JPH0280332A - 光学素子成形用型 - Google Patents

光学素子成形用型

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JPH0280332A
JPH0280332A JP23014988A JP23014988A JPH0280332A JP H0280332 A JPH0280332 A JP H0280332A JP 23014988 A JP23014988 A JP 23014988A JP 23014988 A JP23014988 A JP 23014988A JP H0280332 A JPH0280332 A JP H0280332A
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molding
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glass
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栗原 紀子
Keiko Ikoma
生駒 圭子
Yasushi Taniguchi
靖 谷口
Keiji Hirabayashi
敬二 平林
Kiyoshi Yamamoto
潔 山本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野J 本発明は、レンズ、プリズム等のガラスよりなる光学素
子を、ガラス木材のプレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。 [従来の技術] 研H+稈を必要とし、ないでガラス本材のプレス成形に
よってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造にお
いて必要とされた複雑なl゛稈をなくし1間1i111
つ安価にレンズを製造することをi4能とし、近来、レ
ンズのみならずプリズムその他のガラスよりなる光学素
子の製造に使用されるよう番こなってきた。 このようなガラスの尤学素子のプレス成形に使用される
型材に要求される性質としては、映さ511熱f[、離
型性、鏡面加を性等に優れている事が挙げられる。従来
、この神の型材として、金属、セラミックス及びそれら
をコーティングした材料M、敗多くの提案がされている
。いくつかの例を警げるならば、特開昭49−5111
2には13crマルテンサイト鋼が、特開昭52−45
613にはSiC及び5iJ4が、特開昭60−246
230には超砂合金にi″■■金属1−ティングした材
料が、叉、特開昭61−183134にはダイヤモンド
薄膜叉はダイヤモンド状炭Jh膜をコーティングした材
料が提案されている。 [発明が解決しようとする課題] しかし、13crマルデンサイト鋼は酸化しやすく、さ
らに高4でFCが硝子中に拡散して硝rが着色する欠点
をも−)、SiC,5isLは一般的には酸化さオ]に
くいとされているが、l5XIfIAではやはり酸化か
おこり表面にSiO□のlIqが形成されるり硝rと融
r1を起こ(7,さらに高硬度の為型自体の加I性が−
めて悪いという欠点を持つ1.青金属をコーティングし
た材料は融着は起こしにくいが、極めて軟かい為、傷が
つきやすくに変jししやすい欠点をもつ。叉、ダイヤモ
ンド薄膜をコーティングした材料は表面の1ξ滑さに欠
けるため得られた光学克rの鏡面性が不足する。 叉、ダイヤモンド状炭充膜と称される膜は5種類に決ま
るものではなく 、 (1)成木のみからな−〕ている
が、結合の形式はSP、 5l)2. SPJ混成から
なるアモルファスの膜、■微小なグラファイトの集合体
、(■炭素Mif以外に水素原r−を含むアモルファス
膜(水秦化アモルファス炭木膜、以トaC: I+膜と
略す)、■微小なダイヤモンドや微小なグラファイトと
、アモルファスの両者の構造を含む膜等がある。又、L
述の6股についてもO)はS+’、 SF4. Sl”
の:や1合、■はグラファイトの大きさ、(■は水素と
炭^の割合、[株]は結晶とアモルファスの割合がそれ
ぞれ異なれば膜の性質が衣な一ンてくる。特開昭61−
183134に間車されているダイヤモンド状炭素膜は
この点についての記述が全<、1!にく、イオンビーム
スパッタで作ったと記載されているのみである。−・般
に、グラファイトのイオンビームスパッタでは、■の膜
が形成される1、シかしながら、(1)、■、■の賎の
ように多47結合を多(含んだり、あるいは多IJ’l
結合が非局在化して共役糸が長かったり、グラファイト
微結晶を含んだりした膜は■の膜に比べてガラスの成分
である酸化鉛を還元しやすいので、鉛の析出が起こって
。 型の耐久性が低トしたり、光学素子の+(+IL1度が
低トしたりする欠点をもつ。 従って5本発明の[I的は、ガラスの光字素子の成形に
適した九′?木子成形用型を提供することで、特に、6
−;1温でガラスと融着をおこさず、鏡面研磨がIll
能で、適41な映さを(H,、酸化されにくく、鉛の析
出が牛しない光′?素子成形用型およびそのJ 遣方法
を提供することにある。 [課題を解決するための1段] 本発明に従−)て、(1)ガラスよりなる尤′f′素子
のプレス成形に用いる光パ?累r成形用1111におい
て、型1す+イの少なくとも成形向に、水素が5〜40
原(%、残部が炭ふまりなり、さらに窒素、1lvJh
から選ばれる少なくとも1挿の元素を含イ1するa  
C” : It膜が被覆されていることを含有する光学
素子成形用型、121 a−C:lI膜が、窒に、#素
から選ばれる少なくとも1種の元本の代りに、!le、
 Ne、 Ar、Kr、Xeから選ばれる少なくとも1
峠の希ガス元本を含イ1する1j11記尤学毒r成j1
ε川型、 f31  a−C: )I膜が、窒素、酸素
から選ばれる少なくとも1種の元素の代りに、F、C1
,i3r、 Iから選ばれる少なくともI JIIのハ
ロゲン元素を含イ1する+iii 、、LX!、’N=
 ?素子・成形用型、 (4) a−C二II膜が。 窒ふ、酸素から選ばれる少なくとも1種の元素に加えて
、 llc、Nc、^r、 Kr、 Xeから選ばれる
少なくとも1種のノミ、素を含イ1する1);1記光学
素子成形川型が提供される。 光学素子成形用Illの苧1.上村としては、超硬合金
の他、鏡面性、耐熱性に優れたセラミック材料が)トけ
られる。。 これら型fJ材の少なくともガラス素材と接触する血、
ずなオ)ち成j[ニ面にa−C:ll膜が被覆されてい
る。。 コ(1) 21− C: l−1ノAll成1:i水素
カ5〜4011;tr%、残部が炭^である。。 ここで水AI−Jを限定したのは次の理由による。 +1− C: II中の水素jIlと膜硬度、表面粗さ
との間には第1図、第2図に小す関係が得られている。 第1図より水素[シが増加すると硬度が低トし、水素H
,Bが40原r%を越えるとヌープ硬度が800kg/
mn+ 2未満となり所望の膜硬度が得られなくなる。 また、第2図より水素7dが減少すると表面粗さが増大
し 511 f%未満では表面粗度がRmaxで0.0
56mを超え所望の鏡面性が得られなくなる。 なお、第1図、第2図の関係を得るための水累晴の増減
は、第5図の蒸首装置をもちい、成膜条件のうち加速電
IF、 500 V、基板−度:30 +1 ”Cヲ定
とし2て、原料のC11、/ 11 、比を変えて行っ
た。 (1)の゛窒素、酸素から選ばれる少なくとも1種の几
ふを含有するa−C:ll膜中の窒素、酸克の含(+ 
’+:、 let、l 00−50.000原J’pp
m)範囲が好ましい。100〜50.000原fppm
の範囲外であると、苧の耐久性を向上する効果が減少す
る。これは、100〜50.ooo原子ppneの範囲
内では窒素や酸ふ原rはa−C:H膜の構造安定化に奇
11−4るが、範囲外では構造の一部を破壊したり、ア
モルファス構造の歪みを受は入れにくくなるためと考え
られる。に記膜のヌープ硬度は800〜2000kg/
++us 2種度である。 (2) のlle、 Na、Ar、にr、 Xeから選
ばれる少なくとも1秤の希ガス九人を含有するa−C:
ll膜中の希ガス九本の含有晴は、  100〜5.0
00原1’ppmの範tltl カ好;4 シイ、  
l OO〜5,000 IQ、 f’ppm (7)範
囲外であると、型の耐久性、創傷性を向ヒする効果が減
少する。これは、特に100〜5.000原子ppmの
範囲内では1mがス原Yは炭素や酸ふ原rと原r−”t
’、径がン4なることによりアモルファス構造の1tみ
を受は入れ、Pl−C:ll膜の構造安定化にt’、f
 ’jし、股の硬度の向lに奇lすするためと考えられ
る。に記膜のヌープ硬度はl0UO〜3000kg/m
+w 2種度である。。 (3)のF、C1,fir、 Iから選ばれる少なくと
も1種のハロゲン元素を含イ1するa −C・1Ili
!2は、ハロゲン元素を3自することによりガラスとの
ぬれ性か低トするため成形時の雌塑性が向トし、繰りム
し成形に際し−(a−C:ll膜の組成変化、構造変化
を抑制するため型の耐久性が向1する。 ハロゲン元素の含イーj Flは+ 00〜50.00
0+1t I’ppmの範囲が好ましい。含イi:tt
が100原J’ppm未満であるとぬれ性の改良効果が
低くなる傾向があり、 511.000ppn+を越え
ると眼中に結合していないハロゲン九ふの含イ1vが増
し模の耐久性を損なう傾向がある。、 、t、2膜のヌ
ープ硬度は800kg/nut 2以ト、である。 ハロゲン元素はa−C:H膜の表面に−って分イj+シ
ていてt〕よいし、膜全体に渡って均一に分イロしてい
てもよい。 (4)の窒素、酸^か6選ばれる少なくとも1種のノじ
本に加えて、lIc、Ne、^「、Kr、Xeから選ば
れる少なくとも1種の希ガス几ふを含イ1するa −C
: 1膜中の窒ふ、酸木の含イ]II8は、100〜5
G、 000涼rppmの範囲が好ましく、/i¥ガス
元素の含4]litは1 (10〜5.000 IQ 
fppta O’)範囲が好ましい。 11;I記(1) 〜(41のa−C:ll膜は、アモ
ルファス構造のみではなく少:番1の結晶質を含んでい
てもよい。しかし、この結晶質は0.旧〜0.1 μm
程度の微小なダイヤモンド拉であればよいが、膜表面に
ダイヤモンドの結晶向がはっきり出てくるようなものは
好ましくはない。また、グラファイトや多I
【結合をで
きるだけ含まないことが好ま【7いが、坐着であれば含
んでいてもさしつかえない。 a−C:)l膜の膜厚は0.05〜0.5 u mであ
ることが好ましい。膜厚が0.05μm未満であると成
形時に型母材の成分元素がガラス中に溶は出し成形用型
の耐久性が低トする傾向があり、0.5μmを越えると
I!A中の歪みが大きくなり1漠剥れを牛し易くなる6 次に、本発明の光学ふr成形用型の製造ツノ法について
述べる。 型I:J材の少なくとも成形面にFl−C:III模を
被覆するh法としては、プラズマ蒸着法、イオンビーム
Mat法、プラズマスパッタ蒸着法、イオンビームスパ
ッタ蒸rt?去、プラズマイオンブレーテインク法、イ
オンビームイオンブレーディングを去、電子サイクロト
ロン共鳴法専が挙げられる。 前記(1)の:i−C: !l股を形成するには、炭素
、水素、窒素含有物質をI+;を科としてL2方法によ
り行なう、、 +iil記(21のa−C:IIfJを
形成A−るには1例えば炭素、水素含有ガスを16料と
して希ガスイオンで基数をアシストしながら高周波数電
性等、」記方法により行なう。1111記(3)のa−
C:III模を形成するには、成木、水素含有ガス、ハ
ロゲン含有ガスを原料としてL2方法により1rなう他
、ハロゲン丸木を含まないa−C:II膜をI−記方法
により形成した後、ハロゲンノcふを含むプラズマに曝
すなどして1漠中にハロゲン丸木を含イ1させるツノ法
等による。 [実施例] 以ト、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。 実施例1 第3図及び第4図は本発明に係る光学累r成ルa用jす
1の1−ノの実施態様を示すものである。 第3図は光学素子のプレス成形1j11の状態を示し、
第4図は光学素子成形後の状態を小1゛。第33図中1
は型l:上材、2は該を母材のガラス素材の↑δ触する
成形面に形成されたa−C:III漠、3はガラス素材
であり、第4図中4は光学素fである。。 第3図に小すように型の間にiZtかれた1IrlI−
素材3をプレス成形することによって、第4図に示−4
−ようにレンズ等の尤学素子4が成形される。 W690%、CnlO%からなるを母材の表面にa−C
:II膜を電子サイクロトロン共鳴プラズマCV l)
法(ECR?A)によっ7被覆した。E c t<プラ
ズマ装置nは、第5図に示す空胴共振器タイプで空胴j
’:1lri器11に電磁右12て磁場をかけマイクロ
波導入窓+ 3よn導波管14を通してマ・イクロ波を
4人し、ガス導入[115よりガスを空胴共振器に4人
し、ガスを励起−4る。磁場の大きさは、マイクロ波導
入【1で2000ガウス5塑表血で500ガウスになる
ように設定した。IflJボルダ−!6に支持した9+
7は、第5図に示すように空胴」F、に′dにの外に設
置した。 表1 次にガス導入+115より5表1に示すガスを空胴共揚
器に導入し1.1力5 X l O−”Tnrrとしマ
イクロ波電力6flOW、型表面温度300℃の一定条
ヂrで1時間成膜し°(尤字素子成形用型No、  I
〜13を得た。 成膜した各1模を燃焼法により元ム分朽し、またヌープ
硬度を測定した。結果を表2に小す。 次に、これら13柿類の膜を被覆した型を用いて第8図
に小1装置によりガラスレンズのプレス成型を行なった
例について詳述する。 第8図中、51は真空槽本体、52はその7り、53は
尤?Jf’を成形する為の1型、54はそのト型、55
はL型をおさλるためのトヤ」おさえ、56は用型、5
7はヤホルダー、58はヒータ、59はト型をつきt、
げるつきEげ棒、60は該つきト、げ棒を作動するエア
シリンダ、61は油回転ポンプ、62.63.64はバ
ルブ、65は不活性ガス流入バイブ、66はバルブ、6
7はリークバイブ、68はバルブ、69は4度センサ。 70は水冷バイブ、71は真空槽を支持する台を小ず。 まず、フリント系光学ガラス(SF+41を所定の1;
2に調整し1球状にしたガラス素材を型のキャビティー
内にj′nき、これを装置内に設2/する1゜ガラス素
材を投入した型を装置内に設iIvしてから真空槽5I
のフタ52を閉じ、水冷バイブ70に水を流し、ヒータ
58に電流を通−4−0この時窒本ガス用バルブ66及
び68は閉じ、排気系バルブ62,63.64も閉じて
いる。尚油回転ポンプ61は常に回転している。 バルブ62を開は排気をはじめ10−”Torr以ドに
なったらバルブ62を閉じ、バルブ66を開いて窒素ガ
スをボンベより真空槽内に導入する。所定−度になった
らエアシリンダ60を作動させて10 kg/c+aJ
の汁力で5分間加I−トする、It力を除去した後、冷
却速度を一り℃/Iainで転位点以下になるまで冷却
し、その後は一り0℃/l1in以1の速度で冷却を行
ない、200℃以ドにドがったらバルブ66を閉じ、リ
ークバルブ63を開いて真空槽51内に空気を導入する
5、それからフタ52を開はヒ型おさえをはずして成形
物を取り出す。 ト記のようにして、フリント系光学硝(−3F+4(軟
化点Sp= 586℃、転位点Tg= 485℃)を使
用して5第4図に示すレンズ4を成形した。この時の成
膜条件すなわち時間−温度関係図を第10図に示す。 次に、同じ型を用いて200同の成形を行った後に、成
形したレンズの表面粗さ及び成形前後での型の表面粗さ
を測定した。その結果を表:Sに小′1−。 表3 次に、No、  1〜1:3の型を用い4第9図に示す
成形装置によりガラスレンズのプレス成形を11つだ例
について詳述する。 第9図において、+04は取入れ用置換室であり、10
6は成形室であり、108は蒸着室であり、110は取
出し用置換室である。112゜114.116はゲート
バルブであり、118はレールであり、120は該レー
ルLを矢印へり向に搬送せしめられるパレットである。 +24゜138 、  + 40.150はシリンダで
あり、126.152はバルブである。128は成形室
106内においてレール+18に6)って配列されてい
るヒータである。 成JF:/室106内はバレ・Iト搬送力向に沿って順
に加熱ゾーン+06−1 、ブレスゾーン106−2及
び徐冷ゾーン106−3とされている。ブレスゾーン1
06−2において、1−記シリンダ1:38のロッド1
コ34のト端には成形用り型部材+ 30が同定されて
おり、L記シリンダ140のロッド1:36の1、端に
は成形用ト型部材l:32がI’、’il定されている
。これらし型部材l:30及びト型部材132は、I2
第3図の本発明による型部材である。蒸盾室1()8内
においては5.礪4物質146を収容した容器142及
び該容2;を加熱するためのヒータ144が配置されて
いる。 フリント系光学ガラス(Sト+4 、軟化点Sp= 5
1161″、、ガラス転移点Tg= 485℃)を所定
の形状及び・1゛法に相加(、シて、成形のためのブラ
ンクを得た。 ガラスブランクをパレット+ 20に載置し、取入れ置
換+104内の120−1の位i7へ入れ、該位置のバ
レーノドなシリンダ124のロッド122によりA方向
に押してゲートバルブ112を越えて成形室106内の
120−2の位置へと搬送し、以ト同様に所定のタイミ
ングで順次新たに取入れ置換室104内にパレットを入
れ、このたびにパレットを成形家電06内で+21L4
−・・・・・・→l 20−11の(1ン置l\と順次
搬送した。この間に、加熱ゾーン06−1ではガラス1
ランクなヒー77128により徐々に加熱し+20−4
の位置で軟化点以1″とした1て、ブレスゾーン106
−2へと搬送し、ここでシリンダ138,140を作動
させて[・型部材130及びトvrs+a132により
l Okg/cm”)1土力で5分間プレスし、その後
加圧力を解除しガラス転移点以Fまで冷却し、その後シ
リンダ138゜140を作動させて1−1型部材130
及びト型部材I;(2をガラス成形品から離型した。該
プレスに際しては1゛記パレツトが成形用銅型部材とし
て利用された。しかる後に、徐冷ゾーン+06−3では
ガラス成形品を徐々に冷却した1、尚、成形室10 t
;内には不活性ガスを充満させた。 成形室106内において+20−8の位置に到達したバ
レψ!トな、次の搬送ではゲートバルブ114を越えて
蒸着室+08内の120−9の位置へと搬送した。通常
、ここで真空蒸着を行なうのであるが1本実施例では該
蒸着を行なわなかった。そして1次の搬送ではゲートバ
ルブ116を越えて取出し置換室+10内の120−1
0の位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリン
ダ150を作動させてロッド148によりガラス成形品
を成形装置102外へと取出した。 1000回、 5000同、10000回の耐久試験を
行なったところ、窒素、酸素原子を含まない模を被覆し
た型13は、800〜900同11で被覆膜か部分的に
剥離してしまった。しかしながら他の型1〜12は、 
10000同に及ぶ成形の後もレンズ表向粗さはRma
xO,03μm以ドであった。最もよいものは11の型
で、RmaxO,02a m、最も悪いものは、4の型
でRmaxO,03μmであった。 実施例2 実施例1と同様にして、第5図に小才装置を用い電rサ
イクロトロン共鳴法(ECR法)により。 *C90%、r:olO%からなる型l:上材の表面に
a−C: II膜を被覆した。ただし、マイクロ波電力
600 Wを700Wに、またマイクロ波導入[lでの
磁場の大きさ2000ガウスを2500ガウスに変えた
。成膜に用いたガスの種類とrk晴を表4に示す。 表4 表5 こうして得られたa−C:l1tlQを燃焼法、原子吸
光法により元素分析し。 した、結果を表5に示す。 またヌープ硬度を測定 八番;第6図に示すイオンビーム蒸4法によりF。 2例と同様に型に膜を被覆した。第6図において22は
真空容器、23.23°は2つのイオンビー11装置、
24.24°はイオン化室、25゜25°はイオンビー
ム引出しグリッド、26゜26°はガス導入LJ、27
は型母材、28はをホルダーを示す。 26よrl炭ふ含イ1ガスと+(Aの混合ガスをイオン
化し、イオンビームをつ<Q、26’ で希ガスj≦ミ
rをイオン化しイオンビームとして引き出し型母材27
1に成膜する。。 真空容器の背11−は2 X In−’Torr、成膜
ガスとしてメタン、水素、ヘリウムの3神を用い、流量
はそれぞれ5 SCCMに固定した。この時1力は:S
 x 10−’rorrになった。 メタン、水素のイオンビーム、ヘリウムのイオンビー1
4の加速型F’+−を表6に示1ようにし、かつ、草根
を特に加熱せず成膜した。基板−度は、各イオンビーム
の条件により1表6に示すようになった。 表に れらの膜の成分分析及び硬度を表7に示−4−。 表7 表8 又、これらの膜には、@:I(のNと0が検出された。 次に、これら16種類の膜をmmしたylを用いて第8
図に小j′装置によりガラスレンズのプレス成形を行っ
た。 成形したレンズの表面粗さ及び成形+iii後でのn:
!の表面粗さを測定した1、その結果を表8に小才。 次に、第9図に示す装置により1000回、bffOO
回、10000回の耐久テストを行な−)だ。いずれの
場合もレンズの表面粗さはRmaxO,03μm以ドで
あった。最も真いものは29の膜でRmaxO,02μ
mであった。 実施例4 第7図に示す装置6を用いてa −C: H膜を被覆し
た31図中11は13.56MH7,の]7F電流を示
し、さらに直流電源40によって基板バイアスが印IJ
I+できるプラズマCV I)装置である。。 a −C: If膜を形成する時は、有機溶剤により表
面を洗浄にした型11村37をホルダ3f5t−に設置
し、排気孔42より排気して′f1器ご(5内部を3″
を空とする。型母材=37を30(1℃に加熱し、原料
ガスCIL−t−CF、をCI+4/CF、= 2の比
でガス導入1];38から導入する。11.ガスは導入
rl :39か61’OSCCM導入する。 1? F ハ’7−300 W基板バー(アス−300
V印加し、!Vカ2 X 10−”Torrに保ち放電
した1、基&4度は150℃に保持し0.5um成膜し
た4、生成した膜a −C: If : F中水素はコ
3 (113;j r−%混在しlr、SCAによる表
面分析によr′1C−ト′結合が確認された。。 実施例5 実施例4と同様に第7図の装置を用い4大[−19から
、^r/11□・1混合ガスを導入し、導入8からCH
4ガスを導入し「?l?パワー300 W J^仮バイ
アス−500V印加し基板4度20C)℃でl+、5μ
m成膜した。その後導入1】9からCF4ガスを導入し
1?トパワー200 W基板バイアスOVで放電した。 生成膜中水素金白−1は25原子%混在し、F、S C
AでC−1−’結合が確認された。 L/レンズ製作jるI程を次に述べる。 まず、JνlのIJ+4を所定の形状に加工し、レンズ
成J15面を鏡面研磨する。次にイオンブレ・−テfジ
グ法によりSiCの被覆を形成Aる。又、試料N。 3:3.:54は実施例4の方法で、試料No、  t
s 5は実施例5のlJ法で各々;x  C: H膜を
被>u L、た。 膜厚は0,1 μmとした。次に7す:/ト系光学哨j
′fsF + 41を所定の:、)に調整し、球状にし
たfin I’本材を型のキャビティー内に置き、これ
を装置内に設置する、。 次に本発明による尤’?ar−成形用型によって蛸rレ
ンズのプレス成形を打なった例について詳述する。ド記
の表9は実験に供した型材の神!11を小す。 表9 次に成形したレンズの表面れ1さ及び成形前後でのl1
4jの表面粗さを測定した。その結果を表10に小す・ No、 :33〜コミ4は比較材であり1. No、 
:3 :i −35は本発明で提案する材料である。母
材として超硬合金1fC(90%l +Co flO%
)及び焼結SiCを使用した。これらの型を用いて実施
例Iと同様に第8図の装置により成形を行った。 次に融?1発牛の無いN()、コ10,33. コ34
゜35について同一型部材を用いて第9図に示す装置r
1′により連続+0000同のプレス成形な打なった。 この際のり部材の成形面の表面組さ及び成形された九′
?素子の光学面の表面粗さについて表11に小す、。 表11 [発明の効果] 本発明の光学素f−成形法型によれば、ガラスとの離型
性に優れ、鏡面研磨が+iJ能で、繰り返し使用しても
従来の型に比較して表面の劣化が極めて少ない、
【図面の簡単な説明】
第1図は3− C: II中の水素晴−膜峡度関係図、
第2図は水素M−衣表面さ関係図である。第:3図およ
び第4図は本発明に係る光学素−r成彫用型の・実施態
様を小す断面図で、第33図はプレス成形前の状態、第
4図はプレス成形後の状態を示す。第5.(i、7図は
本発明に係る尤学素子成Jfa用型の’35逍り法に用
いる装置を/トず概略図で、第5図は電子サイクロトロ
ン装置、第6図はイオンビーム凛首装置、第7図はプラ
ズマCVD装置nを示す。第8図および第9図本発明に
係る光学木r成形1tl H:jを使用するレンズの成
形装置を示す断面図で、第8図は非連続成形タイプ、第
9図は連続成形タイプである。第10図はレンズ成形の
際の時間rNiA度関係図である。 + 、、、9のBJ材、2・−a−C: IIg。 コ$・・・ガラス素材、   4・・・成形されたレン
ズ、1・・・!″を空容器、   12・・・電磁イ1
゜13・・・マイクロ波導入窓、 + 4 ・・・マイクロ波導波管、 15・・・ガス導入L1.  16・・・型ホルダ−1
7・・・塑1:上材、     + 8−・・排気[−
1゜22・・・t″′に、空容器、   I3・・・イ
オンビーム装置。 24・・・イオン化室。 25・・・イオンビーム引き出しグリッド、26・・・
ガス導入11. 27・、、 INJ liJ材、28
・・・型ホルダ−,35・・・真空容器。 36・J^仮ホルダ、   37−・・型l:I材。 38・・・ガス導入11.  39・・・ガス導入口、
40・・・直流電源、   旧・・・RF主電源42・
・・排気[1、51・・・1空槽本体。 52−−・−/夕、     53・−)望。 h4・・・1・I4:J、       !IF+・−
]二型おさえ。 56・・・用型、57・・・型ホルダ−58・・・ヒー
クー、     59・・・つき1−げ棒。 60・・・エアシリンダ、 61・・・油回転ポンプ、
62、63.64・・・バルブ。 66・・・バルブ、 68・・・バルブ。 70・・・水冷パイプ 02・・・1戊J[モ装置、 104・・・取入れ用置換室、 106・・・成形室、108 ++0・・・取出し用置換室、 +12・・・ゲートバルブ、114 115・・・ゲートバルブ、II8 +20−・・バレ9ト、  122 Z4・・・シリンダ、  126 1Zn・・・ヒー々、    130 32・・・F型、134 136・・・ロート、138 40・・・シリンダ、  142 144・・・ヒータ、146 148−・・ローノド、    15052・・・バル
ブ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学
    素子成形用型において、型母材の少なくとも成形面に、
    水素が5〜40原子%、残部が炭素よりなり、さらに窒
    素、酸素から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する
    水素化アモルファス炭素膜が被覆されていることを特徴
    とする光学素子成形用型。 2、窒素、酸素から選ばれる少なくとも1種の元素の含
    有量が、100〜50,000原子ppmである請求項
    1記載の光学素子成形用型。 3、水素化アモルファス炭素膜が、窒素、酸素から選ば
    れる少なくとも1種の元素の代りに、He、Ne、Ar
    、Kr、Xeから選ばれる少なくとも1種の希ガス元素
    を含有する請求項1記載の光学素子成形用型。 4、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれる少なく
    とも1種の希ガス元素の含有量が、100〜5,000
    原子ppmである請求項3記載の光学素子成形用型。 5、水素化アモルファス炭素膜が、窒素、酸素から選ば
    れる少なくとも1種の元素の代りに、F、Cl、Br、
    Iから選ばれる少なくとも1種のハロゲン元素を含有す
    る請求項1記載の光学素子成形用型。 6、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種の
    ハロゲン元素の含有量が、100〜50,000原子p
    pmである請求項5記載の光学素子成形用型。 7、水素化アモルファス炭素膜が、窒素、酸素から選ば
    れる少なくとも1種の元素に加えて、He、Ne、Ar
    、Kr、Xeから選ばれる少なくとも1種の元素を含有
    する請求項1記載の光学素子成形用型。
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