JPH0274006A - 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 - Google Patents
酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法Info
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- JPH0274006A JPH0274006A JP63227048A JP22704888A JPH0274006A JP H0274006 A JPH0274006 A JP H0274006A JP 63227048 A JP63227048 A JP 63227048A JP 22704888 A JP22704888 A JP 22704888A JP H0274006 A JPH0274006 A JP H0274006A
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- etching
- ruthenium oxide
- oxide thin
- ruo2
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- Electronic Switches (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に利用される酸化ルテニウム系薄
膜のエツチング方法に関するものである。
膜のエツチング方法に関するものである。
従来の技術
各種電子機器に於て酸化ルテニウム系抵抗体はハイブリ
ッドＩＣ，サーマルヘッド、チップ抵抗。
ッドＩＣ，サーマルヘッド、チップ抵抗。
抵抗ネットワーク部品、センサー等に広く使われている
。これらの酸化ルテニウム系抵抗体は一般にＲｕＯ２を
主成分とする無機物の粉末をガラスフリット、樹脂、有
機溶剤と混合し、ペースト化したものを印刷焼成するこ
とによって作成される厚膜抵抗体である。
。これらの酸化ルテニウム系抵抗体は一般にＲｕＯ２を
主成分とする無機物の粉末をガラスフリット、樹脂、有
機溶剤と混合し、ペースト化したものを印刷焼成するこ
とによって作成される厚膜抵抗体である。
これらは印刷によって作成されるため、当然パターン形
成は可能であるが、パターン幅は１００μｍ程度が限界
であり、精度良く微細なパターンを出すことは不可能で
ある。また、これらは無機バインダーを使った分散系の
厚膜であり、薄膜に比べ抵抗特性のバラツキが大きく、
放熱性や耐電力性が劣っている。
成は可能であるが、パターン幅は１００μｍ程度が限界
であり、精度良く微細なパターンを出すことは不可能で
ある。また、これらは無機バインダーを使った分散系の
厚膜であり、薄膜に比べ抵抗特性のバラツキが大きく、
放熱性や耐電力性が劣っている。
発明が解決しようとする課題
薄膜抵抗体は一般に真空装置を使って作成されるため、
パターン形成するためには薄膜抵抗体がエツチングでき
ることが必要である。厚膜と同様、印刷、焼成により薄
膜を得る方法はあるがパターンの精度や再現性は厚膜と
同程度のものしか得られない。エツチングには大きく分
けてウェットエツチングとドライエツチングがある。ウ
ェットエツチングとは液槽中で化学薬品溶液によりエツ
チングする方法である。昔だ、ドライエツチングとは中
性ガス、気相のイオン、ラジカル等によりエツチングす
る方法で、そのうち気体をグラズマ化させてエツチング
する方法をプラズマエツチングと呼んでいる。
パターン形成するためには薄膜抵抗体がエツチングでき
ることが必要である。厚膜と同様、印刷、焼成により薄
膜を得る方法はあるがパターンの精度や再現性は厚膜と
同程度のものしか得られない。エツチングには大きく分
けてウェットエツチングとドライエツチングがある。ウ
ェットエツチングとは液槽中で化学薬品溶液によりエツ
チングする方法である。昔だ、ドライエツチングとは中
性ガス、気相のイオン、ラジカル等によりエツチングす
る方法で、そのうち気体をグラズマ化させてエツチング
する方法をプラズマエツチングと呼んでいる。
ＷＩ膜抵抗体は厚膜に比べ抵抗体としての特性は優れて
いるが、ＲｕＯ２が酸に不溶であり適当なエッチャント
も無いため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体はウェットエ
ツチングによるパターン形成カできないという欠点があ
った。１だ、酸化ルテニウム系薄膜に関するドライエツ
チングの報告例はなく、酸化ルテニウム系薄膜のファイ
ンパターンを精度良く作成する方法は知られていなかっ
た。
いるが、ＲｕＯ２が酸に不溶であり適当なエッチャント
も無いため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体はウェットエ
ツチングによるパターン形成カできないという欠点があ
った。１だ、酸化ルテニウム系薄膜に関するドライエツ
チングの報告例はなく、酸化ルテニウム系薄膜のファイ
ンパターンを精度良く作成する方法は知られていなかっ
た。
そのため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体は良好な環境安
定性や抵抗値の制御のしやすさといった優れた特徴を持
ちながら、あ−１使われていない。
定性や抵抗値の制御のしやすさといった優れた特徴を持
ちながら、あ−１使われていない。
それ故に、本発明の目的は酸化ルテニウム系薄膜のパタ
ーンニング方法を提供し、特性に優れた酸化ルテニウム
系薄膜のファインパターンヲ作成しようとするものであ
る。
ーンニング方法を提供し、特性に優れた酸化ルテニウム
系薄膜のファインパターンヲ作成しようとするものであ
る。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明はＲｕｏ２薄膜ま
たは０以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａｔ％以
下である酸化ルテニウム系薄膜を、少なくともＯを含む
雰囲気中でプラズマエツチングし、パターンを形成する
ものである。
たは０以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａｔ％以
下である酸化ルテニウム系薄膜を、少なくともＯを含む
雰囲気中でプラズマエツチングし、パターンを形成する
ものである。
作用
上記エツチング方法を取ることにより、ＲｕＯ２薄膜、
または酸化ルテニウム系、；２Ｊ膜のファインパターン
を作成することができる。
または酸化ルテニウム系、；２Ｊ膜のファインパターン
を作成することができる。
実施例
以下本発明の実施例について説明する。
即ち本発明はＲｕＯ２薄膜またはＯ以外の元素のＲｕに
対する組成比が１０ａｔ％以下である酸化ルテニウム系
薄膜を、少なくとも０を含む雰囲気中に於てプラズマエ
ツチングすることを特徴とする。
対する組成比が１０ａｔ％以下である酸化ルテニウム系
薄膜を、少なくとも０を含む雰囲気中に於てプラズマエ
ツチングすることを特徴とする。
プラズマエツチングには様々な構成の装置が使われてい
るが１本発明では第１図に示すように反応室１１内に平
行平板型電極（１２及び１４）を持ち、カソードのもの
（１２）の上に被エツチング物１３をおく構成を取るリ
アクティブイオンエツチング装置（高周波電力周波数１
３．６６ ＭＨｚ ）を用いている。リアクティブイオ
ンエツチングは以下のような特徴を持つ。
るが１本発明では第１図に示すように反応室１１内に平
行平板型電極（１２及び１４）を持ち、カソードのもの
（１２）の上に被エツチング物１３をおく構成を取るリ
アクティブイオンエツチング装置（高周波電力周波数１
３．６６ ＭＨｚ ）を用いている。リアクティブイオ
ンエツチングは以下のような特徴を持つ。
■ イオンがカンード上のイオンシーヌで加速されるた
め物理的効果によるエツチングがおこる。
め物理的効果によるエツチングがおこる。
■ イオンが方向性を持つのでアンダーカットが少ない
。
。
■ 反応性のガスを用いるので、不活性ガスを用いるス
パッタエツチングに比ベマスクや基板に対する選択比が
大きい。
パッタエツチングに比ベマスクや基板に対する選択比が
大きい。
ドライエンチングのエツチング機溝は基本的には物理的
反応、化学的反応、物理・化学複合反応の３つに分けら
れる。リアクティブイオンエツチングの場合は物理・化
学複合反応によシエッチングがすすむ。
反応、化学的反応、物理・化学複合反応の３つに分けら
れる。リアクティブイオンエツチングの場合は物理・化
学複合反応によシエッチングがすすむ。
本発明は酸素ガス（０２）によりＲｕＯ２がリアクティ
ブイオンエツチングされることを発見したことを基礎と
する。酸化ルテニウムにはＲｕＯ，ＲｕＯ２゜Ｒｕ２Ｏ
３，ＲｕＯ４が存在することが知られているが。
ブイオンエツチングされることを発見したことを基礎と
する。酸化ルテニウムにはＲｕＯ，ＲｕＯ２゜Ｒｕ２Ｏ
３，ＲｕＯ４が存在することが知られているが。
安定して存在するのはＲｕＯ２のみである。なお１６は
試料台、１６は絶縁物、１７は高周波電源、１Ｂはガス
供給系、１９は排気系である。
試料台、１６は絶縁物、１７は高周波電源、１Ｂはガス
供給系、１９は排気系である。
以下の条件で酸素ガス（０２）とアルゴン（ムｒ）のＲ
ｕＯ２薄膜に対するエツチング速度を比較した結果を第
２図に示す。流量：１０１０８Ｑ、圧カニ０．１ ｔｏ
ｒｒ 、高周波室カニ １００Ｗ、電極温度：２０°Ｃ
２電極間隔ニア０１）ＩＦ０第２図のように酸素を用い
た場合の方がエツチング速度が大きい。酸素プラズマ中
の生成種としては、生成エネルギーの低い順から上げる
と０２・０３・０・０・０２＋０＋である（＊は活性化
を示す）。この内スパッタリング効果に寄与するのは０
＋と０２＋だけであり、電離断面積とヌパッタ率は共に
アルゴンより小さい。よって、酸素のエツチングレート
がアルゴンより高い原因はＲｕＯ２と酸素ラジカルまた
はイオンが化学反応を起こし、揮発性生成物ができてい
るためと考えられ、単なるヌパッタ効果によるエツチン
グではなくリアクティブイオンエッチングが起こってい
ることを示している。揮発性生成物として考えられるの
はＲｕ０ｘ（ｘ≧３）であるが、既知の酸化物ではＲｕ
Ｏ４の沸点が１００．８°Ｃで最も低く、気化しやすい
物質である。次にエツチング速度の酸素ガス流量依存性
を第３図にしめす。流量以外の条件は第２図の場合と同
じである。酸素ガス流量の増加にともないエツチング速
度が増加しており、ガス供給律速になっていることを示
している。反応室１１内の圧力は一定であり、単なるヌ
パッタエッチングであるならばガス供給律速にはならな
いはずである。これもリアクティブイオンエツチングが
起こっていることを示す結果と言える。
ｕＯ２薄膜に対するエツチング速度を比較した結果を第
２図に示す。流量：１０１０８Ｑ、圧カニ０．１ ｔｏ
ｒｒ 、高周波室カニ １００Ｗ、電極温度：２０°Ｃ
２電極間隔ニア０１）ＩＦ０第２図のように酸素を用い
た場合の方がエツチング速度が大きい。酸素プラズマ中
の生成種としては、生成エネルギーの低い順から上げる
と０２・０３・０・０・０２＋０＋である（＊は活性化
を示す）。この内スパッタリング効果に寄与するのは０
＋と０２＋だけであり、電離断面積とヌパッタ率は共に
アルゴンより小さい。よって、酸素のエツチングレート
がアルゴンより高い原因はＲｕＯ２と酸素ラジカルまた
はイオンが化学反応を起こし、揮発性生成物ができてい
るためと考えられ、単なるヌパッタ効果によるエツチン
グではなくリアクティブイオンエッチングが起こってい
ることを示している。揮発性生成物として考えられるの
はＲｕ０ｘ（ｘ≧３）であるが、既知の酸化物ではＲｕ
Ｏ４の沸点が１００．８°Ｃで最も低く、気化しやすい
物質である。次にエツチング速度の酸素ガス流量依存性
を第３図にしめす。流量以外の条件は第２図の場合と同
じである。酸素ガス流量の増加にともないエツチング速
度が増加しており、ガス供給律速になっていることを示
している。反応室１１内の圧力は一定であり、単なるヌ
パッタエッチングであるならばガス供給律速にはならな
いはずである。これもリアクティブイオンエツチングが
起こっていることを示す結果と言える。
同じ様に酸素プラズマを用いても第４図に示すようなバ
レル型のプラズマエツチング装置でＲｕＯ２はエツチン
グされなかった。バレル型の反応室４２の場合、被エツ
チング物４１はグロー放電中におかれ、接地とは実質的
に切り放されており、被エツチング物４１の表面電位は
その回りのグローの電位と１０Ｖ程度の差しかない。リ
アクティブイオンエツチングの場合イオンシースの電位
勾配は数１００Ｖであるので、ＲｕＯ２は主に数１００
ｅＶ程度の運動エネルギーを持つ酸素イオンによりエツ
チングされると考えられる。このことは平行平板型のリ
アクティブイオンエッチング装置だけでなくイオンビー
ム型のプラズマエツチング装置でも酸素ガスによるＲｕ
Ｏ２のエツチングが可能であることを示している。
レル型のプラズマエツチング装置でＲｕＯ２はエツチン
グされなかった。バレル型の反応室４２の場合、被エツ
チング物４１はグロー放電中におかれ、接地とは実質的
に切り放されており、被エツチング物４１の表面電位は
その回りのグローの電位と１０Ｖ程度の差しかない。リ
アクティブイオンエツチングの場合イオンシースの電位
勾配は数１００Ｖであるので、ＲｕＯ２は主に数１００
ｅＶ程度の運動エネルギーを持つ酸素イオンによりエツ
チングされると考えられる。このことは平行平板型のリ
アクティブイオンエッチング装置だけでなくイオンビー
ム型のプラズマエツチング装置でも酸素ガスによるＲｕ
Ｏ２のエツチングが可能であることを示している。
また、リアクティブイオンエツチングではヌパッタ効果
によるエツチングも起こるため酸化ルテニウムに添加物
を加えた場合でもそれが少量であれば酸素プラズマだけ
でもエツチングされる。２元系酸化物Ｒｕ−５ｉ−０、
Ｒｕ−ム（１−０、Ｒｕ−Ｃａ−０゜Ｒｕ−Ｂａ−０に
ついて第３図と同じ条件でエツチングを行ったところ、
Ｏ以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａｔ％以下で
あればＲｕＯ２のエツチング速度と比べて有意の差は無
かった。
によるエツチングも起こるため酸化ルテニウムに添加物
を加えた場合でもそれが少量であれば酸素プラズマだけ
でもエツチングされる。２元系酸化物Ｒｕ−５ｉ−０、
Ｒｕ−ム（１−０、Ｒｕ−Ｃａ−０゜Ｒｕ−Ｂａ−０に
ついて第３図と同じ条件でエツチングを行ったところ、
Ｏ以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａｔ％以下で
あればＲｕＯ２のエツチング速度と比べて有意の差は無
かった。
半導体プロセヌにおいては、ＧＦａ等のフッ素系ガスや
ＣＣｅ４等の塩素系ガスを使ったプラズマエツチングが
広く利用されている。これらのガスは分解すると有毒な
フッ素や塩素のラジカルができるため高価な廃ガス処理
設備が必要である。しかし、本発明のエツチング方法で
は酸素ガスを用いているので有害な分解育成物がでない
という利点がある。なお、４３は試料台、４４は電極、
４６は高周波電源、４６はガス供給系、４７は排気系で
ある。
ＣＣｅ４等の塩素系ガスを使ったプラズマエツチングが
広く利用されている。これらのガスは分解すると有毒な
フッ素や塩素のラジカルができるため高価な廃ガス処理
設備が必要である。しかし、本発明のエツチング方法で
は酸素ガスを用いているので有害な分解育成物がでない
という利点がある。なお、４３は試料台、４４は電極、
４６は高周波電源、４６はガス供給系、４７は排気系で
ある。
以下具体的実施例について説明する。
実施例１
棚桂酸ガラス基板（コーニング社製７０６９）に５００
人のＲｕＯ２薄膜を形成し、その上にポジレジスト（東
京応化製０ＭＲ８３）を塗布してフォトリソプロセスに
よりパターン幅２０μｍ 、ピッチ６μｍのマヌクを形
成した。前記リアクティブイオンエツチング装置により
酸素ガス流量２゜Ｂａａｔｎ 、圧力０，１ ｔｏｒｒ
、高周波電力１５０Ｗ。
人のＲｕＯ２薄膜を形成し、その上にポジレジスト（東
京応化製０ＭＲ８３）を塗布してフォトリソプロセスに
よりパターン幅２０μｍ 、ピッチ６μｍのマヌクを形
成した。前記リアクティブイオンエツチング装置により
酸素ガス流量２゜Ｂａａｔｎ 、圧力０，１ ｔｏｒｒ
、高周波電力１５０Ｗ。
エツチング時間１６ｍ１ｎの条件でエツチングを行った
ところ、得られたパターン幅の精度は１８±０．６μｍ
であった。また同じ基板上に０以外の元素のＲｕに対す
る組成比が１０ａｔ％以下であるＲｕ−８ｉ−０，Ｒｕ
−Ｊｅ−０，Ｒｕ−Ｃａ−０，Ｒｕ−Ｂａ−０薄膜を５
００人形成し、同様の方法でパターンニングを行ったと
ころ、得られたパターン幅の精度はどれも１８．０±０
．６μｍであった。リアクティブイオンエツチングは前
述のようにアンダーカットが少ないという特徴があるた
め、この様にファインパターンを精度良く得ることがで
き、本発明のエツチング方法はハイブリッドエＣ，サー
マルヘッド、センサー等の酸化ルテニウム糸薄膜抵抗体
パターンの微細化にきわめて有用であるということがで
きる。このガラス基板を同一条件でエツチングしたとこ
ろエツチング量は３０Å以下で無視できる程度であった
。
ところ、得られたパターン幅の精度は１８±０．６μｍ
であった。また同じ基板上に０以外の元素のＲｕに対す
る組成比が１０ａｔ％以下であるＲｕ−８ｉ−０，Ｒｕ
−Ｊｅ−０，Ｒｕ−Ｃａ−０，Ｒｕ−Ｂａ−０薄膜を５
００人形成し、同様の方法でパターンニングを行ったと
ころ、得られたパターン幅の精度はどれも１８．０±０
．６μｍであった。リアクティブイオンエツチングは前
述のようにアンダーカットが少ないという特徴があるた
め、この様にファインパターンを精度良く得ることがで
き、本発明のエツチング方法はハイブリッドエＣ，サー
マルヘッド、センサー等の酸化ルテニウム糸薄膜抵抗体
パターンの微細化にきわめて有用であるということがで
きる。このガラス基板を同一条件でエツチングしたとこ
ろエツチング量は３０Å以下で無視できる程度であった
。
実施例２
第５図ａに示すようにアルミナ基板６１上にガラスグレ
ーズ層６２を形成したいわゆるグレーズドアルミナ基板
６３上にＳＯＯ入のＲｕＯ２薄膜発熱抵抗体６４を形成
し、この上にムＵからなる配線用導体膜５６を順次積層
形成した後、フォトリソプロセスにより配線用導体膜６
５をパターンニングし第６図すに示すような配線パター
ン６６を？）だ。この配線パターン５６をマスクとして
酸素ガス流ｉ２ｏｓｃｃｍ、圧力０．１ｔＯｒｒ、高周
波ミノ戸６０Ｗ 、エツチング時間１５ｍ１ｎの条件で
前記リアクティブイオンエツチング装置によリエッチン
グをおこなったところ第６図Ｃのような薄膜発熱抵抗体
のパターン６７を得た。同一のエツチング条件でガラス
グレーズ層５２及び配線用導体膜６６のエツチング量を
調べたところ、共に３０八以下で無視できる程度であっ
た。これは配線用導体膜５６がＣｕまたはムｅでも同じ
結果が得られ、酸素ガスでリアクティブイオンエツチン
グされにくい物質であれば同様に使える。即ち、本発明
による酸素ガスを用いてリアクティブイオンエツチング
を行う方法の場合高選択比でＲｕ Ｏ２薄膜発熱抵抗体
６６をエツチングできることがわかった。またアンダー
カットの量も０．５μｍ以下で殆ど無視できる程度であ
った。次に配線パターン６６の不要部分をフォトリソプ
ロセスにより除去し、ＳｉＣによる耐摩耗保護膜を形成
した。その構成を第６図に示す。６１がアルミナ基板、
６２がガラスグレーズ層、６３２Ｌおよび６３ｂが配線
用導体膜、６４が薄膜発熱抵抗体、６５が耐摩耗保護膜
である（なお説明の都合上耐摩耗膜６６を一部形成して
いない図としている。）。薄膜発熱抵抗体６４は８本／
ｆｆの密度で並んでおり、その抵抗値バラツキは±１パ
ーセント以内であった。薄膜発熱抵抗体６４にＴｉＣ／
５ｉ０２を使いウェットエツチングにより同様の構成を
もつ薄膜型サーマルヘッドを作成した場合抵抗値バラツ
キは±１０パーセント以内であり、酸化ルテニウム系薄
膜抵抗体をもちいて本発明によるパターンニング方法で
作成したサーマルヘッドの方が遥かに優れている。
ーズ層６２を形成したいわゆるグレーズドアルミナ基板
６３上にＳＯＯ入のＲｕＯ２薄膜発熱抵抗体６４を形成
し、この上にムＵからなる配線用導体膜５６を順次積層
形成した後、フォトリソプロセスにより配線用導体膜６
５をパターンニングし第６図すに示すような配線パター
ン６６を？）だ。この配線パターン５６をマスクとして
酸素ガス流ｉ２ｏｓｃｃｍ、圧力０．１ｔＯｒｒ、高周
波ミノ戸６０Ｗ 、エツチング時間１５ｍ１ｎの条件で
前記リアクティブイオンエツチング装置によリエッチン
グをおこなったところ第６図Ｃのような薄膜発熱抵抗体
のパターン６７を得た。同一のエツチング条件でガラス
グレーズ層５２及び配線用導体膜６６のエツチング量を
調べたところ、共に３０八以下で無視できる程度であっ
た。これは配線用導体膜５６がＣｕまたはムｅでも同じ
結果が得られ、酸素ガスでリアクティブイオンエツチン
グされにくい物質であれば同様に使える。即ち、本発明
による酸素ガスを用いてリアクティブイオンエツチング
を行う方法の場合高選択比でＲｕ Ｏ２薄膜発熱抵抗体
６６をエツチングできることがわかった。またアンダー
カットの量も０．５μｍ以下で殆ど無視できる程度であ
った。次に配線パターン６６の不要部分をフォトリソプ
ロセスにより除去し、ＳｉＣによる耐摩耗保護膜を形成
した。その構成を第６図に示す。６１がアルミナ基板、
６２がガラスグレーズ層、６３２Ｌおよび６３ｂが配線
用導体膜、６４が薄膜発熱抵抗体、６５が耐摩耗保護膜
である（なお説明の都合上耐摩耗膜６６を一部形成して
いない図としている。）。薄膜発熱抵抗体６４は８本／
ｆｆの密度で並んでおり、その抵抗値バラツキは±１パ
ーセント以内であった。薄膜発熱抵抗体６４にＴｉＣ／
５ｉ０２を使いウェットエツチングにより同様の構成を
もつ薄膜型サーマルヘッドを作成した場合抵抗値バラツ
キは±１０パーセント以内であり、酸化ルテニウム系薄
膜抵抗体をもちいて本発明によるパターンニング方法で
作成したサーマルヘッドの方が遥かに優れている。
また、両者をパルス幅１ ｍ５６Ｑ 、パルス周期１０
ｍ５ｅｃで連続パルヌ印加を行い耐久性を比較してみた
。６＊１０’回パルヌを印加した際抵抗値変動１０パー
セントを与える薄膜抵抗体の単位面積当シの電力（Ｗ／
ｄ）（→破断電力）を比べると本発明のパターンニング
方法によシ作成したサーマルヘッドは７０ Ｗ ／ ｔ
ｄ 、従来型は４０Ｗ／−と、大きく向上した。また、
ＲｕＯ２にかえてＳｉのＲｕＫ対する組成比が１０ａｔ
％であるＲｕ−５ｉ−０薄膜を５００人グレーズドアル
ミナ基板上に形成し。
ｍ５ｅｃで連続パルヌ印加を行い耐久性を比較してみた
。６＊１０’回パルヌを印加した際抵抗値変動１０パー
セントを与える薄膜抵抗体の単位面積当シの電力（Ｗ／
ｄ）（→破断電力）を比べると本発明のパターンニング
方法によシ作成したサーマルヘッドは７０ Ｗ ／ ｔ
ｄ 、従来型は４０Ｗ／−と、大きく向上した。また、
ＲｕＯ２にかえてＳｉのＲｕＫ対する組成比が１０ａｔ
％であるＲｕ−５ｉ−０薄膜を５００人グレーズドアル
ミナ基板上に形成し。
同様の方法でサーマルヘッドを作成したところ、抵抗値
パラツキは±１％以内、破断電力は６８Ｗ／ＪＥＩＩと
ほぼ同様の性能であった。これは本発明によるサーマル
ヘッドは酸化物の抵抗体を使っているので耐酸化性等の
環境安定性が優れているためと考えられる。
パラツキは±１％以内、破断電力は６８Ｗ／ＪＥＩＩと
ほぼ同様の性能であった。これは本発明によるサーマル
ヘッドは酸化物の抵抗体を使っているので耐酸化性等の
環境安定性が優れているためと考えられる。
この様に従来は作成不可能であった酸化ルテニウム系薄
膜抵抗体のファインパターンを本発明によるエツチング
方法により作成することで、従来より優れた特性を持つ
サーマルヘッドを作成することができた。
膜抵抗体のファインパターンを本発明によるエツチング
方法により作成することで、従来より優れた特性を持つ
サーマルヘッドを作成することができた。
発明の効果
本発明は従来知られていなかった酸化ルテニウム系薄膜
のエツチング方法に関するものであり、これにより酸化
ルテニウム系薄膜のファインパターンを精度良く得るこ
とができ産業上の効果は大なるものである。
のエツチング方法に関するものであり、これにより酸化
ルテニウム系薄膜のファインパターンを精度良く得るこ
とができ産業上の効果は大なるものである。
第１図はリアクティブイオンエッチング装置の模式図、
第２図はエツチング時間とエツチング量の関係を酸素ガ
ヌ（０２）とアルゴン（ムｒ）ＪＣついて比較した特性
図、第３図はエツチング速度の酸素ガス流量依存性を示
した特性図、第４図はバレル型プラズマエツチング装置
の模式図、第６図はサーマルヘッドの薄膜発熱抵抗体の
パターンニング工程を示した模式図、第６図は薄膜型サ
ーマルヘッドの構成を示した斜視図である。 ５１・・・・・・アルミナ基板、６２・・・・・ガラス
ゲレース層、６３・・・・・・グレーズドアルミナ基板
、６４・・・・・薄膜発熱抵抗体、６６・・・・・配線
用導体膜、６６・・・・・・配線パターン、６７・・・
・・パターンニングされたＲｕＯ２薄膜発熱抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （Ａ／ｒｎムηツ ノ／ −ｍ−叉ブ山菫 ）’？−＃膚代糸 第 図 ４１− 破エヅナング物 ４７− 俳類ホ
第２図はエツチング時間とエツチング量の関係を酸素ガ
ヌ（０２）とアルゴン（ムｒ）ＪＣついて比較した特性
図、第３図はエツチング速度の酸素ガス流量依存性を示
した特性図、第４図はバレル型プラズマエツチング装置
の模式図、第６図はサーマルヘッドの薄膜発熱抵抗体の
パターンニング工程を示した模式図、第６図は薄膜型サ
ーマルヘッドの構成を示した斜視図である。 ５１・・・・・・アルミナ基板、６２・・・・・ガラス
ゲレース層、６３・・・・・・グレーズドアルミナ基板
、６４・・・・・薄膜発熱抵抗体、６６・・・・・配線
用導体膜、６６・・・・・・配線パターン、６７・・・
・・パターンニングされたＲｕＯ２薄膜発熱抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （Ａ／ｒｎムηツ ノ／ −ｍ−叉ブ山菫 ）’？−＃膚代糸 第 図 ４１− 破エヅナング物 ４７− 俳類ホ
Claims (4)
- （１）少なくともＯを含む雰囲気中に於て、ＲｕＯ＿２
薄膜またはＯ以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａ
ｔ％以下である酸化ルテニウム系薄膜をプラズマエッチ
ングすることを特徴とする酸化ルテニウム系薄膜のエッ
チング方法。 - （２）ＲｕとＳｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｂａより選ばれた１種
類または複数種類の元素からなる酸化ルテニウム系薄膜
で、Ｏ以外の元素のＲｕに対する組成比が１０ａｔ％以
下であるものをエッチングすることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の酸化ルテニウム系薄膜のエッチン
グ方法。 - （３）プラズマエッチングの方法がリアクティブイオン
エッチングであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法。 - （４）薄膜発熱抵抗体のパターン形成に於て、配線用導
体膜をマスクにしてエッチングすることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227048A JP2679148B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227048A JP2679148B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274006A true JPH0274006A (ja) | 1990-03-14 |
| JP2679148B2 JP2679148B2 (ja) | 1997-11-19 |
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ID=16854711
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227048A Expired - Fee Related JP2679148B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679148B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587990A3 (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-25 | Motorola Inc | Method for fabricating a semiconductive device having a conductive metal oxide |
| JPH08153707A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000353804A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3041855B2 (ja) | 1988-12-28 | 2000-05-15 | 松下電器産業株式会社 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961160A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 薄膜混成集積回路の製造方法 |
| JPS6196704A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | 株式会社東芝 | 抵抗体の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63227048A patent/JP2679148B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JPS5961160A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 薄膜混成集積回路の製造方法 |
| JPS6196704A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | 株式会社東芝 | 抵抗体の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0587990A3 (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-25 | Motorola Inc | Method for fabricating a semiconductive device having a conductive metal oxide |
| JPH08153707A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000353804A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679148B2 (ja) | 1997-11-19 |
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