JPH0278144A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH0278144A JPH0278144A JP63229626A JP22962688A JPH0278144A JP H0278144 A JPH0278144 A JP H0278144A JP 63229626 A JP63229626 A JP 63229626A JP 22962688 A JP22962688 A JP 22962688A JP H0278144 A JPH0278144 A JP H0278144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- lens
- sample
- particle beam
- lenses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は例えば走査型電子顕微鏡或はＩＣの内部配線
の電位分布状態を像としてとらえ、ＩＣの配線が正常に
機能しているか否かを試打るＩＣ試験装置等（−用いる
ことができる荷電粒子ビーム装置に関する。
の電位分布状態を像としてとらえ、ＩＣの配線が正常に
機能しているか否かを試打るＩＣ試験装置等（−用いる
ことができる荷電粒子ビーム装置に関する。
「従来の技術」
ＩＣ内部の配線の電位分布を像としてとらえ、ＩＣの動
作を試験するＩＣ試験装置は概略＄７図に示すように荷
電粒子ビーム装置１０と、この荷電粒子ビーム装置１０
から出射される荷電粒子ビーム１１の照射を受ける試料
３０と、この試料３０を支持する試料支持台４０と荷電
粒子ビーム装置１０と試料３０を含む領域を真空に作り
チャンバ５０と、荷電粒子ビーム１１が試料３０に照射
された際に、その照射点から放出される２次電子の量を
計測（イオンビームを照射した場合も２次電子の放出量
を計測）する２次電子検出器６０と、チャンバ５０及び
荷電粒子ビーム装置１０内を真空に引く真空ポンプ７０
とによって構成される。
作を試験するＩＣ試験装置は概略＄７図に示すように荷
電粒子ビーム装置１０と、この荷電粒子ビーム装置１０
から出射される荷電粒子ビーム１１の照射を受ける試料
３０と、この試料３０を支持する試料支持台４０と荷電
粒子ビーム装置１０と試料３０を含む領域を真空に作り
チャンバ５０と、荷電粒子ビーム１１が試料３０に照射
された際に、その照射点から放出される２次電子の量を
計測（イオンビームを照射した場合も２次電子の放出量
を計測）する２次電子検出器６０と、チャンバ５０及び
荷電粒子ビーム装置１０内を真空に引く真空ポンプ７０
とによって構成される。
このような構５５．（＝よって荷電粒子ビーム１１（一
般に電子ビームが用いられるが、イオンビームを用いる
場合もある）を試料３０に照射し、その照射点から２次
電子を放出させる。
般に電子ビームが用いられるが、イオンビームを用いる
場合もある）を試料３０に照射し、その照射点から２次
電子を放出させる。
２次荷電粒子の放出量はその照射点の電位に対応して変
化するため、２次荷電粒子の放出量を２次電子検出器６
０によって計測することにより、試料３０上の任意の点
の電位を計測することができる。
化するため、２次荷電粒子の放出量を２次電子検出器６
０によって計測することにより、試料３０上の任意の点
の電位を計測することができる。
また荷電粒子ビームを試料３０上において走査させるこ
とによってその走査された領域の電位分布を像としてと
らえることができ、ＩＣ内部の配線の電位分布及び動作
に伴なう電位の変化を像として表示することができる。
とによってその走査された領域の電位分布を像としてと
らえることができ、ＩＣ内部の配線の電位分布及び動作
に伴なう電位の変化を像として表示することができる。
このように試料３０に荷電粒子ビーム１１を照・射し、
その照射点から放出される２次電子の量を計測する装置
において、計測の結果として得られる像の分解能は照射
点における荷電粒子ビーム１１の直径によって決まる。
その照射点から放出される２次電子の量を計測する装置
において、計測の結果として得られる像の分解能は照射
点における荷電粒子ビーム１１の直径によって決まる。
つまりＩＣ内部の配線導体の幅が０，５ミクロンの場合
は荷電粒子ビーム１１の照射点における直径は０．５ミ
クロン以下に絞られていなければならない。
は荷電粒子ビーム１１の照射点における直径は０．５ミ
クロン以下に絞られていなければならない。
このため荷電粒子ビーム装置１０（−は例えば電子レン
ズのような荷電粒子レンズが複数段けられ、この複数の
荷電粒子レンズによって荷電粒子ビーム１１の直径を絞
り込んで試料３０に照射させている。図示の例では荷電
粒子銃１２から出射された荷電粒子ビーム１１を３個の
荷電粒子レンズ１３゜１４．１５によって絞り込むよう
に構成した場合を示す。
ズのような荷電粒子レンズが複数段けられ、この複数の
荷電粒子レンズによって荷電粒子ビーム１１の直径を絞
り込んで試料３０に照射させている。図示の例では荷電
粒子銃１２から出射された荷電粒子ビーム１１を３個の
荷電粒子レンズ１３゜１４．１５によって絞り込むよう
に構成した場合を示す。
「発明が解決しようとする課題」
ところで試料３０の厚みの違い等によって試料３０の面
が図示の位ａＡから位置Ｂｉ二移動したとすると試料３
０に最も近い荷電粒子レンズ１５の焦点を位置Ａから位
置Ｂに移さなくてはならない。
が図示の位ａＡから位置Ｂｉ二移動したとすると試料３
０に最も近い荷電粒子レンズ１５の焦点を位置Ａから位
置Ｂに移さなくてはならない。
このために荷電粒子レンズ］、５の励磁電流を調整して
焦点距離を変化させ、焦点を位置Ａから位置Ｂに移す作
業をしなくてはならない。
焦点距離を変化させ、焦点を位置Ａから位置Ｂに移す作
業をしなくてはならない。
更に荷電粒子］ノンズ１５の焦点距離を変えるとレンズ
１５の入射開き角αと出射開き角β１．β２の比α／β
１．α／β２が変化し、これがためにレンズ系の倍率が
変化し焦点Ｃ−おけるビームの直径が変わってしまう欠
点がある。つまり分解能が変わってしまう欠点がある。
１５の入射開き角αと出射開き角β１．β２の比α／β
１．α／β２が変化し、これがためにレンズ系の倍率が
変化し焦点Ｃ−おけるビームの直径が変わってしまう欠
点がある。つまり分解能が変わってしまう欠点がある。
試料３０の面の位置を常に決められた位置Ａ（：設置で
きるとこれらの欠点は解消されるが、実際は試料３０と
なるＩＣの厚み等によって常に決められた例えば位置Ａ
ｌ二設置することはできない。
きるとこれらの欠点は解消されるが、実際は試料３０と
なるＩＣの厚み等によって常に決められた例えば位置Ａ
ｌ二設置することはできない。
試料３０の厚み何頭を問わず、常に試料３０の荷電ビー
ム照射面な位置Ａとなるようにするには試料支持台４０
を上下に移動させる構造（ニしなければならない。試料
支持台４０（：は試料３０となるＩＣとチャンバ５０の
下側に配置されるテストヘッド８０との間を電気的に接
続する配線８１が施されるから、試料支持台４０をチャ
ンバ５０の内部において上下に移動自在に設ける（−は
構造が複雑になる不都合がある。
ム照射面な位置Ａとなるようにするには試料支持台４０
を上下に移動させる構造（ニしなければならない。試料
支持台４０（：は試料３０となるＩＣとチャンバ５０の
下側に配置されるテストヘッド８０との間を電気的に接
続する配線８１が施されるから、試料支持台４０をチャ
ンバ５０の内部において上下に移動自在に設ける（−は
構造が複雑になる不都合がある。
「課題を解決するための手段」
この出願の第１発明では試料の位置を移動させる代りＣ
″−試料（出量も近い荷電粒子レンズの位置をレンズ系
の軸芯方向Ｃ二移動自在に設け、試料の荷電ビーム照射
面の位置が変わった場合は、この荷電粒子レンズを移動
させて焦点を合致させる構造とした荷電粒子ビーム装置
を提案するものである。
″−試料（出量も近い荷電粒子レンズの位置をレンズ系
の軸芯方向Ｃ二移動自在に設け、試料の荷電ビーム照射
面の位置が変わった場合は、この荷電粒子レンズを移動
させて焦点を合致させる構造とした荷電粒子ビーム装置
を提案するものである。
この第１発明の構造によれば例えば試料の厚みの違い等
によって荷電ビームの照射点位置が変わっても、試料に
最も近い荷電ビームレンズをレンズ系の軸芯方向に移動
させることにより焦点位置を試料の面に合致させること
ができる。
によって荷電ビームの照射点位置が変わっても、試料に
最も近い荷電ビームレンズをレンズ系の軸芯方向に移動
させることにより焦点位置を試料の面に合致させること
ができる。
特に試料に最も近い荷電粒子レンズを移動させるよう（
−構成する構造はチャンバ５０内で試料支持台４０を移
動させる構造と比較して簡素化される。よって簡単な構
造で焦点位置を変更できる荷電粒子ビーム装置を提供す
ることができる。
−構成する構造はチャンバ５０内で試料支持台４０を移
動させる構造と比較して簡素化される。よって簡単な構
造で焦点位置を変更できる荷電粒子ビーム装置を提供す
ることができる。
この出願の＄２発明では試料（＝最も近いレンズをレン
ズ系の軸芯方向に移動できるように構成すると共に、試
料（１最も近いレンズと２番目（；近いレンズの間のビ
ームを平行ビームであるように構成したものである。
ズ系の軸芯方向に移動できるように構成すると共に、試
料（１最も近いレンズと２番目（；近いレンズの間のビ
ームを平行ビームであるように構成したものである。
この第２発明の構成によれば試料に最も近いレンズと２
番目Ｌ：近いレンズの間の荷電粒子ビームを平行ビーム
としたから試料に最も近いレンズをレンズ系の軸芯方向
Ｃ二移動させたとき、このレンズに入射する荷電粒子ビ
ームの入射角は変化しない。よって試料の面の位置が変
わった場合に試料に最も近いレンズを移動させて試料の
面に焦点を結ぶように調整してもレンズ系の倍率が変化
することはない。よって試料の面に照射される荷電粒子
ビームの直径は一定に保たれ、解像度も一定に作たれる
。
番目Ｌ：近いレンズの間の荷電粒子ビームを平行ビーム
としたから試料に最も近いレンズをレンズ系の軸芯方向
Ｃ二移動させたとき、このレンズに入射する荷電粒子ビ
ームの入射角は変化しない。よって試料の面の位置が変
わった場合に試料に最も近いレンズを移動させて試料の
面に焦点を結ぶように調整してもレンズ系の倍率が変化
することはない。よって試料の面に照射される荷電粒子
ビームの直径は一定に保たれ、解像度も一定に作たれる
。
このようにこの第２発明によれば荷電粒子ビームの焦点
位置を変えても解像度が一定に作たれるため焦点位置を
変更する都度レンズ系の倍率を調整するような操作は全
く必要としない、よって取扱いが容易なＩＣ試験装置を
提供することができる利点が得られる。
位置を変えても解像度が一定に作たれるため焦点位置を
変更する都度レンズ系の倍率を調整するような操作は全
く必要としない、よって取扱いが容易なＩＣ試験装置を
提供することができる利点が得られる。
この出願の第３発明によれば試料孟出展も近いレンズを
レンズ系の軸芯方向に移動自在に装置すると共に、試料
に最も近接しているレンズを移動させるのと連動して複
数個のレンズの荷電粒子ビームの入射開き角、出射開き
角との比が常に一定（２作たれるように複数個のレンズ
の励磁電流を制御するように構成したものである。
レンズ系の軸芯方向に移動自在に装置すると共に、試料
に最も近接しているレンズを移動させるのと連動して複
数個のレンズの荷電粒子ビームの入射開き角、出射開き
角との比が常に一定（２作たれるように複数個のレンズ
の励磁電流を制御するように構成したものである。
この第３発明の構成でも試料の位置（出窓じて荷電粒子
ビームの焦点位置を変更するためには試料に最も近いレ
ンズを移動させればよい。
ビームの焦点位置を変更するためには試料に最も近いレ
ンズを移動させればよい。
試料に最も近いレンズを移動させたとき、これと連動し
てこの試料（１最も近いレンズと他のレンズの入射開き
角と出射開き角との比が常に一定となるように荷電粒子
レンズの励磁電流を制御するから、焦点の位置を移動さ
せても分解能は一定に保たれる。よって操作性のよいＩ
Ｃ試験装置或は走査型電子顕微鏡を提供することができ
る。
てこの試料（１最も近いレンズと他のレンズの入射開き
角と出射開き角との比が常に一定となるように荷電粒子
レンズの励磁電流を制御するから、焦点の位置を移動さ
せても分解能は一定に保たれる。よって操作性のよいＩ
Ｃ試験装置或は走査型電子顕微鏡を提供することができ
る。
「実施例」
第１図にこの出願の第１発明及び第２発明の実施例を示
す。
す。
図中１０は荷電粒子ビーム装置を示す。この荷電粒子ビ
ーム装置１０は上端に電子或はイオンのように荷電粒子
を出射する荷電粒子銃１２を有し、この荷電粒子銃１２
が出射する荷電粒子を加速電極（特に図示しない）によ
って加速し、荷電粒子ビーム１１を形成する。荷電粒子
ビーム１１は荷電粒子レンズ１３，１４，１５で集束さ
れ試料３０に照射される。
ーム装置１０は上端に電子或はイオンのように荷電粒子
を出射する荷電粒子銃１２を有し、この荷電粒子銃１２
が出射する荷電粒子を加速電極（特に図示しない）によ
って加速し、荷電粒子ビーム１１を形成する。荷電粒子
ビーム１１は荷電粒子レンズ１３，１４，１５で集束さ
れ試料３０に照射される。
荷電粒子レンズ１３．１４は鏡筒１６に固定されるが、
試料３０（：最も近い荷電粒子レンズ１５は鏡筒１６に
対してその軸芯方向に移動できるように支持される。
試料３０（：最も近い荷電粒子レンズ１５は鏡筒１６に
対してその軸芯方向に移動できるように支持される。
第２図に荷電粒子レンズ１５をレンズ系の軸芯方向に可
動させるレンズ可動機構の具体例を示す。
動させるレンズ可動機構の具体例を示す。
図中１７はこの可動機構を総称して示す。この例では鏡
筒１６の内周にフランジ１８を設け、このフランジ１８
に回り止め用シャツ）１８Ａを植設し、このシャツ）１
８Ａを荷電粒子レンズ１５の外周に突設したフランジ部
１５ＡＣ貫通させ、荷電粒子レンズ１５を回り止めした
状態でレンズ系の軸方向に移動できるように支持される
。
筒１６の内周にフランジ１８を設け、このフランジ１８
に回り止め用シャツ）１８Ａを植設し、このシャツ）１
８Ａを荷電粒子レンズ１５の外周に突設したフランジ部
１５ＡＣ貫通させ、荷電粒子レンズ１５を回り止めした
状態でレンズ系の軸方向に移動できるように支持される
。
荷電粒子レンズ１５の上部には筒状ネジ１５Ｂを取付け
る。筒状ネジ１５Ｂの外周面に雄ネジ１５Ｃが形成され
、この雄ネジ１５Ｃに雌ネジリング１９を螺合させる。
る。筒状ネジ１５Ｂの外周面に雄ネジ１５Ｃが形成され
、この雄ネジ１５Ｃに雌ネジリング１９を螺合させる。
雌ネジリング１９はフランジ１８に回転自在に支持され
、外周にギヤ面１９Ａを有し、このギャ面１９Ａｉニベ
ベルギャ１９Ｂを噛合させる。ベベルギヤ１９Ｂは鏡筒
１６を貫通する軸１９Ｃに連結され、鏡筒１６の外部か
ら回転させることができる構造とされる。このような構
造により軸１９Ｃを鏡筒１６の外部から回転させ、ベベ
ルギヤ１９Ｂを介して雌ネジリング１９をハンドル或は
モータ等によって回転させることにより荷電粒子レンズ
１５をレンズ系の軸芯方向に移動させることができる。
、外周にギヤ面１９Ａを有し、このギャ面１９Ａｉニベ
ベルギャ１９Ｂを噛合させる。ベベルギヤ１９Ｂは鏡筒
１６を貫通する軸１９Ｃに連結され、鏡筒１６の外部か
ら回転させることができる構造とされる。このような構
造により軸１９Ｃを鏡筒１６の外部から回転させ、ベベ
ルギヤ１９Ｂを介して雌ネジリング１９をハンドル或は
モータ等によって回転させることにより荷電粒子レンズ
１５をレンズ系の軸芯方向に移動させることができる。
第３因の例は雌ネジリング１９を鏡筒１６の内周面に沿
って配置し、この雌ネジリング１９の酸ネジにレンズ１
５の外周に突設したフランジ１５Ａの外周に形成した雄
ネジを螺合させ、雌ネジリング１９をその一端部に形成
した歯１９Ａに噛合させたピニオン１９１）で回転させ
るように構成した場合を示す。
って配置し、この雌ネジリング１９の酸ネジにレンズ１
５の外周に突設したフランジ１５Ａの外周に形成した雄
ネジを螺合させ、雌ネジリング１９をその一端部に形成
した歯１９Ａに噛合させたピニオン１９１）で回転させ
るように構成した場合を示す。
このように構成した場合も軸１９Ｃをハンドル又はモー
タ等によって回転させることにより雌ネジリンン・グ、
１．９が回転され、この雌ネジリ、７ング：１９が回転
されることＣ二より荷電粒子レンズ１５がレンズ系の軸
芯方向に可動される。
タ等によって回転させることにより雌ネジリンン・グ、
１．９が回転され、この雌ネジリ、７ング：１９が回転
されることＣ二より荷電粒子レンズ１５がレンズ系の軸
芯方向に可動される。
このようにして試料３０（：最も近い荷電粒子レンズ１
５をレンズ系の軸芯に沿って移動させることＣ二よって
荷電粒子ビーム１１の焦点の位置をレンズ系の軸方向に
位置Ａから位置Ｂの範囲にわたって移動させることがで
きる。この結果試料３０の厚み等の違いによって試料３
０の面の位置が変わっても焦点の位置を試料３０の表面
（ユ容易に合致させることができる。
５をレンズ系の軸芯に沿って移動させることＣ二よって
荷電粒子ビーム１１の焦点の位置をレンズ系の軸方向に
位置Ａから位置Ｂの範囲にわたって移動させることがで
きる。この結果試料３０の厚み等の違いによって試料３
０の面の位置が変わっても焦点の位置を試料３０の表面
（ユ容易に合致させることができる。
ところで第１図に示すように試料３０に最も近いレンズ
１５と２番目（＝近いレンズ１４との間の荷電粒子ビー
ムを平行ビームとなるようにレンズ１３．１４の条件を
設定すると、レンズ１５には平行ビームが入射される。
１５と２番目（＝近いレンズ１４との間の荷電粒子ビー
ムを平行ビームとなるようにレンズ１３．１４の条件を
設定すると、レンズ１５には平行ビームが入射される。
従ってこのよう【：レンズ１５に入射する荷電粒子ビー
ムを平行ビームとすることにより、レンズ１５を移動さ
せてもレンズ１５を通過した後のビーム開き角β１．β
２はβ１＝β２となる。よってレンズ系の倍率α／β１
及びα／β２はレンズ１５がどこζ二あっても一定とな
り、試料３０への照射点におけるビームの径を一定にす
ることができる。
ムを平行ビームとすることにより、レンズ１５を移動さ
せてもレンズ１５を通過した後のビーム開き角β１．β
２はβ１＝β２となる。よってレンズ系の倍率α／β１
及びα／β２はレンズ１５がどこζ二あっても一定とな
り、試料３０への照射点におけるビームの径を一定にす
ることができる。
結局レンズ１５を移動させても試料３０への照射点にお
けるビームの直径は不変であるため分解能を一定に床て
る優れた効果が得られる。
けるビームの直径は不変であるため分解能を一定に床て
る優れた効果が得られる。
「第３発明の実施例」
第４図（：示すようにレンズ１５と１４の間のビームの
状態か平行ビームでない場合でも、レンズ１５を例えば
位置ＢからＡに回って上方Ｃ二移動させた場合、その移
動量に対応してレンズ１４の励磁電流を漸次増加させる
か、又はレンズ１５の励磁電流を自己の移動量に対応し
て漸次増加させるか、或はレンズ１４と１５の双方の励
磁電流をレンズ１５の移動量に対窓させて漸次増加させ
、レンズ１５を通過した後のビーム開き角βをレンズ１
５の移動：：関わらず一定値を維持するように制御する
ことができる。
状態か平行ビームでない場合でも、レンズ１５を例えば
位置ＢからＡに回って上方Ｃ二移動させた場合、その移
動量に対応してレンズ１４の励磁電流を漸次増加させる
か、又はレンズ１５の励磁電流を自己の移動量に対応し
て漸次増加させるか、或はレンズ１４と１５の双方の励
磁電流をレンズ１５の移動量に対窓させて漸次増加させ
、レンズ１５を通過した後のビーム開き角βをレンズ１
５の移動：：関わらず一定値を維持するように制御する
ことができる。
この制御は例えば第５図に示すような回路で行なうこと
ができる。第５図に示すポテンショメータ２１は先に説
明したレンズ１５の可動機構に連動して調整され、出力
電圧ＥＶがレンズ１５の位置に対応して変化するように
動作する。
ができる。第５図に示すポテンショメータ２１は先に説
明したレンズ１５の可動機構に連動して調整され、出力
電圧ＥＶがレンズ１５の位置に対応して変化するように
動作する。
ポテンショメータ２１から出力された電圧ＥＶは制御器
２２に入力される。制御器２２はレンズ１４の励磁電源
２３と、レンズ１５の励磁電源２４に制御信号ＥＣ，、
ＥＣ２を与えレンズ１４と１５の励磁電流を制御する。
２２に入力される。制御器２２はレンズ１４の励磁電源
２３と、レンズ１５の励磁電源２４に制御信号ＥＣ，、
ＥＣ２を与えレンズ１４と１５の励磁電流を制御する。
この場合レンズ１４の励磁電流だけを制御する場合には
レンズ１５の励磁電源２４に与える制御信号ＥＣ１はレ
ンズ１５の移動に関わらず一定値に医たれる。またレン
ズ１４と１５の双方の励磁電流を制御するＣ二は制御信
号ＥＣ，とＥＣ２の双方をレンズ１５の移動量Ｃ二対窓
して変化させる。
レンズ１５の励磁電源２４に与える制御信号ＥＣ１はレ
ンズ１５の移動に関わらず一定値に医たれる。またレン
ズ１４と１５の双方の励磁電流を制御するＣ二は制御信
号ＥＣ，とＥＣ２の双方をレンズ１５の移動量Ｃ二対窓
して変化させる。
尚この制御は第６図に示すよう１二レンズ１４と１５の
間（ニクロスオーバを形成する場合にも適用することが
できる。
間（ニクロスオーバを形成する場合にも適用することが
できる。
「発明の効果」
以上説明したようＣ二この発明によれば試料３０に最も
近いレンズ１５の位置を移動させること５二よって荷電
粒子ビーム１１の焦点位置を調整する構造としたから、
試料３０の高さに連いがあっても試料３０の面に荷電粒
子ビーム１１の焦点を合致させることができる。
近いレンズ１５の位置を移動させること５二よって荷電
粒子ビーム１１の焦点位置を調整する構造としたから、
試料３０の高さに連いがあっても試料３０の面に荷電粒
子ビーム１１の焦点を合致させることができる。
特にこの構造により試料３０をチャンバ５０の外から移
動させる場合より構造を簡単（ニすることができる。
動させる場合より構造を簡単（ニすることができる。
またこの出頗の第２発明、第３発明によればレンズ１５
を移動させた場合に、レンズ１５を通過した後の荷電粒
子ビーム１１のビーム開き角βが一定を維持するように
構成するからレンズ１５の位置を移動させ荷電粒子ビー
ムの焦点の位置を移動させても焦点上のビームの直径は
一定値に維持される。よって分解能も一定（；維持され
、取扱いが容易なＩＣ試験装置或は走査型電子顕微鏡等
を構成することかできる。
を移動させた場合に、レンズ１５を通過した後の荷電粒
子ビーム１１のビーム開き角βが一定を維持するように
構成するからレンズ１５の位置を移動させ荷電粒子ビー
ムの焦点の位置を移動させても焦点上のビームの直径は
一定値に維持される。よって分解能も一定（；維持され
、取扱いが容易なＩＣ試験装置或は走査型電子顕微鏡等
を構成することかできる。
第１因はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図及び
第３因はこの発明の要部の実施例を示す断面囚、第４図
は荷電粒子ビームの集束方法の他の実施例を示す図、第
５因は荷電粒子レンズの励磁電流を制御する回路の一例
を示すブロック図。 第６因は荷電粒子ビームの集束方法の更（２他の例を示
す図、第７因は従来の技術を説明するための断面図であ
る。 ｌＯ：荷電粒子ビーム装置、１に荷電粒子ビーム、１２
：荷電粒子銃、１３，１４．１５：荷電粒子レンズ、１
６：鏡筒、１７：レンズ可動機構、３０：試料、４０：
試料支持台、５゜：チャンバ、６０：２次電子検出器、
７０：真空ポンプ。 特許出願人 株式会社 アトパンテスト代 理
人 草 野 卓ル １ 図 （テストヘッド） Ｌ−一−−−−−−−−−−−−−−−−−コ＋６
図 オ ７ 図 （テストヘッド）
第３因はこの発明の要部の実施例を示す断面囚、第４図
は荷電粒子ビームの集束方法の他の実施例を示す図、第
５因は荷電粒子レンズの励磁電流を制御する回路の一例
を示すブロック図。 第６因は荷電粒子ビームの集束方法の更（２他の例を示
す図、第７因は従来の技術を説明するための断面図であ
る。 ｌＯ：荷電粒子ビーム装置、１に荷電粒子ビーム、１２
：荷電粒子銃、１３，１４．１５：荷電粒子レンズ、１
６：鏡筒、１７：レンズ可動機構、３０：試料、４０：
試料支持台、５゜：チャンバ、６０：２次電子検出器、
７０：真空ポンプ。 特許出願人 株式会社 アトパンテスト代 理
人 草 野 卓ル １ 図 （テストヘッド） Ｌ−一−−−−−−−−−−−−−−−−−コ＋６
図 オ ７ 図 （テストヘッド）
Claims (3)
- （１）荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃と、荷電粒
子ビームを結像する複数個の荷電粒子レンズ及び２次電
子検出手段を具備した荷電粒子ビーム装置において、 荷電粒子レンズが２個以上の複数個のレンズを用いて構
成され、試料に最も近接している荷電粒子レンズがレン
ズ系の軸方向に機械的に移動可能となるように構成した
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - （２）荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃と、荷電粒
子ビームを結像する複数個の荷電粒子レンズ及び２次電
子検出手段を具備した荷電粒子ビーム装置において、 試料に最も近接している荷電粒子レンズと、２番目に近
接している荷電粒子レンズ間の荷電粒子ビームの状態が
平行ビームであることを特徴とした荷電粒子ビーム装置
。 - （３）荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃と、荷電粒
子ビームを結像する複数個の荷電粒子レンズ及び２次電
子検出手段を具備した荷電粒子ビーム装置において、 荷電粒子レンズが２個以上の複数のレンズを用いて構成
され、試料に最も近接している荷電粒子レンズが荷電粒
子レンズ系の軸方向に機械的に移動可能となるように構
成されると共に、上記試料に最も近接している荷電粒子
レンズを移動させた場合に、上記複数個の荷電粒子レン
ズの荷電粒子ビームの入射開き角、出射開き角との比が
常に一定に保たれるように、上記複数個の荷電粒子レン
ズの励磁電流を制御することを特徴とする荷電粒子ビー
ム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229626A JPH0278144A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229626A JPH0278144A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278144A true JPH0278144A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16895142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63229626A Pending JPH0278144A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0278144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268788A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Ims Nanofabrication Gmbh | 粒子光学投影装置 |
| JP2017126476A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社荏原製作所 | ズームレンズ及び検査装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978435A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Internatl Precision Inc | 走査型電子線装置 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63229626A patent/JPH0278144A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978435A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Internatl Precision Inc | 走査型電子線装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268788A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Ims Nanofabrication Gmbh | 粒子光学投影装置 |
| JP2017126476A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社荏原製作所 | ズームレンズ及び検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210210303A1 (en) | Particle beam system for adjusting the current of individual particle beams | |
| DE69224506T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
| JP3897271B2 (ja) | 加工観察装置及び試料加工方法 | |
| JP3754696B2 (ja) | 電気的に絶縁された標本表面の分析装置 | |
| DE69406739T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
| TWI592976B (zh) | Charged particle beam device and inspection method using the device | |
| US7755043B1 (en) | Bright-field/dark-field detector with integrated electron energy spectrometer | |
| US10483084B2 (en) | Object preparation device and particle beam device having an object preparation device and method for operating the particle beam device | |
| US10658152B1 (en) | Method for controlling a particle beam device and particle beam device for carrying out the method | |
| US4044254A (en) | Scanning corpuscular-beam transmission type microscope including a beam energy analyzer | |
| US11837434B2 (en) | Setting position of a particle beam device component | |
| JPH0278144A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| US10460904B2 (en) | Imaging device for imaging an object and for imaging a structural unit in a particle beam apparatus | |
| JP2007504606A (ja) | 粒子光学装置 | |
| DE102019217080B4 (de) | Elektronenstrahlvorrichtung | |
| US20230260744A1 (en) | Method for producing a sample on an object, computer program product, and material processing device for carrying out the method | |
| JPS63254649A (ja) | 走査電子顕微鏡による観察装置 | |
| US20060255288A1 (en) | Method and system for discharging a sample | |
| JP7030089B2 (ja) | インプットレンズおよび電子分光装置 | |
| JPH11135052A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP6705946B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH0675042B2 (ja) | Ｘ線断層像撮影装置 | |
| JPH0883589A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP5174483B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法 | |
| JPH07288096A (ja) | 試料の帯電検出方法および走査電子顕微鏡 |