JPH027581A - 半導体発光装置とその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置とその製造方法Info
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- JPH027581A JPH027581A JP63158653A JP15865388A JPH027581A JP H027581 A JPH027581 A JP H027581A JP 63158653 A JP63158653 A JP 63158653A JP 15865388 A JP15865388 A JP 15865388A JP H027581 A JPH027581 A JP H027581A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ＩＲ要］
多波長の発光を行うことのできる半導体発光装置に間し
、 簡単な構成で一本のファイバに多波長の光信号を伝送で
きる半導体発光装置を提供することを目的とし、 発光波長の異なる２つ以上のストライプ状半導体発光部
をストライプ軸に沿って直線上に並べ、かつ、前記半導
体発光部は禁制帯幅の小さなものから大きなものへ順に
並べ、禁制帯幅の大きい側から光を取り出すように構成
する。
、 簡単な構成で一本のファイバに多波長の光信号を伝送で
きる半導体発光装置を提供することを目的とし、 発光波長の異なる２つ以上のストライプ状半導体発光部
をストライプ軸に沿って直線上に並べ、かつ、前記半導
体発光部は禁制帯幅の小さなものから大きなものへ順に
並べ、禁制帯幅の大きい側から光を取り出すように構成
する。
［産業上の利用分野］
本発明は、発光装置に関し、特に多波長の発光を行うこ
とのできる半導体発光装置およびその製造方法に関する
。
とのできる半導体発光装置およびその製造方法に関する
。
［従来の技術］
光通信において、−本の光フアイバ中に波長の異なる光
信号を伝送し、通信路の容量を拡大する試みが行われて
いる。この場合、複数の光信号源からの多波長の光を合
波器を用いて一本のファイバに導入する。
信号を伝送し、通信路の容量を拡大する試みが行われて
いる。この場合、複数の光信号源からの多波長の光を合
波器を用いて一本のファイバに導入する。
［発明が解決しようとする課題］
一本のファイバに多波長の光信号を伝送しようとすると
、光信号源、合波器の構造が複雑になる。
、光信号源、合波器の構造が複雑になる。
本発明の目的は、簡単な構成で一本のファイバに多波長
の光信号を伝送できる半導体発光装置を提供することで
ある。
の光信号を伝送できる半導体発光装置を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、多波長の光信号を発することので
きる集積化された半導体発光装置を提供することである
。
きる集積化された半導体発光装置を提供することである
。
さらに、これらの半導体発光装置は製造が困雌であって
は、利用しにくい。
は、利用しにくい。
本発明の他の目的は、簡単な方法で製造できる多波長の
光信号を伝送できる半導体発光装置およびその製造方法
を提供することである。
光信号を伝送できる半導体発光装置およびその製造方法
を提供することである。
［課題を解決するための手段］
発光装置その物に合波機能を与えれば、合波器の規模が
小さくて済む。
小さくて済む。
そこで、発光波長の異なるなる２つ以上のストライプ状
半導体発光部をストライプ軸に沿って直線上に並べ、合
波機能を内在させた半導体発光装置を構成する。
半導体発光部をストライプ軸に沿って直線上に並べ、合
波機能を内在させた半導体発光装置を構成する。
さらに、１つの半導体基板上に複数の光信号源を集積化
した半導体発光装置を構成することができる。
した半導体発光装置を構成することができる。
また、単一または多重量子井戸構造を構成する超格子構
造を選択的に異なる条件で雰囲気熱処理すると、複数の
波長で発光する半導体発光装置を構成できる。
造を選択的に異なる条件で雰囲気熱処理すると、複数の
波長で発光する半導体発光装置を構成できる。
を集積化すると、光軸合わせ等の工程を省略できる。さ
らに、装置の小形化が容易になる。
らに、装置の小形化が容易になる。
単一または多重量子井戸構造を構成する超格子構造を選
択的に異なる条件で雰囲気熱処理すると、複数の波長で
発光する半導体発光部を容易に製造できる。
択的に異なる条件で雰囲気熱処理すると、複数の波長で
発光する半導体発光部を容易に製造できる。
［作用コ
半導体発光素子の発光波長は、半導体の禁制帯幅により
決定される。この禁制帯幅より小さなエネルギーの光が
入射しても半導体はこの光を吸収しない。
決定される。この禁制帯幅より小さなエネルギーの光が
入射しても半導体はこの光を吸収しない。
２つ以上のストライプ状半導体発光部をストライプ軸に
沿って直線上に並べであるので、同一光軸上に２つ以上
の発光ビームが発生する。
沿って直線上に並べであるので、同一光軸上に２つ以上
の発光ビームが発生する。
該半導体発光部は禁制帯幅の小さなものから大きなもの
へ順に並べ、禁制帯幅の大きな側から光を取り出すので
、複数の波長の光信号を実質的に減衰させることなく取
り出すことができる。
へ順に並べ、禁制帯幅の大きな側から光を取り出すので
、複数の波長の光信号を実質的に減衰させることなく取
り出すことができる。
１つの半導体基板上に２つ以上の半導体発光部［実施例
コ 禁制帯幅の異なる半導体を、禁制帯幅が単調に変化する
ように（たとえば小さい順に）直線上に並べ、これを発
光させ、禁制帯幅の大きい側から見ると、−直線上に２
つ以上の異なる光の波長が得られる。これにより、複数
の波長で光信号を発し、かつ合波機能を有した半導体発
光装置が得られる。 第１図（Ａ＞、（Ｂ）を参照して
、本発明の基本実施例を説明する。
コ 禁制帯幅の異なる半導体を、禁制帯幅が単調に変化する
ように（たとえば小さい順に）直線上に並べ、これを発
光させ、禁制帯幅の大きい側から見ると、−直線上に２
つ以上の異なる光の波長が得られる。これにより、複数
の波長で光信号を発し、かつ合波機能を有した半導体発
光装置が得られる。 第１図（Ａ＞、（Ｂ）を参照して
、本発明の基本実施例を説明する。
第１図（Ａ）に示すように、共通接地電極１の上にスト
ライプ状半導体発光部を有する半導体発光装置（たとえ
ば半導体レーザまたは半導体発光ダイオード）２．３．
４が一直線上に並べて配置されている、各半導体発光部
！２．３．４は、たとえばｎ型である１導電型半導体領
域５の上に発光を行う半導体活性層６が形成され、その
上にたとえばｐ型である反対導電型半導体領域７が形成
され、その上にｔ’ｓが形成されている。
ライプ状半導体発光部を有する半導体発光装置（たとえ
ば半導体レーザまたは半導体発光ダイオード）２．３．
４が一直線上に並べて配置されている、各半導体発光部
！２．３．４は、たとえばｎ型である１導電型半導体領
域５の上に発光を行う半導体活性層６が形成され、その
上にたとえばｐ型である反対導電型半導体領域７が形成
され、その上にｔ’ｓが形成されている。
半導体発光装置２．３．４は、第１図（Ｂ）に示すよう
にＥ １ ＜Ｅ ２ ＜Ｅ ３の関係を満たすエネルギ
ギャッ１Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３を有しており、そ
れに対応したフォトンエネルギｈν１、ｈν２、ｈν３
の光を発生する。半導体発光装置３．４のエネルギギャ
ップＥ２、Ｅ３は半導体発光装置２のエネルギギャップ
ブＥ１よりも大きいので、半導体発光部′ｆ１３．４は
ｈν１の光に対しては透明である。また、半導体発光装
置！ｆ４のエネルギギャップＥ３は半導体発光装置３の
エネルギギャッ１Ｅ２よりも大きいので、半導体発光装
置４はｈν２の光に対しても透明である。従って、半導
体発光部Ｗ４に設けた出射部からはｈν１、ｈν２、ｈ
ν３の光が出射する。
にＥ １ ＜Ｅ ２ ＜Ｅ ３の関係を満たすエネルギ
ギャッ１Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３を有しており、そ
れに対応したフォトンエネルギｈν１、ｈν２、ｈν３
の光を発生する。半導体発光装置３．４のエネルギギャ
ップＥ２、Ｅ３は半導体発光装置２のエネルギギャップ
ブＥ１よりも大きいので、半導体発光部′ｆ１３．４は
ｈν１の光に対しては透明である。また、半導体発光装
置！ｆ４のエネルギギャップＥ３は半導体発光装置３の
エネルギギャッ１Ｅ２よりも大きいので、半導体発光装
置４はｈν２の光に対しても透明である。従って、半導
体発光部Ｗ４に設けた出射部からはｈν１、ｈν２、ｈ
ν３の光が出射する。
このように２つ以上の半導体発光部を、個別の半導体発
光装置を並べることによって構成できる。
光装置を並べることによって構成できる。
この場合は半導体発光装置は半導体レーザでも半導体発
光ダイオードでも又は他の半導体発光装置でもよい。
光ダイオードでも又は他の半導体発光装置でもよい。
２つ以上の半導体発光装置を１つの半導体基板上にモノ
リシックに集積すれば、マスクパターンにより正確に直
線上に２つ以上の半導体発光部を配置でき、その後の光
軸合せは不要とできる。また装置の小型化がはかれる。
リシックに集積すれば、マスクパターンにより正確に直
線上に２つ以上の半導体発光部を配置でき、その後の光
軸合せは不要とできる。また装置の小型化がはかれる。
この場合、光軸上の半導体の端面は１対となるので、最
長波長の発光部以外はキャビティを要しない発光ｔｉ＃
４にするのがよい。
長波長の発光部以外はキャビティを要しない発光ｔｉ＃
４にするのがよい。
第２図に１つの半導体基板上に２つの半導体発光ダイオ
ードを形成した例を示す。
ードを形成した例を示す。
半導体基板１０上にモノリシックに２つの発光ダイオー
ドを集積する。ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ等を用いた選択成長
、選択エツチング等を行うことによって、１つの基板上
に禁制帯幅のことなる２つの半導体発光ダイオードを形
成する０図中、ｎ型基板１０の左側表面上に形成したｎ
型層１１、活性層１３、Ｐ型層１５が左側の発光ダイオ
ードを構成し、ｎ型基板１０の右側表面上のｎ型層１２
、活性層１４、ｐ型層１６が右側のダイオードを形成す
る。ｐ型層１５．１６の上にはｐｆｆｌｌ電ｆ！１７．
１８が形成されている。基板１０の下表面にはｎ側電極
１９が形成されている。このような構造は、たとえば、
右側部分をマスクして左側部分を選択成長し、次に左側
部分をマスクして、右側部分を選択成長することによっ
て製造する。初め、全面に成長し、左半分を選択エツチ
ングで除去し、次に左側部分を選択成長しても良い、そ
れぞれの発光ダイオードは発光波長が異なり、格子定数
が近いものを選ぶ、たとえば、基板としてＩｎＰ基板を
用い、その上に組成の異なるＩｎＧａＡｓＰのダイオー
ドを形成する。
ドを集積する。ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ等を用いた選択成長
、選択エツチング等を行うことによって、１つの基板上
に禁制帯幅のことなる２つの半導体発光ダイオードを形
成する０図中、ｎ型基板１０の左側表面上に形成したｎ
型層１１、活性層１３、Ｐ型層１５が左側の発光ダイオ
ードを構成し、ｎ型基板１０の右側表面上のｎ型層１２
、活性層１４、ｐ型層１６が右側のダイオードを形成す
る。ｐ型層１５．１６の上にはｐｆｆｌｌ電ｆ！１７．
１８が形成されている。基板１０の下表面にはｎ側電極
１９が形成されている。このような構造は、たとえば、
右側部分をマスクして左側部分を選択成長し、次に左側
部分をマスクして、右側部分を選択成長することによっ
て製造する。初め、全面に成長し、左半分を選択エツチ
ングで除去し、次に左側部分を選択成長しても良い、そ
れぞれの発光ダイオードは発光波長が異なり、格子定数
が近いものを選ぶ、たとえば、基板としてＩｎＰ基板を
用い、その上に組成の異なるＩｎＧａＡｓＰのダイオー
ドを形成する。
つぎに製造プロセスのより簡単な実施例を第３図（Ａ）
、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して示す。
、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して示す。
第３図（Ａ）を参照して、ｎ型基板２０上にｎ型層 Ｉ
Ｇ ａ ６．５ Ａ ｓ層２１、多ｆＩＬ量子井
戸横０．５ 造２２、ｐ型ＡＩ Ｇａ Ａｓ層２５、ｐ型０
．５ ０．５ ＧａＡｓ層２６を成長する。多重量子井戸構造２２は、
たとえば厚さ８０人の５層のＧａＡｓ層２３と厚さ１２
０人の４層のＡＩ Ｇａ ＡｓＯ，３０，７ 層２４の交互積層超格子構造で構成する。多重量子井戸
構造を構成する超格子構造に選択的に異なる条件の熱処
理を行うことにより異なる発光波長の発光層を形成する
。
Ｇ ａ ６．５ Ａ ｓ層２１、多ｆＩＬ量子井
戸横０．５ 造２２、ｐ型ＡＩ Ｇａ Ａｓ層２５、ｐ型０
．５ ０．５ ＧａＡｓ層２６を成長する。多重量子井戸構造２２は、
たとえば厚さ８０人の５層のＧａＡｓ層２３と厚さ１２
０人の４層のＡＩ Ｇａ ＡｓＯ，３０，７ 層２４の交互積層超格子構造で構成する。多重量子井戸
構造を構成する超格子構造に選択的に異なる条件の熱処
理を行うことにより異なる発光波長の発光層を形成する
。
第４図にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸の熱処理
条件による発光波長の変化の例を示す。
条件による発光波長の変化の例を示す。
横軸がＡｓ４圧力を示し、縦軸が発光波長を示す。
熱処理温度は８５０℃で処理時間は２．５時間である。
Ａｓ４圧力を上げていくと、発光波長は次第に長波長（
低エネルギ）に変化していき、約１００Ｔｏ ｒ ｒで
最も長波長となる。さらにＡｓ圧力を上げていくと、発
光波長は再び短くなっていく。
低エネルギ）に変化していき、約１００Ｔｏ ｒ ｒで
最も長波長となる。さらにＡｓ圧力を上げていくと、発
光波長は再び短くなっていく。
発光波長は表面に設けるマスクにも依存して変化する。
マスクとして５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ３Ｎ４を選択
的に用いることによって発光波長が選択的に変化する。
的に用いることによって発光波長が選択的に変化する。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重１子井戸梢造の場合、発光
波長はたとえば７６０〜８３５ ｎ ｒｎの範囲で変化
させることができる６選択的にマスクを用いることによ
って、発光波長を選択的に変化・させることができる。
波長はたとえば７６０〜８３５ ｎ ｒｎの範囲で変化
させることができる６選択的にマスクを用いることによ
って、発光波長を選択的に変化・させることができる。
第３図（Ａ）においては、構造の表面に選択的に５ｉ０
２マスクを設けている。すなわち、上の面を領域工、■
に分け、領域■にＳ ｉ Ｏ２Ｍ！Ａを形成しである。
２マスクを設けている。すなわち、上の面を領域工、■
に分け、領域■にＳ ｉ Ｏ２Ｍ！Ａを形成しである。
この構造体に約１００ＴｏｒｒのＡｓ４圧を印加しなが
ら、約８５０℃で約２．５時間の雰囲気熱処理を行う。
ら、約８５０℃で約２．５時間の雰囲気熱処理を行う。
この雰囲気熱処理後、領域Ｉの発光波長は８３ｏｎｉ程
度なのに対し、領域■の発光波長は７５０ｎ１程度まで
変化する。その後、第３図（Ｂ）に示すように表面にＺ
ｎを拡散し、Ｚｎ拡散領域２８を作って、発光部ストラ
イプを形成する。さらに領域１．ＩＩの境界にプロトン
を打ち込み、分離領域２９を形成して領域■、■間の電
気的絶縁を行う。
度なのに対し、領域■の発光波長は７５０ｎ１程度まで
変化する。その後、第３図（Ｂ）に示すように表面にＺ
ｎを拡散し、Ｚｎ拡散領域２８を作って、発光部ストラ
イプを形成する。さらに領域１．ＩＩの境界にプロトン
を打ち込み、分離領域２９を形成して領域■、■間の電
気的絶縁を行う。
さらに第３図（Ｃ）に示すように、ウェハ裏面にＡ ｕ
Ｇ ｅ ／ Ａ ｕのｎ側電極３０を、領域１．Ｉ［
にそれぞれＡ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕのｐｌ！Ｉ
！Ｉ電ｉ３１．３２を形成する。これにより、図中装置
の前面側から８３０ｎｍと７５０ｎｍの多波長発光を得
ることができる。この発光ビームは同一光軸上に合波さ
れており、別個に制御できる。
Ｇ ｅ ／ Ａ ｕのｎ側電極３０を、領域１．Ｉ［
にそれぞれＡ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕのｐｌ！Ｉ
！Ｉ電ｉ３１．３２を形成する。これにより、図中装置
の前面側から８３０ｎｍと７５０ｎｍの多波長発光を得
ることができる。この発光ビームは同一光軸上に合波さ
れており、別個に制御できる。
このように半導体表面を複数の領域に分け、領域ごとに
マスク構造（マスクなしを含む）を変え、熱処理を行う
方法により、選択成長等に比べてはるかに簡易に複数の
波長で発光する集積半導体発光装置が実現できる。
マスク構造（マスクなしを含む）を変え、熱処理を行う
方法により、選択成長等に比べてはるかに簡易に複数の
波長で発光する集積半導体発光装置が実現できる。
［効果］
合波機能を持った多波長発光の半導体発光装置を得るこ
とができる。
とができる。
単一基板上に集積した場合は、さらに小形化が容易であ
り、光軸合わせがマスクパターンによって行える。
り、光軸合わせがマスクパターンによって行える。
条件の異なる熱処理によって発光波長を選択的に制御し
た単一または多重量子井戸構造を用いる場合は、製造プ
ロセスも簡単である。
た単一または多重量子井戸構造を用いる場合は、製造プ
ロセスも簡単である。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の基本実施例を示す概略
斜視図と概略バンドダイアダラム、第２図は本発明のモ
ノリシック構造の実施例を示す断面図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の他の実施例を
説明するための断面図、 第４図は第３図（Ａ）の構造に行う熱処理を説明するた
めのグラフである。 図において、 ２．３．４ 共通電極 半導体発光部 １導電型領域 活性層 他導電型領域 １１、 １２ １３．１４ １５、 １６ １７、 １８ ３１、 ３２ 電極 ｎ型基板 ｎ型領域 活性層 ｐ型頭域 電極 ｎ型ＧａＡｓ基板 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層 多重量子井戸層 ＧａＡｓウェル層 ＡｌＧａＡｓバリア層 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層 Ｐ型ＧａＡｓ層 ５ｉｎ２マスク Ｚ ｒｌ拡散領域 プロトン打込みの分離領域 Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕのｎ（１１１電極Ａ ｕ
／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕのｐ側電極社用の基本実施例 第１図 （Ａ） ＡｕＧｅ／ＡｕのｎｍＪ＠５ｚ ネ発哨の他がｔ充例 第３図
斜視図と概略バンドダイアダラム、第２図は本発明のモ
ノリシック構造の実施例を示す断面図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の他の実施例を
説明するための断面図、 第４図は第３図（Ａ）の構造に行う熱処理を説明するた
めのグラフである。 図において、 ２．３．４ 共通電極 半導体発光部 １導電型領域 活性層 他導電型領域 １１、 １２ １３．１４ １５、 １６ １７、 １８ ３１、 ３２ 電極 ｎ型基板 ｎ型領域 活性層 ｐ型頭域 電極 ｎ型ＧａＡｓ基板 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層 多重量子井戸層 ＧａＡｓウェル層 ＡｌＧａＡｓバリア層 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層 Ｐ型ＧａＡｓ層 ５ｉｎ２マスク Ｚ ｒｌ拡散領域 プロトン打込みの分離領域 Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕのｎ（１１１電極Ａ ｕ
／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕのｐ側電極社用の基本実施例 第１図 （Ａ） ＡｕＧｅ／ＡｕのｎｍＪ＠５ｚ ネ発哨の他がｔ充例 第３図
Claims (4)
- （１）、発光波長の異なる２つ以上のストライプ状半導
体発光部（２、３、４）をストライプ軸に沿って直線上
に並べ、 前記半導体発光部は禁制帯幅（Ｅ＿１、Ｅ＿２、Ｅ＿３
）の小さなものから大きなものへ順に並べ、禁制帯幅の
大きい側から光を取り出すこと を特徴とする半導体発光装置。 - （２）、前記２つ以上のストライプ状半導体発光部は、
１つの半導体基板（１０、２０）上にモノリシックに集
積されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発
光装置。 - （３）、前記２つ以上のストライプ状半導体発光部は、
選択的に異なる条件で雰囲気熱処理をした同一構成の単
一または多重量子井戸構造（２２）を有することを特徴
とする請求項１記載の半導体発光装置。 - （４）、半導体基板上に単一または多重量子井戸構造を
構成する超格子構造を形成する工程と、表面上に選択的
にマスクを形成する工程と、雰囲気下で熱処理すること
によりマスク下の超格子構造を選択的に異なる条件で雰
囲気熱処理する工程と、 異なる条件で雰囲気熱処理した領域を貫通して複数のス
トライプ状半導体発光部を形成する工程と を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158653A JPH027581A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158653A JPH027581A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027581A true JPH027581A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15676412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158653A Pending JPH027581A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027581A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266549A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光ダイオード |
| JPH02266575A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光ダイオード |
| JPH031582A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光ダイオード |
| US5362673A (en) * | 1991-07-29 | 1994-11-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device |
| US6060727A (en) * | 1994-08-11 | 2000-05-09 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| KR100413803B1 (ko) * | 1996-07-16 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 다색 발광다이오드 및 그 제조방법 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158653A patent/JPH027581A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266549A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光ダイオード |
| JPH02266575A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光ダイオード |
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| KR100413803B1 (ko) * | 1996-07-16 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 다색 발광다이오드 및 그 제조방법 |
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