ ｇ！開 時間 吟！、５
Claims (2)
- （１）、結晶相とアモルファス相とに相転移する記録層
を持つ光ディスクに対して光ビームを照射して情報を記
録する光ディスク記録方法において、結晶相の記録時に
は第１の光量を連続照射し、アモルファス相の記録時に
は、上記第１の光量より増量した第２の光量を照射し、
該第２の光量を照射する前に上記第１の光量より減量し
た第３の光量又は第４の光量を照射し、及び／又は上記
第２の光量を照射した後に上記第３の光量又は第４の光
量を照射するようにしたことを特徴とする光ディスク記
録方法。 - （２）、上記光量を光パルス列の包絡線で構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク記
録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224393A JP2717675B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光ディスク記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP63224393A JP2717675B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光ディスク記録方法 |
Publications (2)
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| JPH0273524A true JPH0273524A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2717675B2 JP2717675B2 (ja) | 1998-02-18 |
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ID=16813047
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63224393A Expired - Lifetime JP2717675B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光ディスク記録方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2717675B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199628A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体の重ね書き方法 |
| JPH0594620A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-16 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え形光情報記録媒体の重ね書き方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6278749A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-04-11 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 光学データ記憶媒体及び装置 |
| JPS63113938A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報の光学的記録方法 |
| JPH01184631A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録・再生方法及び装置 |
| JPH01311423A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び記録装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63224393A patent/JP2717675B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0594620A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-16 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え形光情報記録媒体の重ね書き方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2717675B2 (ja) | 1998-02-18 |
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