JPH0274035A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0274035A JPH0274035A JP22575988A JP22575988A JPH0274035A JP H0274035 A JPH0274035 A JP H0274035A JP 22575988 A JP22575988 A JP 22575988A JP 22575988 A JP22575988 A JP 22575988A JP H0274035 A JPH0274035 A JP H0274035A
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- JP
- Japan
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- tank
- semiconductor substrate
- substrate
- etching
- active agent
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程で使用されるウェットエ
ツチング装置に関する。
ツチング装置に関する。
従来、半導体基板表面に付着・成長させた金属膜等を薬
液でエツチングする場合は、前処理槽としての界面活性
剤槽に半導体基板を浸漬させ、半導体基板表面が溶液を
はじかないように活性化させたのち、薬液を満たした処
理槽に浸漬させてエツチングを行っていた。
液でエツチングする場合は、前処理槽としての界面活性
剤槽に半導体基板を浸漬させ、半導体基板表面が溶液を
はじかないように活性化させたのち、薬液を満たした処
理槽に浸漬させてエツチングを行っていた。
上述した従来のウェットエツチング装置による処理では
、界面活性剤槽に浸漬した時点で、半導体基板周辺や裏
面に付着したごみ等の粒子が界面活性剤液中に混入、浮
遊し、半導体基板を取り出す際、液中や液面に存在する
ごみ等の粒子が基板表面に付着し、次の薬液槽に浸漬し
た場合にエツチングの阻害要因になり、製造歩留りを低
下させるという欠点があった。
、界面活性剤槽に浸漬した時点で、半導体基板周辺や裏
面に付着したごみ等の粒子が界面活性剤液中に混入、浮
遊し、半導体基板を取り出す際、液中や液面に存在する
ごみ等の粒子が基板表面に付着し、次の薬液槽に浸漬し
た場合にエツチングの阻害要因になり、製造歩留りを低
下させるという欠点があった。
本発明のウェットエツチング装置は、半導体基板に紫外
線照射を行うための前処理部と薬液を満した処理槽とを
含んで構成される。
線照射を行うための前処理部と薬液を満した処理槽とを
含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図においてウェットエツチング装置は、上面と底面
に紫外線照射を行うための紫外線ランプ２を備えた前処
理Ｍ１と、フッ酸等の薬液５を満した処理槽４とから構
成されている。
に紫外線照射を行うための紫外線ランプ２を備えた前処
理Ｍ１と、フッ酸等の薬液５を満した処理槽４とから構
成されている。
このように構成された第１の実施例により半導体基板表
面に形成された金属膜等のエツチングを行う場合は、ま
ず、キャリア７に保持された半導体基板３を前処理槽１
に入れ、紫外線ランプ２により紫外線を照射して半導体
基板表面を活性化する０次で表面が活性化された半導体
基板３を処理槽４内に浸漬してエツチングを行う。
面に形成された金属膜等のエツチングを行う場合は、ま
ず、キャリア７に保持された半導体基板３を前処理槽１
に入れ、紫外線ランプ２により紫外線を照射して半導体
基板表面を活性化する０次で表面が活性化された半導体
基板３を処理槽４内に浸漬してエツチングを行う。
このように第１の実施例によれば、従来のように半導体
基板を界面活性剤液に浸す処理がないので、界面活性剤
液に含まれるごみ等の粒子によるエツチング阻害を防止
できる。
基板を界面活性剤液に浸す処理がないので、界面活性剤
液に含まれるごみ等の粒子によるエツチング阻害を防止
できる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この第２の実施例は、処理槽４の上部を横移動する搬送
ハンガー６内に紫外線ランプ２を備えたものであり、こ
の搬送ハンガー６とキャリア７Ａとで前処理部を構成し
ている。
ハンガー６内に紫外線ランプ２を備えたものであり、こ
の搬送ハンガー６とキャリア７Ａとで前処理部を構成し
ている。
このように構成された第２の実施例では、搬送ハンガー
６がキャリア７Ａにより半導体基板３を保持して搬送す
る間及び処理ｊｇ４の上部で停止している間に紫外線ラ
ンプ２が点燈し、半導体基板３を照射して表面処理がほ
どこされる。そして紫外線照射終了後半導体基板３は処
理Ｍ４へ浸漬されエツチングが行なわれる。この場合も
第１の実施例と同様に半導体基板３へのごみ等の付着は
なくなる。
６がキャリア７Ａにより半導体基板３を保持して搬送す
る間及び処理ｊｇ４の上部で停止している間に紫外線ラ
ンプ２が点燈し、半導体基板３を照射して表面処理がほ
どこされる。そして紫外線照射終了後半導体基板３は処
理Ｍ４へ浸漬されエツチングが行なわれる。この場合も
第１の実施例と同様に半導体基板３へのごみ等の付着は
なくなる。
以上説明した様に本発明は、ウェットエツチング装置を
半導体基板に紫外線照射を行うための前処理部と薬液を
満した処理槽とで構成することにより、従来のように界
面活性剤溶液を用いることなく半導体基板表面を活性化
することができるので、界面活性剤溶液中のごみ等の粒
子によるエツチング阻害がなくなる。従って、半導体装
置の製造歩留りを向上させることができるという効果が
ある。
半導体基板に紫外線照射を行うための前処理部と薬液を
満した処理槽とで構成することにより、従来のように界
面活性剤溶液を用いることなく半導体基板表面を活性化
することができるので、界面活性剤溶液中のごみ等の粒
子によるエツチング阻害がなくなる。従って、半導体装
置の製造歩留りを向上させることができるという効果が
ある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図である。 ｌ・・・前処理槽、２・・・紫外線ランプ、３・・・半
導体基板、４・・・処理槽、５・・・薬液、６・・・搬
送ハンガー ７．７Ａ・・・キャリア。 代理人 弁理士 内 原 晋
面図である。 ｌ・・・前処理槽、２・・・紫外線ランプ、３・・・半
導体基板、４・・・処理槽、５・・・薬液、６・・・搬
送ハンガー ７．７Ａ・・・キャリア。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板に紫外線照射を行うための前処理部と薬液を
満した処理槽とを含むことを特徴とするウェットエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22575988A JPH0274035A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22575988A JPH0274035A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | ウェットエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274035A true JPH0274035A (ja) | 1990-03-14 |
Family
ID=16834371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22575988A Pending JPH0274035A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0274035A (ja) |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22575988A patent/JPH0274035A/ja active Pending
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