JPH027561A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH027561A JPH027561A JP63159658A JP15965888A JPH027561A JP H027561 A JPH027561 A JP H027561A JP 63159658 A JP63159658 A JP 63159658A JP 15965888 A JP15965888 A JP 15965888A JP H027561 A JPH027561 A JP H027561A
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- JP
- Japan
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- opening
- conductivity type
- entire surface
- semiconductor device
- substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に読出し専用記憶装置
を含む半導体装置に関する。
を含む半導体装置に関する。
プログラム可能な半導体装置、例えば、読出し専用記憶
装置（以下、Ｐ ＲＯＭと称す）は、その用途から、特
に記憶容量の高密度１ヒと、確実にプログラムできるこ
とが望まれている。
装置（以下、Ｐ ＲＯＭと称す）は、その用途から、特
に記憶容量の高密度１ヒと、確実にプログラムできるこ
とが望まれている。
第３図は従来の半導体装置の一例を説明するための半導
体チップの断面図である。第３図に示すように、Ｐ型シ
リコン基板１上にＮ型埋込層２を形成した後、基板全面
にＮ型エピタキシャル層３を堆積する。次に、Ｎ型エピ
タキシャル層３層上に酸化シリコン膜４を形成し、イオ
ン注入法により、選択的にベース領域５を形成する。次
に、ベース領域５上の酸化シリコンＭ４を選択的にベー
ス領域が露出するよう開口することにより開孔部を形成
する。次に、露出したベース領域表面を含む半導体基板
全面に多結晶シリコン膜９を形成し、イオン注入するこ
とにより、多結晶シリコンを介してエミッタ領域６を形
成する。次に、アルミニウム等から成る金属膜８を被着
し、選択エツチングすることによりＦＲＯＭを含む半導
体装置を形成していた。
体チップの断面図である。第３図に示すように、Ｐ型シ
リコン基板１上にＮ型埋込層２を形成した後、基板全面
にＮ型エピタキシャル層３を堆積する。次に、Ｎ型エピ
タキシャル層３層上に酸化シリコン膜４を形成し、イオ
ン注入法により、選択的にベース領域５を形成する。次
に、ベース領域５上の酸化シリコンＭ４を選択的にベー
ス領域が露出するよう開口することにより開孔部を形成
する。次に、露出したベース領域表面を含む半導体基板
全面に多結晶シリコン膜９を形成し、イオン注入するこ
とにより、多結晶シリコンを介してエミッタ領域６を形
成する。次に、アルミニウム等から成る金属膜８を被着
し、選択エツチングすることによりＦＲＯＭを含む半導
体装置を形成していた。
書込みをする時は、金属膜８よりエミッタ領域６及びベ
ース領域５に過電流を印加して、逆バイアスされたエミ
ッタ・ベース領域を破壊し、短絡させることにより情報
を書込んでいた。
ース領域５に過電流を印加して、逆バイアスされたエミ
ッタ・ベース領域を破壊し、短絡させることにより情報
を書込んでいた。
上述した従来の半導体装置では、書込特性を安定にする
ために、印加する書込電流を上げる必要がある。このた
めには、書込回路を構成する素子が高電流に耐えうるよ
うに、素子のパタンを大きくする必要があり、半導体装
置の高集積化への支障となっていた。この問題点を解決
するためには、エミッタ領域６にコンタクトするための
開孔部の大きさを小さくして、開孔部に流れる電流密度
を上げる必要があるが、従来の半導体装置では、ホトレ
ジストを用いて形成する開孔部の直径は１μｍが限度で
、それ以上小さくすることができず、書込回路を構成す
る素子の高集積化ができないという欠点があった。
ために、印加する書込電流を上げる必要がある。このた
めには、書込回路を構成する素子が高電流に耐えうるよ
うに、素子のパタンを大きくする必要があり、半導体装
置の高集積化への支障となっていた。この問題点を解決
するためには、エミッタ領域６にコンタクトするための
開孔部の大きさを小さくして、開孔部に流れる電流密度
を上げる必要があるが、従来の半導体装置では、ホトレ
ジストを用いて形成する開孔部の直径は１μｍが限度で
、それ以上小さくすることができず、書込回路を構成す
る素子の高集積化ができないという欠点があった。
本発明の目的は、エミッタ領域にコンタクトするための
開孔部の大きさを従来より小さくすることにより、高集
積化が可能な半導体装置を提供することにある。
開孔部の大きさを従来より小さくすることにより、高集
積化が可能な半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、一導電型半導体基板上に選択的
に設けられた逆導電型埋込層と、前記逆導電型埋込層上
に設けられた逆導電型のエピタキシャル層と、前記逆導
電型エピタキシャル層主表面上に設けられた一導電型ベ
ース領域と、前記一導電型ベース領域主表面上に設けら
れた逆導電型エミッタ領域と、前記逆導電型エピタキシ
ャル層、前記一導電型ベース領域及び前記逆導電型エミ
ッタ領域上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶
縁膜に選択的に設けられた前記エミッタ領域に達する開
孔部と、前記開孔部側壁部に設けられな第２の絶縁膜と
、前記第２の絶縁膜及び前記開孔部上に設けられた電極
層とを含んで構成される。
に設けられた逆導電型埋込層と、前記逆導電型埋込層上
に設けられた逆導電型のエピタキシャル層と、前記逆導
電型エピタキシャル層主表面上に設けられた一導電型ベ
ース領域と、前記一導電型ベース領域主表面上に設けら
れた逆導電型エミッタ領域と、前記逆導電型エピタキシ
ャル層、前記一導電型ベース領域及び前記逆導電型エミ
ッタ領域上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶
縁膜に選択的に設けられた前記エミッタ領域に達する開
孔部と、前記開孔部側壁部に設けられな第２の絶縁膜と
、前記第２の絶縁膜及び前記開孔部上に設けられた電極
層とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を説明する
ための半導体チップの断面図である。第１図に示すよう
に、Ｐ型シリコン基板１上にＮ型埋込層２を形成した後
、基板全面にＮ型エピタキシャル層３を堆積する。次に
、Ｎ型エピタキシャル層３層上に酸化シリコン膜４を形
成し、イオン注入法により、選択的にベース領域５を形
成する。次に、ベース領域５上の酸化シリコン膜４を選
択的にベース領域が露出するよう開口することにより開
孔部を形成する６次に、開孔部を含む基板全面に３００
〜１５００人の膜厚の窒化シリコンからなる第２の絶縁
膜７を形成し、絶縁膜７全面を異方性エツチングにより
エッチバックを行なう。これにより、開孔部側壁部に第
２の絶縁膜７が残るため、開孔部の直径が小さくなる効
果がある。次に、露出したベース領域表面を含む半導体
基板全面に多結晶シリコン膜９を形成し、イオン注入す
ることにより、多結晶シリコン”を介してエミッタ領域
６を形成する。次に、例えば、アルミニウム電極８を被
着し、選択エツチングすることによりＰＲＯＭを含む半
導体装置を形成する。
ための半導体チップの断面図である。第１図に示すよう
に、Ｐ型シリコン基板１上にＮ型埋込層２を形成した後
、基板全面にＮ型エピタキシャル層３を堆積する。次に
、Ｎ型エピタキシャル層３層上に酸化シリコン膜４を形
成し、イオン注入法により、選択的にベース領域５を形
成する。次に、ベース領域５上の酸化シリコン膜４を選
択的にベース領域が露出するよう開口することにより開
孔部を形成する６次に、開孔部を含む基板全面に３００
〜１５００人の膜厚の窒化シリコンからなる第２の絶縁
膜７を形成し、絶縁膜７全面を異方性エツチングにより
エッチバックを行なう。これにより、開孔部側壁部に第
２の絶縁膜７が残るため、開孔部の直径が小さくなる効
果がある。次に、露出したベース領域表面を含む半導体
基板全面に多結晶シリコン膜９を形成し、イオン注入す
ることにより、多結晶シリコン”を介してエミッタ領域
６を形成する。次に、例えば、アルミニウム電極８を被
着し、選択エツチングすることによりＰＲＯＭを含む半
導体装置を形成する。
第２°図は本発明の半導体装置の第２の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である。第２図に示すよ
うに、第１の実施例と同様な工程により、開口部を含む
基板全面に３００〜１５００人の膜厚の窒化シリコン膜
からなる第２の絶縁膜７を形成した後、第１の実施例で
は酸化シリコン膜４が露出したところで異方性エツチン
グによるエッチバックを終了していたが、本実施例では
、更にエッチバックを続行し、開孔部に段差が生じるよ
うな構造にすることに特徴がある。これにより、第１の
実施例と同様な効果に加え、開孔部上に形成する多結晶
シリコン膜９及びアルミニウム電極８のステップカバレ
ッジが向上するという効果がある。
るための半導体チップの断面図である。第２図に示すよ
うに、第１の実施例と同様な工程により、開口部を含む
基板全面に３００〜１５００人の膜厚の窒化シリコン膜
からなる第２の絶縁膜７を形成した後、第１の実施例で
は酸化シリコン膜４が露出したところで異方性エツチン
グによるエッチバックを終了していたが、本実施例では
、更にエッチバックを続行し、開孔部に段差が生じるよ
うな構造にすることに特徴がある。これにより、第１の
実施例と同様な効果に加え、開孔部上に形成する多結晶
シリコン膜９及びアルミニウム電極８のステップカバレ
ッジが向上するという効果がある。
以上説明したように、本発明は、エミッタ領域にコンタ
クトするための開孔部の側壁部に更に第２の絶縁膜を形
成することにより、開孔部の大きさを小さくすることが
できる。従って、情報書込時に、弱い書込電流で印加し
ても、開孔部を通過する電流密度を上げることができ、
結果的に書込回路をｉ成する素子を小型化できるので、
半導体装置を高集積化することが可能となる効果がある
。
クトするための開孔部の側壁部に更に第２の絶縁膜を形
成することにより、開孔部の大きさを小さくすることが
できる。従って、情報書込時に、弱い書込電流で印加し
ても、開孔部を通過する電流密度を上げることができ、
結果的に書込回路をｉ成する素子を小型化できるので、
半導体装置を高集積化することが可能となる効果がある
。
Ｎ型エピタキシャル層、４・・・酸化シリコン膜、５・
・・ベース領域、６・・・エミッタ領域、７・・・第２
の絶縁膜、８・・・アルミニウム電極、９・・・多結晶
シリコンや
・・ベース領域、６・・・エミッタ領域、７・・・第２
の絶縁膜、８・・・アルミニウム電極、９・・・多結晶
シリコンや
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に選択的に設けられた逆導電型埋
込層と、前記逆導電型埋込層上に設けられた逆導電型の
エピタキシャル層と、前記逆導電型エピタキシャル層主
表面上に設けられた一導電型ベース領域と、前記一導電
型ベース領域主表面上に設けられた逆導電型エミッタ領
域と、前記逆導電型エピタキシャル層、前記一導電型ベ
ース領域及び前記逆導電型エミッタ領域上に設けられた
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に選択的に設けられ
た前記エミッタ領域に達する開孔部と、前記開孔部側壁
部に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び
前記開孔部上に設けられた電極層とを含んで形成されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159658A JPH027561A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159658A JPH027561A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027561A true JPH027561A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15698516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159658A Pending JPH027561A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8061771B2 (en) | 2007-07-25 | 2011-11-22 | Roho, Inc. | Supportive back overlay for wheelchair back |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63159658A patent/JPH027561A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8061771B2 (en) | 2007-07-25 | 2011-11-22 | Roho, Inc. | Supportive back overlay for wheelchair back |
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