JPS59175122A - 半導体基板塗布前処理装置 - Google Patents
半導体基板塗布前処理装置Info
- Publication number
- JPS59175122A JPS59175122A JP58048217A JP4821783A JPS59175122A JP S59175122 A JPS59175122 A JP S59175122A JP 58048217 A JP58048217 A JP 58048217A JP 4821783 A JP4821783 A JP 4821783A JP S59175122 A JPS59175122 A JP S59175122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- carrier
- processing
- semiconductor substrate
- closed chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板塗布前処理装置にかかり、特に半導
体素子製造工程におけるフォトリソグラフィ工程の半導
体基板塗布前処理装置に関するものである。
体素子製造工程におけるフォトリソグラフィ工程の半導
体基板塗布前処理装置に関するものである。
半導体基板塗布前処理とは、その後処理工程である目合
せ雑光工程、現像処理工程及びエツチング処理工程等に
おいて半導体素子の微細なパターンを形成する上で重要
な要因となる感光材（以下フォトレジストと呼ぶ）と半
導体基板（以下ウェハと呼ぶ）の密着性を向上させる為
のものである。
せ雑光工程、現像処理工程及びエツチング処理工程等に
おいて半導体素子の微細なパターンを形成する上で重要
な要因となる感光材（以下フォトレジストと呼ぶ）と半
導体基板（以下ウェハと呼ぶ）の密着性を向上させる為
のものである。
ウェハとフォトレジストの密着性が低いとフォトレジス
トの剥れの発生及びエツチング量の不安定等の半導体素
子の微細なパターンを形成する上で大きな支障を来たす
為、良好な半導体基板塗布前処理を行う必要がある。
トの剥れの発生及びエツチング量の不安定等の半導体素
子の微細なパターンを形成する上で大きな支障を来たす
為、良好な半導体基板塗布前処理を行う必要がある。
半導体基板塗布前処理の方法として大別し、ウェハ表面
に処理薬液を適下し、該ウェハを回転し塗布するスピン
コード法、及び処理薬液又は処理薬液によるペーパーガ
スをウェハ表面にスプレーしウェハ表面に付着させるス
プレーコート法、及び処理薬液によるペーパーガスの雰
囲気中にウェハを設置し処理薬液を付着させるペーパー
ガス処理法等がある。
に処理薬液を適下し、該ウェハを回転し塗布するスピン
コード法、及び処理薬液又は処理薬液によるペーパーガ
スをウェハ表面にスプレーしウェハ表面に付着させるス
プレーコート法、及び処理薬液によるペーパーガスの雰
囲気中にウェハを設置し処理薬液を付着させるペーパー
ガス処理法等がある。
前記、各処理方法においてスピンコード法は処理薬液の
使用量が多く、又、塗布膜厚のゝむら“ゝゝばらつぎ”
等が発生しやすく、良好な処理状態も望めない。
使用量が多く、又、塗布膜厚のゝむら“ゝゝばらつぎ”
等が発生しやすく、良好な処理状態も望めない。
スプレーコート法においても前記同様の問題が有り、ペ
ーパーガス処理法が用いられる場合が多い。
ーパーガス処理法が用いられる場合が多い。
ペーパーガス処理法は処理楽液の使用葉も比較的少なく
処理状態も良好なものが得られる。
処理状態も良好なものが得られる。
しかし、ペーパーガス処理法では処理薬品雰囲気中にウ
ェハを設置する処理時間が比較的長くかかる為、複数枚
のウェハを同時に処理するバッチ処理法が通常用いられ
る。
ェハを設置する処理時間が比較的長くかかる為、複数枚
のウェハを同時に処理するバッチ処理法が通常用いられ
る。
尚、通常バッチ処理では規定数のキャリア単位で行われ
、処理用キャリアヘウエハを入れ換え、そのキャリアご
と処理薬品雰囲気中に設置し処理を実行し、再びそのキ
ャリアごと処理薬品雰囲気中より取り出し処理用キャリ
アより入れ換えが行われる。
、処理用キャリアヘウエハを入れ換え、そのキャリアご
と処理薬品雰囲気中に設置し処理を実行し、再びそのキ
ャリアごと処理薬品雰囲気中より取り出し処理用キャリ
アより入れ換えが行われる。
前記の様にウェハ入れ換え作業が多く、又、処理薬品雰
囲気中へ直接キャリアを出し入れする為、塵埃の発生及
び処理雰囲気中への混入、又、キャリアを出し入れでき
る程度に処理薬品の密閉雰囲気を開放する為、処理薬品
雰囲気の状態を乱す等の支障がある。さらに、現在、各
処理行程で進行している自動化、省力化、キャリアｔｏ
キャリアによる連続処理及び他のフォトリング２フイ工
程の処理装置との接続（Ｉｎ−Ｌｉｎｅ化）が困難であ
り、作業の発展性に支障を来たすものである。
囲気中へ直接キャリアを出し入れする為、塵埃の発生及
び処理雰囲気中への混入、又、キャリアを出し入れでき
る程度に処理薬品の密閉雰囲気を開放する為、処理薬品
雰囲気の状態を乱す等の支障がある。さらに、現在、各
処理行程で進行している自動化、省力化、キャリアｔｏ
キャリアによる連続処理及び他のフォトリング２フイ工
程の処理装置との接続（Ｉｎ−Ｌｉｎｅ化）が困難であ
り、作業の発展性に支障を来たすものである。
本発明はペーパーガス処理方法による良好な処理状態を
保ち、前記した種々の問題を解消し作業の発展性に豊ん
だ半導体基板塗布前処理装置を提供するものヤある。
保ち、前記した種々の問題を解消し作業の発展性に豊ん
だ半導体基板塗布前処理装置を提供するものヤある。
本発明は半導体基板を密閉室内に収納された昇降機能を
有する専用キャリアへ順次自動搬送する手段と、該密閉
室内に塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段と、該半導
体基板を該専用キャリアより自動送出する手段とを備え
たことを特徴とする半導体基板塗布前処理装置である。
有する専用キャリアへ順次自動搬送する手段と、該密閉
室内に塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段と、該半導
体基板を該専用キャリアより自動送出する手段とを備え
たことを特徴とする半導体基板塗布前処理装置である。
尚、塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段を密閉室内に
設ける場合、又は密閉室外に設は発生したペーパーガス
を配管により密閉室内に導く場合、又、密閉室内の専用
キャリアへのウェハの搬送及び送出を一つの手段で兼ね
た場合のものも、本発明の範囲に含着れるものである。
設ける場合、又は密閉室外に設は発生したペーパーガス
を配管により密閉室内に導く場合、又、密閉室内の専用
キャリアへのウェハの搬送及び送出を一つの手段で兼ね
た場合のものも、本発明の範囲に含着れるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面図であり、供
給エレベータ１にセットされたウェハを収納したキャリ
ア２よりウェハ搬送機構３により搬送されたウェハは密
閉室４の内部に収納された昇降機能を有する専用キャリ
ア５へ開閉機能を有する密閉室入口シャッター６を通過
し収納される。
給エレベータ１にセットされたウェハを収納したキャリ
ア２よりウェハ搬送機構３により搬送されたウェハは密
閉室４の内部に収納された昇降機能を有する専用キャリ
ア５へ開閉機能を有する密閉室入口シャッター６を通過
し収納される。
専用キャリア５へ収納されたウェハ７はバブリング配管
等のペーパーガス発生促進機能を有する塗布前処理液槽
８より発生したペーパーガスの雰囲気に一定時間設置さ
れる。
等のペーパーガス発生促進機能を有する塗布前処理液槽
８より発生したペーパーガスの雰囲気に一定時間設置さ
れる。
その後、専用キャリア５よりウェハ送出機構９により処
理されたウェハ７を開閉機能を有する密閉室出口シャッ
ター１０を通過し収納エレベータ１１にセットされたウ
ェハを収納するキャリア１２へ送出するものである。
理されたウェハ７を開閉機能を有する密閉室出口シャッ
ター１０を通過し収納エレベータ１１にセットされたウ
ェハを収納するキャリア１２へ送出するものである。
以上、述べた様に本発明はウェハに対する処理はペーパ
ーガス処理方法であり良好な処理状態を保ち、尚かつ、
ウェハ毎の搬送、送出手段を用い５− る為、ウェハの入れ換え等により発生する問題を解消し
、他のフォ） ＩＪソゲラフイエ程の処理装置との接続
が容易である事は言うまでもない。
ーガス処理方法であり良好な処理状態を保ち、尚かつ、
ウェハ毎の搬送、送出手段を用い５− る為、ウェハの入れ換え等により発生する問題を解消し
、他のフォ） ＩＪソゲラフイエ程の処理装置との接続
が容易である事は言うまでもない。
以上、本発明により良好な処理状態を保ち、作業の発展
性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置が提供される事は
明らかである。
性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置が提供される事は
明らかである。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面図である。
尚、図において、
ｌ・・・・・・供給エレベータ、２・・・・・・供給キ
ャリア、３・・・・・・ウェハ搬送機構、４・・・・・
・密閉室、５・・・・・・専用キャリア、６・・・・・
・入口シャッター、７・・・・・・ウェハ、８・・・・
・・塗布前処理液槽、９・・・・・・ウェハ送出機構、
１０・・・・・・出口シャッター、１１・・・・・・収
納エレベータ、１２・・・・・・収納キャリアである。 ６−
ャリア、３・・・・・・ウェハ搬送機構、４・・・・・
・密閉室、５・・・・・・専用キャリア、６・・・・・
・入口シャッター、７・・・・・・ウェハ、８・・・・
・・塗布前処理液槽、９・・・・・・ウェハ送出機構、
１０・・・・・・出口シャッター、１１・・・・・・収
納エレベータ、１２・・・・・・収納キャリアである。 ６−
Claims (1)
- 半導体基板を密閉室内に収納された昇降機能を有する専
用キャリアへｊ−次自動搬送する手段と、該密閉室内に
塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段と、該半導体基板
を該専用キャリアより自動送出する手段とを備えたこと
を特徴とする半導体基板塗布前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048217A JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048217A JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175122A true JPS59175122A (ja) | 1984-10-03 |
| JPS6355860B2 JPS6355860B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=12797241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048217A Granted JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364031U (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-27 | ||
| JPS63199423A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 半導体基板表面処理方法 |
| JP2012199318A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5731151A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Automatic continuous treating device for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048217A patent/JPS59175122A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5731151A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Automatic continuous treating device for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364031U (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-27 | ||
| JPS63199423A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 半導体基板表面処理方法 |
| JP2012199318A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355860B2 (ja) | 1988-11-04 |
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