JPH0280179A - 定温溶接方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、所定の最小昇温時間を使用しながら一定温度
で融接を行うための技術に関するものである。

最新の補修方法および製造方法においては、溶接が必要
とされることが多い。溶接によれば、他の接合方法とは
異なり、母材と同等もしくはほとんど同等の強度を持っ
た継手が得られる。原始的な溶接方法は火床、金敷およ
びハンマを使用するものであった。このような道具の使
用によって形成される溶接部は職人の技巧に応じて良く
も悪くもなるが、バラツキの多いことだけは確かである
。

信頼度が益々重要視されるようになった結果、自動化さ
れた溶接装置や精巧な電気溶接機［たとえば、１９８２
年１１月１６日イ寸けのドストーミアン（Ｄｏｓｔｏｏ
ｍｉａｎ）等の米国特許第４３５９６２２号明細書中に
記載のごとき装置］が開発された。

ドストーミアン等の装置においては、複雑な制御器およ
び各種の温度センサを使用することにより、溶接すべき
区域における加工物の温度が、以前に溶接されかつ試験
によって十分な強度を有することが判明している加工物
の場合と同じ温度経路をたどるようにして電力が供給さ
れる。

様々な理由から、なお−層高い信頼度を持った溶接部を
形成することが所望される場合がある。

たとえば自動車製造業者は、保証費用の低減のごとき経
済的な動機から、個々の溶接操作間におけるバラツキが
少ないことによって一定した強度特性を有すると共に、
腐食あるいはく応力関連腐食がもたらすミクロ割れの成
長に原因する）破損を生じることの少ない顕微鏡組織を
有するような溶接部を形成することを望んでいる。

溶接部の形成に際しては、接合すべき２個の加工物の材
料間に複雑な融合現象が起こる。たとえば、銀（Ａｇ）
および銅（ｃｕ）から成る２個の加工物を溶接する場合
には、溶接部の形成に際してＡｇ原子がＣｏ中に拡散す
ると共に、Ｃｕ原子がＡｇ中に拡散する。たとえばビー
・ジー・シューモン（Ｐ、Ｇ、　Ｓｈｅｗｍｏａ）の著
書「デイフュージョン・イン・ソリッズ（Ｄｉｆｆｕｓ
ｉｏｎ　ｉｎ　５ｏｌｉｄｓ）　Ｊ　　（マグロ−ヒル
・ブック・カンパニー　ニューヨーク、１９６３年）中
に記載されているような統計学的理論に基づけば、特定
の温度Ｔにおいて１個の原子が特定の時間ｔの間に最初
の位置から移動する距離は下記の式によって与えられる
。

ｘ＝　（６ＤＴ）１／２　　　　　　　　（１）上記式
中、Ｘは最初の位１からの距離、Ｄは温度Ｔにおける拡
散係数、そしてｔは時間である。また、拡散係数りは下
記の関係式によって与えられる。

Ｄ＝Ｄｏ　　ｅｘｐ（Ｑ／ｋＴ）　　　　　　　（２＞
上記式中、Ｄｏは指数の前における拡散係数、Ｑは拡散
の活性化エネルギー、Ｔはケルビン単位の温度、そして
ｋはボルツマン定数（１，９９ｃａｌ／腸ｏ１ｅ・に）
である。

ＤｏおよびＱは個々の材料に関して定義されるパラメー
タである。それらの値は実験的に測定されていて、たと
えば「ハンドブック・オブ・ケミストリー・アンド・フ
ィジックス（Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆＣｈｅ＋ｍ１ｓｔ
ｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）」（ｃＲＣブレス、オ
ハイオ州クリーブランド、１９７４年）のごとき文獄中
に見出すことができる。上記のごとき式および定数から
明らかな通り、溶接の継続時間（すなわち溶接時間）が
一定であれば、溶接温度が高いほど原子は最初の位置か
ら遠くにまで移動する。

また、溶接温度が一定であれば、移動時間（すなわち溶
接時間）が長くなるほど原子は最初の位置から遠くにま
で移動する。

通常の溶接に際しては、はとんど全ての場合に異種の原
子が関与する。これは、接合すべき加工物が名目上は同
じ材料から成る場合であっても言えることである。その
理由は、かかる材料が完全に純粋であることはなくて、
通常はかなりの量の不純物を含有することにある。　た
とえば、銀は「貨幣銀」として入手し得るが、それの純
度は９０％であって、残部は主として銅から成る。また
、純度９９．５％および９９．９％の銀中にも、炭素、
ニッケル、硫黄、酸素および塩素が不純物として存在し
ている６更にまた、鉄はしばしば炭素を含有すると共に
、少量の各種元素（たとえば、クロム、マンガン、ニッ
ケル、ケイ素およびチタン）をも含有することが知られ
ている。異種材料の溶接に際しては、あるいは同種材料
の溶接に際しても、加熱区域内には各種の化合物あるい
は同じ化合物の各種固相が生成することがある０便宜上
、それらの全てを「相」と呼ぶことにする。一般的に述
べれば、かかる相は母材とは異なる化学組成または顕微
鏡組織を有する部位である。溶接継手の強度は、それに
含有される主相以外の相の数およびかかる相の粒度に依
存することがある。

新しい相の核生成および成長に関しては様々な理論が立
てられている。核生成速度および成長速度の厳密な表現
は複雑であって、各種の変数が関与する。新しい相の核
生成速度と温度および時間との関係は、−ｍに下記の式
によって表わすことができる。

１ｏｃ　ｅｘｐ（−Ｇ／ｋＴ）　　　　　　（３）上記
式中、■は核生成速度、Ｇは活性化エネルギー、ｋはボ
ルツマン定数、そしてＴは温度である。

式（３）から明らかな通り、新しい相の核生成速度は温
度の上昇に伴って指数関数的に増大する。

新しい相の核が生成した場合、初期段階においては、特
定温度下での成長速度は下記の式によって表わされる。

Ｙｏｃ（ｔ）３／２　　　　　　　　　　　　　　　（
４）上記式中、Ｙは成長速度、そしてｔは時間である。

式（４ンかられかる通り、少なくとも初期段階において
は、新しい相の核はｔ３／２に比例した速度で成長する
。従って、溶接時間が長くなると、溶接時間が短い場合
より大きい粒子が溶接部に生成することになる。溶接部
に含まれる異種用の粒度は、溶接部の特性に顕著な影響
を及ぼすことがある。

言うまでもなく、母材から成る所望の相と異なる相は溶
接部中に実質的に存在しないこと、あるいはかかる相が
存在してもそれの粒度が小さいことが望ましいわけであ
る。

特定の実例について述べれば、０．５％のニッケルを不
純物として含有した銀から成る２個の加工物を溶接する
場合には、Ａｇ５Ｎ＋から成る不要な相の核生成が起こ
り、そしてそれの核がほぼ球状を成して成長することが
ある。このようにして核生成したＡｇ３Ｎｉは０．５％
でなく２５％のＮｉを含有し、従って母材中からＮｉを
奪うことになる。

それ故、溶接部の母材中におけるＮｉの量は核生成部位
の数に依存すると共に、核生成によって生じた固相の成
長時間および成長速度に依存するのである。なお、Ａｇ
５Ｎｒ以外の相は細長い形状または結晶質構造を有する
こともある。核生成した相と母材との間における界面の
、大きさおよび物理的性質に応じ、溶接部は多少脆くな
ったり、強度が異なったり、更には方向によって相異な
る特性（すなわち異方性）を示したりすることがある。

それ故、個々の溶接操作間におけるバラツキの少ない溶
接技術が要望されているのである。

発明の要約 本発明に従えば、２個の加工物同士を溶接するための方
法および装置が提供される０本発明の方法は、溶接すべ
き区域付近の 参什鴎温度を監視しかつ制御しながら、所定の最小値を
越える昇温速度で溶接すべき区域付近の材料の温度を上
昇させるのに十分な量のエネルギーを溶接すべき２個の
加工物に供給するというものである。エネルギーの供給
によって溶接すべき区域の温度が所定温度に達したなら
ば、温度監視器を使用してエネルギー供給量のフィード
バック制御を行い、それにより所定時間にわたって所定
温度が維持される。実施の一態様に従えば、上記の昇温
速度は所定温度の７０％を所定時間の２０％で割った値
より大きくなるように選定される。本発明の別の実施の
態様に従えば、所定時間の終了後における温度降下速度
が所定の最小値を越えるように加工物が急冷される。

発明の詳細な説明 本発明が解決すべき特定の課題は、多数の加熱および冷
却サイクルへの暴露をもたらす低地球軌道上において使
用するための太陽電池パネルの信頼度を高める必要性か
ら生じたものである。太陽電池の金属被覆部分を相互接
続用のストリップにはんだ付けして成る太陽電池パネル
においては、はんだ継手の破損のために所望レベルの信
頼度が得られないことがある。先ず第１図を見ると、複
数個の個別太陽電池１０ａ、１０ｂ、１０Ｃ５・・・お
よび１０ｆが直方体として示されている。これらの太陽
電池が互いに分離したものであることを明示するため、
それらは互いに離隔した状態で図示されている。しかし
、表面被覆面積を最大にしかつ相互接続片の長さを最小
にするためにそれらを密接した状態で並置することもで
きる。各々の個別太陽電池１０は下部金属層１２を有し
ている。

詳しく述べれば、太陽電池１０ａは下部金属層１２ａを
有し、太陽電池１０ｂは下部金属層１２ｂを有し、太陽
電池１０ｃは下部金属層１２ｃを有し、以下同様である
。最終の太陽電池パネルにおいては、太陽電池１０の下
部金属層１２は本発明に基づく溶接方法によって相互接
続された状態にある。下部金属層１２は一方の長辺に隣
接した比較的幅の広い部分および太陽電池の底面を横切
って伸びる複数の細長い部分から成る結果、底面の広い
部分が金属で被覆されないままに残され、従って光子の
入射が可能となっている。

各々の個別太陽電池１０はまた、上面のほぼ全体を覆う
上部金属層１４をも有している。詳しく述べれば、太陽
電池１０ａは上部金属層１４ａを有し、太陽電池１０ｂ
は上部金属層１４ｂを有し、太陽電池１０ｃは上部金属
層１４ｃを有し、以下同様である。

各々の太陽電池１０の上部金属層１４は、導電性の接続
ストリップ１６により、一方の側に隣接する太陽電池の
下部金属層１２の幅の広い部分に接続される。詳しく述
べれば、太陽電池１０ｂの上部金属層１４ｂは接続スト
リップ１６ｂによって太陽電池１０ｃの下部金属層１２
ｃに接続され、また太陽電池１０ｃの上部金属層１４ｃ
は接続ストリップ１６ｃによって太陽電池１０ｄの下部
金属層１２ｄに接続される。各々の接続ストリップ１６
を太陽電池の対応する金属層のそれぞれに溶接すること
により、金属層同士は相互接続されて直列回路が形成さ
れる。

かかる目的のための溶接操作は、第１図に示されるごと
く、第１の溶接電極２０および第２の溶接電極２２を有
する装置によって達成される。なお、ヘルシッツ（Ｈｅ
ｒｓｃｈｉｔｚ）等によって１９８８年７月２５日に提
出された「溶接前の試験方法」と称する同時係属米国特
許出願第　　　　　　号明細書中に記載されている通り
、こうして得られる溶接部の信頼度を高めるために第３
の補助電極２４を使用することができる。溶接電極２０
および２２の本体は高い導電率を得るために銅で作製さ
れる一方、先端部は摩耗を少なくするために融点の高い
モリブデン（Ｍｂ）から成ることが望ましい６電極２０
．２２および２４はホルダ（図示せず）によって互いに
離隔した状態に保たれる。かかるホルダは、矢印２６に
よって示されるごとく、太陽電池の上面に対して上下運
動を行うことができる。導電性の接続ストリップ１６に
接触しない限り、電［２０，２２および２４同士は電気
的に絶縁されている。電極２０．２２および２４は、適
当な太さの導線により、ブロック３０として示されたス
イッチ機構に接続されている。スイッチ機構３０には、
１組の導線３２を通して制御信号が供給されると共に、
ブロック３８として示された制御器の支配下で電極２０
．２２および２４に電圧または電流を印加するための電
力が１組の導線３４を通して供給される。

ブロック４４として示された赤外線感知式の温度監視器
は、光学繊維ケーブル４６を介して溶接すべき区域から
の赤外線信号を受信し、そして温度を表わす信号を制御
器３８に送信する。また、制御器３８に命令を与えるた
めのキーバッド４８も設けられている。

溶接作業に際しては、１群の電極２０．２２および２４
の位置が太陽電池列に対して移動させられる。これは、
電極群の下方において太陽電池列を段階的に移動させる
か、あるいは太陽電池列に沿って電極群を移動させるこ
とによって達成される。第１図に示されるごとく、各々
の接続ストリップ１６はそれの一辺に沿って開口１８を
有している。かかる開口１８の大きさは太陽電池の上面
に比較して遥かに小さく、しかも開口１８は太陽電池１
０の上部金属層１４の上に位置している。

接続ストリップ１６ａおよび１６ｂは、第１図中に示さ
れた溶接部１９ａおよび１９ｂにより、太陽電池１０ａ
および１０ｂの上部金属層１４ａおよび１４ｂにそれぞ
れ接合されている。第１図に示された状態では、１群の
電極２０．２２および２４は太陽電池１０ｃの上方に位
置しているが、これは本発明に従って溶接作業を開始す
る直前の状態である。

前述の米国特許出願明細書中に記載の通り、溶接前の試
験方法の第１段階として、溶接電流より十分に小さい電
流が溶接電極２０および２２間に流され、そして両者間
の電圧が測定される。かかる測定結果は、電極２０およ
び２２と接続ストリップ１６ｃとの間における接触抵抗
の指標として役立つ。接触抵抗が小さい場合には、電極
２０および２２の少なくとも一方と電極２４との間の抵
抗が測定される。電極２０および２２と接続ストリップ
１６ｃとの間における接触抵抗が小さいことは第１の測
定結果から既に知られているから、高い抵抗値が得られ
れば、接続ストリップ１６ｃと上部金属層１４ｃとの接
触面は汚染もしくは腐食された状態にあり、従って清浄
処理が必要であることがわかる。清浄処理が不要である
場合、あるいは清浄処理後の再試験によって全ての接触
抵抗が小さいことが判明した場合には、実際の溶接操作
を開始することができるわけである。

本発明の１つの特徴に従えば、溶接すべき区域の温度を
所定値より大きい速度で上昇させるのに十分な量のエネ
ルギーを供給し得る制御可能な電流源３６が設けられる
６本発明のもう１つの特徴に従えば、溶接すべき区域の
温度が所定温度に達した場合、溶接すべき区域の温度を
監視しながら制御可能な電流源３６のフィードバック制
御を行うことにより、該所定温度が所定時間にわたって
維持される。本発明の更にもう１つの特徴に従えば、溶
接された区域の温度が所定値を越える速度で降下させら
れる。

次の第２図を見ると、本発明に基づく溶接操作の温度経
路２１０が実線で示されている。温度経路２１０は、時
刻−ｔ２から時刻ｔｏまでの区間内に、溶接すべき区域
の温度を最終溶接温度にまで上昇させる部分２１２を含
んでいる。第２図においては、最終溶接温度が１００％
として示されている。溶接すべき区域の温度が時刻ｔｏ
において１００％に到達したならば、温度の上昇は停止
される。次いで、第２図に示されるごとく、エネルギー
の供給量を制御することによって区間ｔ。

〜ｔｌＯ内の所定時間にわたり温度が一定に保たれる０
時刻ｔｌｏの後には、溶接部の温度は所定の最小値より
大きい勾配を持った温度経路２１６に沿って降下させら
れる。第２図に示される通り、かかる温度降下は区間ｔ
ｔｏ〜ｔ１□内において起こるわけである。

区間−ｔ２〜ｔｏまたはｔｔｏ〜ｔ１２内における原子
の再分配は、下記の式に従って起こることがわかる。

Ｘ＝（て了「［）抗＝　ｐニー亙テ”　ｅＸｐ　（−品
）　　　く５）上記式中、αは昇温速度（すなわち、温
度経路２１２の勾配）である、このように、原子が最初
の位置から移動する距離は昇温速度に反比例する。

すなわち、αが１０倍に増大するとＸは１／ｌＯに減少
するのである。

第２図に示された温度経路の意義を理解するなめ、平坦
な温度経路２１４以外の温度経路を使用した場合を考察
してみよう。その場合には、区間ｔｏ〜ｔｌＯ内におい
て温度が１００％を越える部分が存在することになる。

そのような部分においては、不要な相の核生成速度およ
び成長速度が劇的に増大する。その上、溶接すべき区域
への原子の拡散速度も劇的に増大する。その結果、溶接
部の範囲が拡大すると共に、不要な相の特性が大きな影
響を及ぼすようになる。

第２図中の温度経路２１２によって示される比較的早い
昇温速度の代りに、たとえば第２図中の点線２２２によ
って示されるような遅い昇温速度が使用された場合には
、溶接部の品質はなお一層低下することになる。なぜな
ら、（℃単位で表わされた）最終溶接温度の約３０％よ
り高い温度においては原子の拡散が一般に顕著であると
考えられるからである。それ故、温度が最終溶接温度の
３０％より低く維持されている限りは、溶接部の特性は
影響を受けない、しかるに、制御可能な電流源が加工物
の温度を急速に上昇させるのに十分な量のエネルギーを
供給し得ない場合には、最終溶接温度の３０％より高い
温度における滞留時間が長引くことになる。実際、大形
の加工物からの熱損失速度がエネルギー供給速度にほぼ
等しければ、温度は最終溶接温度に近づきはするが決し
てそれに到達することがなく、その結果として非常に多
量の不要な相が生成し、そして非常に品質の悪い溶接部
が形成されるのである。それ故、最終溶接温度への接近
をできるだけ急速に達成することが望ましいわけである
。相の拡散、核生成および成長に関与する因子は極めて
複雑であるとは言え、一定の溶接温度を維持する時間の
約２０％に等しい時間内に約７０％の温度上昇（第２図
中における３０％から１００％までの温度上昇）を行わ
せれば満足すべき昇温速度が得られることが判明した。

第２図の場合、一定の溶接温度は温度経路２１４によっ
て示されるごとく区間ｔ。〜ｔｔ。

内において維持されるから、温度経路２１２は区間ｔｏ
〜ｔｌｏの約１１５に等しい時間（すなわち、時刻−ｔ
２から時刻ｔｏまでの時間）内に３０％の温度から１０
０％の温度まで上昇すればよいわけである。

更にまた、溶接の開始時における昇温速度を大きくする
必要があることを示す理由と同様な理由により、溶接の
完了後においても急速な温度降下が望ましいことがわか
る。

本発明のもう１つの特徴に従って述べれば、溶接の完了
後における加工物の温度降下速度は、−定溶接温度の維
持時間の２０％に等しい時間内に７０％の温度が降下す
るような値を有すればよい。

ところで、表面積に比べて相対的に大きい体積を有する
大形加工物の場合には、時刻ｔｔｏにおいて溶接用の電
力を完全に遮断した後でも、温度経路は第２図中の点線
２２４によって示されるようなものになることがある。

これを防止するためには、積極的に熱を除去すること、
すなわち溶接部を急冷することが必要となる。第１図の
装置においては、ブロック５０として示されたガス供給
源がパイプ５２に連結されている。それにより、溶接す
べき区域にアルゴンガス流が吹付けられる。これは２つ
の利点を有している。第一に、不活性なアルゴンガスは
溶接部の付近において空気を排除する結果、溶接すべき
金属の酸化が防止される。第二に、アルゴンガス流は冷
たくて熱を除去する傾向があるから、溶接用の電力が遮
断された後において（第２図中の温度経路２１６によっ
て示されるごとく）急速に溶接部の温度を降下させるた
めに役立つ、第１図に示されたもののような小形の加工
物の場合には、加工物自体の熱伝導率が比較的大きいこ
とと並んで、それの表面積が体積に比べて相対的に大き
いことにより、温度は非常に早く降下する傾向にある。

それに加えてアルゴンガス流を使用すれば、満足すべき
温度降下が得られることになる。

次の第３および４図には、第１図の装置を使用しながら
本発明に従って実施された溶接操作の温度−時間グラフ
が示されている。第３および４図のグラフにおいては、
初期温度は６００　’Ｃ付近であるように見える。しか
しながら、上記のグラフのこの部分は第１図中の赤外線
式温度監視器４４の特性に由来する変則的な部分である
。すなわち、温度監視器４４は約６００℃より低い温度
には怒しない。その結果、意味のある温度範囲は６００
℃を越える部分のみである。加工物の実際の温度は、第
２図に示されるごとくにして室温から上昇させたことに
注意されたい、勿論、より低い温度範囲内における監視
が所望されるならば、前述のドストーミアンの米国特許
出願明細書中に記載のごときセンサアレイを使用するこ
ともできる。第３図に示された昇温速度は、　　（１０
２５−６７３）／（２８−１０，５）＝２０．４℃／ミ
リセカンド（ｍｓ）にほぼ等しい、約３０〜１６０ｍ５
の区間内における温度の変動は、センサの標本抽出率並
びに溶接部および電極接触部の電圧−電流特性の非直線
性に原因するものである。

溶接の実施に際しては、キーバッド４８の使用によって
所望の一定溶接温度を入力した後、スイッチ（たとえば
足踏みペダル）４０を閉じることによって溶接操作が開
始される０次いで、制御器３８がスイッチ機構３０およ
び制御可能な電流源３６を作動して前述のごとき抵抗測
定を行うことにより、溶接すべき加工物間の接触面の清
浄性が確認される。かかる接触面に清浄処理を施すこと
が必要な場合には、ランプ４１および４３が点灯してそ
れを知らせる。接触抵抗が所定範囲内にあれば、電極２
０および２２を通して溶接すべき区域に最大量の電力を
供給することによって実際の溶接操作が開始される。第
２図中の温度経路２１２に沿った昇温過程中には、温度
監視器４４は所望の設定温度より低い温度を表示する。

所望の設定温度に到達すると、制御器３８がフィードバ
ック制御によって電力供給量を低減させることにより、
所望時間にわたって設定温度が維持される。

所望時間の終了後、すなわち第２図中の時刻ｔｔ。

において、通例は電力を遮断することによって加工物が
放冷される。積極的な冷却が所望される場合には、制御
器３８が電力の遮断後に（たとえば、第１図中の導線５
４を通して）ガス流の流量を増加させる。

本発明のその他の実施の態様は当業者にとって自明であ
ろう。所望ならば、溶接操作に際して加工物を液体（た
とえば液体窒素）中に浸漬してもよい。そうすれば、電
力の遮断後、温度は一層急速に降下することになる。ま
た、アナログ制御あるいはディジタル制御のいずれを行
うこともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づく装置の一部分を等角斜視図とし
て示しかつ残りの部分をブロック図として示した略図、
第２図は各種の温度経路を示す温度−時間グラフ、そし
て第３および４図は本発明に基づく典型的な温度経路を
示す温度−時間グラフである。 図中、１０は太陽電池、１２は下部金属層、１４は上部
金属層、１６は接続ストリップ、１８は開口、２０は第
１の電極、２２は第２の電極、２４は第３の電極、３０
はスイッチ機構、３６は制御可能な電流源、３８は制御
器、４０はスイッチ、４１および４３はランプ、４４は
赤外線式温度監視器、４８はキーバッド、そして５０は
ガス供給源を表わす。 Ｆｈｑ、２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）溶接すべき区域の付近において２個の可融性
   加工物を並置し、（ｂ）前記溶接すべき区域の付近の温
   度を監視し （ｃ）前記溶接すべき区域の付近において前記２個の加
   工物にエネルギーを供給することにより、所定の最小値
   を越える昇温速度で前記溶接すべき区域の付近における
   前記２個の加工物の温度を上昇させ、そして（ｄ）前記
   エネルギー供給工程の結果として前記温度が所定温度に
   達したならば、前記監視工程の結果を利用してエネルギ
   ー供給量を制御し、それにより前記所定温度を所定時間
   にわたって維持する諸工程から成ることを特徴とする、
   ２個の可融性加工物同士を溶接する方法。 ２、前記昇温速度が前記所定温度の７０％を前記所定時
   間の２０％で割った値よりも大きい請求項１記載の方法
   。 ３、前記２個の加工物が銀から成り、前記所定温度が約
   １０２５℃であり、前記所定時間が約１５０ミリセカン
   ドであり、かつ前記昇温速度が１５ミリセカンド当り約
   ３５０℃である請求項１記載の方法。 ４、前記２個の加工物を積極的に冷却する工程が追加包
   含される請求項１記載の方法。 ５、前記２個の加工物が異種の材料から成る請求項１記
   載の方法。 ６、（ａ）個の可融性加工物が並置されている区域の少
   なくとも一部分における温度を監視するための温度監視
   手段、（ｂ）所定温度の７０％を所定時間の２０％で割
   った値よりも大きい昇温速度で前記区域の温度を上昇さ
   せるのに十分な量の電気エネルギーを前記加工物の前記
   区域に供給するための制御可能な手段、および（ｃ）前
   記温度監視手段および前記制御可能な手段に接続されて
   前記区域への電気エネルギー供給量を制限することによ
   り、前記所定温度にほぼ等しい実質的に一定の温度に前
   記区域を前記所定時間にわたつて維持するための制御手
   段の諸要素から成ることを特徴とする２個の並置された
   可融性加工物同士を溶接するための装置。 ７、前記所定時間の終了後、前記区域を急冷して前記温
   度を降下させるための手段が追加包含される請求項６記
   載の装置。 ８、前記急冷手段が前記区域に流体を接触させるための
   手段から成る請求項７記載の装置。 ９、前記急冷手段が前記区域に向けて流体の流れを導く
   ための手段を含む請求項８記載の装置。 １０、前記急冷手段が前記流体の流れの流量を制御する
   ための手段をも含む請求項９記載の装置。 １１、前記急冷手段が前記流体の流れの流量の変化率を
   制御するための手段をも含む請求項１０記載の装置。 １２、前記変化率制御手段が前記所定時間の終了時から
   前記流量を増大させるための手段から成る請求項１１記
   載の装置。