JPH0280408A - 電子部品用組成物 - Google Patents
電子部品用組成物Info
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- JPH0280408A JPH0280408A JP22972188A JP22972188A JPH0280408A JP H0280408 A JPH0280408 A JP H0280408A JP 22972188 A JP22972188 A JP 22972188A JP 22972188 A JP22972188 A JP 22972188A JP H0280408 A JPH0280408 A JP H0280408A
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- Sealing Material Composition (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、耐熱性、耐湿性に優れた電子部品用材料に関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
従来、コイル、コンデンサ、トランジスタ、ICなど電
子部品の封止用としてエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。
子部品の封止用としてエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。
このような電子部品の封止等に使用されるエポキシ樹脂
組成物においては、それと併用される金属材料の腐食を
少なくすることが信頼性を高くする大きな要因となって
いる。この腐食減少のためには、材料の耐水性の向上及
びイオン性不純物の低減化が必要とされており、組成物
に用いられるエポキシ樹脂の加水分解性ハロゲン量を3
00 ppm以下に制限することが提案されている(特
開昭6O−255860)。
組成物においては、それと併用される金属材料の腐食を
少なくすることが信頼性を高くする大きな要因となって
いる。この腐食減少のためには、材料の耐水性の向上及
びイオン性不純物の低減化が必要とされており、組成物
に用いられるエポキシ樹脂の加水分解性ハロゲン量を3
00 ppm以下に制限することが提案されている(特
開昭6O−255860)。
しかしながらビスフェノール型エポキシ樹脂及びノポラ
クク型エポキシ樹脂の加水分解性塩素を低減する事は容
易ではない。
クク型エポキシ樹脂の加水分解性塩素を低減する事は容
易ではない。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的は、耐水性が良好で、しかもイオン性不純
物を含まない樹脂組成物を用いる事により金属腐食性の
低下という改善を行うことである。
物を含まない樹脂組成物を用いる事により金属腐食性の
低下という改善を行うことである。
(課題を解決するための手段)
本発明の電子部品用組成物は、−量大〔1〕〔l〕
(式中、R+はHまたはCH3を示す。)で表わされる
エチレン性不飽和化合物囚と有機パーオキサイド(Bを
含む事を特徴とするもので従来のエポキシ樹脂を用いる
場合に比較して、イオン性の不純物、特GCIC,LS
I等の電子部品の信頼性を低下させる加水分解性塩素の
含有量を低減させることが出来る。
エチレン性不飽和化合物囚と有機パーオキサイド(Bを
含む事を特徴とするもので従来のエポキシ樹脂を用いる
場合に比較して、イオン性の不純物、特GCIC,LS
I等の電子部品の信頼性を低下させる加水分解性塩素の
含有量を低減させることが出来る。
本発明に用いられるエチレン性不飽和化合物はペンタエ
リスリトールとヒドロキシピバリルアルデヒドの反応に
よって得られるスピログリコールと(メタ)アクリル酸
の縮合によって得られる1分子中に2個のエチレン性不
飽和基を有するものである。エチレン性不飽和基がアク
リロイル基の場合120℃の融点を示し、エチレン性不
飽和基がメタクリロイル基の場合130℃の融点を示す
。これ等の化合物は有機溶媒中で再結晶する事等により
精製出来るので電子部品等に有害なNa 、CI−*カ
ルボン酸等のイオン性不純物を数ppm以下に抑える事
が出来る。
リスリトールとヒドロキシピバリルアルデヒドの反応に
よって得られるスピログリコールと(メタ)アクリル酸
の縮合によって得られる1分子中に2個のエチレン性不
飽和基を有するものである。エチレン性不飽和基がアク
リロイル基の場合120℃の融点を示し、エチレン性不
飽和基がメタクリロイル基の場合130℃の融点を示す
。これ等の化合物は有機溶媒中で再結晶する事等により
精製出来るので電子部品等に有害なNa 、CI−*カ
ルボン酸等のイオン性不純物を数ppm以下に抑える事
が出来る。
このようにして得られたエチレン性不飽和化合物をジェ
ットミル等を用いて好ましくは平均粒度lO〜50μの
粒度を持つ粉末にする。10μより粒度が小さいと粉体
の流動性が悪くなる傾向があり、50μより大きくなる
と以下に述べる重合開始剤(有機パーオキサイド)と混
合した場合の均一性が悪くなる傾向がある。
ットミル等を用いて好ましくは平均粒度lO〜50μの
粒度を持つ粉末にする。10μより粒度が小さいと粉体
の流動性が悪くなる傾向があり、50μより大きくなる
と以下に述べる重合開始剤(有機パーオキサイド)と混
合した場合の均一性が悪くなる傾向がある。
更にこのエチレン性不飽和化合物囚の粉末に重合開始剤
となる有機パーオキサイドを添加しナウターミキサ−等
を用いて均一に混合する。
となる有機パーオキサイドを添加しナウターミキサ−等
を用いて均一に混合する。
本発明に用いられる有機パーオキサイドとしては、例え
ば、ターシャリアミルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
エート、ターシャリブチルパーオキシピバレート、ター
シャリブチルパーオキシイノブチレート、ターシャリア
ミルパーオキシイノブチレート、I、 I−ジターシャ
リフチルバーオキシシクロヘキサン、ビス−3,5,5
−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ターシャリ
ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエ
ート、ターシャリブチルパーオキシイノグロピルカーポ
ネート、ジターシャリブチルパーオキシアズレート、ジ
ターシャリブチルパーオキシトリメチルアジベート、2
.2−ジターシャリブチルパーオキシブタン、ターシャ
リブチルパーオキシアセテート、4.4−ジターシャリ
プチルパーオキシバレリアン酸−〇−フチルエステル、
トリス−ターシャリフチルバーオキシトリアジン、2.
5−ジメチル−2,5−ジターシャリブチルパーオキシ
ヘキサン、2.5−ジメチル−2,5−ジターシャリブ
チルパーオキシヘキシン−3及びターシャリブチルクミ
ルパーオキサイド、ジターシャリ−ブチルパーオキサイ
ド、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサ
イド、0−メチルベンゾイルパーオキサイド、ジ−1〜
ブチルバーオキンへキサヒドロテレフタレート、ターシ
ャリアミルパーオキシ−2−エチルヘキソエート等が挙
げられこれらは単独で又は二種以上混合して用いられる
。使用される有機パーオキサイドの量はエチレン性不飽
和化合物囚の量に対して好ましくはQ、 5 phr
〜5 phr使用されるo o、 5 phrより少
ない場合は硬化が不充分になり易く、5 phrより多
いと硬化のコントロールが難しく、又重合度が上がらな
いため硬化物性が低下する傾向がある。
ば、ターシャリアミルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
エート、ターシャリブチルパーオキシピバレート、ター
シャリブチルパーオキシイノブチレート、ターシャリア
ミルパーオキシイノブチレート、I、 I−ジターシャ
リフチルバーオキシシクロヘキサン、ビス−3,5,5
−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ターシャリ
ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエ
ート、ターシャリブチルパーオキシイノグロピルカーポ
ネート、ジターシャリブチルパーオキシアズレート、ジ
ターシャリブチルパーオキシトリメチルアジベート、2
.2−ジターシャリブチルパーオキシブタン、ターシャ
リブチルパーオキシアセテート、4.4−ジターシャリ
プチルパーオキシバレリアン酸−〇−フチルエステル、
トリス−ターシャリフチルバーオキシトリアジン、2.
5−ジメチル−2,5−ジターシャリブチルパーオキシ
ヘキサン、2.5−ジメチル−2,5−ジターシャリブ
チルパーオキシヘキシン−3及びターシャリブチルクミ
ルパーオキサイド、ジターシャリ−ブチルパーオキサイ
ド、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサ
イド、0−メチルベンゾイルパーオキサイド、ジ−1〜
ブチルバーオキンへキサヒドロテレフタレート、ターシ
ャリアミルパーオキシ−2−エチルヘキソエート等が挙
げられこれらは単独で又は二種以上混合して用いられる
。使用される有機パーオキサイドの量はエチレン性不飽
和化合物囚の量に対して好ましくはQ、 5 phr
〜5 phr使用されるo o、 5 phrより少
ない場合は硬化が不充分になり易く、5 phrより多
いと硬化のコントロールが難しく、又重合度が上がらな
いため硬化物性が低下する傾向がある。
充填剤を添加して用いる事も出来る。充填剤としては、
シリカ、石英ガラス粉、炭酸カルシウム、珪酸カルシウ
ム、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、クレー、マイカ、アエロジル等があげられ、エチレ
ン性不飽和化合物囚に対して好ましくは5〜50 ph
rが用(・られる。
シリカ、石英ガラス粉、炭酸カルシウム、珪酸カルシウ
ム、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、クレー、マイカ、アエロジル等があげられ、エチレ
ン性不飽和化合物囚に対して好ましくは5〜50 ph
rが用(・られる。
本発明でいう電子部品とは、例えばトランジスター ダ
イオード、IC,LS1.ハイブリッドIC1高集積複
合プロ7り、気密電子部品、抵抗器、コンデンサー パ
ワーサプライ、トランス、磁気ヘッド、スイッチ、フレ
キシブルプリント基板などである。
イオード、IC,LS1.ハイブリッドIC1高集積複
合プロ7り、気密電子部品、抵抗器、コンデンサー パ
ワーサプライ、トランス、磁気ヘッド、スイッチ、フレ
キシブルプリント基板などである。
本発明の組成物は、特に電子部品封止用組成物として有
用である。
用である。
本発明の組成物は融点を持つ結晶性化合物であるので、
加熱する事により低粘度溶液にする事が出来るので、内
部迄充分に均一な硬化物を得る事が出来る。加熱溶融の
温度は充填物の種類等によって一定ではないが、130
°CJR上、好ましくは150℃以上であれば良い。
加熱する事により低粘度溶液にする事が出来るので、内
部迄充分に均一な硬化物を得る事が出来る。加熱溶融の
温度は充填物の種類等によって一定ではないが、130
°CJR上、好ましくは150℃以上であれば良い。
又重合開始剤の種類と量を選ぶ事によって、硬化時間を
自由に調整する事が出来るのも大きな特徴である。半減
期温度の低い重合開始剤を使用すれば数10秒で硬化反
応を完了させる事が可能であるし、半減期温度の高い重
合開始剤を用いれば数時間液状を保持する事も出来る。
自由に調整する事が出来るのも大きな特徴である。半減
期温度の低い重合開始剤を使用すれば数10秒で硬化反
応を完了させる事が可能であるし、半減期温度の高い重
合開始剤を用いれば数時間液状を保持する事も出来る。
本発明の組成物はエポキシ樹脂等の他の粉体塗料組成物
と混合使用しても良い。又一般の粉体塗料と同様に静電
塗装、流動浸漬等の方法でコーティングする事も出来る
し、金型に充填、注型しして加熱硬化させ使用する事も
出来る。
と混合使用しても良い。又一般の粉体塗料と同様に静電
塗装、流動浸漬等の方法でコーティングする事も出来る
し、金型に充填、注型しして加熱硬化させ使用する事も
出来る。
(実施例)
以下実施例により詳細に説明する。
実施例!−10゜
下記の表−1に示すような成分を混合したものを48メ
ツシユの篩を全通する様に粉砕し粉末成型用組成物を得
た。この粉末成型用組成物を離型剤を塗布したlO10
X20XIoのステンレス製金型に充填し、所定時間硬
化して成型物を得た。この成型物を粉砕して100メツ
シユの篩を通しIgの粉砕試料を得た。これにイオン交
換及び蒸留した純水logを加え、小オートクレーブで
140℃100時間のプレッシャークツカーテストを行
った。抽出液を電位差滴定装置により塩素イオンを測定
し組成物の重量に対して表したものを示した。
ツシユの篩を全通する様に粉砕し粉末成型用組成物を得
た。この粉末成型用組成物を離型剤を塗布したlO10
X20XIoのステンレス製金型に充填し、所定時間硬
化して成型物を得た。この成型物を粉砕して100メツ
シユの篩を通しIgの粉砕試料を得た。これにイオン交
換及び蒸留した純水logを加え、小オートクレーブで
140℃100時間のプレッシャークツカーテストを行
った。抽出液を電位差滴定装置により塩素イオンを測定
し組成物の重量に対して表したものを示した。
実施例11〜l 4゜
次に表−2に示した封止用組成物を用い半田耐熱テスト
、ヒートサイクルテスト及び耐湿試験を行った。その結
果を表−2に示した。
、ヒートサイクルテスト及び耐湿試験を行った。その結
果を表−2に示した。
表−エ中の略零の説明
TBPP:z−ブチルパーオキシビバレート(カヤエス
テルP化薬ヌーリー■製) TBPI : t−ブチルパーオキイソブチレート(カ
ヤエステル1化薬ヌーリー■製) BPC:1,1−ビス−1−、ブチルパーオキシシクロ
ヘキサン(トリボノックス22化薬ヌー リ −■製
) TPNH: t−ブチルパーオキシ−3,3,5−)リ
メチルヘキサノエート(トリボノックス 42化栗ヌーリー■製) TBPIC: t−ブチルパーオキシイソプロピルカー
ボネート(カヤカルボンBIC化薬ヌーリー■製) AZ ニジ−1−ブチルパーオキシアズレート(カヤエ
ステル1化薬ヌーリー■製) TMA ニジ−1−ブチルパーオキシトリメチルアジベ
ート(カヤエステルTMA 化薬ヌーリ −■製 ) DTBP ニジ−1−ブチルパーオキサイド(カヤブチ
ルD化薬ヌーリー■製) スビロゴリコールジアクリレート二一般式mにおいて、
R1がHである化合物 スピログリコールジメタクリレートニー量大(1)にお
いて、R,がC1(3である化合物表−2 (チl)半田耐熱は1010X20X10の成型品中に
1 mmダの銅線を埋め込み250℃の半田浴IC10
秒間2回浸漬した後、クラックの発生状況を見たもので
ある。
テルP化薬ヌーリー■製) TBPI : t−ブチルパーオキイソブチレート(カ
ヤエステル1化薬ヌーリー■製) BPC:1,1−ビス−1−、ブチルパーオキシシクロ
ヘキサン(トリボノックス22化薬ヌー リ −■製
) TPNH: t−ブチルパーオキシ−3,3,5−)リ
メチルヘキサノエート(トリボノックス 42化栗ヌーリー■製) TBPIC: t−ブチルパーオキシイソプロピルカー
ボネート(カヤカルボンBIC化薬ヌーリー■製) AZ ニジ−1−ブチルパーオキシアズレート(カヤエ
ステル1化薬ヌーリー■製) TMA ニジ−1−ブチルパーオキシトリメチルアジベ
ート(カヤエステルTMA 化薬ヌーリ −■製 ) DTBP ニジ−1−ブチルパーオキサイド(カヤブチ
ルD化薬ヌーリー■製) スビロゴリコールジアクリレート二一般式mにおいて、
R1がHである化合物 スピログリコールジメタクリレートニー量大(1)にお
いて、R,がC1(3である化合物表−2 (チl)半田耐熱は1010X20X10の成型品中に
1 mmダの銅線を埋め込み250℃の半田浴IC10
秒間2回浸漬した後、クラックの発生状況を見たもので
ある。
し2)ヒートサイクルテストはl 0X20X10mm
の成型品中にl mm 96の銅線を埋め込み一り0℃
〜+200℃各10分間のサイクルを100サイクル繰
り返した後のクラックの発生状況を見たものである。
の成型品中にl mm 96の銅線を埋め込み一り0℃
〜+200℃各10分間のサイクルを100サイクル繰
り返した後のクラックの発生状況を見たものである。
(チ3)封止用組成物を用いて、2本のアルミニウム配
線を有する電気部品を150℃、3分間の条件でトラン
スファー成型し、その後150℃で更に2時間硬化させ
た。こうして得たテストピース10個について127’
C2,5気圧のプレッシャークツカー耐湿テストを行い
、アルミニウム腐食による1ffI不良を測定した。
線を有する電気部品を150℃、3分間の条件でトラン
スファー成型し、その後150℃で更に2時間硬化させ
た。こうして得たテストピース10個について127’
C2,5気圧のプレッシャークツカー耐湿テストを行い
、アルミニウム腐食による1ffI不良を測定した。
(発明の効果)
本発明の組成物を用いる事によりイオン性不純物の少な
い、耐熱性、耐湿性の優れた高信頼性の電子部品封止用
材料を提供する事が出来る。
い、耐熱性、耐湿性の優れた高信頼性の電子部品封止用
材料を提供する事が出来る。
本発明組成物は電子部品の封止、すなわち埋込み含浸材
、塗装用材料として、あるいは部品と部品の接着剤とし
て有用である。
、塗装用材料として、あるいは部品と部品の接着剤とし
て有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1はHまたはCH_3を示す。)で表わさ
れるエチレン性不飽和化合物(A)と有機パーオキサイ
ド(B)を含むことを特徴とする電子部品用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22972188A JPH0280408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 電子部品用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22972188A JPH0280408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 電子部品用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280408A true JPH0280408A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16896661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22972188A Pending JPH0280408A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 電子部品用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280408A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002180032A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Nhk Spring Co Ltd | 電子部品のシーリング方法 |
| EP1561862B1 (fr) * | 2004-02-05 | 2010-08-11 | Marc Struyf | Elément de piste artificielle de glisse et piste artificielle de glisse comprenant un tel élément |
| KR101155453B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2012-06-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP22972188A patent/JPH0280408A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002180032A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Nhk Spring Co Ltd | 電子部品のシーリング方法 |
| EP1561862B1 (fr) * | 2004-02-05 | 2010-08-11 | Marc Struyf | Elément de piste artificielle de glisse et piste artificielle de glisse comprenant un tel élément |
| KR101155453B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2012-06-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
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