JPH0276237A - シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 - Google Patents
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法Info
- Publication number
- JPH0276237A JPH0276237A JP22931288A JP22931288A JPH0276237A JP H0276237 A JPH0276237 A JP H0276237A JP 22931288 A JP22931288 A JP 22931288A JP 22931288 A JP22931288 A JP 22931288A JP H0276237 A JPH0276237 A JP H0276237A
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- Japan
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- silicon wafer
- glass
- conductive plate
- plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、半導体デバイスの製作におけるシリコンウ
ェハとガラス基板の陽極接合法に関するものである。
ェハとガラス基板の陽極接合法に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、例えば特公昭５３−２８７４７号公報（Ｄ、
１．ポメランツの発明）に示された接合法を示す構成断
面図である。 図において（１）はシリコンウェハ、（
２）はガラス基板、（４）は陽極導体板、（５〉は加熱
ヒータ、（６）は陰極導体板である。
１．ポメランツの発明）に示された接合法を示す構成断
面図である。 図において（１）はシリコンウェハ、（
２）はガラス基板、（４）は陽極導体板、（５〉は加熱
ヒータ、（６）は陰極導体板である。
従来の半導体デバイス、側光ばシリコンのピエゾ抵抗効
果を利用する半導体圧力センサー等は、その製作工程に
おいてシリコンウニ）１とガラス基板を接合した構造体
として構成されるが、この構造体の接続方法として、陽
極接合法は極めて有効であることが知られている。シリ
コンウエノ１（１）とガラス基板（２）を加熱ヒータ（
５）で加熱し、シリコンウェハ側を陽極導体板（４〉を
通して陽極とし、ガラス基板側を同じ（陰極導体板（６
）を通して陰極として直流電圧を印加し、接合する方法
が行われている。
果を利用する半導体圧力センサー等は、その製作工程に
おいてシリコンウニ）１とガラス基板を接合した構造体
として構成されるが、この構造体の接続方法として、陽
極接合法は極めて有効であることが知られている。シリ
コンウエノ１（１）とガラス基板（２）を加熱ヒータ（
５）で加熱し、シリコンウェハ側を陽極導体板（４〉を
通して陽極とし、ガラス基板側を同じ（陰極導体板（６
）を通して陰極として直流電圧を印加し、接合する方法
が行われている。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような、従来のシリコンウエノ１とガラス基板の
陽極接合法においては、陰極導体板（６）の真下のガラ
ス基板面が接合の完結後、参考写真に示すようなりレー
タ−状の腐食性損傷を受ける。
陽極接合法においては、陰極導体板（６）の真下のガラ
ス基板面が接合の完結後、参考写真に示すようなりレー
タ−状の腐食性損傷を受ける。
二のような損傷は、接合体ウェハのハンドリングによる
損傷及びチップ分割時のダイシングによるクラックがし
ばしば発生し、歩留まり低下の原因となるという問題点
があった。
損傷及びチップ分割時のダイシングによるクラックがし
ばしば発生し、歩留まり低下の原因となるという問題点
があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、シリコンウェハとガラス基板の接合時に発
生するガラス基板の損傷を防止することを目的とする。
れたもので、シリコンウェハとガラス基板の接合時に発
生するガラス基板の損傷を防止することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明は、シリコンウェハとガラス基板の陽極接合時
における上記課題を解決するため、ガラス基板の主面に
シリコンウェハを当接し、このガラス基板の他生面に陰
極導体板を当接し、上記シリコンウェハな陽極、上記陰
極導体板を陰極として、直流電圧を印加すると同時に加
熱し、上記シリコンウェハとガラス基板を接合するもの
において、上記ガラス基板と陰極導体板との間に、ダミ
ーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス板を通じて電
圧を印加し、接合を達成することを特徴とするシリコン
ウェハとガラス基板の陽極接合法である。
における上記課題を解決するため、ガラス基板の主面に
シリコンウェハを当接し、このガラス基板の他生面に陰
極導体板を当接し、上記シリコンウェハな陽極、上記陰
極導体板を陰極として、直流電圧を印加すると同時に加
熱し、上記シリコンウェハとガラス基板を接合するもの
において、上記ガラス基板と陰極導体板との間に、ダミ
ーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス板を通じて電
圧を印加し、接合を達成することを特徴とするシリコン
ウェハとガラス基板の陽極接合法である。
［作 用］
この発明による陽極接合法は、ガラス基板と陰極導体板
の間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス
板を通じて電圧を印可し、接合時におけるガラス損傷を
ダミーガラス板に受は持たせることにより、従来発生し
ていたガラス基板の損傷を防ぐことができる。
の間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス
板を通じて電圧を印可し、接合時におけるガラス損傷を
ダミーガラス板に受は持たせることにより、従来発生し
ていたガラス基板の損傷を防ぐことができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す構成断面図であり、
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法において、加
熱ヒータ（５）上に同ヒータから電気的に絶縁された陽
極導体板（４）を設置し、その上に通常の半導体プロセ
スを経て回路を形成している４インチシリコンウェハ（
１）、または未処理の４インチシリコンウニハク１〉を
載せ、シリコンと熱膨張係数が近似する同サイズのポウ
ケイ酸ガラス基板（２）〈例えば商品名： パイレック
スガラス）を重ね、さらにその上に陰極導体板（６）と
同サイズか、またはそれより大きい（ただし、ガラス基
板より小さい）ダミーガラス板＜３） １合されるガ
ラス基板と同材質か、またはそれよりもアルカリ含有量
の多いガラス、例えば汎用のソーダライムガラス）と陰
極導体板（６）をガラス基板（２〉の中央部に設置し、
接合されるシリコンウェハ（１）及びガラス基板（２）
を接合に必要な所定の温度（例えば４００〜４５０℃）
に加熱ヒータで加熱、陽極導体板（４〉と陰極導体板（
６）の間に、直流電圧（例えば５０ＯＮ１０００■）を
所定時間（例えば１０〜６０分間）印加し、接合を達成
して陽極導体板（４〉、ダミーガラス板（３〉、及び陰
極導体板（６）を取りはずし、シリコンウェハとガラス
Ｉｌｉ板の接合を完成させる。
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法において、加
熱ヒータ（５）上に同ヒータから電気的に絶縁された陽
極導体板（４）を設置し、その上に通常の半導体プロセ
スを経て回路を形成している４インチシリコンウェハ（
１）、または未処理の４インチシリコンウニハク１〉を
載せ、シリコンと熱膨張係数が近似する同サイズのポウ
ケイ酸ガラス基板（２）〈例えば商品名： パイレック
スガラス）を重ね、さらにその上に陰極導体板（６）と
同サイズか、またはそれより大きい（ただし、ガラス基
板より小さい）ダミーガラス板＜３） １合されるガ
ラス基板と同材質か、またはそれよりもアルカリ含有量
の多いガラス、例えば汎用のソーダライムガラス）と陰
極導体板（６）をガラス基板（２〉の中央部に設置し、
接合されるシリコンウェハ（１）及びガラス基板（２）
を接合に必要な所定の温度（例えば４００〜４５０℃）
に加熱ヒータで加熱、陽極導体板（４〉と陰極導体板（
６）の間に、直流電圧（例えば５０ＯＮ１０００■）を
所定時間（例えば１０〜６０分間）印加し、接合を達成
して陽極導体板（４〉、ダミーガラス板（３〉、及び陰
極導体板（６）を取りはずし、シリコンウェハとガラス
Ｉｌｉ板の接合を完成させる。
なお、ダミーガラス板（３）は接合毎に取り替えるか、
又は十分洗浄した後、破損に至るまで再使用することが
できる。
又は十分洗浄した後、破損に至るまで再使用することが
できる。
［発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、ガラス基板と陰極導体
板との間にダミーガラス板を介在させ、上記ガラス基板
を通じて電圧を印加し、接合を達成することにより、ダ
ミーガラス板は陰極導体板（６）の真下で損傷を受ける
が、ガラス基板（２〉は何等の外的損傷を受けることな
（シリコンウェハ（１）との接合が達成される。これは
後プロセスにおける同接合体のクラッチ及び破損を防止
することができ、また、同構造体のシリコンデバイスの
歩留まりを改善できる。
板との間にダミーガラス板を介在させ、上記ガラス基板
を通じて電圧を印加し、接合を達成することにより、ダ
ミーガラス板は陰極導体板（６）の真下で損傷を受ける
が、ガラス基板（２〉は何等の外的損傷を受けることな
（シリコンウェハ（１）との接合が達成される。これは
後プロセスにおける同接合体のクラッチ及び破損を防止
することができ、また、同構造体のシリコンデバイスの
歩留まりを改善できる。
第１図はこの発明による一実施例によるシリコンウェハ
とガラス基板の陽極接合法を説明する構成断面図。第２
図は従来のシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法を
示す構成断面図である。 図において（１）はシリコンウェハ、（２）はガラス基
板、（３）はダミーガラス板、（４〉は陽極導体板、（
５〉は加熱ヒータ、（６）は陰極導体板である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
とガラス基板の陽極接合法を説明する構成断面図。第２
図は従来のシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法を
示す構成断面図である。 図において（１）はシリコンウェハ、（２）はガラス基
板、（３）はダミーガラス板、（４〉は陽極導体板、（
５〉は加熱ヒータ、（６）は陰極導体板である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ガラス基板の主面にシリコンウェハを当接し、このガラ
ス基板の他生面に陰極導体板を当接し、上記シリコンウ
ェハを陽極、上記陰極導体板を陰極として、直流電圧を
印加すると同時に加熱し、上記シリコンウェハとガラス
基板を接合するものにおいて、上記ガラス基板と陰極導
体板との間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミー
ガラス板を通じて電圧を印加し、接合を達成することを
特徴とするシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931288A JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931288A JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276237A true JPH0276237A (ja) | 1990-03-15 |
| JPH0779110B2 JPH0779110B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16890168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22931288A Expired - Fee Related JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779110B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148713A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toyoda Mach Works Ltd | シリコンとガラスの接合方法 |
| US20100206475A1 (en) * | 2007-09-05 | 2010-08-19 | Nobuhiro Ueno | Anode bonding method and producing method od liquid droplet discharging head |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22931288A patent/JPH0779110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148713A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toyoda Mach Works Ltd | シリコンとガラスの接合方法 |
| US20100206475A1 (en) * | 2007-09-05 | 2010-08-19 | Nobuhiro Ueno | Anode bonding method and producing method od liquid droplet discharging head |
| US8366861B2 (en) * | 2007-09-05 | 2013-02-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Anode bonding method and producing method of liquid droplet discharging head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0779110B2 (ja) | 1995-08-23 |
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Legal Events
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