JPH0280560A - Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法Info
- Publication number
- JPH0280560A JPH0280560A JP23335588A JP23335588A JPH0280560A JP H0280560 A JPH0280560 A JP H0280560A JP 23335588 A JP23335588 A JP 23335588A JP 23335588 A JP23335588 A JP 23335588A JP H0280560 A JPH0280560 A JP H0280560A
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- Japan
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- sputtering
- targets
- oxidation
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- ito films
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
半導体や集積回路素子等を構成するＩＴＯ（＝Ｉｎ−８
ｎ−Ｏ＝インジューム錫酸）ＷＸのスパッタリング生成
法。
ｎ−Ｏ＝インジューム錫酸）ＷＸのスパッタリング生成
法。
く従来の技術〉
従来のＩＴＯ膜（結晶性）の生成方法は、（ｎ：９０［
％］、Ｓｎ：１０［％１．の割合からなるＩＴ＠−金を
ターデッド材とし、これに０２反応性雰囲気中でＤＣス
パッタをかけることにより、Ｉｎ２０３−ｄＬ＋５ｎＯ
２−ｊの半透明膜を形成する。そしてこの時の酸化度は
ａ、βう１程度であり、更に上記１ｎ２０３−．１＋５
ｎ０２−．１１を２５０−４００［”ＣＩの温度で大気
焼成（又はＮ２雰囲気中で焼成）することにより酸素の
状態が変わり、酸化度α、βがＯに近くなって透明なＩ
ｎ２０ ｓ−ｔ ＋ Ｓ ｎ Ｏ２−４、即ちＩＴｏｌ
ｌを形成させている。
％］、Ｓｎ：１０［％１．の割合からなるＩＴ＠−金を
ターデッド材とし、これに０２反応性雰囲気中でＤＣス
パッタをかけることにより、Ｉｎ２０３−ｄＬ＋５ｎＯ
２−ｊの半透明膜を形成する。そしてこの時の酸化度は
ａ、βう１程度であり、更に上記１ｎ２０３−．１＋５
ｎ０２−．１１を２５０−４００［”ＣＩの温度で大気
焼成（又はＮ２雰囲気中で焼成）することにより酸素の
状態が変わり、酸化度α、βがＯに近くなって透明なＩ
ｎ２０ ｓ−ｔ ＋ Ｓ ｎ Ｏ２−４、即ちＩＴｏｌ
ｌを形成させている。
そして、上記例ではＩｎ系金属をターゲットに用いるこ
とができるのでコストが安く、しがも牛曙明のｌＴｌ１
の状態で焼成処理するので生産性が高く、更にＤＣスパ
ッタリング装置の使用によるから設備費も安いなどのこ
とから現在広く使用されている。
とができるのでコストが安く、しがも牛曙明のｌＴｌ１
の状態で焼成処理するので生産性が高く、更にＤＣスパ
ッタリング装置の使用によるから設備費も安いなどのこ
とから現在広く使用されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、上記従来例においては、ＤＣスパッタリングに
よって半透明膜を得ているから、スパ７タをかけると第
５図に示すようなヒステリシスを示し、スパッタ電圧を
一定に保っておいてもターゲット表面の酸化度が変動す
ると、スパッタ率が変化するのでターゲットの膜質（酸
化度）を一定に保つことが必要となる。モして膜質を一
定に保つためにはスパッタ装置の電ａ系、ガス系等を高
精度を以て制御しているが、しかしその制御の許容幅は
小さく、適正条件を得るのは容易ではなく、したがって
製品の歩留りが悪い欠点であった。
よって半透明膜を得ているから、スパ７タをかけると第
５図に示すようなヒステリシスを示し、スパッタ電圧を
一定に保っておいてもターゲット表面の酸化度が変動す
ると、スパッタ率が変化するのでターゲットの膜質（酸
化度）を一定に保つことが必要となる。モして膜質を一
定に保つためにはスパッタ装置の電ａ系、ガス系等を高
精度を以て制御しているが、しかしその制御の許容幅は
小さく、適正条件を得るのは容易ではなく、したがって
製品の歩留りが悪い欠点であった。
そこで本発明は、こうした上記従来例の欠点の解決を図
り、生成雰囲気の制御が容易で、しかも高品質のＩＴＯ
膜が歩留り良く得られる方法を提供しようとするもので
ある。
り、生成雰囲気の制御が容易で、しかも高品質のＩＴＯ
膜が歩留り良く得られる方法を提供しようとするもので
ある。
〈課題を解決しようとする手段〉
不活性ガスと酸素とからなる雰囲気中で、分光モニター
システムにより発光量を監視しながらスパッタパワーを
制御し、ターデッド上に形成されるＩＴＯ膜の酸化度を
調節することによりプラス基板上に形成されるＩＴＯ膜
の酸化度を外層に向かって小さくするようにしてなる。
システムにより発光量を監視しながらスパッタパワーを
制御し、ターデッド上に形成されるＩＴＯ膜の酸化度を
調節することによりプラス基板上に形成されるＩＴＯ膜
の酸化度を外層に向かって小さくするようにしてなる。
〈作用〉
スパッタリング雰囲気中の発光量を分光モニターシステ
ムにより監視しながらスパッタリングパワーを変えるこ
とにより、ガラス基板上に形成されるＴＴＯ膜の酸化度
を自由に変化させる。
ムにより監視しながらスパッタリングパワーを変えるこ
とにより、ガラス基板上に形成されるＴＴＯ膜の酸化度
を自由に変化させる。
〈実施例〉
以下、本発明について図面に示す実施例により詳細に説
明すると、先ず第１図のように真空槽１内に配置した複
数個のターゲット２．２・・・にＤＣ入力電源装置３．
３・・・を対設すると共に、該真空槽１内にターゲット
上の発光を監視するための分光モニターシステムの受光
センサー４，４・・・をそれぞれ設置し、各ターデッド
２，２・・の側方には真空槽１内各部の雰囲気ガス濃度
を一様に保つために複数個のスパッタガス供給路５．５
・・・を設けている。そして、上記構成のスパッタリン
グ装置により本発明方法を実施するには、先ず真空槽１
内に各スパッタガス供給路５，５・・・からアルゴンガ
スＡｒのような不活性ガスと酸素のような反応性ガスか
らなる混合ガスを注入し、該スパッタリング装置内にＤ
Ｃ入力電源装置３．３・・・から操作電圧を印加するこ
とにより動作を開始すると、該装置内の電極間にはプラ
ズマ発光を生じるので、これを分光モニターシステム４
により検出して、その時の発光エネルギー（発光スペク
トル）をＤＣ入力電源装置３．３・・・へフィードバッ
クし、これによってターデッド２，２・・・へ印加され
るスパッタパワーを制御する。
明すると、先ず第１図のように真空槽１内に配置した複
数個のターゲット２．２・・・にＤＣ入力電源装置３．
３・・・を対設すると共に、該真空槽１内にターゲット
上の発光を監視するための分光モニターシステムの受光
センサー４，４・・・をそれぞれ設置し、各ターデッド
２，２・・の側方には真空槽１内各部の雰囲気ガス濃度
を一様に保つために複数個のスパッタガス供給路５．５
・・・を設けている。そして、上記構成のスパッタリン
グ装置により本発明方法を実施するには、先ず真空槽１
内に各スパッタガス供給路５，５・・・からアルゴンガ
スＡｒのような不活性ガスと酸素のような反応性ガスか
らなる混合ガスを注入し、該スパッタリング装置内にＤ
Ｃ入力電源装置３．３・・・から操作電圧を印加するこ
とにより動作を開始すると、該装置内の電極間にはプラ
ズマ発光を生じるので、これを分光モニターシステム４
により検出して、その時の発光エネルギー（発光スペク
トル）をＤＣ入力電源装置３．３・・・へフィードバッ
クし、これによってターデッド２，２・・・へ印加され
るスパッタパワーを制御する。
即ち、スパッタパワ一対スパッタ率の関係は第３図に示
すようなヒステリシス特性となり、該特性上の各点Ａ
ｌ ｆ Ａ ２１・・・、Ａ、の位置が示すように、六
バッタ率が急激に変化する場合でも分光モニターシステ
ムにより、その変化の様子を適確に連続検出し、それぞ
れの検知出力に応じたスパッタ入力をターゲット２．２
・・・へ供給することにより、第２図に示すようにガラ
ス基板６上に前記特性上における各点Ａ、、Ａ、、・・
・ｌＡ、に対応する酸化度の異なるＴＴＯ膜ａ１・ａ、
・・・ａ、が形成される。
すようなヒステリシス特性となり、該特性上の各点Ａ
ｌ ｆ Ａ ２１・・・、Ａ、の位置が示すように、六
バッタ率が急激に変化する場合でも分光モニターシステ
ムにより、その変化の様子を適確に連続検出し、それぞ
れの検知出力に応じたスパッタ入力をターゲット２．２
・・・へ供給することにより、第２図に示すようにガラ
ス基板６上に前記特性上における各点Ａ、、Ａ、、・・
・ｌＡ、に対応する酸化度の異なるＴＴＯ膜ａ１・ａ、
・・・ａ、が形成される。
そしてスパッタパワーが小さい程酸化度が大きく、又、
スパッタパワーが大きくなるにしたがつて酸化度は小さ
くなる特性を利用することにより、酸化度がそれぞれの
ＩＴＯ膜について、ａ、＞ａ、＞ａ３ ＞ ａ、となる
ように制御することができ、これを焼成することにより
第４図に示すような透明度の高いＩＴＯＷＸを得ること
ができる。
スパッタパワーが大きくなるにしたがつて酸化度は小さ
くなる特性を利用することにより、酸化度がそれぞれの
ＩＴＯ膜について、ａ、＞ａ、＞ａ３ ＞ ａ、となる
ように制御することができ、これを焼成することにより
第４図に示すような透明度の高いＩＴＯＷＸを得ること
ができる。
〈発明の効果〉
本発明方法は上述のようにない、従来は第３図に示すよ
うにスパッタ率の急激な変動のない点Ａ１．Ａ、の領域
においてスパッタリングを実施していたがスパッタパワ
ーの調節領域が狭く、適正な成膜条件を保つのが容易で
なかったが、本発明では分光モニターシステムによって
スパッタ率を適確に検出できるので成膜条件の調節幅が
Ａ １ ＨＡ ２ ＋・・・、Ａ４へと広くなり操作性
が向上すると共に、これによって製品の歩留りが向上す
る。
うにスパッタ率の急激な変動のない点Ａ１．Ａ、の領域
においてスパッタリングを実施していたがスパッタパワ
ーの調節領域が狭く、適正な成膜条件を保つのが容易で
なかったが、本発明では分光モニターシステムによって
スパッタ率を適確に検出できるので成膜条件の調節幅が
Ａ １ ＨＡ ２ ＋・・・、Ａ４へと広くなり操作性
が向上すると共に、これによって製品の歩留りが向上す
る。
又、品質についてもスパッタリングの雰囲気制御が精度
良く実行でき、第４図の如く本発明の特性Ｂと従来の特
性Ｃとから明らかなように、従来は焼成後の透過率が８
０Ｅ％１以上の時、スパッタ後の透過率が６５〜８０１
％］（Ｐ、、Ｐ、）程度即ち１５［％１差であるのに対
し、本発明においては同じ焼成後の透過率が８０［％］
以上の時、透過率が５０〜８叶％１（ｐ、、ｐ、）即ち
３０［％１差となり、約２倍の条件幅をもっていて調節
が極めて容易であるなどの効果を有する。
良く実行でき、第４図の如く本発明の特性Ｂと従来の特
性Ｃとから明らかなように、従来は焼成後の透過率が８
０Ｅ％１以上の時、スパッタ後の透過率が６５〜８０１
％］（Ｐ、、Ｐ、）程度即ち１５［％１差であるのに対
し、本発明においては同じ焼成後の透過率が８０［％］
以上の時、透過率が５０〜８叶％１（ｐ、、ｐ、）即ち
３０［％１差となり、約２倍の条件幅をもっていて調節
が極めて容易であるなどの効果を有する。
第１図は、本発明方法の実施に用いられるスパッタリン
グ真空装置の概略側面図、 ｆｊｔＪ２図は、本発明方法による製品の部分縦断側面
図、 第３図は、本発明におけるスパッタパワ一対スパッタ率
の特性図、 第４図は、本発明におけるスパッタ後の透過率対焼成後
の透過率特性図、 第５図は、従来のスパッタ電圧対スパンタ率の特性図で
ある。 １・・・真空槽 、２・・・ターデッド３・
・・ＤＣ入力電源装置 ４・・・受光センサー ６・・・プラス基板
グ真空装置の概略側面図、 ｆｊｔＪ２図は、本発明方法による製品の部分縦断側面
図、 第３図は、本発明におけるスパッタパワ一対スパッタ率
の特性図、 第４図は、本発明におけるスパッタ後の透過率対焼成後
の透過率特性図、 第５図は、従来のスパッタ電圧対スパンタ率の特性図で
ある。 １・・・真空槽 、２・・・ターデッド３・
・・ＤＣ入力電源装置 ４・・・受光センサー ６・・・プラス基板
Claims (1)
- １、スパッタリング真空装置を用いてＩＴ（Ｉｎ・Ｓｎ
）又はＩＴＯ（Ｉｎ・Ｓｎ・Ｏ）膜を生成する方法にお
いで、不活性ガスと酸素からなる雰囲気中に設けた分光
モニターシステムにより、ターゲットからの発光量を監
視しながら、該発光量にしたがってスパッタパワーを制
御し、ターゲット上に形成される被膜の酸化度を調節す
ることによりガラス基板上に内層から外層に向かって順
次に酸化度の低いＩＴＯ層が積層形成されることを特徴
とするＩＴＯ膜のスパッタリング生成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23335588A JPH0280560A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23335588A JPH0280560A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280560A true JPH0280560A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16953851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23335588A Pending JPH0280560A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794045A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23335588A patent/JPH0280560A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794045A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
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