JPH0794045A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH0794045A JPH0794045A JP5239922A JP23992293A JPH0794045A JP H0794045 A JPH0794045 A JP H0794045A JP 5239922 A JP5239922 A JP 5239922A JP 23992293 A JP23992293 A JP 23992293A JP H0794045 A JPH0794045 A JP H0794045A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 プラズマ分光強度により制御されるスパッタ
蒸着プロセスにおいて、プラズマ分光強度の測定、蒸着
条件制御及び導入ガス供給を、１つのターゲットに対し
て長手方向または膜質分布の発生しやすい方向に、複数
系統で行いそれぞれのプラズマ分光強度測定値が一定に
なるように蒸着条件を制御する透明導電膜の製造方法。 【効果】 より精度の高いプラズマ分光強度による蒸着
条件の制御が可能となり均一な膜質をもつ薄膜を形成す
ることが可能となった。
蒸着プロセスにおいて、プラズマ分光強度の測定、蒸着
条件制御及び導入ガス供給を、１つのターゲットに対し
て長手方向または膜質分布の発生しやすい方向に、複数
系統で行いそれぞれのプラズマ分光強度測定値が一定に
なるように蒸着条件を制御する透明導電膜の製造方法。 【効果】 より精度の高いプラズマ分光強度による蒸着
条件の制御が可能となり均一な膜質をもつ薄膜を形成す
ることが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス等に使用
する透明導電膜の製造方法に関するものである。
する透明導電膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物の透明導電膜を成膜する方法
の１つに、金属をターゲットにして真空容器内に不活性
ガス及び酸素ガスを導入しつつスパッタリングを行う方
法がある。特に発生したプラズマ光を測定してプラズマ
強度が一定になるように酸素ガス流量や放電電流等の成
膜条件を制御する方法（特開昭５９−６３７６号公報）
により大きな成膜速度が得られる。例えば酸化インジウ
ムに酸化錫を含んだＩＴＯ膜を成膜する場合、インジウ
ムと錫の合金をターゲットに用いてＤＣマグネトロンス
パッタで抵抗率が低く欠陥の少ないＩＴＯ膜が高い成膜
速度で形成できるスパッタ蒸着装置がある（特開昭６４
−２６４号公報）。これを図３に示した。真空容器(６)
内にスパッタ蒸着する物質からなるターゲット(１)を、
電圧を付加するためのカソード電極(５)上に設け、スパ
ッタ蒸着される基板(３)はターゲット(１)と向かい合う
方向にターゲット(１)と平行になるように基板ホルダー
(７）で固定されており、ターゲットの端部には１つの
プラズマ分光強度測定センサー（４)と導入ガス流入口
が設けられている。真空容器(６)外には導入ガスボンベ
(９)とガス流量制御バルブ(８)、蒸着条件を制御する制
御装置(１０)が設けられている。ところで、真空容器
（６）内にカズを導入しカソード電極(５)に電圧を付加
するとターゲット(１)上にプラズマ(２)が発生しスパッ
タ蒸着が起こり基板(３)上に薄膜が形成される。しか
し、これら従来の技術ではプラズマ分光強度測定センサ
ー、蒸着条件制御装置、ガス導入システムは一般に１つ
のターゲットに対して１組据え付けられていた。しか
し、最適な蒸着条件はターゲット全域についてのプラズ
マ分光強度を測定し最適な蒸着条件を求めることは不可
能であった。即ちターゲット全域の蒸着条件を制御する
ことになるので膜質が不均一になるという問題があっ
た。
の１つに、金属をターゲットにして真空容器内に不活性
ガス及び酸素ガスを導入しつつスパッタリングを行う方
法がある。特に発生したプラズマ光を測定してプラズマ
強度が一定になるように酸素ガス流量や放電電流等の成
膜条件を制御する方法（特開昭５９−６３７６号公報）
により大きな成膜速度が得られる。例えば酸化インジウ
ムに酸化錫を含んだＩＴＯ膜を成膜する場合、インジウ
ムと錫の合金をターゲットに用いてＤＣマグネトロンス
パッタで抵抗率が低く欠陥の少ないＩＴＯ膜が高い成膜
速度で形成できるスパッタ蒸着装置がある（特開昭６４
−２６４号公報）。これを図３に示した。真空容器(６)
内にスパッタ蒸着する物質からなるターゲット(１)を、
電圧を付加するためのカソード電極(５)上に設け、スパ
ッタ蒸着される基板(３)はターゲット(１)と向かい合う
方向にターゲット(１)と平行になるように基板ホルダー
(７）で固定されており、ターゲットの端部には１つの
プラズマ分光強度測定センサー（４)と導入ガス流入口
が設けられている。真空容器(６)外には導入ガスボンベ
(９)とガス流量制御バルブ(８)、蒸着条件を制御する制
御装置(１０)が設けられている。ところで、真空容器
（６）内にカズを導入しカソード電極(５)に電圧を付加
するとターゲット(１)上にプラズマ(２)が発生しスパッ
タ蒸着が起こり基板(３)上に薄膜が形成される。しか
し、これら従来の技術ではプラズマ分光強度測定センサ
ー、蒸着条件制御装置、ガス導入システムは一般に１つ
のターゲットに対して１組据え付けられていた。しか
し、最適な蒸着条件はターゲット全域についてのプラズ
マ分光強度を測定し最適な蒸着条件を求めることは不可
能であった。即ちターゲット全域の蒸着条件を制御する
ことになるので膜質が不均一になるという問題があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前記問
題点を解決し、スパッタ蒸着プロセスにおいて均一な膜
質を有する透明導電膜を提供することにある。
題点を解決し、スパッタ蒸着プロセスにおいて均一な膜
質を有する透明導電膜を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はプラズマ分光強
度により制御されるスパッタ蒸着プロセスにおいて、プ
ラズマ分光強度の測定、蒸着条件制御及び導入ガス供給
を、１つのターゲットに対して長手方向または膜質分布
の発生しやすい方向に、複数系統で行いそれぞれのプラ
ズマ分光強度測定値が一定になるように蒸着条件を制御
することを特徴とする透明導電膜の製造方法であり、ス
パッタ蒸着方法としては樹脂フィルム基板上にロール・
トゥ・ロールで行うことが好ましい。ターゲットの長手
方向または膜質分布の発生しやすい方向に複数のプラズ
マ分光強度測定センサー、蒸着条件制御装置、ガス導入
システム（以下これらをまとめて蒸着条件制御システム
と総称する）を設け、ターゲット部分部分のプラズマ分
光強度を測定し、それぞれのプラズマ分光強度が一定に
なるように、それぞれの測定域での最適ガス導入量で制
御すれば、膜質の均一なものをつくることができる。
度により制御されるスパッタ蒸着プロセスにおいて、プ
ラズマ分光強度の測定、蒸着条件制御及び導入ガス供給
を、１つのターゲットに対して長手方向または膜質分布
の発生しやすい方向に、複数系統で行いそれぞれのプラ
ズマ分光強度測定値が一定になるように蒸着条件を制御
することを特徴とする透明導電膜の製造方法であり、ス
パッタ蒸着方法としては樹脂フィルム基板上にロール・
トゥ・ロールで行うことが好ましい。ターゲットの長手
方向または膜質分布の発生しやすい方向に複数のプラズ
マ分光強度測定センサー、蒸着条件制御装置、ガス導入
システム（以下これらをまとめて蒸着条件制御システム
と総称する）を設け、ターゲット部分部分のプラズマ分
光強度を測定し、それぞれのプラズマ分光強度が一定に
なるように、それぞれの測定域での最適ガス導入量で制
御すれば、膜質の均一なものをつくることができる。
【０００５】
【実施例】本発明の実施例としては、インジウム錫ター
ゲット（以降ターゲットと記す）によるリアクティブス
パッタ蒸着装置上のプラズマ分光強度制御装置が上げら
れる。本実施例ではプラズマ分光強度、表面抵抗値を測
定し表面抵抗値が３００Ω／□となるようなプラズマ分
光強度を設定した。本装置は図１（側面図）及び図２
（正面図）に示すように、真空容器(６)外には酸素ボン
ベ(９)と酸素流量制御バルブ(８)、蒸着条件制御装置(1
0)が設けられている。真空容器(６)内にはスパッタ蒸着
する物質からなるターゲット(１)を電圧を付加するため
のカソード電極(５)の上に設ける。スパッタ蒸着される
基板(３)はターゲット(１)と向かい合う位置にターゲッ
ト(１)と平行になるように基板ホルダー(７)で固定され
ている。ターゲットの両端と中央にプラズマ分光強度測
定センサー(４)及び酸素ガス導入口（11）を設ける。プ
ラズマ分光強度測定センサー(４)の設置場所はターゲッ
ト(１)の端から１０cm〜５０cm、ターゲット表面から１
cm〜３cm上の位置が好ましい。またプラズマ分光強度測
定センサー(４)の光軸は、ターゲット表面と平行になる
ように取り付ける。このような方法でプラズマ分光強度
を測定し、該測定値をプロセス中に導入する酸素の流量
制御装置にフィードバックさせそれぞれのプラズマ分光
強度測定値が一定になるように制御した。図３に従来法
による比較例を示す。図３では広幅なターゲットに対し
て１組しか蒸着条件制御システムが設けられていない。
図４に表面抵抗値の分布の比較を示す。比較例の図３に
示す従来法では±２０％近くあった表面抵抗値の分布が
実施例では±３％以内におさまっていることがわかる。
ゲット（以降ターゲットと記す）によるリアクティブス
パッタ蒸着装置上のプラズマ分光強度制御装置が上げら
れる。本実施例ではプラズマ分光強度、表面抵抗値を測
定し表面抵抗値が３００Ω／□となるようなプラズマ分
光強度を設定した。本装置は図１（側面図）及び図２
（正面図）に示すように、真空容器(６)外には酸素ボン
ベ(９)と酸素流量制御バルブ(８)、蒸着条件制御装置(1
0)が設けられている。真空容器(６)内にはスパッタ蒸着
する物質からなるターゲット(１)を電圧を付加するため
のカソード電極(５)の上に設ける。スパッタ蒸着される
基板(３)はターゲット(１)と向かい合う位置にターゲッ
ト(１)と平行になるように基板ホルダー(７)で固定され
ている。ターゲットの両端と中央にプラズマ分光強度測
定センサー(４)及び酸素ガス導入口（11）を設ける。プ
ラズマ分光強度測定センサー(４)の設置場所はターゲッ
ト(１)の端から１０cm〜５０cm、ターゲット表面から１
cm〜３cm上の位置が好ましい。またプラズマ分光強度測
定センサー(４)の光軸は、ターゲット表面と平行になる
ように取り付ける。このような方法でプラズマ分光強度
を測定し、該測定値をプロセス中に導入する酸素の流量
制御装置にフィードバックさせそれぞれのプラズマ分光
強度測定値が一定になるように制御した。図３に従来法
による比較例を示す。図３では広幅なターゲットに対し
て１組しか蒸着条件制御システムが設けられていない。
図４に表面抵抗値の分布の比較を示す。比較例の図３に
示す従来法では±２０％近くあった表面抵抗値の分布が
実施例では±３％以内におさまっていることがわかる。
【０００６】
【発明の効果】本発明に従うと、より精度の高いプラズ
マ分光強度による蒸着条件の制御が可能となり均一な膜
質をもつ薄膜を形成することが可能となった。
マ分光強度による蒸着条件の制御が可能となり均一な膜
質をもつ薄膜を形成することが可能となった。
【図１】本発明の実施例を示す側面断面図、
【図２】本発明の実施例を示す正面断面図、
【図３】従来方法による比較例でプラズマ分光強度測定
センサーが１つ設けられた断面図、
センサーが１つ設けられた断面図、
【図４】表面抵抗値の長幅方向のばらつきを示すグラフ
である。
である。
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ分光強度により制御されるスパ
ッタ蒸着プロセスにおいて、プラズマ分光強度の測定、
蒸着条件制御及び導入ガス供給を、１つのターゲットに
対して長手方向または膜質分布の発生しやすい方向に、
複数系統で行いそれぞれのプラズマ分光強度測定値が一
定になるように蒸着条件を制御することを特徴とする透
明導電膜の製造方法。 - 【請求項２】樹脂フィルム基板上にロール・トゥ・ロー
ルでスパッタ蒸着を行う請求項１記載の透明導電膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992293A JP3528930B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992293A JP3528930B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794045A true JPH0794045A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3528930B2 JP3528930B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=17051846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23992293A Expired - Fee Related JP3528930B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528930B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006219753A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439362A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Nitto Denko Corp | Method and device for depositing metal oxide film on substrate |
| JPH01283357A (ja) * | 1988-01-09 | 1989-11-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 |
| JPH0280560A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Sharp Corp | Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23992293A patent/JP3528930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439362A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Nitto Denko Corp | Method and device for depositing metal oxide film on substrate |
| JPH01283357A (ja) * | 1988-01-09 | 1989-11-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 |
| JPH0280560A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Sharp Corp | Ｉｔｏ膜のスパッタリング生成法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006219753A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3528930B2 (ja) | 2004-05-24 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031219 |
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