JPH0279711A - ガス絶縁容器 - Google Patents

ガス絶縁容器

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JPH0279711A
JPH0279711A JP63276808A JP27680888A JPH0279711A JP H0279711 A JPH0279711 A JP H0279711A JP 63276808 A JP63276808 A JP 63276808A JP 27680888 A JP27680888 A JP 27680888A JP H0279711 A JPH0279711 A JP H0279711A
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JP
Japan
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coating layer
dielectric coating
conductor
dielectric
metal casing
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Pending
Application number
JP63276808A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Haneuma
洋之 羽馬
Hiroshi Aoki
浩 青木
Hiroshi Yamamoto
宏 山本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G5/00—Installations of bus-bars
    • H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
    • H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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    • H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
    • H02G5/063—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings filled with oil or gas
    • H02G5/065—Particle traps

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  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)
  • Installation Of Bus-Bars (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はガス絶縁開閉装置等を収納するガス絶縁容器
、特に、その内部において発生する金属粒子の絶線部分
への付着による絶縁性低下の抑制を図ったガス絶縁容器
に関するものである。
〔従来の技術〕
例えば特公昭60−28216号公報に示された従来の
ガス絶縁開閉装置等を収納したガス絶縁容器を第14図
および第15図を用いて説明する。第14図はガス絶縁
容器の縦断面図、第15図は同横断面図である。
図において、ガス絶縁容器は内部に絶縁性ガス6を封入
する金属筐体1と、高電圧を印加される導体2と、導体
2を絶縁支持する絶縁スペーサ3と、金属筐体lの内表
面に施された誘電体コーティング層4と、各導体2を接
続する通電接触子7と、通電接触子7をシールドする電
界緩和シールド5とを具備し、金属筐体lと絶縁スペー
サ3とはボルト8およびナツト9で密着固定されている
。
金属筐体1の内部1aにはアーク発生等に伴って生じた
金属粒子10が混在している。
アーク放電等により発生して金属筐体1の内部空間に存
在する金属粒子10は、一般に金属粒子10と筐体lの
誘電体コーティング層4の内表面との間の部分放電ある
いは、金属筐体1の内表面に発生した電荷が誘電体コー
ティング層を貫通することなどにより金属粒子10に供
給され、金属粒子10が帯電される。そして帯電金属粒
子が付着接触している誘電体表面の部分には電界の集中
が生じる。
この集中した電界のため金属粒子は浮として交流電界に
よりランダム運動をくり返し絶縁スペーサ3等に付着し
て絶縁性を低下させる。
なお一般に誘電体コーティング層4は、本来は金属筐体
1の内表面の防錆対策および導体2および金属筐体1の
温度上昇対策のために設けられたものであり、金属筐体
1の内表面の電界強度が充分低く設定されている場合は
、金属粒子10が帯電しても誘電体コーティング層4に
よりある程度その飛翔は抑制される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のガス絶縁容器は以上のように構成されているため
、金属筐体1の内表面の電界強度が充分低い場合には金
属粒子10の飛翔を抑制することが可能である。しかし
ながら、UHV級ガス絶縁開閉装置等に適用した場合に
は、通常の運転時における金属容器内表面の電界強度が
高いため、帯電した金属粒子10が飛翔しやすく、絶縁
スペーサ3等に金属粒子10が付着すると著しい耐電圧
性能の低下を引き起こすという問題点を有していた。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たものであり、金属筐体の内表面の電界強度が高い場合
でも十分に金属粒子の飛翔を抑制するガス絶縁容器を提
供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る請求項1のガス絶縁容器は、高電圧が印
加される導体と、 導体を絶縁支持する絶縁スペーサと、 絶縁スペーサおよび絶縁スペーサに絶縁支持された導体
を内包する金属筐体と、 金R筐体の内面上に設けられた第1の誘電体コーティン
グ層と、 第1の誘電体コーティング層とに密着して設けられた第
2の誘電体コーティング層と、金属筐体内部に封止され
た絶縁性ガスと、を具備したものである。
この発明に係る請求項2のガス絶縁容器は、高電圧が印
加される導体と、導体を絶縁支持する絶縁スペーサと、
絶縁スペーサおよび絶縁スペーサに絶縁支持された導体
を内包する金属筐体と、金属筐体の底部内面に電界緩和
領域を形成する電界緩和手段と、金属筐体の内面上に設
けられた第1の誘電体コーティング層と、第1の誘電体
コーティング層に密着して少なくとも電界緩和領域に設
けられた第2の誘電体コーティング層と、金属筐体内に
封止された絶縁性ガスと、を具備したものである。
〔作用〕
第1の誘電体コーティング層は、従来例の誘電体コーテ
ィング層と同様、金属筐体の内表面の錆および導体およ
び金属筐体の温度上昇等を防止する。
第2の誘電体コーティング層に、例えば高抵抗材料の誘
電体を用いた場合、金属筐体から第2の誘電体コーティ
ング層を隔てて誘起される電荷の発生を防止し、金属粒
子の帯電が抑制される。
また第2のコーティング層に低誘電率材料を用いた場合
、金属粒子が第2の誘電体コーティング層と接融しても
第2の誘電体コーティング層近傍の電界が弱いため、金
属粒子の帯電が抑制される。
〔実施例〕
この発明をこ係るガス絶縁容器を第1の実施例を示す第
1図および第2図を用いて説明する。第1図はこの発明
(こ係るガス絶縁容器の縦断面図、第2図は同横断面図
である。なお、従来例と同一の番号を付した部材は同一
とする。
図において、ガス絶縁容器は内部に絶縁性ガス6を封入
する金属筐体1と、高電圧を印加される導体2と、導体
2を絶縁支持する絶縁スペーサ3と、金属筐体1の内表
面に施された第1の誘電体コーティング層12と、第1
の誘電体コーティング層12の上に密着して設けられた
第2の誘電体コーティング層11と、各導体2を接続す
る通電接触子7と、通電接触子7をシールドする電界緩
和シールド5とを具備し、金属筐体1と絶縁スペーサ3
とはボルト8およびナツト9で密着固定されている。金
属筐体1の内部1aにはアーク発生等に伴って生じた金
属粒子10が存在している。
第3図は第1の実施例を三相−括型ガス絶縁開閉装置等
に応用した場合の横断面を示す。第2図および第3図に
おいて、第1および第2の誘電体コーティング層12お
よび11は金属筐体1の内面の全部分に設けられている
。
第2の誘電体コーティング層11に高抵抗率材料の誘電
体を用いた場合、金属筐体1から第2の誘電体コーティ
ング層11を隔てて誘起される電荷が発生しにくくなり
、金属粒子10の帯電が抑制される。
また第2の誘電体コーティング層11に低誘電率材料を
用いた場合、金属粒子10と第2の誘電体コーティング
層11との接触部およびその近傍の電界の集中が弱めら
れ、金属粒子10と第2の誘電体コーティング層11と
の間での放電は発生しにくくなる。そのため、金属粒子
10の帯電°が抑制できる。
次に第4図および第5図にこの発明に係るガス絶縁容器
の第2の実施例を示す。第4図は第2の実施例の縦断面
図であり、第5図は同横断面図である。なお、第1図お
よび第2図に示した第1の実施例と同一の番号を付した
部材は同一とする。
第4図および第5図において、第2の誘電体コーティン
グ層11を金属粒子10が付着しやすい金属筐体1の底
面部に限定して設けたものである。
第6図は第2の実施例を三相−話形ガス絶縁開閉装置等
に応用した場合の横断図を示す。
第7図はこの発明に係るガス絶縁容器の第3の実施例を
示す縦断面図である。図中、第2の誘電体コーティング
層11を金属筐体1の内表面との高電界部および絶縁ス
ペーサ3の近傍でかつ金属筐体lの底面部に限定して設
けたものである。
以との実施例に示すようにこの発明によれば金属粒子l
Oの帯電そのものが抑制されるため、金属筐体1の内表
面に大きな電界集中が生じるため金属粒子10の飛翔お
よび絶縁スペーサ3等への付着は抑制される。
第8図、第9図はこの発明に係るガス絶縁容器の第4の
実施例を示す縦断面図及び横断面図である。図中、第1
図及び第2図に示した第1の実施例と同一の番号を付し
た部材は同一とする。13は金属筐体lの底部近傍に内
側から外側へ向って設けられた電界緩和手段としての突
出部、14はこの突出部13の蓋であり、蓋14の内面
には第1の誘電体コーティング層12へ密着して第2の
誘電体コーティング層11が設けられている。該第4の
実施例では突出部13内は導体2からの距離が他の部分
より遠くにあり電界緩和領域となっており、さらに第2
の誘電体コーティング層11による帯電抑制により金属
粒子10の再浮上を防止してこの突出部13内へ捕捉す
る構成となっている。そして当ガス絶縁容器の長期使用
中に溜った金属粒子10の取出し清掃が蓋14を1封す
ることにより容易にできる等の利点がある。
第10図及び第11図はこの発明に係るガス絶縁容器の
第5の実施例を示す縦断面図及び横断面図である。図中
、第1図および第2図に示した第1の実施例と同一の番
号を付した部材は同一とする。
15は導体2と金属筐体1の底部内面との間に1配置部
内面と間隙を隔て沿って設けられた電界緩和手段として
のシールドであり、この間隙へ通ずる多数の小孔15a
が配設されている。該実施例においては、シールド15
と金属筐体1の底部内面との間に形成される間隙はシー
ルド15の遮蔽効果により電界緩和領域となっており、
シールド15の末端または小孔15aからこの間隙に入
った金属粒子10は第2の誘電体コーティング層11の
帯電抑制と低電界により再浮とを防止され捕捉される。
なお、この第5の実施例において、第2の誘電体コーテ
ィング層11をシールド15により覆われた部分にのみ
設けてもよい。
第12図及び第13図はこの発明に係るガス絶縁容器の
第6の実施例を示す縦断面図及び横断面図である。図中
、第8図及び第9図に示した第4の実施例と同一の番号
を付した部材は同一とする。16は突出部13の底面に
沿って導体2との間に設けられた電界緩和手段としての
シールドであり、突出部13へ通ずる多数の小孔16a
が配設されている。
突出部13は導体2から離れていることと、シールド1
6の遮蔽効果による電界緩和領域となっており、突出部
13へ入った金属粒子10はシールド16と第2の誘電
体コーティング層11の帯電抑制により、より確実に捕
捉される。
さらに、第1の誘電体コーティング層12に高抵抗率材
料の誘電体例えばElectret(F Iuorin
ated”−ethylene−propylene−
copolymer :体積抵抗率>10”Ω−cm)
等を用い、第2の誘電体コーティング層に低誘電率材料
の誘電体例えばFEP(比誘電率=zO)等を用いれば
、上記金属粒子10の飛翔抑制効果は一層顕著である。
また、第2の誘電体コーティング層11の材料として第
1の誘電体コーティング層12と同一材料の誘電体を用
いても、従来例と比べて誘1毬体コーティング層の膜厚
を増加させることになり同様の効果を得ることができる
。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の請求項1によれば金属筐体の
内表面上の第1の誘電体コーティング層上にさらに第2
の誘電体コーティング層を設けているので、金属筐体内
部の金属粒子の帯電そのものが抑制されるので、金属筐
体内表面の電界強度が高くても金属粒子は飛翔しにくく
なる。その結果として、絶縁スペーサ等への金属粒子の
付着が抑制され、絶縁スペーサ等の耐電圧性の低下を防
止することができるという効果を有する。
また、この発明の請求項2によれば、金属筐体部に設け
られた第1の誘電体コーティング層及び第2の誘電体コ
ーティング層と、金属筐体の底部内面に形成される電界
緩和領域とにより、電界緩和領域へ入った金属粒子を低
電界と誘電体コーティング層により帯電抑制により、再
浮上を防止し捕捉するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
@1図はこの発明に係るガス絶縁容器の第1の実施例を
示す縦断面図、第2図は同横断面図、第3図は第1の実
施例を三相−括型ガス絶縁開閉装置に応用した場合を示
す横断面図、第4図はこの発明に係るガス絶縁容器の第
2の実施例を示す縦断面図、第5図は同横断面図、第6
図は第2の実施例を三相−括型ガス絶縁開閉装置に応用
した場合を示す横断面図、第7図はこの発明に係るガス
絶縁容器の第3の実施例を示す縦断面図、第8図はこの
発明に係るガス絶縁容器の第4の実施例を示す縦断面図
、第9図は同横断面図、第10図はこの発明に係るガス
絶縁容器の第5の実施例を示す縦断面図、第11図は同
横断面図、第12図はこの発明に係るガス絶縁容器の第
6の実施例を示す縦断面図、第13図は同横断面図、第
14図は従来のガス絶縁容器を示す縦断面図、第15図
は同横断面図である。 図中、1は金属筐体、2は導体、3は絶縁スペーサ、6
は絶縁性ガス、10は金属粒子、11は第2の誘電体コ
ーティング1.12は第1の誘電体コーティング層、】
3は突出部、15.16はシールドである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高電圧が印加される導体と、 前記導体を絶縁支持する絶縁スペーサと、 前記絶縁スペーサおよびこの絶縁スペーサに絶縁支持さ
    れた導体を内包する金属筐体と、前記金属筐体の内面上
    に設けられた第1の誘電体コーティング層と、 前記第1の誘電体コーティング層上に密着して設けられ
    た第2の誘電体コーティング層と、前記金属筐体内部に
    封止された絶縁性ガスと、を具備したガス絶縁容器。
  2. (2)高電圧が印加される導体と、前記導体を絶縁支持
    する絶縁スペーサと、前記絶縁スペーサおよびこの絶縁
    スペーサに絶縁支持された導体を内包する金属筐体と、
    前記金属筐体の底部内面に電界緩和領域を形成する電界
    緩和手段と、前記金属筐体の内面上に設けられた第1の
    誘電体コーティング層と、前記第1の誘電体コーティン
    グ層に密着して少なくとも前記電界緩和領域に設けられ
    た第2の誘電体コーティング層と、前記金属筐体内部に
    封止された絶縁性ガスと、を具備したガス絶縁容器。
JP63276808A 1988-06-23 1988-10-31 ガス絶縁容器 Pending JPH0279711A (ja)

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