JPH027522A

JPH027522A - 半導体装置の製造方法およびその装置

Info

Publication number: JPH027522A
Application number: JP15980488A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Komori; 重樹小森; Hiromi Ito; 博巳伊藤
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1988-06-27
Filing date: 1988-06-27
Publication date: 1990-01-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は半導体装置の製造方法およびその装置に関す
るものであり、特に、レジストのパターンをマスクにし
て半導体基板を反応性イオンエツチング等のドライエツ
チングしたときに該半導体基板の上に付着して残ること
がある上記レジストと前記半導体基板の一部との反応結
果物である汚物を除去する工程を備えた、半導体装置の
製造方法および、それを実現するための装置に関するも
のである。

［従来の技術］電子デバイスの特性は、作製中の故意あるいは意図しな
い事故で導入された不純物の存在に極めて強く影響され
るため、全工程にわたって作製環境の清浄度が極めて高
いレベルに維持される必要があり、使用材料、処理雰囲
気形成法等に高度な清浄化技術および高純度化技術が駆
使されている。

薄膜デバイスの製造工程の概要を、第４Ａ図〜第４Ｌ図
に示す。これらの図を参照して、薄膜デバイスの製造工
程を説明し、それと同時に、生じていた問題点も説明す
る。

第４Ａ図を参照して、半導体基板またとえばシリコン基
板を準備する。続いて、第４Ｂ図を参照して、半導体基
板１の上にシリコン酸化膜２を形成し、分離酸化膜３を
形成する。その後、第４Ｃ図を参照して、その上にポリ
シリコン４を堆積する。続いて、第４Ｄ図を参照して、
ポリシリコン４の上にレジスト５を塗布する。続いて、
第４Ｅ図を参照して、写真製版技術により、上記レジス
ト５を写真製版技術によりパターニングし、レジストの
パターン６を形成する。続いて、第４Ｆ図を参照して、
上記レジストのパターン６をマスクにしてドライエツチ
ングたとえば反応性イオンエツチングを行なって、ポリ
シリコン４とシリコン酸化膜２をパターニングする。こ
のときに、レジストパターン６とポリシリコン４とシリ
コン酸化膜２との反応結果物である複雑な組成を有する
汚物７が、パターンの側壁等に付着して残ることがある
。

次に、第４Ｇ図を参照して、レジストパターン６を除去
した後、イオン注入を行ない、ソース・ドレイン領域８
を形成する。続いて、第４Ｈ図を参照して、シリコン酸
化膜１０を全面に堆積させる。続いて、第４１図を参照
して、シリコン酸化膜１０の上にレジスト１１を塗布す
る。続いて、第４Ｊ図を参照して、コンタクト部におい
てシリコン酸化膜１０に開口部ができるように上記レジ
スト１１をパターニングし、レジストのパターン１２を
形成する。続いて、第４に図を参照して、上記レジスト
のパターン１２をマスクにしてシリコン酸化膜１０をド
ライエツチングたとえば反応性イオンエツチングをし、
コンタクトホール１３を形成する。このとき、コンタク
トホール１３の側壁に、レジスト１１とシリコン酸化膜
１０との反応結果物である複雑な組成を有する汚物７が
コンタクトホール１３の側壁に付着して残ることがある
。続いて、第４Ｌ図を参照して、アルミニウム配線１４
を行なうと、半導体装置が形成される。

半導体装置の製造工程の概要は、以上のとおりである。

したがって、第４Ｆ図および第４に図を参照して、レジ
スト５とポリシリコン４、シリコン酸化膜２との反応結
果物である複雑な組成を有する汚物７が、パターン側壁
に付着して残ることがある。このような汚物７を残した
ままで、半導体装置を作製すると、得られる半導体装置
の性能が悪化する。そこで、従来は、これらの汚物を、
酸素プラズマ処理を施すことにより、除去していた。こ
の酸素プラズマ処理は、現在、確立された工程として、
広く採用されているものである。

第５図は、この酸素プラズマ処理を行なうための装置の
断面図である。第５図を参照して、酸素プラズマ処理装
置は、半導体基板１を収容するチャンバ１５を備えてい
る。チャンバ１５は酸素ガス導入管１６と排気管１７を
備えている。チャンバ１５内には基板支持台１８が設け
られ、基板支持台１８は加熱手段１９を備えている。基
板支持台１８には、マツチングボックス２０を介して、
高周波電源２１が接続されている。チャンバ１５内には
、基板支持台１８に対向して、高周波電極２２が設けら
れている。

次に、この酸素プラズマ処理装置を用いて、半導体基板
に付着した上記汚物の除去の方法について説明する。

基板支持台１８の上に、汚物の付着した半導体基板１（
たとえば、第４Ｆ図または第４に図に示す工程を終えた
後の半導体基板）を置く。続いて、排気管１７より、チ
ャンバ１５内を排気する。その後、酸素ガス導入管１６
よりチャンバ１５内に酸素ガスを導入する。そして、加
熱手段１９により、半導体基板１を加熱し、高周波電源
２１をＯＮする。すると、発生する酸素プラズマと汚物
が反応し、汚物が半導体基板１から除去される。

［発明が解決しようとする課題］従来の汚物の除去方法は以上のとおりであり、この方法
は、現在、確立された工程として広く採用されている。

しかしながら、酸素プラズマにより半導体基板が損傷を
受けるという問題点があり、また、汚物の除去が完全で
なく、いくらかの汚物が残るという問題点があった。さ
らに、ドライエツチング終了後の半導体基板を酸素プラ
ズマ処理室に移すときに、半導体基板が空気にさらされ
るため、自然酸化膜または他の汚染物が半導体基板に付
着することがあり、これにより上記汚物の除去が一層困
難になるという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体基板に損傷を与えずに、かつ低温で上
記汚物を除去することのできる工程を備えた、半導体装
置の製造方法および、それを実現するための装置を提供
することを目的とする。

［課題を解決するための手段］本発明者等は、長年、半導体装置の製造方法について研
究を続けてきた。また、上記汚物を除去する方法につい
ても鋭意研究を続けてきた。その結果、上記汚物の付着
した上記半導体基板を汚物除去用ガスにさらし、該半導
体基板を加熱しながら、上記半導体基板表面に光を照射
することにより、上記汚物を半導体基板に損傷を与える
ことなく、低温で、効率良く、除去できることを知見し
、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、
半導体装置の製造方法にかかるもめであり、半導体基板
を準備する工程と、レジストのパターンをマスクにして
、上記半導体基板をドライエツチングし、上記半導体基
板上に上記パターンを転写する工程と、を備え、それに
よって、上記レジストと前記半導体基板の一部との反応
結果物である複雑な組成ををする汚物が上記半導体基板
上に付着して残ることがあり、さらに上記汚物の付着し
た上記半導体基板を汚物除去用ガスにさらし、該半導体
基板を加熱しながら、上記半導体基板表面に光を照射す
る工程と、を備え、それによって、上記半導体基板上に
付着して残ることがある上記汚物はエツチング除去され
る。

本発明の好ましい実施態様は、上記汚物が除去された上
記半導体基板の清浄表面に、引き続き、大気にさらすこ
となく薄膜を形成する工程を、さらに含んでいる。

本発明で用い得る汚物除去用ガスは、上記汚物と光化学
反応を起こすものであれば特に制限されずに用いられ、
一般には塩化水素ガス、水素ガスおよび塩素ガスよりな
る群より選ばれたガスである。

本発明で用い得る光は、紫外線を含む光である。

本発明で採用されるドライエツチングは、一般には、プ
ラズマエツチング、反応性イオンエツチング、イオンミ
リング、反応性イオンミリングである。とりわけ、反応
性イオンエツチングの場合において、特に好ましい結果
が得られる。

本発明において、半導体基板は２００〜７００℃の範囲
内にある温度に加熱されるのが好ましい。

２００℃以下であると、上記汚物の除去は不十分となり
、７００℃以上になると半導体装置が熱損傷を受けるこ
とがあるので、好ましくない。

そして、上記の方法を実現するための装置としては、半
導体基板を収容するチャンバと、レジストのパターンを
マスクにして、上記半導体基板をドライエツチングし、
上記半導体基板上に上記パターンを転写するドライエツ
チング手段と、を備え、上記ドライエツチング時に、上
記レジストと上記半導体基板の一部との反応結果物であ
る複雑な組成を有する汚物が上記半導体基板上に付着し
て残ることがあり、さらに上記汚物を除去するための汚
物除去用ガスを上記チャンバ内に導入する汚物除去用ガ
ス導入手段と、上記汚物と上記汚物除去用ガスとの光化
学反応を起こさせる光を上記チャンバ内に照射する光照
射手段と、上記汚物と上記汚物除去用ガスとの光化学反
応を促進させるために、上記チャンバ内に収容された上
記半導体基板を加熱する加熱手段と、を備える装置があ
る。

そして、その好ましい実施態様では、上記チャンバはド
ライエツチング室と汚物除去室とを備え、上記ドライエ
ツチング手段は上記ドライエツチング室に設けられ、上
記汚物除去用ガス導入手段、上記光照射手段および上記
加熱手段は上記汚物除去室に設けられ、当該装置は、上
記半導体基板を上記ドライエツチング室から上記汚物除
去室へ搬送する搬送系を備えている。

また、当該装置は、上記汚物が除去された上記半導体基
板の清浄表面に薄膜を形成する薄膜形成手段をさらに備
えていてもよい。そして、この場合、上記チャンバはド
ライエツチング室と汚物除去室と薄膜形成室とを備え、
上記ドライエツチング手段は上記ドライエツチング室に
設けられ、上記汚物除去用ガス導入手段、上記光照射手
段および上記加熱手段は上記汚物除去室に設けられ、上
記薄膜形成手段は上記薄膜形成室に設けられ、当該装置
は、上記半導体基板を上記ドライエツチング室から、上
記汚物除去室、上記薄膜形成室へと順次、搬送する搬送
系を備えているものが好ましい。

本発明で採用される光照射手段は、紫外線を含む光を照
射するものであれば特に制限されずに用いられ、一般に
は低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプおよび水銀キセノン
ランプからなる群より選ばれたものである。

本発明で用い得る薄膜形成手段はスパッタ堆積法によっ
て薄膜形成する手段であってもよいし、化学気相成長法
によって薄膜を形成する手段であってもよい。

［作用コレジストのパターンをマスクにして半導体基板をドライ
エツチングし、上記半導体基板上に上記パターンを転写
する工程において、上記レジストと上記半導体基板の一
部との反応結果物である汚物が上記半導体基板上に付着
して残ることがある。

本発明においては、この汚物の付着した半導体基板を汚
物除去用ガスにさらし、該半導体基板を加熱しながら、
該半導体基板表面に光を照射することにより、上記汚物
をエツチング除去する。このエツチング反応は、熱で促
進された汚物と汚物除去用ガスとの光化学反応であるか
ら、従来の酸素プラズマの場合のように、半導体基板は
損傷を受けない。また、汚物と汚物除去用ガスとの光化
学反応が主であり、熱は、その補助として加えられるに
すぎないものであるから、より低温で、汚物を除去でき
る。

［実施例〕以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図は、この発明の第１の実施例に係る、半導体装置
の製造装置の断面図である。第１図を参照して、当該装
置は、半導体基板１を収容するチャンバ１５を備えてい
る。チャンバ１５はガス導入管２３と排気管１７を備え
ている。チャンバ１５内には、基板支持台１８が設けら
れ、基板支持台１８は加熱手段１９を備えている。基板
支持台１８には、マツチングボックス２０を介して、高
周波電源２１が接続されている。基板支持台１８は、そ
の基板支持面が水平面内で回転するように、回動可能に
チャンバ１５に取付けられている。

また、チャンバ１５には、チャンバ１５内に紫外線を照
射するための紫外線照射窓２４が設けられている。紫外
線照射窓２４に対向して、低圧水銀ランプ２５がチャン
バ１５の外に設置されている。

次に、動作について説明する。

まず、半導体基板をレジストのパターンをマスクにして
ドライエツチングし、該半導体基板上に上記パターンを
転写する工程について説明する。

レジストのパターンが形成された複数枚の半導体基板１
を、基板支持台１８の上に置く。次に、基板支持台１８
を回転させながら、加熱手段１９を動作させ、半導体基
板１を加熱し、同時に、ガス導入管２３よりチャンバ１
５内にエツチングガスを導入する。これと同時に、高周
波電源２１とマツチングボックス２０を動作させる。す
ると、高周波電極２２（この場合、基板支持台１８も電
極となる）より、高周波電界がチャンバ１５内に形成さ
れる。エツチングは、１０〜１００ｍＴ。

ｒ　ｒ、　　０．　１〜２Ｗ／ａｍ２・で通常行なわれ
、レジストパターンをマスクとして化学的活性度の高い
ラジカルおよびイオンとの化学反応により進行する。こ
のときに、レジストと半導体基板の一部との反応結果物
である汚物が半導体基板１上に付着して残ることがある
（第４Ｆ図および第４に図を参照）。

次に、この汚物の除去工程について説明する。

排気管１７より、チャンバ１５内を排気する。

次いで、基板支持台１８を回転させると同時に、低圧水
銀ランプ２５から、紫外線を、紫外線照射窓２４を通し
て、チャンバ１５内の半導体基板１表面に照射する。こ
れと同時に、加熱手段１９を動作させ、半導体基板１を
加熱する。これと同時に、ガス導入管２３より、汚物除
去用ガスたとえば塩化水素ガスをチャンバ１５内に導入
する。すると、熱エネルギで促進された汚物と塩化水素
ガスとの光化学反応により、半導体基板１から汚物がエ
ツチング除去される。

この方法は、汚物と塩化水素ガスとの光化学反応を熱で
加速させる、という構成をとっているので、従来の酸素
プラズマの場合のように、半導体基板は損傷を受けない
。また、汚物と塩化水素ガスとの光化学反応が主であり
、熱は、その補助として加えられるにすぎないものであ
るから、より低温で汚物を除去できる。

さらに、′エッチング工程直後から汚物除去工程直前ま
でにおけるチャンバ内の雰囲気を制御することによって
、エツチング工程の後の半導体基板の上に、汚染物や自
然酸化膜が形成されるのを防止することができる。

第２図は、この発明の第２の実施例に係る装置の断面図
である。第２図において、当該装置はチャンバ１５を備
えている。このチャンバ１５は、ロックバルブ２６ｂと
、ロックバルブ２６ｃと、ロックバルブ２６ｄにより、
ローダ室２７と、ドライエツチング室２８と、汚物除去
室２９と、アンローダ室３０とに区分されている。

ローダ室２７には、窒素ガス導入管３１ａと排気管１７
ａが設けられている。また、ローダ室２７には、半導体
基板を導入するための入口が設けられており、この入口
はロックバルブ２６ａで閉じられている。また、ローダ
室２７内には、半導体基板をローダ室２７からドライエ
ツチング室２８へ搬送する、ベルトコンベアのような搬
送系３２ａが設けられている。

ドライエツチング室２８には、エツチングガス導入管３
３と排気管１７ｂが設けられている。また、ドライエツ
チング室２８内には、基板支持台１８ａが設けられてお
り、基板支持台１８ａは加熱手段１９ａを備えている。

基板支持台１８ａは、マツチングボックス２０を介して
、高周波電源２１に接続されている。ドライエツチング
室２８内には、基板支持台１８ａに対向して、高周波電
極２２が設けられている。

また、ドライエツチング室２８内には、半導体基板１を
ドライエツチング室２８から汚物除去室２９へと搬送す
る搬送系３２ｂが設けられている。

汚物除去室２９には、汚物除去用ガス導入管３４と排気
管１７ｃが設けられている。また、汚物除去室２９内に
は基板支持台１８ｂが設けられており、基板支持台１８
ｂは加熱手段１９ｂを備えている。また、汚物除去室２
９には、該汚物除去室２９内に光を照射するための紫外
線照射窓２４が設けられている。紫外線照射窓２４に対
向して、光照射手段たとえば低圧水銀ランプ２５が設け
られている。さらに、汚物除去室２９内には、半導体基
板を汚物除去室２９からアンローダ室３０へと搬送する
搬送系３２ｃが設けられている。

アンローダ室３０には窒素ガス導入管３１ｂと排気管１
７ｄが設けられている。また、アンローダ室３０には、
処理された半導体基板を取出すための取出口が設けられ
ており、該取出口はロックバルブ２６ｅにより閉じられ
ている。

次に、この装置を用いて、半導体基板を処理する方法に
ついて説明する。

ロックバルブ２６ａを開けて、レジストパターンが形成
された半導体基板をローダ室２７内に導入する。続いて
、排気管１７ａよりローダ室２７内の雰囲気を排気し、
窒素ガス導入管３１ａより窒素ガスを導入する。次いで
、ロックバルブ２６ｂを開き、搬送系３２ａを駆動し、
半導体基板をドライエツチング室２８内に搬送する。そ
して、基板支持台１８ａの上に該半導体基板１を置く。

次に、加熱手段１９ａを動作させ、半導体基板１を加熱
し、同時にエツチングガス導入管３３より、ドライエツ
チング室２８内にエツチングガスを導入する。これと同
時に、高周波電源２１とマツチングボックス２０を動作
させる。すると、高周波電極２２（基板支持台１８ａも
、このとき、電極となる）より、高周波電界がドライエ
ツチング室２８内に形成される。エツチングは、１０〜
１００ｍＴｏ　ｒ　ｒ、０．１〜２ｗ／ｃｍ２で通常行
なわれ、レジストパターンをマスクとして、化学的活性
度の高いラジカルおよびイオンとの化学反応により進行
する。このときに、レジストと半導体基板の一部との反
応結果物である汚物が半導体基板１上に付着して残るこ
とがある（第４Ｆ図および第４に図参照）。

次に、ロックバルブ２６ｃを開けて、搬送系３２ｂを駆
動し、半導体基板１を汚物除去室２９内に搬送し、基板
支持台１８ｂの上に置く。そして、ロックバルブ２６ｃ
を閉じる。次に、排気管１７Ｃより、汚物除去室２９内
を排気する。その後、低圧水銀ランプ２５から、紫外線
を紫外線照射窓２４を通して、汚物除去室２９内に収容
された半導体基板１の表面に照射する。これと同時に、
加熱手段１９ｂを動作させ、半導体基板１を加熱する。

これと同時に、汚物除去用ガス導入管３４より塩化水素
ガスを汚物除去室２９内に導入する。

すると、熱エネルギで促進された汚物と塩化水素ガスと
の光化学反応により、半導体基板１から汚物がエツチン
グ除去される。

続いて、ロックバルブ２６ｄを開き、搬送系３２Ｃを駆
動し、処理された半導体基板１をアンローダ室３０内に
搬送する。そして、ロックバルブ２６ｄを閉じる。その
後、排気管１７ｄよりアンローダ室３０内を排気する。

続いて、窒素ガス導入管３１ｂよりアンローダ室３０内
に窒素ガスを導入する。そして、ロックバルブ２６ｅを
開き、搬送系３２ｄを駆動し、半導体基板を次の工程へ
と搬送する。

また、この実施例の変形として、ドライエツチング室２
８と汚物除去室２９との間に排気管を備えた中間室を設
けてもよい。この場合、上記搬送系は半導体基板をドラ
イエツチング室２８から該中間室、汚物除去室２９へと
順次搬送できるように構成される必要がある。

第３図は、この発明の第３の実施例に係る装置の断面図
である。第３図に示す実施例は、以下の点を除いて第２
図に示す実施例と同様であり、相当する部分には同一の
参照番号を付し、その説明を省略する。

第３図に示す実施例に係る装置が、第２図に示す実施例
に係る装置と異なる点は、汚物除去室２９とアンローダ
室３０との間に薄膜形成室３８が設けられている点であ
る。薄膜形成室３８には、アルゴンガス導入管３５と排
気管１７ｅが設けられている。薄膜形成室３８内には基
板支持台１８Ｃが設けられている。また薄膜形成室３８
内には、基板支持台１８ｃと対向してターゲット３６が
設けられている。ターゲット３６は直流電源３７に接続
されている。また、薄膜形成室３８内には、半導体基板
１を薄膜形成室３８からアンローダ室３０へ搬送する搬
送系３２ｅが設けられている。

ローダ室、ドライエツチング室、汚物除去室の動作は、
第２図の説明のところで既に述べた通りであるから、そ
の説明を省略し、ここでは、薄膜形成室３８の動作につ
いて説明する。ロックバルブ２６ｆを開き、搬送系３２
ｃを駆動し、汚物除去処理の工程を終えた半導体基板１
を汚物除去室２９から薄膜形成室３８内に搬送する。そ
して、半導体基板１を基板支持台１８Ｃの上に置き、タ
ーゲット３６と対向させる。次いで、排気管１７ｅより
、薄膜形成室３８内を排気する。そして、薄膜形成室３
８内に、１０””〜１０−’　Ｔｏｒ「のアルゴンガス
をアルゴンガス導入管３５より導入する。続いて、直流
電源３７によって、ターゲット３６とアルゴンガスとの
間に数１００〜数１０００ボルトの電圧を印加する。こ
れにより、プラズマが作られる。このプラズマ中のアル
ゴンイオンが、負高圧側のターゲット３６に高いエネル
ギで衝突して、ターゲット３６の物質をスパッタする。

この物質が半導体基板１上に堆積し、薄膜が形成される
。この場合、汚物が半導体基板と薄膜との間に介在しな
いので、デバイス特性の優れた半導体装置が得られる。

続いて、半導体基板をアンローダ室３０へ搬送して、次
の工程へ搬送する。

以上、具体的な実施例を挙げて、この発明の半導体装置
の製造方法およびその装置について説明したが、本発明
は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、
他の色々な形で実施することができる。それゆえ、前述
の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に
解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲
によって示すものであって、明細書本文には何ら拘束さ
れない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変
形や変更は、すべて本発明の範囲内のものである。

［発明の効果］以上説明したとおり、この発明に係る方法によれば、汚
物の付着した半導体基板を汚物除去用ガスにさらし、該
半導体基板を加熱しながら、該半導体基板表面に光を照
射することにより、上記汚物をエツチング除去する。こ
のエツチング反応は、熱で促進された汚物と汚物除去用
ガスとの光化学反応であるから、従来の酸素プラズマの
ように、半導体基板は損傷を受けない。また、汚物と汚
物除去用ガスとの光化学反応が主であり、熱は、その補
助として加えられるにすぎないものであるから、より低
温で汚物を除去できる。

また、この発明に係る装置によれば、ドライエツチング
した直後の半導体基板を、大気に晒すことなく、連続的
に、次の工程である汚物除去工程に送ることができる。

それゆえ、大気から汚染物が半導体基板上に付着するこ
とがなく、また、自然酸化膜が半導体基板上に形成され
る、ということはない。その結果、汚物は、これらの物
に妨害されることなく、半導体基板から容易に除去され
るようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例に係る装置の断面図で
ある。第２図は、この発明の第２の実施例に係る装置の
断面図である。第３図はこの発明の第３の実施例に係る
装置の断面図である。第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図、
第４Ｄ図、第４Ｅ図、第４Ｆ図、第４Ｇ図、第４Ｈ図、
第４Ｉ図、第４１図、第４に図および第４Ｌ図は半導体
装置の製造工程を断面図で示したものである。第５図は
、汚物を除去するための従来の酸素プラズマ処理装置の
断面図である。図において、１は半導体基板、５はレジスト、６はレジ
ストのパターン、７は汚物、１５はチャンバ、１９は加
熱手段、２０はマツチングボックス、２１は高周波電源
、２２は高周波電極、２３はガス導入管、２４は紫外線
照射窓、２５は低圧水銀ランプ、２８はドライエツチン
グ室、２９は汚物除去室、３３はエツチングガス導入管
、３４は汚物除去用ガス導入管である。なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板を準備する工程と、レジストのパターンをマスクにして、前記半導体基板を
ドライエッチングし、前記半導体基板上に前記パターン
を転写する工程と、を備え、それによって、前記レジス
トと前記半導体基板の一部との反応結果物である汚物が
前記半導体基板上に付着して残ることがあり、さらに、前記汚物の付着した前記半導体基板を汚物除去用ガスに
さらし、前記半導体基板を加熱しながら、前記半導体基
板表面に光を照射する工程と、を備え、それによって、前記半導体基板上に付着して残ることが
ある前記汚物はエッチング除去される、半導体装置の製
造方法。
（２）半導体基板を収容するチャンバと、レジストのパターンをマスクにして、前記半導体基板を
ドライエッチングし、前記半導体基板上に前記パターン
を転写するドライエッチング手段と、備え、前記ドライエッチング時に、前記レジストと前記半導体
基板の一部との反応結果物である汚物が前記半導体基板
上に付着して残ることがあり、さらに、前記汚物を除去するための汚物除去用ガスを前記チャン
バ内に導入する汚物除去用ガス導入手段と、前記汚物と前記汚物除去用ガスとの光化学反応を起こさ
せる光を前記チャンバ内に照射する光照射手段と、前記汚物と前記汚物除去用ガスとの光化学反応を促進さ
せるために、前記チャンバ内に収容された前記半導体基
板を加熱する加熱手段と、を備えた、半導体装置の製造装置。